Beschreibung

Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstel ^¬ len eines Konversionselements gemäß Patentanspruch 1.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2013 211 634.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Im Stand der Technik sind optoelektronische Bauelemente be ^¬ kannt, bei denen eine Lichtfarbe mittels eines wellenlängen ^¬ konvertierenden Konversionselements konvertiert wird. Die Konversionselemente derartiger optoelektronischer Bauelemente weisen einen Leuchtstoff auf, der dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung mit einer ersten Wellenlänge zu absorbieren, und nachfolgend elektromagnetische Strahlung mit einer zweiten, typischerweise größeren, Wellenlänge zu emit ^¬ tieren. Es können auch verschiedene Leuchtstoffe zur Emission elektromagnetischer Strahlung unterschiedlicher Wellenlängen miteinander kombiniert werden. Beispielsweise sind optoe ^¬ lektronische Bauelemente mit im blauen Spektralbereich emit ^¬ tierenden Leuchtdiodenchips bekannt, bei denen durch den Leuchtdiodenchip erzeugtes blaues Licht mittels eines Konver ^¬ sionselements in weißes Licht gewandelt wird.

Es ist bekannt, derartige Konversionselemente als Plättchen auszubilden, die über lichtemittierenden Oberflächen von op- toelektronischen Halbleiterchips angeordnet werden können. Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, Konversionsplätt- chen durch Siebdruckverfahren herzustellen. Die dadurch erhältlichen Konversionselemente weisen allerdings vergleichs ^¬ weise große Formtoleranzen auf. Ebenfalls bekannt ist, Kon- versionselemente als gestanzte keramische Plättchen zu reali ^¬ sieren. Dies ist allerdings mit hohen Herstellungskosten verbunden . Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind ver- schiedene Weiterbildungen angegeben.

Ein Verfahren zum Herstellen eines Konversionselements um- fasst Schritte zum Bereitstellen eines Substrats mit einer Oberfläche, zum Ausbilden einer ersten Maskenstruktur über der Oberfläche, wobei die erste Maskenstruktur erste Stege und zwischen den ersten Stegen angeordnete erste Öffnungen aufweist, wobei die ersten Öffnungen Kavitäten bilden, in denen die Oberfläche des Substrats zugänglich ist, zum Anordnen einer zweiten Maskenstruktur über der ersten Maskenstruktur, wobei die zweite Maskenstruktur zweite Stege und zwischen den zweiten Stegen angeordnete zweite Öffnungen aufweist, wobei die ersten Stege durch die zweiten Stege zumindest teilweise abgedeckt werden, wobei die Kavitäten durch die zweiten Öffnungen zumindest teilweise zugänglich bleiben, zum Einsprühen eines Materials in die Kavitäten durch die zweiten Öffnungen, zum Entfernen der zweiten Maskenstruktur und zum Entfernen der ersten Maskenstruktur. Vorteilhafterweise ermöglicht die ^¬ ses Verfahren eine kostengünstige parallele Herstellung einer Vielzahl von Konversionselementen. Die Konversionselemente werden dabei vorteilhafterweise mit präziser und genau defi ^¬ nierter Form ausgebildet, insbesondere mit scharfen Kanten. Das Ausbilden der Konversionselemente aus einem aufgesprühten Material bietet vorteilhafterweise eine große Freiheit bei der Wahl der Zusammensetzung des Materials, wodurch die Her- Stellung von Konversionselementen für verschiedene Farbbereiche ermöglicht wird.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Einsprühen des Materials in die Kavitäten ein weiterer Schritt durchgeführt zum Aushärten des in die Kavitäten eingesprühten Materials. Vorteilhafterweise erhalten die während des Aus ^¬ härtens des in die Kavitäten eingesprühten Materials aus dem Material gebildeten Konversionselemente dadurch mit hoher Ge- nauigkeit die durch die zwischen den ersten Stegen der ersten Maskenstruktur angeordneten ersten Öffnungen festgelegten Formen, wodurch vorteilhafterweise Konversionselemente mit hoher Formgenauigkeit erhältlich sind.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Aushärten des in die Kavitäten eingesprühten Materials durch ein thermisches Verfahren. Vorteilhafterweise kann das Verfahren da ^¬ durch kostengünstig und mit guter Reproduzierbarkeit durchge ^¬ führt werden.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Aushärten des in die Kavitäten eingesprühten Materials zwischen dem Entfernen der zweiten Maskenstruktur und dem Entfernen der ersten Maskenstruktur. Vorteilhafterweise ist die erste Mas ^¬ kenstruktur nach dem Entfernen der zweiten Maskenstruktur freigelegt und kann dadurch nach dem Aushärten des in die Kavitäten eingesprühten Materials entfernt werden, ohne die aus dem ausgehärteten Material gebildeten Konversionselemente zu beschädigen .

In einer Ausführungsform des Verfahrens bildet das in die Ka ^¬ vitäten eingesprühte Material Konversionselemente. Dabei um- fasst das Verfahren einen weiteren Schritt zum Ablösen der Konversionselemente von der Oberfläche des Substrats. Vor ^¬ teilhafterweise können die Konversionselemente dann anschlie ^¬ ßend an ihre Zielposition verbracht werden. Beispielsweise können die Konversionselemente über lichtemittierenden Oberflächen von optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet werden, um optoelektronische Bauelemente zu bilden.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Ablösen der Konversionselemente durch einen Umklebeprozess . Dabei kann beispielsweise eine Thermoreleasefolie verwendet werden. Vorteilhafterweise können die aus dem in die Kavitäten einge ^¬ sprühten Material gebildeten Konversionselemente dabei di ^¬ rekt von der Oberfläche des Substrats an ihre Zielposition transferiert werden. Es ist aber auch eine Zwischenlagerung der Konversionselemente möglich.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist das in die Ka- vitäten eingesprühte Material einen wellenlängenkonvertieren- den Leuchtstoff auf. Vorteilhafterweise eignen sich die aus dem in die Kavitäten eingesprühten Material gebildeten Konversionselemente dann dazu, elektromagnetische Strahlung ei- ner ersten Wellenlänge in elektromagnetische Strahlung einer zweiten Wellenlänge zu konvertieren.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die erste Mas ^¬ kenstruktur aus einem Lack ausgebildet. Dabei kann die erste Maskenstruktur beispielsweise nach einem fotolithographischen Verfahren strukturiert werden. Vorteilhafterweise ermöglicht dies eine flexible Gestaltung der ersten Maskenstruktur mit hoher Genauigkeit und Reproduzierbarkeit.

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Entfernen der ersten Maskenstruktur durch Auflösen der ersten Maskenstruktur mittels eines Lösungsmittels. Vorteilhafterweise verbleiben nach dem Auflösen der ersten Maskenstruktur nur noch die aus dem in die Kavitäten eingesprühten Material gebildeten Konversionselemente an der Oberfläche des Substrats.

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die erste Mas ^¬ kenstruktur ein Kunststoffmaterial oder ein Metall auf. Vor ^¬ teilhafterweise kann die erste Maskenstruktur dann durch einfaches Auflegen an der Oberfläche des Substrats ausgebildet werden .

In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Entfernen der ersten Maskenstruktur durch Abziehen. Vorteilhafterweise ist das Verfahren dadurch besonders einfach und zeitsparend durchführbar .

In einer Ausführungsform des Verfahrens weist die zweite Mas ^¬ kenstruktur ein Metall auf. Vorteilhafterweise kann die zwei- te Maskenstruktur dann nach dem Entfernen der zweiten Maskenstruktur in einer Wiederholung des Verfahrens erneut verwendet werden. Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläu- tert werden. Dabei zeigen in jeweils schematischer Darstellung

Figur 1 einen Schnitt durch ein Substrat mit einer Oberflä ^¬ che ;

Figur 2 einen Schnitt durch das Substrat und eine an der Oberfläche angeordnete erste Maskenstruktur;

Figur 3 einen Schnitt durch das Substrat, die erste Masken- struktur und eine zweite Maskenstruktur;

Figur 4 einen Schnitt durch das Substrat und die Maskenstrukturen mit einem in Öffnungen der Maskenstrukturen eingesprühten Material;

Figur 5 einen Schnitt durch das Substrat und die erste Mas ^¬ kenstruktur nach einem Entfernen der zweiten Maskenstruktur; und Figur 6 einen Schnitt durch das Substrat mit auf der Oberflä ^¬ che angeordneten Konversionselementen nach dem Entfernen der ersten Maskenstruktur.

Figur 1 zeigt eine schematische Schnittansicht eines Sub- strats 100. Das Substrat 100 weist eine im Wesentlichen ebene Oberfläche 101 auf. In lateraler Richtung kann die Oberfläche 101 des Substrats 100 beispielsweise eine rechteckige oder eine kreisscheibenförmige Form aufweisen. Das Substrat 100 kann beispielsweise ein Metall oder ein Kunststoffmaterial aufweisen. Die Oberfläche 101 des Substrats 100 kann auch durch eine Klebefolie gebildet sein. Figur 2 zeigt eine weitere schematische Schnittdarstellung des Substrats 100 in einem der Darstellung der Figur 1 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Auf der Oberfläche 101 des Substrats 100 ist eine erste Maskenstruktur 200 ausgebil ^¬ det worden. Die erste Maskenstruktur 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegenüberliegende Unterseite

202 auf. Die Unterseite 202 der ersten Maskenstruktur 200 ist der Oberfläche 101 des Substrats 100 zugewandt.

Die erste Maskenstruktur 200 weist erste Stege 210 auf, zwi- sehen denen erste Öffnungen 220 ausgebildet sind. In den Be ^¬ reichen der ersten Öffnungen 220 ist die Oberfläche 101 des Substrats 100 zugänglich und nicht bedeckt. Die ersten Stege 210 können in lateraler Richtung an der Oberfläche 101 des Substrats 100 beispielsweise ein Gitter, insbesondere bei- spielsweise ein Rechteckgitter bilden. In diesem Fall sind die ersten Öffnungen 220 zwischen den ersten Stegen 210 in lateraler Richtung rechteckig ausgebildet. Die von den ersten Stegen 210 umgrenzten ersten Öffnungen 220 der ersten Maskenstruktur 200 bilden Kavitäten.

Die ersten Stege 210 der ersten Maskenstruktur 200 weisen in lateraler Richtung (also in eine Richtung parallel zur Ebene der Oberfläche 101 des Substrats 100) jeweils eine erste Breite 211 auf. In Richtung senkrecht zur Oberfläche 101 des Substrats 100 weisen die ersten Stege 210 der ersten Maskenstruktur 200 jeweils eine erste Höhe 212 auf. Die erste Brei ^¬ te 211 kann beispielsweise zwischen 10 ym und 1 mm oder mehr liegen. Die erste Höhe 212 kann beispielsweise zwischen 10 ym und 500 ym liegen. Zwischen zwei benachbarten ersten Stegen 210 weist jede erste Öffnung 212 einen ersten Durchmesser 221 auf. Der erste Durchmesser 221 kann beispielsweise zwischen 500 ym und 3 mm liegen. Die erste Maskenstruktur 200 kann beispielsweise einen Poly- vinylacetat-Lack (PVA-Lack) , einen Fotolack, ein Kunststoffmaterial oder ein Metall aufweisen. Die erste Maskenstruktur 200 kann beispielsweise nach einem photolithographischen Ver- fahren an der Oberfläche 101 des Substrats 100 angeordnet und strukturiert worden sein, um die ersten Stege 210 und die zwischen den ersten Stegen 210 angeordneten ersten Öffnungen 220 auszubilden. Die erste Maskenstruktur 200 kann aber auch bereits vor dem Anordnen der ersten Maskenstruktur 200 an der Oberfläche 101 des Substrats 100 strukturiert und in struktu ^¬ rierter Form an der Oberfläche 101 des Substrats 100 angeord ^¬ net worden sein.

Figur 3 zeigt eine schematische Schnittdarstellung des Sub- strats 100 und der ersten Maskenstruktur 200 in einem der

Darstellung der Figur 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Über der ersten Maskenstruktur 200 ist eine zweite Maskenstruktur 300 angeordnet worden. Die zweite Maskenstruktur 300 weist eine Oberseite 301 und eine der Oberseite 301 gegenüberliegende Unterseite 302 auf. Die Unterseite 302 der Maskenstruktur 300 ist der Oberseite 201 der ersten Maskenstruktur 200 zugewandt.

Die zweite Maskenstruktur 300 weist zweite Stege 310 auf, zwischen denen zweite Öffnungen 320 ausgebildet sind. Bevorzugt ist die zweite Maskenstruktur 300 ähnlich oder identisch zur ersten Maskenstruktur 200 ausgebildet. Die zweiten Stege 310 der zweiten Maskenstruktur 300 sind derart über den ersten Stegen 210 der ersten Maskenstruktur 200 angeordnet, dass die ersten Stege 210 der ersten Maskenstruktur 200 durch die zweiten Stege 310 der zweiten Maskenstruktur 300 zumindest teilweise abgedeckt werden. Die zweiten Öffnungen 320 der zweiten Maskenstruktur 300 sind derart über den ersten Öffnungen 220 der ersten Maskenstruktur 200 angeordnet, dass die ersten Öffnungen 220 der ersten Maskenstruktur 200 zumindest teilweise durch die zweiten Öffnungen 320 der zweiten Maskenstruktur 300 zugänglich sind. Die zweiten Stege 310 der zweiten Maskenstruktur 300 weisen in eine laterale Richtung parallel zur Oberfläche 101 des Substrats 100 jeweils eine zweite Breite 311 auf. In Richtung senkrecht zur Oberfläche 101 des Substrats 100 weisen die zweiten Stege 310 der zweiten Maskenstruktur 300 jeweils eine zweite Höhe 312 auf. Die zweiten Öffnungen 320 der zweiten Maskenstruktur 300 weisen in lateraler Richtung parallel zur Oberfläche 101 des Substrats 100 jeweils einen zweiten Durch ^¬ messer 321 auf. Die zweite Breite 311 der zweiten Stege 310 entspricht bevorzugt etwa der ersten Breite 211 der ersten

Stege 210 der ersten Maskenstruktur 200. Der zweite Durchmes ^¬ ser 321 der zweiten Öffnungen 320 der zweiten Maskenstruktur 300 entspricht bevorzugt etwa dem ersten Durchmesser 221 der ersten Öffnungen 220 der ersten Maskenstruktur 200. Auch die zweite Höhe 312 der zweiten Stege 310 der zweiten Maskenstruktur 300 kann etwa der ersten Höhe 212 der ersten Stege 210 der ersten Maskenstruktur 200 entsprechen, kann aber auch geringer oder größer gewählt werden. Die zweite Maskenstruktur 300 wurde bereits vor dem Anordnen der zweiten Maskenstruktur 300 über der ersten Maskenstruktur 200 strukturiert. Die zweite Maskenstruktur 300 kann bei ^¬ spielsweise ein Metall aufweisen. Beispielsweise kann die zweite Maskenstruktur 300 als Metallgitter bzw. Metallnetz ausgebildet sein. Die vorstrukturierte zweite Maskenstruktur 300 wurde bevorzugt durch Auflegen über der ersten Maskenstruktur 200 angeordnet. Bevorzugt wurde die zweite Masken ^¬ struktur 300 anschließend außerdem auf lösbare Weise über der ersten Maskenstruktur 200 fixiert.

Figur 4 zeigt eine weitere schematische Schnittdarstellung des Substrats 100 und der über dem Substrat 100 angeordneten Maskenstrukturen 200, 300 in einem der Darstellung der Figur 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand.

Durch die zweiten Öffnungen 320 der zweiten Maskenstruktur 300 ist ein Konvertermaterial 400 in die durch die ersten Öffnungen 220 der ersten Maskenstruktur 200 gebildeten Kavi- täten eingesprüht worden. Das Konvertermaterial 400 ist dabei von oberhalb der Oberseite 301 der zweiten Maskenstruktur 300 in Richtung des Substrats 100 gesprüht worden. Teile des Konvertermaterials 400 sind durch die zweiten Öff ^¬ nungen 320 der zweiten Maskenstruktur 300 in die durch die ersten Öffnungen 220 der ersten Maskenstruktur 200 gebildeten Kavitäten gelangt und haften im Bereich der durch die ersten Öffnungen 220 der ersten Maskenstruktur 200 gebildeten Kavi- täten an der Oberfläche 101 des Substrats 100 an. Andere Tei ^¬ le des Konvertermaterials 400 haften an der Oberseite 201 der zweiten Stege 310 der zweiten Maskenstruktur 300 an. Die an der Oberfläche 101 des Substrats 100 anhaftenden Teile des Konvertermaterials 400 können mit den an der Oberseite 301 der zweiten Stege 310 der zweiten Maskenstruktur 300 anhaftenden Teilen des Konvertermaterials 400 verbunden oder von diesen getrennt sein. Im Bereich der durch die ersten Öffnungen 220 der ersten Maskenstruktur 200 gebildeten Kavitäten bildet das Konvertermaterial 400 bevorzugt ebene Filme oder Plättchen, die die ersten Öffnungen 220 der ersten Maskenstruktur 200 in lateraler Richtung bevorzugt weitgehend voll ^¬ ständig ausfüllen.

Das Konvertermaterial 400 weist einen wellenlängenkonvertie- renden Leuchtstoff 410 auf. Der wellenlängenkonvertierende

Leuchtstoff 410 kann beispielsweise in Form in das Konverter ^¬ material 400 eingebetteter Partikel ausgebildet sein. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 410 ist dazu ausgebil ^¬ det, elektromagnetische Strahlung (beispielsweise sichtbares Licht) mit einer Wellenlänge aus einem ersten Spektralbereich zu absorbieren und nachfolgend elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus einem anderen Spektralbereich zu emittieren, beispielsweise in Form sichtbaren Lichts einer anderen Lichtfarbe. Der wellenlängenkonvertierende Leucht- stoff 410 kann auch dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung mehrerer unterschiedlicher Wellenlängen zu emittieren. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 410 kann bei ^¬ spielsweise ein organischer oder ein anorganischer Leucht- Stoff sein. Der wellenlängenkonvertierende Leuchtstoff 410 kann auch Quantenpunkte aufweisen.

Figur 5 zeigt eine weitere schematische Schnittdarstellung des Substrats 100 mit der ersten Maskenstruktur 200 und dem aufgesprühten Konvertermaterial 400 in einem der Darstellung der Figur zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Die zweite Maskenstruktur 300 ist von der Oberseite 201 der ersten Maskenstruktur 200 entfernt worden. Dabei wurde auch der an der Oberseite 301 der zweiten Maskenstruktur 300 abgelagerte Teil des Konvertermaterials 400 entfernt. Der in den ersten Öffnungen 220 zwischen den ersten Stegen 210 der ersten Maskenstruktur 200 an der Oberfläche 101 des Substrats 100 ange ^¬ ordnete Teil des Konvertermaterials 400 ist in den durch die erste Öffnung 220 der ersten Maskenstruktur 200 gebildeten Kavitäten verblieben.

Das Entfernen der zweiten Maskenstruktur 300 kann beispielsweise durch einfaches Abheben oder Abziehen der zweiten Mas- kenstruktur 300 von der Oberseite 201 der ersten Maskenstruktur 200 erfolgt sein. Eine eventuelle Fixierung der zweiten Maskenstruktur 300 relativ zur ersten Maskenstruktur 200 wurde dabei zuvor gelöst. Nach dem Entfernen der zweiten Maskenstruktur 300 kann das in den durch die erste Öffnung 220 der ersten Maskenstruktur 200 gebildeten Kavitäten angeordnete Konvertermaterial 400 ausge ^¬ härtet werden. Das Aushärten des Konvertermaterials 400 kann beispielsweise durch ein thermisches Verfahren erfolgen.

Hierzu kann das Substrat 100 mit der ersten Maskenstruktur

200 und dem in den durch die ersten Öffnungen 220 gebildeten Kavitäten angeordneten Konvertermaterial 400 beispielsweise in einem Ofen erhitzt werden. Das Aushärten des Konvertermaterials 400 kann aber beispielsweise auch durch Bestrahlen des Konvertermaterials 400 oder durch eine chemische Behand ^¬ lung des Konvertermaterials 400 erfolgen. Während des Aushär ^¬ tens werden aus dem in den durch die ersten Öffnungen 220 der ersten Maskenstruktur 200 gebildeten Kavitäten angeordneten Konvertermaterial 400 Konversionselemente 500 gebildet.

Figur 6 zeigt eine schematische Schnittdarstellung des Sub- strats 100 mit den an der Oberfläche 101 des Substrats 100 angeordneten Konversionselementen 500 in einem der Darstellung der Figur 5 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. Die erste Maskenstruktur 200 ist von der Oberfläche 101 des Substrats 100 entfernt worden. Das Entfernen der ersten Mas- kenstruktur 200 kann beispielsweise durch Abziehen der ersten Maskenstruktur 200 oder durch Auflösen der ersten Maskenstruktur 200 mittels eines Lösungsmittels erfolgt sein.

Nach dem Entfernen der ersten Maskenstruktur 200 sind die durch das Aushärten des Konvertermaterials 400 entstandenen Konversionselemente 500 an der Oberfläche 101 des Substrats 100 verblieben. Jedes Konversionselement 500 weist eine Ober ^¬ seite 501 und eine der Oberseite 501 gegenüberliegende Unter ^¬ seite 502 auf. Die Unterseite 502 jedes Konversionselements 500 ist der Oberfläche 101 des Substrats 100 zugewandt.

In lateraler Richtung parallel zur Oberfläche 101 des Sub ^¬ strats 100 weist jedes Konversionselement 500 einen dritten Durchmesser 511 auf. In Richtung senkrecht zur Oberfläche 101 des Substrats 100 weist jedes Konversionselement 500 eine dritte Höhe 512 auf. Der dritte Durchmesser 511 der Konversi ^¬ onselemente 500 entspricht etwa dem ersten Durchmesser 221 der ersten Öffnungen 220 der ersten Maskenstruktur 200 und kann somit beispielsweise zwischen 500 ym und 3 mm betragen. Die dritte Höhe 512 der Konversionselemente 500 ist bevorzugt etwas geringer als die erste Höhe 212 der ersten Stege 210 der ersten Maskenstruktur 200 und kann beispielsweise zwischen 30 ym und 150 ym betragen. Die aus dem Konvertermaterial 400 gebildeten Konversionsele ^¬ mente 500 weisen den eingebetteten wellenlängenkonvertierenden Leuchtstoff 410 auf. Dadurch sind die Konversionselemente 500 dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus einem ersten Spektralbereich zu absorbieren und elektromagnetische Strahlung mit anderer Wellenlänge zu emittieren. Die Konversionselemente 500 können beispielsweise als Konversionselemente in optoelektronischen Bauelementen, beispielsweise in Leuchtdioden-Bauelementen, verwendet werden .

Zur weiteren Verarbeitung können die Konversionselemente 500 von der Oberfläche 101 des Substrats 100 abgelöst werden. Das Ablösen der Konversionselemente 500 von der Oberfläche 101 des Substrats 100 kann beispielsweise durch einen Umklebepro- zess erfolgen. Hierbei kann beispielsweise eine die Oberflä ^¬ che 101 des Substrats 100 bildende Thermoreleasefolie zum Einsatz kommen. Durch einen Umklebeprozess können die Konver- sionselemente 500 beispielsweise direkt an ihre Zielposition an oder in optoelektronischen Bauelementen transferiert werden .

Ein Vorteil des anhand der Figuren 1-6 erläuterten Verfahrens zur Herstellung der Konversionselemente 500 besteht darin, dass die Konversionselemente 500 scharfe Kanten aufweisen können. Dies wird dadurch erreicht, dass das Konvertermaterial 400 in die durch die ersten Öffnungen 220 der ersten Maskenstruktur 200 gebildeten Kavitäten eingesprüht und vor dem Entfernen der ersten Maskenstruktur 200 ausgehärtet wird.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei ^¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . Bezugs zeichenliste

100 Substrat

101 Oberfläche

200 erste Maskenstruktur

201 Oberseite

202 Unterseite

210 erster Steg

211 erste Breite

212 erste Höhe

220 erste Öffnung

221 erster Durchmesser

300 zweite Maskenstruktur

301 Oberseite

302 Unterseite

310 zweiter Steg

311 zweite Breite

312 zweite Höhe

320 zweite Öffnung

321 zweiter Durchmesser

400 Konvertermaterial

410 wellenlängenkonvertierender Leuchtstoff

500 Konversionselement

501 Oberseite

502 Unterseite

511 dritter Durchmesser

512 dritte Höhe