Beschreibung

Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements und elektronisches Bauelement

Verschiedene Ausführungsbeispiele betreffen ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements und ein

elektronisches Bauelement.

Bei großflächigen Anwendungen setzen dünne elektrische

Kontakte elektronischer Bauelemente, wie beispielsweise optoelektronischer Bauelemente, insbesondere als

Deckkontakte, eine gute Bestromung bzw. Leitfähigkeit und gegebenenfalls ausreichende Transparenz voraus.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein

elektronisches Bauelement mit einer Elektrode mit gegenüber dem Stand der Technik verminderter Dicke und gegebenenfalls verbesserter Transparenz und Leitfähigkeit bereitgestellt.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements auf: ein Aufbringen einer Elektroden-Aufwachsschicht auf oder über einer Schichtenstruktur mittels eines Atomlagendeposition- Verfahrens und ein Aufbringen einer Elektrode auf der

Elektroden-Aufwachsschicht .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist ein

elektronisches Bauelement ein Substrat, eine Elektroden- Aufwachsschicht auf dem Substrat, und eine Elektrode auf der Elektroden-Aufwachsschicht, auf. Die Elektroden- Aufwachsschicht ist als eine Atomlagendeposition-Schicht ausgebildet .

Unter einem Atomlagendeposition-Verfahren ist beispielsweise jedes Verfahren zu verstehen, bei dem Monolagen von Atomen individuell aufgebracht werden kann. Unter einem Atomlagendeposition-Verfahren ist in verschiedenen

Ausführungsbeispielen ein Abscheideverfahren aus der Gasphase zu verstehen, bei dem beispielsweise die Ausgangsstoffe zyklisch nacheinander in eine Reaktionskammer eingelassen werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die

Teilreaktionen des Atomlagendeposition-Verfahrens selbst begrenzend, das heißt, der Ausgangsstoff einer Teilreaktion reagiert nicht mit sich selbst oder Liganden von sich selbst, was das Schichtwachstum einer Teilreaktion bei beliebig langer Zeit und Gasmenge auf maximal eine Monolage von Atomen begrenzt .

Die verschiedenen Ausgestaltungen dieser Ausführungsbeispiele gelten in gleicher Weise, so weit sinnvoll, für das Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements als auch für das elektronische Bauelement.

Durch den Einsatz eines Atomlagendeposition-Verfahrens zum Aufbringen der Aufwachsschicht kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen erreicht werden, dass die

Aufwachsschicht besonders dünn und mit hoher

Schichtdickenreproduzierbarkeit abgeschieden werden kann. Ein weiterer Vorteil des Einsatzes des Atomlagendeposition- Verfahrens kann darin gesehen werden, dass die

Zwischenschicht auch aus mehreren sehr dünnen, unmittelbar aufeinander abgeschiedenen Lagen gebildet werden kann (dann auch bezeichnet als "Nanolaminat " , NL) . Dadurch ist eine gezielte Anpassung der Zusammensetzung und Morphologie der Aufwachsschicht (Zwischenschicht) an die transparente

metallische Deckelektrode möglich. Ferner werden bei

Atomlagendeposition schädigende Einflüsse auf die Organik generell vermieden, wie sie bei der Sputterdeposition

auftreten können (Plasma, Strahlung, schnelle Ionen) . Dies kann insbesondere bei einem organischen Photovoltaik- Bauelement, beispielsweise einer organischen

Photovoltaikzelle oder einem organischen optoelektronischen Bauelement wie beispielsweise einer organischen Leuchtdiode (OLED) von Vorteil sein. Atomlagendeposition zeichnet sich außerdem durch eine besonders gleichmäßige und konforme

Beschichtung von Oberflächen aus. Dadurch kann die

Zwischenschicht, anders ausgedrückt die Elektroden- Aufwachsschicht, insbesondere so ausgeführt sein, dass ein Materialaustausch zwischen metallischer Deckelektrode und organischen Schichten darunter unterdrückt wird. Eine solche Diffusionsbarriere verhindert die Degradation des organischen Bauteils aufgrund von Diffusion an der Grenzfläche

Deckelektrode - Organik. Auch ist ein weiterer Vorteil beim Einsatz eines Atomlagendeposition-Verfahrens in den relativ niedrigen Prozesstemperaturen zu sehen, was die prozessierten Schichten hinsichtlich ihrer Temperaturbelastung schont.

Die Elektrode kann eine Anode oder eine Kathode sein. Die Elektrode kann lochin izierende oder elektronenin izierende Funktionen aufweisen.

In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Elektroden- Aufwachsschicht mit einer Schichtdicke aufgebracht werden in einem Bereich von 0,1 nm bis 200 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 0,1 nm bis 10 nm,

beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 1 nm bis 8 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von 3 nm bis 3,5 nm, beispielsweise mit einer

Schichtdicke von größer oder gleich 1,5 nm. Die Schichtdicke der Elektroden-Aufwachsschicht kann in verschiedenen

Ausgestaltungen beispielsweise kleiner oder gleich 7 nm sein.

Weiterhin können mittels eines Atomlagendeposition-Verfahrens mehrere Teilschichten aufeinander aufgebracht werden, welche die Elektroden-Aufwachsschicht bilden. Die Teilschichten bilden gemeinsam anschaulich ein Nanolaminat.

Die Elektroden-Aufwachsschicht kann gebildet werden oder aufweisen: ein oder mehrere grundsätzlich beliebige

Materialien, die mittels eines Atomlagendeposition-Verfahrens abgeschieden werden können. Das oder die Materialien können ein Dielektrikum oder mehrere Dielektrika aufweisen und/oder ein elektrisch leitfähiges Material oder mehrere elektrisch leitfähige Materialien (beispielsweise Metall (e) ) . So kann die Elektroden-Aufwachsschicht beispielsweise aufweisen: ein Oxid oder mehrere Oxide, ein Nitrid oder mehrere Nitride, und/oder ein Carbid oder mehrere Carbide. Beispielsweise weist die Elektroden-Aufwachsschicht mindestens eine Schicht aus Indium-dotiertem Zinnoxid und eine Schicht aus Aluminium- dotiertem Zinkoxid auf. Die Elektroden-Aufwachsschicht kann aus einem Material gebildet sein oder ein Material aufweisen, das ausgewählt ist aus transparenten leitfähigen oder

transparenten nicht leitfähigen Oxiden, wie beispielsweise Metalloxiden, wie Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indium-dotiertem Zinnoxid (ITO), Aluminiumdotiertem Zinkoxid (AZO) , Dizink-Zinn-Tetraoxid (z.B.

Zn2Sn04), Cadmium-Zinn-Oxid (z.B. CdSn03), Zink-Zinn-Trioxid (z.B. ZnSn03), Mangan- Indium-Oxid (z.B. Mgln204), Gallium- Indium-Oxid (z.B. Galn03), Zink-Indium-Oxid (z.B. Ζη2ΐη2θ5) oder Indium-Zinn-Oxid (z.B. In4Sn30]_2) oder Mischungen und Legierungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide oder transparenten nicht leitender Oxide. Da die Elektroden- Aufwachsschicht eine sehr dünne Schicht ist, muss sie nicht unbedingt leitfähig sein. Die Elektroden-Aufwachsschicht kann daher dielektrische Oxide wie Aluminiumoxid (z.B. AI2O3), Wolframoxid (z.B. WO3), Hafniumoxid (z.B. Hf02), Titanoxid (z.B. T1O2), Lanthanoxid (z.B. La02), Siliziumoxid (z.B.

S1O2), Rheniumoxid (z.B. Re207), Molybdänoxid (z.B. M0O3), Vanadiumoxid (z.B. V2O5) und dergleichen aufweisen oder aus solchen gebildet sein sowie aus Mischungen und Legierungen derselben. Desweiteren kann die Aufwachsschicht auch als dielektrischen Nitriden wie zum Beispiel Bornitrid,

Titannitrid, Wolframnitrid, Siliziumnitrid, Tantalnitrid, Chromnitrid, Hafniumnitrid, Lanthannitrid, Zirkoniumnitrid, oder Mischungen derselben ausgebildet werden oder sein.

Ferner kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die Aufwachsschicht auch als dielektrischen Carbiden, wie zum Beispiel Borcarbid, Titancarbid, Wolframcarbid,

Siliziumcarbid, Tantalcarbid, Chromcarbid, Hafniumcarbid, Lanthancarbid, Zirkoniumcarbid, oder Mischungen derselben, ausgebildet werden oder sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann jedes (elektrisch leitfähige oder dielektrische) Material für die

Zwischenschicht oder die Teil-Zwischenschichten vorgesehen sein, das mittels eines Atomlagendeposition-Verfahrens abgeschieden werden kann.

In einer Ausgestaltung ist der Beitrag der Elektroden- Aufwachsschicht zur lateralen Stromleitung meist

vernachlässigbar .

Die Oberfläche der Elektroden-Aufwachsschicht kann

beispielsweise in geeigneter Weise vorbereitet oder ausgelegt sein, um eine gleichmäßige bzw. homogene Abscheidung einer darauf abzuscheidenden Metallschicht zu ermöglichen. In einer Aus führungs form kann die Oberfläche der Elektroden- Aufwachsschicht eine amorphe oder im Wesentlichen amorphe Struktur bzw. eine amorphe oder im Wesentlichen amorphe

Oberfläche aufweisen. Eine vollständig amorphe Struktur kann beispielsweise mittels Röntgenbeugung (XRD-Aufnahmen) bestätigt werden (es werden keine diskreten Bragg-Reflexe erhalten) .

Gemäß einer anderen Weiterbildung kann die Elektrode gebildet werden, indem eine Metallschicht mit einer Schichtdicke aufgebracht wird von kleiner oder gleich 30 nm.

Die Metallschicht kann eine Dicke von kleiner oder gleich 15 nm aufweisen, beispielsweise von kleiner oder gleich

12 nm. Bei Ausführungsformen, bei denen es insbesondere auf die Transparenz der Metallschicht ankommt, kann die Dicke der Metallschicht beispielsweise kleiner oder gleich 14 nm, beispielsweise kleiner oder gleich 11 nm, betragen.

Beispielsweise kann die Dicke einer Metallschicht, welche eine Ag-Schicht oder eine Schicht aus einer Ag-Legierung (z.B. eine Schicht aus einer Ag-Sm-Legierung bzw. aus einer Ag-Mg- bzw. Ag-Ca- bzw. AgPdCu-Legierung) aufweist, kleiner oder gleich 14 nm, insbesondere kleiner oder gleich 11 nm, zum Beispiel zwischen etwa 9 nm und etwa 10 nm betragen.

Die auf der Elektroden-Aufwachsschicht aufgebrachte,

beispielsweise aufgewachsene, Elektrode kann aus der

Metallschicht bestehen oder eine oder weitere Schichten oder Funktionsschichten aufweisen.

Gemäß noch einer anderen Weiterbildung kann die Metallschicht mit einer Schichtdicken-Homogenität gebildet werden von

± 10 %, beispielsweise mit einer Schichtdicken-Homogenität von ± 5 % .

Der Begriff „Dickenhomogenität", wie er hierin verwendet wird, meint, dass die Metallschicht eine über ihre im

Wesentlichen oder vollständige Länge nahezu konstante

Schichtdicke, d.h. eine Schichtdicke mit einer maximalen Abweichung von z.B. ± 10 %, besitzen kann. Dies kann

beispielsweise insbesondere durch die unter der Metallschicht angeordnete (dünne) Elektroden-Aufwachsschicht erreicht werden. Die maximale Schichtdicke einer „30 nm dicken"

Metallschicht kann also beispielsweise maximal 33 nm

betragen, die maximale Schichtdicke einer „12 nm dicken" Metallschicht beispielsweise maximal 13,2 nm.

In einer weiteren Aus führungs form beträgt der

Flächenwiderstand der Elektrode auf der Elektroden- Aufwachsschicht kleiner oder gleich 6 Ω/D . Der

Flächenwiderstand kann insbesondere kleiner oder gleich 5 Ω/D betragen. Beispielsweise kann der Flächenwiderstand in einem Bereich von 4 Ω/D und 5 Ω/D liegen.

Der Begriff „Flächenwiderstand", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet den isotropen spezifischen Widerstand einer Schicht bezogen auf die Dicke derselben. Der

Flächenwiderstand kann beispielsweise mit Hilfe der Vier- Punkt-Methode gemessen werden. Alternativ kann ein

Flächenwiderstand auch mit der speziellen Van-der-Pauw- Methode gemessen werden.

Der Flächenwiderstand kann damit in verschiedenen

Ausführungsbeispielen geringer sein, als es bislang im Stand der Technik mit vergleichbaren Elektrodenschichten üblich war, die auf einem anderen Substrat als der Elektroden- Aufwachsschicht gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen abgeschieden wurden. Mit der Anordnung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann es möglich sein, eine gleichmäßige Bestromung der dünnen (Aufwachs- ) Elektrode - beispielsweise in optoelektronischen Bauelementen bei ausreichender

Transparenz - zu erreichen.

Die Metallschicht der Elektrode weist beispielsweise

mindestens eines der folgenden Metalle auf: Aluminium,

Barium, Indium, Silber, Kupfer, Gold, Samarium, Magnesium, Calcium und Lithium sowie Kombinationen derselben. Die

Metallschicht kann alternativ aus einem der vorstehend genannten Metalle oder einer Verbindung mit einem dieser Metalle oder aus mehreren dieser Metalle, beispielsweise einer Legierung, bestehen.

Die Elektrode kann in transparenten und nicht-transparenten elektronischen, optischen oder elektrooptischen Bauteilen eingesetzt werden. Die auf der Elektroden-Aufwachsschicht angeordnete Elektrode kann als Deckkontakt, Substratkontakt und/oder Zwischenkontakt eingesetzt werden. In verschiedenen Ausgestaltungen kann der Flächenwiderstand des elektronischen Bauelements kleiner oder gleich 8 Ω/D sein, beispielsweise kleiner oder gleich 5 Ω/D . Das elektronische Bauelement kann als ein organisch

elektronisches Bauelement gebildet werden oder sein. In dieser Ausgestaltung kann in dem elektronischen Bauelement ferner eine zusätzliche Elektrode und wenigstens eine

zwischen der Elektrode und der zusätzlichen Elektrode

angeordnete organische Funktionsschicht gebildet werden oder sein .

Die zusätzliche Elektrode kann eine Kathode sein. Die

Elektrode und die zusätzlicher Elektrode sind in geeigneter Weise elektrisch kontaktiert.

Die Elektrode und/oder die zusätzliche Elektrode, welche auf der Aufwachsschicht angeordnet sind/ist, wird - wie vorher angegeben - auch als Aufwachselektrode bezeichnet. Die

Aufwachselektrode kann als Anode oder Kathode vorgesehen sein oder einen Teil einer solchen bilden.

Die Elektrode, die nicht auf einer Elektroden-Aufwachsschicht angeordnet ist, kann aus einem Material gebildet sein oder ein Material aufweisen, das ausgewählt ist aus Metallen wie Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Chrom, Nickel, Vanadium, Calcium und Lithium sowie Kombinationen derselben oder einer Verbindung derselben, insbesondere einer Legierung, sowie transparenten leitfähigen Oxiden, wie beispielsweise Metalloxiden, wie Zinkoxid, Zinnoxid,

Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indium-dotiertem Zinnoxid (ITO), Aluminium-dotiertem Zinkoxid (AZO) , Dizink- Zinn-Tetraoxid (z.B. Zn2Sn04), Cadmium-Zinn-Oxid (z.B.

CdSn03), Zink-Zinn-Trioxid (z.B. ZnSn03), Magnesium-Indium- Oxid (z.B. Mgln204), Gallium-Indium-Oxid (z.B. Galn03), Zink- Indium-Oxid (z.B. Ζη2ΐη2θ5) oder Indium-Zinn-Oxid (z.B. In4Sn30i2) oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide.

Somit kann das Bauelement, ohne darauf beschränkt zu sein, zum Beispiel als optoelektronisches Bauteil, beispielsweise als organisch elektronisches Bauteil, wie beispielsweise als Solarzelle, als Fototransistor, Leuchtdiode und dergleichen, ausgeführt sein, beispielsweise als organische Leuchtdiode (OLED) .

Das organisch elektronische Bauelement ist z.B. ein

optoelektronisches Bauelement bzw. eine

strahlungsemittierende Vorrichtung . Die Schichtenstruktur kann ein Substrat aufweisen.

Ein "Substrat", wie es hierin verwendet wird, kann zum

Beispiel ein für ein elektronisches Bauelement üblicherweise verwendetes Substrat aufweisen. Das Substrat kann ein

transparentes Substrat sein. Das Substrat kann jedoch auch ein nicht transparentes Substrat sein. Beispielsweise kann das Substrat Glas, Quarz, Saphir, Kunststofffolie (n) , Metall, Metallfolie (n) , Siliziumwafer oder ein anderes geeignetes Substratmaterial aufweisen. Ein Metallsubstrat wird

beispielsweise verwendet, wenn nicht direkt darauf die

Elektroden-Aufwachsschicht angeordnet ist. Als Substrat wird in verschiedenen Ausgestaltungen die Schicht verstanden, auf der bei der Herstellung des elektronischen Bauelements nachfolgend alle anderen Schichten aufgebracht werden.

Solche nachfolgenden Schichten können z.B. bei einem

optischen elektronischen Bauelement oder einer

Strahlungsemittierenden Vorrichtung für die

Strahlungsemission erforderliche Schichten sein. Der Begriff „Schicht" oder „Schichtenstruktur", wie er hierin verwendet wird, kann eine einzelne Schicht oder eine

Schichtenfolge aus mehreren dünnen Schichten bezeichnen. Insbesondere können die Funktionsschichten, beispielsweise organische Funktionsschichten, aus mehreren Schichten

gebildet sein. Die Metallschicht und die Elektroden- Aufwachsschicht sind einschichtig oder mehrschichtig.

Der Begriff "aufeinander angeordnet", wie er hierin verwendet wird, meint beispielsweise, dass eine Schicht unmittelbar in direktem mechanischem und/oder elektrischem Kontakt auf einer anderen Schicht angeordnet ist. Eine Schicht kann auch mittelbar auf einer anderen Schicht angeordnet sein, wobei dann weitere Schichten zwischen den angegebenen Schichten vorhanden sein können. Solche Schichten können dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des elektronischen Bauelements weiter zu verbessern. Die Metallschicht ist im Regelfall direkt auf der Elektroden-Aufwachsschicht

angeordnet .

Mit der in dem elektronischen Bauelement vorgesehenen

Kombination aus Elektroden-Aufwachsschicht und Metallschicht ist es in möglich, einen sehr dünnen und zugleich sehr leitfähigen Kontakt bereitzustellen, der - falls erforderlich - zusätzlich auch hochtransparent ausgebildet sein kann.

In verschiedenen Ausgestaltungen kann das Bilden der

Schichtenstruktur aufweisen ein Bilden der zusätzlichen

Elektrode auf einem Substrat sowie ein Bilden der organischen Funktionsschicht auf der zusätzlichen Elektrode. Die

Elektroden-Aufwachsschicht kann auf der organischen

Funktionsschicht gebildet werden.

Das elektronische Bauelement kann als eine organische

Leuchtdiode gebildet werden.

Weiterhin kann die Metallschicht zeitlich unmittelbar nach der Elektroden-Aufwachsschicht aufgebracht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird eine gute

Transparenz, Leitfähigkeit und Langzeitstabilität von OLEDs mit transparenter metallischer Deckelektrode erreicht durch das Aufbringen einer Aufwachsschicht (im Folgenden auch bezeichnet als Zwischenschicht) unter einer Elektrode (auch bezeichnet als Deckkontakt) mithilfe von Atomlagendeposition (ALD) . Die Zwischenschicht kann beispielsweise aus

leitfähigen Metalloxiden wie Zinkoxid oder Aluminiumdotiertem Zinkoxid bestehen, aber auch dünne Schichten aus nicht leitfähigen Oxide wie Aluminiumoxid, Titanoxid,

Hafniumoxid, Lanthanoxid und Zirkoniumoxid sind in

verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen.

Eine „organische Funktionsschicht" kann Emitterschichten, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder

phosphoreszierenden Emittern, enthalten.

Beispiele für Emittermaterialien, die in dem elektronischen Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen bzw. der strahlungsemittierenden Vorrichtung gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2 , 5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie

Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2- pyridyl ) phenyl- ( 2-carboxypyridyl ) -iridium III), grün

phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFß)

(Tris [4, 4' -di-tert-butyl- (2,2')- bipyridin] ruthenium ( III ) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- ( di-p-tolylamino ) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA ( 9, 10-Bis [N, N-di- (p-tolyl ) - amino ] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4- Dicyanomethylen) -2-methyl- 6- ulolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels nasschemischen Verfahren, wie

beispielsweise Spin Coating, abscheidbar sind.

Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.

Die Emittermaterialien der Emitterschichten des

elektronischen Bauelements können beispielsweise so

ausgewählt sein, dass das elektronische Bauelement Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht kann mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann die Emitterschicht auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht, einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mir einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so das sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.

Das elektronische Bauelement kann allgemein weitere

organische Funktionsschichten aufweisen, die dazu dienen, Funktionalität und damit die Effizienz des elektronischen Bauelements weiter zu verbessern.

Beispielsweise können organische Funktionsschichten

ausgewählt sein, die dazu dienen, die Funktionalität und die Effizienz der Elektrode und/oder der zusätzlichen Elektrode sowie des Ladungsträger- und Exzitonentransports zu

verbessern . Das elektronische Bauelement kann als „Bottom-Emitter" und/oder „Top-Emitter" ausgeführt sein. In einer Aus führungs form ist die Aufwachsschicht zwischen der organischen Funktionsschicht und der zusätzlichen Elektrode als Aufwachselektrode angeordnet.

Die Anordnung der Elektroden-Aufwachsschicht und der

Elektrode kann einen transparenten Deckkontakt für einen Top- Emitter bilden.

In einer anderen Aus führungs form ist die Elektroden- Aufwachsschicht zwischen dem Substrat und der ersten

Elektrode als Aufwachselektrode angeordnet. Die Elektrode kann dabei eine Anode sein. Das Substrat kann bevorzugt ein transparentes Substrat wie Glas, Quarz, Saphir,

Kunststofffolie und dergleichen sein. Die Anordnung der Elektroden-Aufwachsschicht und der

Aufwachselektrode kann einen transparenten Substratkontakt für einen Bottom-Emitter bilden.

Ganz allgemein gilt, dass bei einem Top-Emitter oder einem Bottom-Emitter eine Elektrode der Strahlungsemittierenden

Vorrichtung in Form der Aufwachselektrode gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen transparent und die andere Elektrode reflektierend ausgeführt sein kann. Alternativ dazu können auch beide Elektroden transparent ausgeführt sein.

Die Metallschicht der Aufwachselektrode kann beispielsweise einen transparenten Dünnfilmkontakt bilden.

Der Begriff „Bottom-Emitter", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet eine Ausführung, die zu der Substratseite des elektronischen Bauelements hin transparent ausgeführt ist. Beispielsweise können dazu wenigstens das Substrat, die Elektrode und die zwischen dem Substrat und der Elektrode angeordnete Elektroden-Aufwachsschicht transparent ausgeführt sein. Ein als Bottom-Emitter ausgeführtes elektronisches Bauelement kann demnach beispielsweise in den organischen Funktionsschichten erzeugte Strahlung auf der Substratseite des elektronischen Bauelements emittieren.

Alternativ oder zusätzlich dazu kann das elektronische

Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen als „Top-Emitter" ausgeführt sein.

Der Begriff „Top-Emitter", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet beispielsweise eine Ausführung, die zu der Seite der zweiten Elektrode des elektronischen Bauelements hin transparent ausgeführt ist. Insbesondere können dazu die Elektroden-Aufwachsschicht und die zweite Elektrode

transparent ausgeführt sein. Ein als Top-Emitter ausgeführtes elektronisches Bauelement kann demnach beispielsweise in den organischen Funktionsschichten erzeugte Strahlung auf der Seite der zusätzlichen Elektrode des elektronischen

Bauelements emittieren.

Ein als Top-Emitter ausgestaltetes elektronisches Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen, bei welchem die Elektroden-Aufwachsschicht und die Metallschicht als

Deckkontakt vorgesehen sind, kann in vorteilhafter Weise eine hohe Lichtauskopplung und eine sehr geringe

Winkelabhängigkeit der Strahlungsdichte aufweisen. Die

Strahlungsemittierende Vorrichtung gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann in vorteilhafter Weise für

Beleuchtungen, wie beispielsweise Raumleuchten, eingesetzt werden .

Eine Kombination aus Bottom-Emitter und Top-Emitter ist ebenso in verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen. Bei einer solchen Ausführung ist das elektronische Bauelement allgemein in der Lage, das in den organischen Funktionsschichten erzeugte Licht in beide Richtungen - also sowohl zu der Substratseite als auch zu der Seite der zweiten Elektrode hin - zu emittieren.

In einer weiteren Aus führungs form ist zwischen der Elektrode und der zusätzlichen Elektrode wenigstens eine dritte

Elektrode angeordnet und die Elektroden-Aufwachsschicht ist auf der dem Substrat zugewandten Seite der dritten Elektrode angeordnet .

Die „dritte Elektrode" kann als Zwischenkontakt fungieren. Sie kann dazu dienen, einen Ladungstransport durch die

Schichten des elektronischen Bauelements hindurch zu erhöhen und damit die Effizienz des elektronischen Bauelements zu verbessern. Die dritte Elektrode kann als ambipolare Schicht ausgestaltet sein; sie kann als Kathode oder Anode

ausgestaltet sein.

Die Anordnung der Elektroden-Aufwachsschicht und der

Aufwachselektrode gemäß einer Aus führungs form bildet dann einen transparenten Zwischenkontakt.

Ebenso wie die Elektrode und die zusätzliche Elektrode ist die dritte Elektrode elektrisch kontaktiert.

In einer Weiterbildung des elektronischen Bauelements sind als organische Funktionsschichten eine Emitterschicht und eine oder mehrere weitere organische Funktionsschichten enthalten. Die weiteren organischen Funktionsschichten können ausgewählt sein aus der Gruppe, bestehend aus

Lochin ektionsschichten, Lochtransportschichten,

lochblockierenden Schichten, Elektronenin ektionsschichten, Elektronentransportschichten und elektronenblockierenden Schichten .

Geeignete Funktionsschichten und geeignete organische

Funktionsschichten sind dem Fachmann an sich bekannt. Die (organischen) Funktionsschichten können vorzugsweise mittels thermischem Verdampfen aufgebracht werden. Die weiteren

(organischen) Funktionsschichten können die Funktionalität und/oder Effizienz des elektronischen Bauelements in

vorteilhafter Weise verbessern.

In einer weiteren Aus führungs form ist das elektronische

Bauelement als organische Leuchtdiode (OLED) ausgebildet. In einer Weiterbildung des elektronischen Bauelements weist das elektronische Bauelement eine im Wesentlichen Lambertsche Abstrahlcharakteristik auf. Der Begriff „Lambertsche

Abstrahlcharakteristik", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet das ideale Abstrahlverhalten eines so genannten Lambert-Strahlers. Eine „im Wesentlichen" Lambertsche

Abstrahlcharakteristik, wie sie hierin bezeichnet ist, meint dabei insbesondere, dass die Abstrahlcharakteristik, welche sich nach der Formel I ( Θ ) = I Q ' cos© berechnet und in der I Q die Intensität bezogen auf eine

Flächennormale ist und Θ den Winkel zur Flächennormalen angibt, für einen gegebenen Winkel, insbesondere bei einem Winkel zwischen -70° und +70°, für jeden gegebenen Winkel Θ um nicht mehr als 10 % von der Intensität gemäß der oben genannten Formel abweicht, also I ( Θ ) = Io ' cos© · x, wobei x = 90 % - 110 %. Auf diese Weise kann es möglich sein, eine nach allen

Richtungen konstante Strahldichte bzw. Leuchtdichte des elektronischen Bauelements zu erreichen, so dass das

elektronische Bauelement in allen Richtungen gleich hell scheint. Die Helligkeit des elektronischen Bauelements kann sich in vorteilhafter Weise auch dann nicht ändern, wenn es gegenüber der Blickrichtung verkippt wird. In einer weiteren Aus führungs form beträgt die Transparenz des elektronischen Bauelements größer oder gleich 60 %.

Beispielsweise kann die Transparenz größer oder gleich 65 % betragen. Die Transparenz wird mittels Intensitätsmessungen gemessen, indem vorgegebene Wellenlängenbereiche abgetastet und die durch die Strahlungsemittierende Vorrichtung tretende Lichtmenge erfasst werden.

Der Begriff „Transparenz", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet die Fähigkeit der einzelnen Schichten des

elektronischen Bauelements gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen, elektromagnetische Wellen - und insbesondere sichtbares Licht - durchzulassen. Die Transparenz des elektronischen Bauelements gemäß

verschiedenen Ausführungsbeispielen beträgt im Regelfall zumindest für wenigstens eine konkrete Wellenlänge mehr als 60 %, vorzugsweise mehr als 65 %. Beispielsweise kann die Transparenz für wenigstens eine Wellenlänge in einem

Wellenlängenbereich von etwa 400 nm bis etwa 650 nm mehr als 60 % und beispielsweise mehr als 65 % betragen.

Die Anordnung der Elektroden-Aufwachsschicht und der

Aufwachselektrode gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann somit eine gegenüber dem Stand der Technik verbesserte Transparenz bei gleichzeitig ausreichender Bestromung

bereitstellen .

In einer weiteren Aus führungs form wird die Metallschicht zeitlich unmittelbar nach der Elektroden-Aufwachsschicht aufgebracht. Der Begriff „zeitlich unmittelbar aufgebracht" oder bevorzugt „hintereinander aufgebracht", wie er hierin verwendet wird, meint, dass die Metallschicht während des Herstellungsprozesses des elektronischen Bauelements zeitlich direkt nach der Elektroden-Aufwachsschicht abgeschieden wird, z.B. ohne Reaktorwechsel oder nicht später als einen Tag nach Abscheiden der Elektroden-Aufwachsschicht. Durch die unmittelbare Abscheidung der Metallschicht auf der

Elektroden-Aufwachsschicht kann einem Altern der Elektroden- Aufwachsschicht vorgebeugt werden, beispielsweise tritt keine oder eine nur geringe Alterung der z.B. amorphen Oberfläche ein, wodurch ihr amorphes Erscheinungsbild zum geeigneten Abscheiden der Metallschicht beibehalten werden kann.

Das elektronische Bauelement gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann ferner weitere Funktionsschichten, wie beispielsweise Antireflexionsschichten, Streuschichten, Schichten zur Farbkonversion von Licht und/oder mechanische Schutzschichten, aufweisen. Derartige Schichten können beispielsweise auf der Metallschicht der Aufwachselektrode angeordnet sein. Die Funktionsschichten können beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abgeschieden werden. Diese Schichten können die Funktion und Effizienz der

Strahlungsemittierenden Vorrichtung weiter verbessern.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist das

elektronische Bauelement ein Substrat auf, wenigstens eine auf dem Substrat angeordnete, erste Elektrode und auf der dem Substrat zugewandten Seite der Elektrode eine

(Elektroden- ) Aufwachsschicht . Die auf der Aufwachsschicht angeordnete Elektrode weist beispielsweise eine Metallschicht mit einer Dicke von kleiner oder gleich 30 nm auf und die Aufwachsschicht besitzt eine Dicke, die kleiner oder gleich 10 nm ist.

Ein "Substrat", wie es hierin verwendet wird, kann zum

Beispiel ein Substrat, wie es im Stand der Technik

herkömmlich für ein elektronisches Bauelement verwendet wird, umfassen. Das Substrat kann ein transparentes Substrat sein. Es kann jedoch auch ein nicht transparentes Substrat sein. Beispielsweise kann das Substrat Glas, Quarz, Saphir,

Kunststofffolien, Metall, Metallfolien, Siliziumwafer oder ein anderes geeignetes Substratmaterial umfassen. Ein

Metallsubstrat wird im Regelfall nur dann Verwendung finden, wenn nicht direkt darauf die Aufwachsschicht angeordnet ist. Als Substrat wird insbesondere die Schicht verstanden, auf der bei der Herstellung des elektronischen Bauelements nachfolgend alle anderen Schichten aufgebracht werden.

Solche nachfolgenden Schichten können z.B. bei einem

optischen elektronischen Bauelement oder einer

Strahlungsemittierenden Vorrichtung für die

Strahlungsemission erforderliche Schichten sein. Die „erste Elektrode" kann eine Anode oder eine Kathode sein.

Der Begriff „Aufwachsschicht", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet eine Schicht, auf welcher eine eine Metallschicht aufweisende Elektrode (im Folgenden auch als

Aufwachselektrode bezeichnet) angeordnet ist.

Die Aufwachsschicht kann aus einem Material gebildet sein oder ein Material aufweisen, das ausgewählt ist aus

transparenten leitfähigen Oxiden, wie beispielsweise

Metalloxiden, wie Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indium-dotiertem Zinnoxid (ITO), Aluminiumdotiertem Zinkoxid (AZO) , Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Ζη2ΐη2θ5 oder In4Sn30]_2 oder Mischungen

unterschiedlicher transparenter leitender Oxide.

Der Beitrag der Aufwachsschicht zur lateralen Stromleitung ist meist vernachlässigbar.

Da die Aufwachsschicht eine sehr dünne Schicht ist, muss sie nicht unbedingt leitfähig sein. Die Aufwachsschicht kann daher ebenso dielektrische Oxide wie AI2O3, WO3, Re207 und dergleichen aufweisen oder aus solchen gebildet sein.

Die Aufwachsschicht kann mittels physikalischer

Gasphasenabscheidung, zum Beispiel Verdampfungsverfahren, wie thermischem Verdampfen, Elektronenstrahlverdampfen,

Laserstrahlverdampfen, Lichtbogenverdampfen,

Molekularstrahlepitaxie und dergleichen, Sputtern, wie ionenstrahlgestützter Deposition und dergleichen, oder

Ionenplattieren, chemischer Gasphasenabscheidung, wie

plasmaunterstützter chemischer Gasphasenabscheidung und dergleichen, oder Atomlagenabscheidung und dergleichen aufgebracht sein.

Die Oberfläche der Aufwachsschicht ist beispielsweise in geeigneter Weise vorbereitet oder ausgelegt, um eine

gleichmäßige bzw. homogene Abscheidung einer darauf

abzuscheidenden Metallschicht zu ermöglichen. In einer

Aus führungs form kann die Oberfläche der Aufwachsschicht eine amorphe oder im Wesentlichen amorphe Struktur bzw. eine amorphe oder im Wesentlichen amorphe Oberfläche aufweisen. Eine vollständig amorphe Struktur kann beispielsweise mittels Röntgenbeugung (XRD-Aufnahmen) bestätigt werden (es werden keine diskreten Bragg-Reflexe erhalten) .

Der Begriff „Metallschicht", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet eine Schicht, die im Wesentlichen oder vollständig aus Metall gebildet ist. Die Metallschicht ist direkt auf der Aufwachsschicht angeordnet. Sie kann epitaktisch auf der Aufwachsschicht aufgewachsen sein. Die Dicke der

Metallschicht beträgt kleiner oder gleich 30 nm,

beispielsweise zwischen 9 nm und 10 nm.

Die Metallschicht kann eine Dicke von kleiner oder gleich 15 nm aufweisen, insbesondere von kleiner oder gleich 12 nm. Bei Ausführungsformen, bei denen es insbesondere auf die Transparenz der Metallschicht ankommt, kann die Dicke der Metallschicht beispielsweise kleiner oder gleich 14 nm, insbesondere kleiner oder gleich 11 nm, betragen.

Beispielsweise kann die Dicke einer Metallschicht, welche eine Ag-Schicht oder eine Schicht aus einer Ag-Legierung (z.B. eine Schicht aus einer Ag-Sm-Legierung) aufweist, kleiner oder gleich 14 nm, insbesondere kleiner oder gleich 11 nm, zum Beispiel zwischen etwa 9 nm und etwa 10 nm

betragen . Die Aufwachselektrode kann aus der Metallschicht bestehen oder eine oder weitere Schichten oder Funktionsschichten aufweisen .

Die Metallschicht der Aufwachselektrode weist beispielsweise mindestens ein Metall auf, das ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold,

Magnesium, Calcium und Lithium sowie Kombinationen derselben. Die Metallschicht kann alternativ aus einem der vorstehend genannten Metalle oder einer Verbindung mit einem dieser Metalle oder aus mehreren dieser Metalle, insbesondere einer Legierung, bestehen.

Die Aufwachselektrode kann in transparenten und nicht ^¬ transparenten elektronischen, optischen oder elektrooptischen Bauteilen eingesetzt werden. Die auf der Aufwachsschicht angeordnete Aufwachselektrode kann als Deckkontakt,

Substratkontakt und/oder Zwischenkontakt eingesetzt werden.

Der Begriff „Schicht", wie er hierin verwendet wird, kann eine einzelne Schicht oder eine Schichtenfolge aus mehreren dünnen Schichten bezeichnen. Beispielsweise können die

Funktionsschichten, beispielsweise organische

Funktionsschichten, aus mehreren Schichten gebildet sein. Die Metallschicht und die Aufwachsschicht sind meist

einschichtig .

Der Begriff "aufeinander angeordnet", wie er hierin verwendet wird, meint, dass eine Schicht unmittelbar in direktem mechanischem und/oder elektrischem Kontakt auf einer anderen Schicht angeordnet ist. Eine Schicht kann auch mittelbar auf einer anderen Schicht angeordnet sein, wobei dann weitere Schichten zwischen den angegebenen Schichten vorhanden sein können. Solche Schichten können dazu dienen, die

Funktionalität und damit die Effizienz des elektronischen Bauelements weiter zu verbessern. Die Metallschicht ist im Regelfall direkt auf der Aufwachsschicht angeordnet.

Mit der in dem elektronischen Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehenen Kombination aus

Aufwachsschicht und Metallschicht ist es möglich, einen sehr dünnen und zugleich sehr leitfähigen Kontakt bereitzustellen, der - falls erforderlich - zusätzlich auch hochtransparent ausgebildet sein kann.

In einer Weiterbildung des elektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen besitzt die

Aufwachsschicht beispielsweise eine Dicke von 1 nm bis 8 nm. Die Aufwachsschicht besitzt beispielsweise eine Dicke von 3 nm bis 3,5 nm. In bestimmten Aus führungs formen kann eine Dicke von größer oder gleich 1,5 nm vorteilhaft sein. Die Dicke der Aufwachsschicht kann in bestimmten

Aus führungs formen beispielsweise kleiner oder gleich 7 nm sein .

In einer Aus führungs form des elektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ist die Aufwachsschicht ausgewählt aus einer Schicht aus Indium-dotiertem Zinnoxid

(ITO) und einer Schicht aus Aluminium-dotiertem Zinkoxid

(AZO) .

In einer Weiterbildung des elektronischen Bauelements weist die Metallschicht eine Dickenhomogenität von ± 10 % häufig sogar ± 5 %, auf.

Der Begriff „Dickenhomogenität", wie er hierin verwendet wird, meint, dass die Metallschicht eine über ihre im

Wesentlichen oder vollständige Länge nahezu konstante Dicke, d.h. eine Dicke mit einer maximalen Abweichung von z.B.

± 10 %, besitzen kann. Dies kann beispielsweise insbesondere durch die unter der Metallschicht angeordnete (dünne)

Aufwachsschicht erreicht werden. Die Maximaldicke einer „30 nm dicken" Metallschicht kann als beispielsweise maximal 33 nm betragen, die maximale Dicke einer „12 nm dicken" Metallschicht beispielsweise maximal 13,2 nm .

In einer weiteren Aus führungs form beträgt der

Flächenwiderstand der Aufwachselektrode auf der

Aufwachsschicht kleiner oder gleich 6 Ω/D . Der

Flächenwiderstand kann beispielsweise kleiner oder gleich 5 Ω/D betragen. Beispielsweise kann der Flächenwiderstand zwischen 4 Ω/D und 5 Ω/D betragen.

Der Begriff „Flächenwiderstand", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet den isotropen spezifischen Widerstand einer Schicht bezogen auf die Dicke derselben. Der

Flächenwiderstand kann beispielsweise mit Hilfe der Vier- Punkt-Methode gemessen werden. Alternativ kann ein

Flächenwiderstand auch mit der speziellen Van-der-Pauw- Methode gemessen werden.

Der Flächenwiderstand kann damit geringer sein, als es bislang im Stand der Technik mit vergleichbaren

Elektrodenschichten üblich war, die auf einem anderen

Substrat als der Aufwachsschicht gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen abgeschieden wurden. Mit der Anordnung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann es möglich sein, eine gleichmäßige Bestromung der dünnen

Aufwachselektrode - in optoelektronischen Bauelementen bei ausreichender Transparenz - zu erreichen.

In einer weiteren Aus führungs form ist das elektronische Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen ein organisch elektronisches Bauelement und weist ferner eine zweite Elektrode und wenigstens eine zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode angeordnete organische Funktionsschicht auf. Das organisch elektronische Bauelement ist z.B. ein

optoelektronisches Bauelement bzw. eine

strahlungsemittierende Vorrichtung .

Die „erste Elektrode" kann eine Anode sein. Sie kann

lochin izierende Funktionen aufweisen.

Die „zweite Elektrode" kann eine Kathode sein.

Die erste Elektrode und die zweite Elektrode sind in

geeigneter Weise elektrisch kontaktiert.

Die erste Elektrode und/oder die zweite Elektrode, welche auf der Aufwachsschicht angeordnet ist, wird - wie vorher

angegeben - auch als Aufwachselektrode bezeichnet. Die

Aufwachselektrode kann als Anode oder Kathode vorgesehen sein oder einen Teil einer solchen bilden.

Die Elektrode, die nicht auf einer Aufwachsschicht angeordnet ist, kann aus einem Material gebildet sein oder ein Material aufweisen, das ausgewählt ist aus Metallen wie Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Calcium und Lithium sowie Kombinationen derselben oder einer Verbindung

derselben, insbesondere einer Legierung, sowie transparenten leitfähigen Oxiden, wie beispielsweise Metalloxiden, wie Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indium-dotiertem Zinnoxid (ITO), Aluminium-dotiertem Zinkoxid (AZO) , Zn2Sn04, CdSn03, ZnSn03, Mgln204, Galn03, Zn2ln20s oder In4Sn30]_2 oder Mischungen unterschiedlicher

transparenter leitender Oxide.

Eine „organische Funktionsschicht" kann Emitterschichten, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder

phosphoreszierenden Emittern, enthalten. Beispiele für Emittermaterialien, die in dem elektronischen Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen bzw. der Strahlungsemittierenden Vorrichtung gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2 , 5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie

Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2- pyridyl ) phenyl- ( 2-carboxypyridyl ) -iridium III), grün

phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6)

(Tris [4, 4' -di-tert-butyl- (2,2')- bipyridin] ruthenium ( III ) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA ( 9, 1 O-Bis [N, N-di- (p-tolyl ) - amino ] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4- Dicyanomethylen) -2-methyl- 6- ulolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischem Verdampfen abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche beispielsweise mittels nasschemischen Verfahren, wie

beispielsweise Spin Coating, abscheidbar sind. Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.

Die Emittermaterialien der Emitterschichten des

elektronischen Bauelements können beispielsweise so

ausgewählt sein, dass das elektronische Bauelement Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht kann mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot)

emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann die Emitterschicht auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht, einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht und einer rot

phosphoreszierenden Emitterschicht. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mir einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch

vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.

Das elektronische Bauelement kann allgemein weitere

organische Funktionsschichten aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des elektronischen Bauelements weiter zu verbessern.

Beispielsweise können organische Funktionsschichten

ausgewählt sein, die dazu dienen, die Funktionalität und die Effizienz der ersten Elektrode und/oder der zweiten Elektrode sowie des Ladungsträger- und Exzitonentransports zu

verbessern .

Das elektronische Bauelement kann als „Bottom-Emitter" und/oder „Top-Emitter" ausgeführt sein.

In einer Aus führungs form ist die Aufwachsschicht zwischen der organischen Funktionsschicht und der zweiten Elektrode als Aufwachselektrode angeordnet.

Die zweite Elektrode kann eine Kathode sein.

Die Anordnung der Aufwachsschicht und der Aufwachselektrode kann einen transparenten Deckkontakt für einen Top-Emitter bilden .

In einer anderen Aus führungs form ist die Aufwachsschicht zwischen dem Substrat und der ersten Elektrode als

Aufwachselektrode angeordnet. Die erste Elektrode kann dabei eine Anode sein. Das Substrat kann bevorzugt ein transparentes Substrat wie Glas, Quarz, Saphir,

Kunststofffolie und dergleichen sein.

Die Anordnung der Aufwachsschicht und der Aufwachselektrode kann einen transparenten Substratkontakt für einen Bottom- Emitter bilden.

Ganz allgemein gilt, dass bei einem Top- oder Bottom-Emitter eine Elektrode der Strahlungsemittierenden Vorrichtung in Form der Aufwachselektrode gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen transparent und die andere Elektrode reflektierend ausgeführt sein kann. Alternativ dazu können auch beide Elektroden transparent ausgeführt sein.

Die Metallschicht der Aufwachselektrode bildet daher

beispielsweise einen transparenten Dünnfilmkontakt.

Der Begriff „Bottom-Emitter", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet eine Ausführung, die zu der Substratseite des elektronischen Bauelements hin transparent ausgeführt ist. Beispielsweise können dazu wenigstens das Substrat, die erste Elektrode und die zwischen dem Substrat und der ersten

Elektrode angeordnete Aufwachsschicht transparent ausgeführt sein. Ein als Bottom-Emitter ausgeführtes elektronisches Bauelement kann demnach beispielsweise in den organischen Funktionsschichten erzeugte Strahlung auf der Substratseite des elektronischen Bauelements emittieren.

Alternativ oder zusätzlich dazu kann das elektronische

Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen als „Top-Emitter" ausgeführt sein.

Der Begriff „Top-Emitter", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet eine Ausführung, die zu der Seite der zweiten Elektrode des elektronischen Bauelements hin transparent ausgeführt ist. Beispielsweise können dazu die Aufwachsschicht und die zweite Elektrode transparent

ausgeführt sein. Ein als Top-Emitter ausgeführtes

elektronisches Bauelement kann demnach beispielsweise in de organischen Funktionsschichten erzeugte Strahlung auf der Seite der zweiten Elektrode des elektronischen Bauelements emittieren .

Ein als Top-Emitter ausgestaltetes elektronisches Bauelement gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen, bei welchem die Aufwachsschicht und die Metallschicht als Deckkontakt

vorgesehen sind, kann eine hohe Lichtauskopplung und eine sehr geringe Winkelabhängigkeit der Strahlungsdichte

aufweisen. Die Strahlungsemittierende Vorrichtung gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann für Beleuchtungen, wie beispielsweise Raumleuchten, eingesetzt werden.

Eine Kombination aus Bottom- und Top-Emitter ist in gleicher Weise möglich. Bei einer solchen Ausführung ist das

elektronische Bauelement allgemein in der Lage, das in den organischen Funktionsschichten erzeugte Licht in beide

Richtungen - also sowohl zu der Substratseite als auch zu der Seite der zweiten Elektrode hin - zu emittieren.

In einer weiteren Aus führungs form ist zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode wenigstens eine dritte Elektrode angeordnet und die Aufwachsschicht ist auf der dem Substrat zugewandten Seite der dritten Elektrode angeordnet.

Die „dritte Elektrode" kann als Zwischenkontakt fungieren. Sie kann dazu dienen, einen Ladungstransport durch die

Schichten des elektronischen Bauelements hindurch zu erhöhen und damit die Effizienz des elektronischen Bauelements zu verbessern. Die dritte Elektrode kann als ambipolare Schicht ausgestaltet sein; sie kann als Kathode oder Anode

ausgestaltet sein. Die Anordnung der Aufwachsschicht und der Aufwachselektrode der vorliegenden Aus führungs form bildet dann einen

transparenten Zwischenkontakt.

Ebenso wie die erste Elektrode und die zweite Elektrode ist die dritte Elektrode elektrisch kontaktiert.

In einer Weiterbildung des elektronischen Bauelements sind als organische Funktionsschichten eine Emitterschicht und eine oder mehrere weitere organische Funktionsschichten enthalten. Die weiteren organischen Funktionsschichten können ausgewählt sein aus der Gruppe, bestehend aus

Lochin ektionsschichten, Lochtransportschichten,

lochblockierenden Schichten, Elektronenin ektionsschichten, Elektronentransportschichten und elektronenblockierenden Schichten .

Geeignete Funktionsschichten und geeignete organische

Funktionsschichten sind dem Fachmann an sich bekannt. Die (organischen) Funktionsschichten können vorzugsweise mittels thermischem Verdampfen aufgebracht werden. Die weiteren

(organischen) Funktionsschichten können die Funktionalität und/oder Effizienz des elektronischen Bauelements in

vorteilhafter Weise verbessern.

In einer weiteren Aus führungs form ist das elektronische Bauelement als organische Leuchtdiode (OLED) ausgebildet.

In einer Weiterbildung des elektronischen Bauelements weist das elekronische Bauelement eine im Wesentlichen Lambertsche Abstrahlcharakteristik auf.

Der Begriff „Lambertsche Abstrahlcharakteristik", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet das ideale

Abstrahlverhalten eines so genannten Lambert-Strahlers. Eine „im Wesentlichen" Lambertsche Abstrahlcharakteristik, wie sie hierin bezeichnet ist, meint dabei insbesondere, dass die Abstrahlcharakteristik, welche sich nach der Formel I (Θ) = 10 · cos© berechnet und in der 10 die Intensität bezogen auf eine

Flächennormale ist und Θ den Winkel zur Flächennormalen angibt, für einen gegebenen Winkel, beispielsweise bei einem Winkel zwischen -70° und +70°, für jeden gegebenen Winkel Θ um nicht mehr als 10 % von der Intensität gemäß der oben genannten Formel abweicht, also I (Θ) = 10 · cos© · x, wobei x = 90 % - 110 %. Auf diese Weise kann es möglich sein, eine nach allen

Richtungen konstante Strahldichte bzw. Leuchtdichte des elektronischen Bauelements gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen zu erreichen, so dass das elektronische Bauelement in allen Richtungen gleich hell scheint. Die

Helligkeit des elektronischen Bauelements kann sich auch dann nicht ändern, wenn es gegenüber der Blickrichtung verkippt wird .

In einer weiteren Aus führungs form beträgt die Transparenz des elektronischen Bauelements größer oder gleich 60 %.

Beispielsweise kann die Transparenz größer oder gleich 65 % betragen. Die Transparenz wird mittels Intensitätsmessungen gemessen, indem vorgegebene Wellenlängenbereich abgetastet und die durch die Strahlungsemittierende Vorrichtung tretende Lichtmenge erfasst wird.

Der Begriff „Transparenz", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet die Fähigkeit der einzelnen Schichten des

elektronischen Bauelements gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen, elektromagnetische Wellen - und beispielsweise sichtbares Licht - durchzulassen. Die Transparenz des elektronischen Bauelements gemäß

verschiedenen Ausführungsbeispielen beträgt im Regelfall zumindest für wenigstens eine konkrete Wellenlänge mehr als 60 %, vorzugsweise mehr als 65 %. Beispielsweise kann die Transparenz für wenigstens eine Wellenlänge in einem

Wellenlängenbereich von etwa 400 nm bis etwa 650 nm mehr als 60 % und vorzugsweise mehr als 65 % betragen.

Die Anordnung der Aufwachsschicht und der Aufwachselektrode gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann somit eine gegenüber dem Stand der Technik verbesserte Transparenz bei gleichzeitig ausreichender Bestromung bereitstellen.

In einer weiteren Aus führungs form ist die Aufwachsschicht mittels Sputterns aufgebracht. Die Aufwachsschicht kann beispielsweise mittels Facing Target Sputterns oder

Hohlkathoden-Sputterns aufgebracht sein.

Der Begriff „Facing Target Sputtern", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet einen einstufigen Prozess, mittels dessen geschlossene epitaktische Schichten erhalten werden können.

Der Begriff „Hohlkathoden-Sputtern", wie er hierin verwendet wird, bezeichnet ein Sputterverfahren unter Verwenden einer Hohlkathoden-Sputteranlage, welche eine Hohlkathode aus Targetmaterial aufweist. Im Vergleich zu den üblicherweise bei einem Druck von < 1 Pa ablaufenden Sputterverfahren, können beim Hohlkathoden-Sputtern verbesserte Eigenschaften der Aufwachsschicht erhalten werden, da praktisch kein

Bombardement der Schicht mit energetischen, vom Target reflektierten Neutralteilchen stattfindet.

Die mittels Facing Target Sputtern oder Hohlkathoden-Sputtern abgeschiedene Aufwachsschicht weist im Regelfall ein im

Wesentlichen amorphes Erscheinungsbild bzw. eine im

Wesentlichen amorphe Oberfläche auf. Auf einer solchen amorphen Oberfläche kann besonders gut eine dünne

Metallschicht abgeschieden werden, um auf diese Weise einen transparenten Kontakt für ein elektronisches Bauelement der vorliegenden Erfindung bereitzustellen. Mittels Sputterns aufgebrachte Schichten weisen im Regelfall Einschlüsse auf, in denen das zum Sputtern verwendete Prozessgas enthalten ist (z.B. Argon) .

Durch Verwenden eines Sputterverfahrens zum Aufbringen der Aufwachsschicht kann ein Abscheiden nichtstöchiometrischer Schichten, die aus einem thermischen Verdampfen bei zu hohen Temperaturen resultieren können, vermieden werden, wobei die bei reaktivem Sputtern häufig mit zunehmender

Beschichtungszeit auftretenden Schädigungen der

unterliegenden Schichten durch verschiedene Einflüsse aus dem Sputterplasma aufgrund der gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen vorgesehenen sehr dünnen

Aufwachsschicht vermieden werden können.

Durch Aufbringen der Aufwachsschicht mittels Sputterns kann somit in vorteilhafter Weise ein schädigungsfreies und/oder stöchiometrisches Aufbringen der Aufwachsschicht erreicht werden. Dies kann beispielsweise bei der Beschichtung

empfindlicher Strukturen, wie sie zum Beispiel bei

organischen Leuchtdioden vorhanden sind, von Vorteil sein.

In einer weiteren Aus führungs form der vorliegenden Erfindung ist die Metallschicht zeitlich unmittelbar nach der

Aufwachsschicht aufgebracht.

Der Begriff „zeitlich unmittelbar aufgebracht" oder bevorzugt „hintereinander aufgebracht", wie er hierin verwendet wird, meint, dass die Metallschicht während des

Herstellungsprozesses des elektronischen Bauelements zeitlich direkt nach der Aufwachsschicht abgeschieden wird, z.B. ohne Reaktorwechsel oder nicht später als einen Tag nach

Abscheiden der Aufwachsschicht. Durch die unmittelbare Abscheidung der Metallschicht auf der Aufwachsschicht kann einem Altern der Aufwachsschicht

vorgebeugt werden, beispielsweise tritt keine oder eine nur geringe Alterung der z.B. amorphen Oberfläche ein, wodurch ihr amorphes Erscheinungsbild zum geeigneten Abscheiden der Metallschicht beibehalten werden kann.

Das elektronische Bauelement gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann ferner weitere Funktionsschichten, wie beispielsweise Antireflexionsschichten, Streuschichten, Schichten zur Farbkonversion von Licht und/oder mechanische Schutzschichten, aufweisen. Derartige Schichten können beispielsweise auf der Metallschicht der Aufwachselektrode angeordnet sein. Die Funktionsschichten können vorzugsweise mittels thermischen Verdampfens abgeschieden werden. Diese Schichten können die Funktion und Effizienz der

Strahlungsemittierenden Vorrichtung weiter verbessern.

Ein elektrischer Kontakt gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen ist zur Verwendung in bzw. mit einem elektronischen Bauelement geeignet.

Der elektrische Kontakt gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen weist ein Substrat, wenigstens eine auf dem Substrat angeordnete, erste Elektrode und auf der dem Substrat zugewandten Seite der Elektrode eine Aufwachsschicht auf, wobei die auf der Aufwachsschicht angeordnete Elektrode eine Metallschicht mit einer Dicke von kleiner oder gleich 30 nm aufweist und die Aufwachsschicht eine Dicke besitzt, die kleiner oder gleich 10 nm ist.

Da bereits mit dem elektrischen Kontakt gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen im Wesentlichen alle Vorteile erzielbar sind, welche mit dem elektronischen Bauteil gemäß

verschiedenen Ausführungsbeispielen erzielt werden können, wird bezüglich weiterer Ausgestaltungen zur Vermeidung von Wiederholungen auf die vorstehenden Ausführungen hierzu verwiesen .

Durch Abscheiden der Metallschicht auf der dünnen

Aufwachsschicht kann die Elektroden-Aufwachselektrode gleichmäßig, glatt und im Wesentlichen homogen ausgebildet werden. Sie kann beispielsweise aus diesem Grund wesentlich dünner ausgeführt werden als gemäß dem Stand der Technik. Somit ist es - anders als mit den im Stand der Technik eingesetzten transparenten Kontakten aus entweder

transparenten leitenden Oxiden mit einer Leitfähigkeit von größer 15 Ω/D oder dünnen Metallschichten mit einer Dicke von mindestens 20 nm - möglich, eine hohe Transparenz und gute Bestromung auch bei großflächigen Anwendungen zu

erreichen .

Bei den elektronischen Bauelementen gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen, bei denen eine Transparenz wesentlich ist, kann somit ein Kompromiss zwischen Transparenz und Leitfähigkeit transparenter metallischer Kontakte eingegange: werden, da die auf der Elektroden-Aufwachsschicht

abgeschiedene Metallschicht hinreichend dünn, glatt und geschlossen gebildet sein kann, um so beispielsweise eine ausreichende Leitfähigkeit und gleichzeitig eine

hervorragende Transparenz bereitzustellen.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.

Es zeigen

Fig. 1 ein Ablaufdiagramm, in dem ein Verfahren zum

Herstellen eines elektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel dargestellt ist;

Fig. 2a bis Fig. 2e schematisch vereinfachte Seitenansichten eines elektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel in einem Teilschnitt zu

verschiedenen Zeitpunkten der Herstellung des elektronischen Bauelements; Fig. 3a bis Fig. 3e schematisch vereinfachte Seitenansichten eines elektronischen Bauelements gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel in einem Teilschnitt zu

verschiedenen Zeitpunkten der Herstellung des elektronischen Bauelements;

Fig. 4 eine schematisch vereinfachte Seitenansicht eines

elektronischen Bauelements gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel in einem Teilschnitt; Fig. 5 eine schematisch vereinfachte Seitenansicht eines

elektronischen Bauelements gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel in einem Teilschnitt;

Fig. 6 eine schematisch vereinfachte Seitenansicht eines

elektronischen Bauelements gemäß einem anderen

Ausführungsbeispiel in einem Teilschnitt;

Fig. 7 eine REM-Aufnahme einer dünnen Silberschicht, die auf einem Glassubstrat abgeschieden ist;

Fig. 8 eine REM-Aufnahme einer dünnen Silberschicht, die auf einem herkömmlichen Organikuntergrund abgeschieden ist ; Fig. 9 eine REM-Aufnahme einer dünnen Silberschicht, die

erfindungsgemäß auf einer ITO-Aufwachsschicht abgeschieden ist;

Fig. 10 einen Graphen, der das Ergebnis einer

Transparenzmessung der Silberschichten aus den Fig. 4 bis Fig. 6 zeigt; und Fig. 11 Abstrahlcharakteristiken eines elektrooptischen

Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel zeigt.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische

Aus führungs formen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird

Richtungsterminologie wie etwa „oben", „unten", „vorne", „hinten", „vorderes", „hinteres", usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur (en) verwendet. Da

Komponenten von Aus führungs formen in einer Anzahl

verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Aus führungs formen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Aus führungs formen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der

Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe

"verbunden", "angeschlossen" sowie "gekoppelt" verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.

In verschiedenen Ausführungen wird eine Optimierung von transparenten Metallelektroden auf organischen

optoelektronischen Bauelementen bezüglich ihrer Transparenz, Leitfähigkeit und Langzeitstabilität durch Einfügen einer oder mehrerer dünner transparenter Metalloxid-Schichten mithilfe von Atomlagendeposition (auch bezeichnet als

Atomlagenepitaxie ) beschrieben.

Fig. 1 zeigt ein Ablaufdiagramm 100, in dem ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements gemäß einem

Ausführungsbeispiel dargestellt ist. Gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen kann in 102 eine Elektroden- Aufwachsschicht auf oder über einer Schichtenstruktur mittels eines Atomlagendeposition-Verfahrens aufgebracht werden.

Weiterhin kann in 104 eine Elektrode (auch bezeichnet als Aufwachselektrode) auf der Elektroden-Aufwachsschicht

aufgebracht werden.

Fig. 2a bis Fig. 2e zeigen schematisch vereinfachte

Seitenansichten eines elektronischen Bauelements,

beispielsweise einer organischen Leuchtdiode (OLED) gemäß einem Ausführungsbeispiel in einem Teilschnitt zu

verschiedenen Zeitpunkten der Herstellung des elektronischen Bauelements .

Wie in Fig. 2a in einer ersten Teilstruktur 200 gezeigt ist, wird auf ein Substrat 202 eine erste Elektrode 204, im

Folgenden auch bezeichnet als Grundelektrode 204,

aufgebracht, beispielsweise abgeschieden. Das Substrat 202 kann ein transparentes Substrat 202 sein. Das Substrat 202 kann jedoch auch ein nicht transparentes Substrat 202 sein. Beispielsweise kann das Substrat Glas, Quarz, Saphir,

Kunststofffolie (n) , Metall, Metallfolie (n) , Siliziumwafer oder ein anderes geeignetes Substratmaterial aufweisen. Ein Metallsubstrat kann beispielsweise verwendet werden, wenn nicht direkt darauf die Elektroden-Aufwachsschicht, wie sie im Folgenden noch näher erläutert wird, angeordnet ist. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Grundelektrode 204 beispielsweise eine Anode sein und beispielsweise aus Indium-dotiertem Zinnoxid (ITO) gebildet sein oder werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann das

Substrat 202 und/oder die erste Elektrode 204 transparent ausgebildet sein.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste

Elektrode 204 mittels Sputterns oder mittels thermischen Verdampfens aufgebracht werden. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 204 eine

Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 20 nm.

Wie in Fig. 2b in einer zweiten Teilstruktur 210 gezeigt ist, wird oder werden auf die erste Teilstruktur 200 eine oder mehrere organische Funktionsschichten 212 zum

Ladungstransport und zur Lichterzeugung, wie beispielsweise eine fluoreszierende und/oder eine phosphoreszierende

Emitterschicht, aufgebracht.

Beispiele für Emittermaterialien, die in dem elektronischen Bauelement, beispielsweise einer OLED gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2 , 5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie

Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2- pyridyl ) phenyl- ( 2-carboxypyridyl ) -iridium III), grün

phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFß)

(Tris [4, 4' -di-tert-butyl- (2,2')- bipyridin] ruthenium ( III ) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- ( di-p-tolylamino ) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA ( 9, 10-Bis [N, N-di- (p-tolyl ) - amino ] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4- Dicyanomethylen) -2-methyl- 6- ulolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sin beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels nasschemischen Verfahren, wie

beispielsweise Spin Coating, abscheidbar sind.

Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.

Die Emittermaterialien der Emitterschichten des

elektronischen Bauelements können beispielsweise so

ausgewählt sein, dass das elektronische Bauelement Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht kann mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann die Emitterschicht auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht, einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so das sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.

Es können weitere organische Funktionsschichten vorgesehen sein, die beispielsweise dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des elektronischen Bauelements weiter zu verbessern .

Es ist darauf hinzuweisen, dass in alternativen

Ausführungsbeispielen jede geeignete Form von

lichtemittierenden Funktionsschichten, beispielsweise organische Funktionsschichten vorgesehen sein können und die Erfindung nicht beschränkt ist auf eine spezielle Art von Funktionsschicht ( en) . Wie in Fig. 2c in einer dritten Teilstruktur 220 gezeigt ist, wird oder werden auf die zweite Teilstruktur 210 eine oder mehrere transparente Zwischenschichten (im Folgenden auch bezeichnet als eine oder mehrere Elektroden- Aufwachsschicht ( en) ) aufgebracht. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen wird die mindestens eine

Zwischenschicht mittels eines Atomlagendeposition-Verfahrens aufgebracht. Die mindestens eine Zwischenschicht oder der von mehreren Zwischenschichten gebildete Zwischenschichtenstapel 226 kann eine Schichtdicke im Nanometer-Bereich aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von

ungefähr 0,1 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 8 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 3 nm bis ungefähr 3,5 nm, beispielsweise eine

Schichtdicke von größer oder gleich 1,5 nm. Die Schichtdicke der Elektroden-Aufwachsschicht ( en) kann jeweils oder

insgesamt in verschiedenen Ausgestaltungen beispielsweise kleiner oder gleich 7 nm sein. In Fig. 2c ist ein

Zwischenschichtenstapel 226 dargestellt mit einer Mehrzahl von Teil-Zwischenschichten 222, 224, die jeweils mittels eines Atomlagendeposition-Verfahrens aufgebracht werden oder sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können mehrere, beispielsweise zwei unterschiedliche Materialien vorgesehen sein, wobei jedes Material eine jeweilige Teil- Zwischenschicht 222, 224 bildet. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen können die jeweiligen Teil- Zwischenschichten 222, 224 von jeweils abwechselnd

abgeschiedenen unterschiedlichen Materialien mittels eines Atomlagendeposition-Verfahrens abgeschieden werden. So kann beispielsweise eine erste Teil-Zwischenschicht 222 aus einem ersten Material (beispielsweise einem Oxid, Nitrid, Carbid oder einem anderen zum Abscheiden mittels eines Atomlagendeposition-Verfahrens geeigneten Material,

beispielsweise Zinkoxid) mit einer Schichtdicke von einigen Nanometern abgeschieden werden (beispielsweise auf die freie Oberfläche der organischen Funktionsschicht ( en) 212), beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 2 nm bis ungefähr 8 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 3 nm bis ungefähr 7 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 4 nm bis ungefähr 6 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke von ungefähr 5 nm. Ferner kann beispielsweise auf die erste Teil-Zwischenschicht 222 eine zweite Teil- Zwischenschicht 224 aus einem zweiten Material

(beispielsweise einem Oxid, Nitrid, Carbid oder einem anderen zum Abscheiden mittels eines Atomlagendeposition-Verfahrens geeigneten Material, beispielsweise Zinkoxid) , das

beispielsweise unterschiedlich ist zu dem ersten Material, mit einer Schichtdicke von einigen Nanometern abgeschieden werden, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem

Bereich von ungefähr 0,5 nm bis ungefähr 8 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 5 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 1,5 nm bis ungefähr 3 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke von ungefähr 2 nm. Dann kann auf die zweite Teil-Zwischenschicht 224 erneut eine weitere erste Teil-Zwischenschicht 222 abgeschieden werden, eine weitere zweite Teil-Zwischenschicht 224 auf die weitere erste Teil- Zwischenschicht 222, usw. Das Bilden von mehreren Teil- Zwischenschichtenstapeln (wobei jeder Teil- Zwischenschichtenstapel eine erste Teil-Zwischenschicht 222 und eine zweite Teil-Zwischenschicht 224 aufweisen kann) kann grundsätzlich beliebig häufig wiederholt werden,

beispielsweise können zwei, drei, vier, fünf, sechs, sieben oder mehr Teil-Zwischenschichtenstapel (abhängig von der gewünschten Gesamtdicke des Zwischenschichtenstapels) vorgesehen sein. Entsprechend häufig wird das

Atomlagendeposition-Verfahren wiederholt durchgeführt zum selektiven Abscheiden des jeweils gewünschten Materials. In dem in Fig. 2c gezeigten Ausführungsbeispiel sind vier Teil-Zwischenschichtenstapel vorgesehen. Ohne Einschränkung der Allgemeingültigkeit kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen die erste Teil-Zwischenschicht 222 aus Zinkoxid (beispielsweise der Schichtdicke von ungefähr 5 nm) gebildet werden und die zweite Teil-Zwischenschicht 224 kann aus Aluminiumoxid (beispielsweise der Schichtdicke von ungefähr 2 nm) gebildet werden. Es ergibt sich in diesem Ausführungsbeispiel somit eine Gesamtschichtdicke des

Zwischenschichtenstapels 226 von ungefähr 28 nm.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden alle Teil- Zwischenschichten 222, 224 und somit auch beispielsweise Zinkoxid als auch Aluminiumoxid mittels eines

Atomlagendeposition-Verfahrens abgeschieden .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können Teil- Zwischenschichten oder die Zwischenschicht beispielsweise aus leitfähigen Metalloxiden wie Zinkoxid, Aluminium-dotiertem Zinkoxid, Zinnoxid, Indium-dotiertem Zinnoxid oder

Legierungen davon bestehen oder ein oder mehrere dieser

Materialien aufweisen. Die Teil-Zwischenschichten oder

Zwischenschicht können oder kann sehr dünn ausgeführt werden (1 Atomlage bis 100 nm) . Bei hinreichend dünnen Schichten kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine

Zwischenschicht oder können mehrere Teil-Zwischenschichten aus leitfähigen Oxiden ohne Maskierung abgeschieden werden, da der parasitäre Strompfad parallel zur OLED zu

vernachlässigen ist. Da die Atomlagendeposition-Schichten sehr dünn ausgeführt werden können, ist auch die Verwendung von dielektrischen Oxiden für die Zwischenschicht oder die Teil-Zwischenschichten in verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen, da diese keinen nennenswerten seriellen

elektrischen Widerstand für die Bestromung der OLED bewirken. Bespiele für dielektrische Oxide die für die

Atomlagendeposition-Zwischenschicht oder Atomlagendeposition- Teil-Zwischenschichten in verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen sind, sind Aluminiumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Lanthanoxid und Zirkoniumoxid oder Legierungen davon. Für die Ausführung der Zwischenschicht oder der Teil- Zwischenschichten ist prinzipiell jede Kombinationen aus den obengenannten Materialien möglich. Durch Materialwahl und Schichtdicken kann die Zwischenschicht oder können die Teil- Zwischenschichten in ihrer Funktion an die organischen

Materialien und die transparente metallische Deckelektrode angepasst werden.

Wie in Fig. 2d in einer vierten Teilstruktur 230 gezeigt ist, wird auf die freie Oberfläche der Zwischenschicht (oder des Zwischenschichtenstapels 226), welche anschaulich eine

Aufwachsschicht oder einen Aufwachsschichtenstapel bildet oder bilden, ein transparenter elektrisch leitfähiger

(beispielsweise metallischer) Deckkontakt 232, beispielsweise in Form einer zweiten Elektrode 232, abgeschieden. Die zweite Elektrode 232 kann gebildet werden, indem eine

(beispielsweise optisch transparente) Metallschicht mit einer Schichtdicke aufgebracht wird von kleiner oder gleich 30 nm.

Die Metallschicht kann mindestens eines der folgenden Metalle aufweisen: Aluminium, Barium, Indium, Silber, Kupfer, Gold, Magnesium, Samarium, Platin, Palladium, Calcium und Lithium sowie Kombinationen derselben oder dieses Metall oder eine Verbindung aus diesem Metall oder aus mehreren dieser

Metalle, beispielsweise eine Legierung.

Die die Metallschicht aufweisende zweite Elektrode 232 ist beispielsweise, wenn die erste Elektrode 204 eine Anode ist, eine Kathode. Die Elektroden-Aufwachsschicht 226 ist dabei auf der dem Substrat 202 zugewandten Seite der zweiten

Elektrode 232 angeordnet. In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die transparente metallische Deckelektrode 232 eine 10 nm dicke Schicht aus Silber auf oder besteht aus derselben, wobei die transparente metallische Deckelektrode 232 mittels thermischen Verdampfens aufgebracht werden kann.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der transparente elektrisch leitfähige Deckkontakt 232 auch mittels Sputterns aufgebracht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der transparente elektrisch leitfähige Deckkontakt 232 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 20 nm.

Wie in Fig. 2e in einer fünften Teilstruktur 240 gezeigt ist, wird auf die freie Oberfläche des transparenten elektrisch leitfähigen Deckkontakts 232 eine optische Anpassungsschicht 242 zur Lichtauskopplung aufgebracht, beispielsweise

abgeschieden oder gesputtert.

Die in Fig. 2e dargestellte OLED als eine Implementierung eines elektronischen Bauelements gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen ist als Top-/Bottom-Emitter

ausgestaltet .

Fig. 3a bis Fig. 3e zeigen schematisch vereinfachte

Seitenansichten eines elektronischen Bauelements,

beispielsweise einer organischen Leuchtdiode (OLED) gemäß einem Ausführungsbeispiel in einem Teilschnitt zu

verschiedenen Zeitpunkten der Herstellung des elektronischen Bauelements .

Wie in Fig. 3a in einer ersten Teilstruktur 300 gezeigt ist, wird oder werden auf ein Substrat 302 eine oder mehrere transparente Zwischenschichten (im Folgenden auch bezeichnet als eine oder mehrere Elektroden-Aufwachsschicht ( en) ) aufgebracht . Das Substrat 302 kann ein transparentes Substrat 302 sein. Das Substrat 302 kann jedoch auch ein nicht transparentes Substrat 302 sein. Beispielsweise kann das Substrat Glas, Quarz, Saphir, Kunststofffolie (n) , Metall, Metallfolie (n) , Siliziumwafer oder ein anderes geeignetes Substratmaterial aufweisen .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird die mindestens eine Zwischenschicht mittels eines Atomlagendeposition- Verfahrens aufgebracht. Die mindestens eine Zwischenschicht oder der von mehreren Zwischenschichten gebildete

Zwischenschichtenstapel 308 kann eine Schichtdicke im

Nanometer-Bereich aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von

ungefähr 1 nm bis ungefähr 8 nm, beispielsweise eine

Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 3 nm bis ungefähr 3,5 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich 1,5 nm. Die Schichtdicke der Elektroden- Aufwachsschicht ( en) kann jeweils oder insgesamt in

verschiedenen Ausgestaltungen beispielsweise kleiner oder gleich 7 nm sein. In Fig. 3a ist ein Zwischenschichtenstapel 308 dargestellt mit einer Mehrzahl von Teil-Zwischenschichten 304, 306, die jeweils mittels eines Atomlagendeposition- Verfahrens aufgebracht werden oder sind. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können mehrere, beispielsweise zwei unterschiedliche Materialien vorgesehen sein, wobei jedes Material eine jeweilige Teil-Zwischenschicht 304, 306 bildet. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die jeweiligen Teil-Zwischenschichten 304, 306 von jeweils abwechselnd abgeschiedenen unterschiedlichen Materialien mittels eines Atomlagendeposition-Verfahrens abgeschieden werden. So kann beispielsweise eine erste Teil-Zwischenschicht 304 aus einem ersten Material (beispielsweise einem Oxid, Nitrid, Carbid oder einem anderen zum Abscheiden mittels eines

Atomlagendeposition-Verfahrens geeigneten Material, beispielsweise Zinkoxid) mit einer Schichtdicke von einigen Nanometern abgeschieden werden (beispielsweise auf die freie Oberfläche des Substrats 302), beispielsweise mit einer

Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 2 nm bis ungefähr 8 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 3 nm bis ungefähr 7 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 4 nm bis ungefähr 6 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke von ungefähr 5 nm. Ferner kann beispielsweise auf die erste Teil- Zwischenschicht 304 eine zweite Teil-Zwischenschicht 306 aus einem zweiten Material (beispielsweise einem Oxid, Nitrid, Carbid oder einem anderen zum Abscheiden mittels eines

Atomlagendeposition-Verfahrens geeigneten Material,

beispielsweise Zinkoxid) , das beispielsweise unterschiedlich ist zu dem erste Material, mit einer Schichtdicke von einigen Nanometern abgeschieden werden, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 0,5 nm bis ungefähr 8 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 5 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 1,5 nm bis ungefähr 3 nm, beispielsweise mit einer Schichtdicke von ungefähr 2 nm. Dann kann auf die zweite Teil-Zwischenschicht 306 erneut eine weitere erste Teil-Zwischenschicht 304 abgeschieden werden, eine weitere zweite Teil-Zwischenschicht 306 auf die weitere erste Teil-Zwischenschicht 304, usw. Das Bilden von mehreren Teil-Zwischenschichtenstapeln (wobei jeder Teil-Zwischenschichtenstapel eine erste Teil- Zwischenschicht 304 und eine zweite Teil-Zwischenschicht 306 aufweisen kann) kann grundsätzlich beliebig häufig wiederholt werden, beispielsweise können zwei, drei, vier, fünf, sechs, sieben oder mehr Teil-Zwischenschichtenstapel (abhängig von der gewünschten Gesamtdicke des Zwischenschichtenstapels) vorgesehen sein. Entsprechend häufig wird das

Atomlagendeposition-Verfahren wiederholt durchgeführt zum selektiven Abscheiden des jeweils gewünschten Materials. In dem in Fig. 3a gezeigten Ausführungsbeispiel sind vier Teil-Zwischenschichtenstapel vorgesehen. Ohne Einschränkung der Allgemeingültigkeit kann in verschiedenen

Ausführungsbeispielen die erste Teil-Zwischenschicht 304 aus Zinkoxid (beispielsweise der Schichtdicke von ungefähr 5 nm) gebildet werden und die zweite Teil-Zwischenschicht 306 kann aus Aluminiumoxid (beispielsweise der Schichtdicke von ungefähr 2 nm) gebildet werden. Es ergibt sich in diesem Ausführungsbeispiel somit eine Gesamtschichtdicke des

Zwischenschichtenstapels 308 von ungefähr 28 nm.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden alle Teil- Zwischenschichten 304, 306 und somit auch beispielsweise Zinkoxid als auch Aluminiumoxid mittels eines

Atomlagendeposition-Verfahrens abgeschieden .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können Teil- Zwischenschichten oder die Zwischenschicht beispielsweise aus leitfähigen Metalloxiden wie Zinkoxid, Aluminium-dotiertem Zinkoxid, Zinnoxid, Indium-dotiertem Zinnoxid oder

Legierungen davon bestehen oder ein oder mehrere dieser

Materialien aufweisen. Die Teil-Zwischenschichten oder

Zwischenschicht können oder kann sehr dünn ausgeführt werden (1 Atomlage bis 100 nm) . Bei hinreichend dünnen Schichten kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine

Zwischenschicht oder können mehrere Teil-Zwischenschichten aus leitfähigen Oxiden ohne Maskierung abgeschieden werden, da der parasitäre Strompfad parallel zur OLED zu

vernachlässigen ist. Da die Atomlagendeposition-Schichten sehr dünn ausgeführt werden können, ist auch die Verwendung von dielektrischen Oxiden für die Zwischenschicht oder die Teil-Zwischenschichten in verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen, da diese keinen nennenswerten seriellen

elektrischen Widerstand für die Bestromung der OLED bewirken. Bespiele für dielektrische Oxide die für die

Atomlagendeposition-Zwischenschicht oder Atomlagendeposition- Teil-Zwischenschichten in verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen sind, sind Aluminiumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Lanthanoxid und Zirkoniumoxid oder Legierungen davon.

Für die Ausführung der Zwischenschicht oder der Teil- Zwischenschichten ist prinzipiell jede Kombinationen aus den obengenannten Materialien möglich. Durch Materialwahl und Schichtdicken kann die Zwischenschicht oder können die Teil- Zwischenschichten in ihrer Funktion eine zu bildende

transparente metallische erste Elektrode, wie Sie im

Folgenden noch näher erläutert wird, angepasst werden.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann jedes (elektrisch leitfähige oder dielektrische) Material für die

Zwischenschicht oder die Teil-Zwischenschichten vorgesehen sein, das mittels eines Atomlagendeposition-Verfahrens abgeschieden werden kann.

Wie in Fig. 3b in einer zweiten Teilstruktur 310 gezeigt ist, wird auf die freie Oberfläche der Zwischenschicht oder des Zwischenschichtenstapels 308 eine erste Elektrode 310

aufgebracht, im Folgenden auch bezeichnet als Grundelektrode 310, beispielsweise abgeschieden.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die

Grundelektrode 310 beispielsweise eine Anode sein und

beispielsweise aus Indium-dotiertem Zinnoxid (ITO) gebildet sein oder werden oder aus eines der folgenden Metalle

aufweisen: Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold,

Magnesium, Calcium und Lithium sowie Kombinationen derselben oder dieses Metall oder eine Verbindung aus diesem Metall oder aus mehreren dieser Metalle, beispielsweise eine

Legierung .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann das

Substrat 302 und/oder die erste Elektrode 312 transparent ausgebildet sein. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste

Elektrode 312 mittels Sputterns oder mittels thermischen Verdampfens aufgebracht werden. In verschiedenen

Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode 312 eine

Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 20 nm.

Wie in Fig. 3c in einer dritten Teilstruktur 320 gezeigt ist, wird oder werden auf die erste Elektrode 312 eine oder mehrere organische Funktionsschichten 322 zum

Ladungstransport und zur Lichterzeugung, wie beispielsweise eine fluoreszierende und/oder eine phosphoreszierende

Emitterschicht, aufgebracht.

Beispiele für Emittermaterialien, die in dem elektronischen Bauelement, beispielsweise einer OLED gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen vorgesehen werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z.B. 2- oder 2 , 5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie

Metallkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis (3, 5-difluoro-2- (2- pyridyl ) phenyl- ( 2-carboxypyridyl ) -iridium III), grün

phosphoreszierendes Ir (ppy) 3 (Tris (2-phenylpyridin) iridium III), rot phosphoreszierendes Ru (dtb-bpy) 3*2 (PFß)

(Tris [4, 4' -di-tert-butyl- (2,2')- bipyridin] ruthenium ( III ) komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4, 4-Bis [4- ( di-p-tolylamino ) styryl] biphenyl) , grün fluoreszierendes TTPA ( 9, 10-Bis [N, N-di- (p-tolyl ) - amino ] anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4- Dicyanomethylen) -2-methyl- 6- ulolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels nasschemischen Verfahren, wie

beispielsweise Spin Coating, abscheidbar sind. Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein.

Die Emittermaterialien der Emitterschichten des

elektronischen Bauelements können beispielsweise so

ausgewählt sein, dass das elektronische Bauelement Weißlicht emittiert. Die Emitterschicht kann mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot)

emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann die Emitterschicht auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht, einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht und einer rot

phosphoreszierenden Emitterschicht. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Alternativ kann auch

vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt.

Es können weitere organische Funktionsschichten vorgesehen sein, die beispielsweise dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des elektronischen Bauelements weiter zu verbessern .

Es ist darauf hinzuweisen, dass in alternativen

Ausführungsbeispielen jede geeignete Form von

lichtemittierenden Funktionsschichten, beispielsweise

organische Funktionsschichten vorgesehen sein können und die Erfindung nicht beschränkt ist auf eine spezielle Art von Funktionsschicht ( en) . Wie in Fig. 3d in einer vierten Teilstruktur 330 gezeigt ist, wird auf die freie Oberfläche der dritten Teilstruktur, genauer auf die eine oder mehrere organische

Funktionsschichten 322, ein transparenter elektrisch

leitfähiger (beispielsweise metallischer) Deckkontakt 332, beispielsweise in Form einer zweiten Elektrode 332,

abgeschieden. Die zweite Elektrode 332 kann gebildet werden, indem eine (beispielsweise optisch transparente)

Metallschicht mit einer Schichtdicke aufgebracht wird von kleiner oder gleich 30 nm.

Die Metallschicht kann mindestens eines der folgenden Metalle aufweisen: Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold,

Magnesium, Calcium und Lithium sowie Kombinationen derselben oder dieses Metall oder eine Verbindung aus diesem Metall oder aus mehreren dieser Metalle, beispielsweise eine

Legierung .

Die die Metallschicht aufweisende zweite Elektrode 332 ist beispielsweise, wenn die erste Elektrode 312 eine Anode ist, eine Kathode.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen weist die transparente metallische Deckelektrode 332 eine 10 nm dicke Schicht aus Silber auf oder besteht aus derselben, wobei die transparente metallische Deckelektrode 332 mittels thermischen Verdampfens aufgebracht werden kann.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der transparente elektrisch leitfähige Deckkontakt 332 auch mittels Sputterns aufgebracht werden. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der transparente elektrisch leitfähige Deckkontakt 332 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 20 nm. Wie in Fig. 3e in einer fünften Teilstruktur 340 gezeigt ist, wird auf die freie Oberfläche des transparenten elektrisch leitfähigen Deckkontakts 332 eine optische Anpassungsschicht 342 zur Lichtauskopplung aufgebracht, beispielsweise

abgeschieden oder gesputtert.

Die in Fig. 3e dargestellte OLED als eine Implementierung eines elektronischen Bauelements gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen ist als Bottom-Emitter ausgestaltet.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann es vorgesehen sein, eine Elektroden-Aufwachsschicht oder einen Elektroden- Aufwachsschichtenstapel vorzusehen sowohl unterhalb der ersten Elektrode als auch unterhalb der zweiten Elektrode des elektronischen Bauelements.

Fig. 4 zeigt eine schematisch vereinfachte Seitenansicht eines elektronischen Bauelements 400 gemäß einer

Ausführungsform, die als Top-/Bottom-Emitter ausgestaltet ist.

Auf einem Substrat 402, z.B. einem Glassubstrat, ist eine erste Elektrode 404 angeordnet. Die erste Elektrode 404 kann z.B. eine Anode sein und beispielsweise aus Indium-dotiertem Zinnoxid (ITO) gebildet sein.

Auf der ersten Elektrode 404 ist eine organische

Funktionsschicht 406, wie beispielsweise eine fluoreszierende und/oder phosphoreszierende Emitterschicht, angeordnet.

Auf der organischen Funktionsschicht 406 ist eine

Aufwachsschicht 408 angeordnet. Die Aufwachsschicht 408 kann z.B. 3 nm dick sein und mittels Facing Target Sputtern abgeschieden sein.

Auf der Aufwachsschicht 408 ist als zweite Elektrode eine Aufwachselektrode, z.B. in Form einer 10 nm dicken Metallschicht 410, abgeschieden. Die Metallschicht 410 kann beispielsweise mittels Sputtern abgeschieden sein.

Die die Metallschicht 410 aufweisende zweite Elektrode 412 ist, wenn die erste Elektrode 404 eine Anode ist, eine

Kathode. Die Aufwachsschicht 408 ist dabei beispielsweise auf der dem Substrat 402 zugewandten Seite der zweiten Elektrode 412 angeordnet. Fig. 5 zeigt eine schematisch vereinfachte Seitenansicht eines elektronischen Bauelements 500 gemäß einer anderen Ausführungsform, die als Bottom-Emitter ausgestaltet ist.

Auf dem Substrat 502, wie einem Glassubstrat, ist eine

Aufwachsschicht 504 und auf der Aufwachsschicht 504 eine

Aufwachselektrode in Form einer Metallschicht 508 als erste Elektrode 510 angeordnet sind. Die erste Elektrode 510 kann als Anode ausgestaltet sein. Die Aufwachsschicht 504 ist gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen auf der dem Substrat 502 zugewandten Seite der ersten Elektrode 510 angeordnet.

Die Aufwachsschicht 504 kann dazu dienen, die Oberfläche auf der eine Aufwachselektrode aufgebracht worden ist, zu

verbessern, d.h. in einer solchen Weise zu behandeln, dass die Metallschicht 508 dünn, glatt und homogen abgeschieden werden kann, um eine verbesserte Bestromung und eine

verbesserte Transparenz des elektronischen Bauelements 500 zu ermöglichen.

Auf der Metallschicht 508 ist eine organische

Funktionsschicht 512 angeordnet. Die organische

Funktionsschicht 512 kann eine Emitterschicht umfassen.

Auf der organischen Funktionsschicht 512 ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen die zweite Elektrode 514 angeordnet. Die zweite Elektrode 514 ist, wenn die erste Elektrode 510 eine Anode ist, eine Kathode. Sie kann zum Beispiel eine herkömmliche 20 nm dicke Silberschicht sein. Fig. 6 zeigt eine schematisch vereinfachte Seitenansicht eines elektronischen Bauelements 600 gemäß einer anderen Ausführungsform, die als Top-Emitter ausgestaltet ist.

Auf einem Substrat 602 ist eine erste Elektrode 604

angeordnet. Die erste Elektrode 604 kann, wie in Fig. 6 gezeigt, eine Anode sein und beispielsweise aus Indium ^¬ dotiertem Zinnoxid (ITO) gebildet sein.

Auf der ersten Elektrode 604 ist eine Lochin ektionsschicht 606 und auf dieser eine Lochtransportschicht 608 angeordnet. Die Lochin ektionsschicht 606 und die Lochtrabsportschicht 608 können mittels thermischem Verdampfen abgeschieden sein.

Auf der Lochtransportschicht 608 ist eine weitere organische Funktionsschicht 610, wie beispielsweise eine fluoreszierende und/oder phosphoreszierende Emitterschicht, angeordnet.

Auf der organischen Funktionsschicht 610 ist eine

Elektronentransportschicht 612 angeordnet, welche ebenfalls mittels thermischen Verdampfens abgeschieden sein kann. Auf der Elektronentransportschicht 612 ist eine Aufwachsschicht 614 angeordnet. Die Aufwachsschicht 614 kann z.B. 3 nm dick sein und mittels Facing Target Sputterns abgeschieden sein. Auf der Aufwachsschicht 614 ist als zweite Elektrode eine Aufwachselektrode, z.B. in Form einer 10 nm dicken

Metallschicht 616, abgeschieden. Die Metallschicht 616 kann bevorzugt mittels Sputterns abgeschieden sein. Die die Metallschicht 616 aufweisende zweite Elektrode 618 ist, wie in Fig. 6 gezeigt, eine Kathode. Fig. 7 zeigt eine REM-Aufnähme 700 einer dünnen

Silberschicht, die auf einem Glassubstrat abgeschieden ist. Die Silberschicht ist 12 nm dick und wurde mittels

thermischen Verdampfens auf das Glassubstrat aufgebracht. Wie in Fig. 7 zu sehen ist, neigt die Silberschicht stark zur

Inselbildung; zwischen den Metallinseln ist das Glassubstrat zu erkennen. Die Silberschicht ist daher nicht glatt und homogen auf dem Glassubstrat ausgebildet. Der mit einem Vier- Spitzen-Messgerät gemessene Flächenwiderstand dieser

Silberschicht beträgt 19,3 Ω/D ± 1,9 Ω/D .

Fig. 8 zeigt eine REM-Aufnahme 800 einer 12 nm Silberschicht, die mittels thermischen Verdampfens auf einem

Organikuntergrund abgeschieden ist. Der Organikuntergrund ist auf einem Glassubstrat abgeschieden und besteht aus einem herkömmlichen Matrixmaterial, wie beispielsweise a-NPD

(N, N ' -diphenyl-N, N ' -bis ( 1-naphthyl ) -1 , 1 ' biphenyl-4 , 4 ' ' diamin .

Die Inselbildungstendenz der Silberschicht ist wesentlich geringer als in Fig. 7; es sind jedoch deutliche Risse zu erkennen. Der mit einem Vier-Spitzen-Messgerät gemessene

Flächenwiderstand dieser Silberschicht beträgt 7,13 Ω/D ±

0,37 Ω/D .

Fig. 9 zeigt eine REM-Aufnahme 900 einer 12 nm dicken

Silberschicht, die mittels Sputterns gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen auf einer 17nm dicken ITO- Aufwachsschicht abgeschieden wurde. Die ITO-Aufwachsschicht wiederum wurde auf einem 90 nm dicken Organikuntergrund, wie er beispielsweise vorstehend in Bezug auf Fig. 8 angegeben ist, aufgebracht. Der Organikuntergrund wurde auf ein

Glassubstrat aufgebracht. Die Silberschicht ist, wie in

Fig. 9 zu sehen ist, glatt und geschlossen ausgebildet. Der mit einem Vier-Spitzen-Messgerät gemessene Flächenwiderstand dieser Silberschicht beträgt 4,48 Ω/D ± 0,20 Ω/D .

Die dünne amorphe Aufwachsschicht gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen ermöglicht es, dass die Metallschicht - im Vergleich zu herkömmlichen Metallschichten bzw.

Elektrodenschichten mit einer Dicke von z.B. 20 nm - dünn, glatt und als geschlossene Schicht auf der Aufwachschicht abscheidbar ist.

Fig. 10 zeigt einen Graphen 1000, der das Ergebnis einer Transparenzmessung der Silberschichten (Silberschicht auf Glassubstrat gemäß Fig. 7, Silberschicht auf

Organikuntergrund auf Glassubstrat gemäß Fig. 8 und

Silberschicht auf ITO-Schicht auf Organikuntergrund auf

Glassubstrat gemäß Fig. 8) aus den Fig. 7 bis Fig. 9 zeigt. Pro Beispiel wurden drei Messungen durchgeführt. Es ist die Transparenz [%] bezogen auf die Wellenlänge [nm] angegeben. Die Silberschicht auf Glasuntergrund 19 aus Fig. 7 zeigt eine Strahldichte von etwa 65 % bei einer Wellenlänge von etwa 355 nm, das ab ca. 410 nm auf einen minimalen Wert von etwa 35 % abfällt und bei höheren Wellenlängen konstant bleibt. Die Silberschicht auf Organikuntergrund 21 aus Fig. 8 zeigt ein Transparenzmaximum von etwa 43 % bei etwa 400 nm. Die Transparenz fällt bei höheren Wellenlängen langsam auf einen Wert von etwa 32 % ab. Die Silberschicht auf Indium-dotiertem Zinnoxid (ITO) 23 gemäß einem Ausführungsbeispiel aus Fig. 9 zeigt bei etwa 400 nm ein Transparenzmaximum von etwa 68 %. Im Bereich von etwa 380 nm bis etwa 450 nm ist die Transparenz größer als 60 %. Die Transparenz der Silberschicht auf Indium-dotiertem Zinnoxid 23 ist deutlich größer als die der anderen Schichten 19 und 21.

Fig. 11 zeigt die Abstrahlcharakteristiken 1100 eines

optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen

Ausführungsbeispielen. Es wurden drei Messungen durchgeführt. Die Abstrahlcharakteristiken sind als Strahldichte (angegeben in [W/ ( sr/m ² ) ] ) bezogen auf den Betrachtungswinkel (angegeben in Grad [°]) dargestellt. Die Einheit „sr" bezeichnet den Steradianten, d.h. den Raumwinkel.

Die Abstrahlcharakteristik 25 der in Fig. 6 beschriebenen Anordnung eines erfindungsgemäßen elektronischen Bauelements, die beispielsweise als eine top-emittierende OLED ausgebildet ist, zeigt eine im Wesentlichen Lambertsche

Abstrahlcharakteristik (Die Lambertsche

Abstrahlcharakteristik ist als gestrichelte Linie

eingezeichnet und trägt kein Bezugszeichen) .

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen ein Aufbringen einer Elektroden- Aufwachsschicht auf oder über einem Substrat mittels eines Atomlagendeposition-Verfahrens; und ein Aufbringen einer Elektrode auf der Elektroden-Aufwachsschicht.

In einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann die Elektroden-Aufwachsschicht mit einer Schichtdicke aufgebracht werden in einem Bereich von 0, 1 nm bis 200 nm.

In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann das Aufbringen einer Elektroden-Aufwachsschicht aufweisen ein Aufbringen einer Mehrzahl von die Elektroden-Aufwachsschicht bildenden Teilschichten.

In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann die Elektrode gebildet werden, indem eine Metallschicht mit einer Schichtdicke aufgebracht wird von kleiner oder gleich 30 nm.

In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann die Metallschicht mindestens ein Metall aufweisen, das ausgewählt ist aus der Gruppe, bestehend aus Aluminium,

Barium, Indium, Silber, Kupfer, Gold, Platin, Palladium, Samarium, Magnesium, Calcium und Lithium sowie Kombinationen derselben oder aus diesem Metall oder einer Verbindung aus diesem Metall oder aus mehreren dieser Metalle,

beispielsweise einer Legierung, besteht. In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann das elektronische Bauelement als ein organisch elektronisches Bauelement gebildet werden und ferner können eine zusätzliche Elektrode und wenigstens eine zwischen der Elektrode und der zusätzlichen Elektrode angeordnete organische

Funktionsschicht gebildet werden.

In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann auf der Elektrode eine Schichtenstruktur gebildet werden. Das Bilden der Schichtenstruktur kann aufweisen ein Bilden der zusätzlichen Elektrode auf der organischen Funktionsschicht.

In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann das elektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode gebildet werden.

In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann die Elektrode als eine transparente Elektrode ausgebildet werden . In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann die zusätzliche Elektrode als eine transparente Elektrode ausgebildet werden.

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ferner ein elektronisches Bauelement bereitgestellt, das aufweisen kann ein Substrat; eine Elektroden-Aufwachsschicht auf dem

Substrat; und eine Elektrode auf der Elektroden- Aufwachsschicht. Die Elektroden-Aufwachsschicht kann als Atomlagendeposition-Schicht ausgebildet sein.

In einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann die Elektrode als eine transparente Elektrode ausgebildet sein. In noch einer Ausgestaltung di ser Ausführungsbeispiele kann die Elektroden-Aufwachsschicht eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von 0,1 nm bis 2 0 nm.

In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann die Elektroden-Aufwachsschicht eine Mehrzahl von die

Elektroden-Aufwachsschicht bildende Teilschichten aufweisen.

In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann das elektronische Bauelement als ein organisch elektronisches Bauelement ausgebildet sein; und das elektronische Bauelement kann ferner eine zusätzliche Elektrode und wenigstens eine zwischen der Elektrode und der zusätzlichen Elektrode

angeordnete organische Funktionsschicht aufweisen.

In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann die zusätzliche Elektrode als eine transparente Elektrode ausgebildet sein.

In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann die Schichtenstruktur aufweisen eine zusätzliche Elektrode auf der organischen Schichtstruktur und eine organische

Funktionsschicht auf der Elektrode. Die Elektroden können auf der Elektroden-Aufwachsschicht gebildet sein und die

Elektroden-Aufwachsschicht kann auf dem Substrat gebildet sein .

In noch einer Ausgestaltung dieser Ausführungsbeispiele kann das elektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode ausgebildet sein.

Die Ausführungsbeispiele können beliebig weiter variiert werden. Es ist weiterhin zu berücksichtigen, dass sich die Erfindung nicht auf diese Beispiele beschränkt, sondern weitere, hier nicht aufgeführte Ausgestaltungen und

Ausführungen zulässt.