Titel

Verfahren zum Herstellen einer Gassensorvorrichtung zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium sowie Verfahren und Gassensorvorrichtung zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium

Stand der Technik Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer

Gassensorvorrichtung zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium, auf eine Gassensorvorrichtung zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium, auf ein Verfahren zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium, auf eine entsprechende Vorrichtung sowie auf ein entsprechendes Computerprogramm.

Es können keramische Stickoxidsensoren, beispielsweise Zirkonoxid-basierte Sensoren, insbesondere in Kraftfahrzeugen eingesetzt werden, um

Abgasnachbehandlungssysteme zu überwachen bzw. zu regeln. Dabei können Sensorelemente mittels Dickschichttechnologie gefertigt werden, wobei

Abmessungen lediglich beispielsweise ca. 4 Millimeter mal 50 Millimeter mal 3 Millimeter betragen können. Aufgrund solcher Abmessungen, d. h. aufgrund der thermischen Masse, können zum Erreichen einer notwendigen

Betriebstemperatur, beispielsweise ca. 700 Grad Celsius, Heizleistungen im einstelligen bis zweistelligen Wattbereich typisch sein. Die

DE 10 2012 201 304 AI offenbart eine mikromechanische Feststoffelektrolyt- Sensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren.

Offenbarung der Erfindung Vor diesem Hintergrund werden mit dem hier vorgestellten Ansatz ein Verfahren zum Herstellen einer Gassensorvorrichtung zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium, eine Gassensorvorrichtung zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium, ein Verfahren zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem

Messmedium, weiterhin eine Vorrichtung, die dieses Verfahren verwendet, sowie schließlich ein entsprechendes Computerprogramm gemäß den

Hauptansprüchen vorgestellt. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den jeweiligen Unteransprüchen und der nachfolgenden Beschreibung.

Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann ein

mikroelektrochemischer Gassensor, insbesondere ein mikroelektrochemischer Stickoxidsensor bzw. ein halbleiterbasierter, mittels Mikrosystemtechnik gefertigter Dünnschicht-Gassensor bzw. Stickoxidsensor bzw. Zweikammer- Stickoxidsensor bereitgestellt werden. So können beispielsweise

Halbleitersubstrate mikrosystemtechnisch bearbeitet werden, um einen solchen Sensor zu fertigen, bzw. kann ein solcher Sensor aus mikrosystemtechnisch bearbeiteten Halbleitersubstraten gefertigt sein. Hierbei kann auch ein

Funktionsprinzip mit sauerstoffionenleitender Funktionskeramik sowie mit mehreren Kammern realisiert werden.

Vorteilhafterweise können gemäß Ausführungsformen der vorliegenden

Erfindung hinsichtlich eines solchen Gassensors insbesondere geometrische Abmessungen, ein Heizleistungsbedarf sowie Herstellungskosten reduziert werden, da ein solcher Gassensor mittels Mikrosystemtechnik auf Basis eines

Halbleitersubstrates realisiert werden kann. Es können ein hoher

Miniaturisierungsgrad und eine vorteilhafte Nutzung von Standardprozessen der Halbleitertechnologie bei einer Herstellung eines solchen Gassensors erzielt werden. Aufgrund reduzierter geometrischer Abmessungen kann insbesondere verglichen mit einem herkömmlichen keramischen Dickschicht-Sensor eine

Verringerung einer zu heizenden thermischen Masse erreicht werden. Somit kann ein reduzierter Heizleistungsbedarf während eines Sensorbetriebs realisiert werden. Eine Fertigung eines solchen Gassensors in Halbleitertechnologie kann insbesondere bei hohen Stückzahlen einen Kostenvorteil gegenüber einer herkömmlicherweise verwendeten Dickschichttechnologie bieten, insbesondere wenn mehrere Sensorfunktionen auf einem Sensorelement integriert werden, beispielsweise im Falle zusätzlich integrierter Druckerfassung, Partikelerfassung, Lambdasensorik etc. Es kann aufgrund der Miniaturisierung und der

standardisierten Halbleiterprozesse auch ein gesteigerter Fertigungsnutzen gegenüber einem Siebdruckverfahren erreicht werden.

Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer Gassensorvorrichtung zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium vorgestellt, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist:

Bearbeiten eines ersten Halbleitersubstrats und eines zweiten Halbleitersubstrats unter Verwendung zumindest eines Trennprozesses und zumindest eines Beschichtungsprozesses, um Ausnehmungsabschnitte, Festelektrolytschichten und Elektroden in dem ersten Halbleitersubstrat und dem zweiten

Halbleitersubstrat zu erzeugen; und

Zusammenfügen des ersten Halbleitersubstrats und des zweiten

Halbleitersubstrats, um zwischen dem ersten Halbleitersubstrat und dem zweiten Halbleitersubstrat eine Einstellkammer zum Einstellen einer

Gaszusammensetzung des Messmediums, eine Erfassungskammer zum

Erfassen des gasförmigen Analyten und einen Diffusionsabschnitt zum Steuern einer Diffusion des Messmediums zwischen der Einstellkammer und der

Erfassungskammer zu erzeugen. Die Gassensorvorrichtung kann ausgebildet sein, um zumindest einen gasförmigen Analyten qualitativ und zusätzlich oder alternativ quantitativ zu erfassen. Der zumindest eine gasförmige Analyt kann beispielsweise Sauerstoff und zusätzlich oder alternativ Stickoxide umfassen. Insbesondere kann die Gassensorvorrichtung als ein Stickoxidsensor ausgeführt sein. Dabei kann die Gassensorvorrichtung beispielsweise für eine Abgassensorik in Kraftfahrzeugen, für eine Abgassensorik in beispielsweise stationären Heizanlagen, für

Brandmeldesysteme, für eine Gassensorik in mobilen elektronischen Geräten, wie beispielsweise Mobiltelefonen, für eine Atemgasanalyse, für eine industrielle Prozessüberwachung etc. eingesetzt werden. Insbesondere kann die

Gassensorvorrichtung beispielsweise in Kraftfahrzeugen eingesetzt werden und ausgebildet sein, um Abgasnachbehandlungssysteme zu überwachen bzw. zu regeln. Bei dem Messmedium kann es sich um ein Abgas bzw. Abgasgemisch eines Kraftfahrzeugs, Umgebungsluft oder dergleichen handeln. Die

Halbleitersubstrate können aus Materialien ausgeformt sein, die mittels

Prozessen aus dem Bereich der Halbleiterbearbeitung bearbeitet werden können. Die Festelektrolytschichten können ein Ionen leitendes, beispielsweise keramisches Material aufweisen, insbesondere ein Sauerstoffionen leitendes Keramikmaterial. Im Schritt des Bearbeitens kann der zumindest eine

Trennprozess ein Trenchen, Ätzen etc. aufweisen und kann der zumindest eine Beschichtungsprozess Pulsed-Laser-Deposition (PLD), Sputtern, Atomic-Layer-

Deposition (ALD), nasschemische Depositionsverfahren etc. aufweisen. Im Schritt des Zusammenfügens können die Halbleitersubstrate so

zusammengefügt werden, dass aus zumindest einer Teilmenge der

Ausnehmungsabschnitte die Einstellkammer, die Erfassungskammer und der Diffusionsabschnitt gebildet werden. Im Schritt des Zusammenfügens kann insbesondere eine stoffschlüssige Verbindung zwischen den Halbleitersubstraten hergestellt werden. Alternativ können hochtemperaturstabile, hermetisch siegelnde Gläser zur Verbindung und Abdichtung der Halbleitersubstrate zum Einsatz kommen.

Gemäß einer Ausführungsform können im Schritt des Bearbeitens an dem ersten Halbleitersubstrat und zusätzlich oder alternativ an dem zweiten

Halbleitersubstrat eine Einsteileinrichtung mit einer ersten Festelektrolytschicht zwischen einem ersten Elektrodenpaar zum Einstellen einer

Gaszusammensetzung des Messmediums hinsichtlich eines Begleitgases, eine

Bestimmungseinrichtung mit einer zweiten Festelektrolytschicht zwischen einem zweiten Elektrodenpaar zum Bestimmen eines Gehalts des Begleitgases in dem Messmedium und eine Erfassungseinrichtung mit einer dritten

Festelektrolytschicht zwischen einem dritten Elektrodenpaar zum Erfassen des gasförmigen Analyten erzeugt werden. Hierbei können die

Bestimmungseinrichtung, die Einsteileinrichtung und die Erfassungseinrichtung galvanisch voneinander getrennt angeordnet werden, sodass in einem zusammengefügten Zustand des ersten Halbleitersubstrats und des zweiten Halbleitersubstrats die Bestimmungseinrichtung und Einsteileinrichtung als Wandabschnitte der Einstellkammer ausgeformt sind und die Erfassungseinrichtung als ein Wandabschnitt der Erfassungskammer ausgeformt ist. Der zumindest eine gasförmige Analyt kann beispielsweise Stickoxide umfassen und das Begleitgas kann Sauerstoff sein. Auch können die

Bestimmungseinrichtung, die Einsteileinrichtung und die Erfassungseinrichtung Nernstzellen bzw. Pumpzellen repräsentieren. Eine solche Ausführungsform bietet den Vorteil, dass zum einen der Analyt auch indirekt über das Begleitgas erfasst werden kann und zum anderen eine besonders genaue und

unaufwendige Erfassung des zumindest einen gasförmigen Analyten ermöglicht wird. Im Gegensatz zu einem Dickschicht-Stickoxidsensor, dessen Substrat- bzw. Bulkmaterial aus Ionen leitendem Zirkondioxid bestehen kann, können die die Bestimmungseinrichtung, die Einsteileinrichtung und die

Erfassungseinrichtung aufgrund ihrer galvanisch voneinander getrennten Anordnung voneinander entkoppelt angesteuert werden, was zu einer erhöhten Signalqualität eines Sensorsignals der Gassensorvorrichtung führen kann.

Auch kann im Schritt des Bearbeitens eine gemeinsame elektrische Signalleitung an der Einstellkammer und der Erfassungskammer zugewandt angeordneten Elektroden angeschlossen werden. Ferner können hierbei eigene elektrische Signalleitungen an von der Einstellkammer und der Erfassungskammer abgewandt angeordneten Elektroden angeschlossen werden. Eine solche

Ausführungsform bietet den Vorteil, dass durch die gemeinsame Signalleitung ein Verkabelungsaufwand der Gassensorvorrichtung verringert werden kann.

Zudem kann im Schritt des Bearbeitens zumindest eine Temperiereinrichtung zum Temperieren der Festelektrolytschichten und zusätzlich oder alternativ der

Elektroden in einem Bereich des ersten Halbleitersubstrats und zusätzlich oder alternativ in einem Bereich des zweiten Halbleitersubstrats angeordnet werden. Die zumindest eine Temperiereinrichtung kann als ein mikrosystemtechnischer Membranheizer ausgeführt sein. Somit braucht aufgrund einer reduzierten thermischen Masse der Gassensorvorrichtung nicht die gesamte

Gassensorvorrichtung auf eine Betriebstemperatur beheizt zu werden, sondern es reicht vorteilhafterweise aus, einzelne Nernst- bzw. Pumpzellen bzw. die Bestimmungseinrichtung, die Einsteileinrichtung und die Erfassungseinrichtung lokal mittels der zumindest einen Temperiereinrichtung auf Betriebstemperatur zu bringen. Hohe Temperaturen können beispielsweise nur im Inneren der Gassensorvorrichtung auftreten, eine Peripherie derselben kann hingegen aufgrund der geringen thermischen Masse beispielsweise lediglich geringfügig mit aufgeheizt werden. Dadurch kann eine Anwendung der

Gassensorvorrichtung von Applikationen mit ohnehin heißen Umgebungen, wie beispielsweise der Abgassensorik, erweitert werden und kann der Einsatz einer solchen Gassensorvorrichtungen in weiteren Anwendungsfeldern, wie beispielsweise der Brandsensorik, der industriellen Prozessüberwachung, der Gassensorik in Mobiltelefonen oder der Medizintechnik ermöglicht werden.

Ferner kann im Schritt des Bearbeitens eine Auswerteeinrichtung in einem Bereich des ersten Halbleitersubstrats und zusätzlich oder alternativ in einem Bereich des zweiten Halbleitersubstrats integriert werden. Hierdurch kann eine Signalqualität weiter verbessert werden, indem Zuleitungslängen von den Elektroden zu der Auswerteeinrichtung verkürzt werden. Im Falle von

Anwendungen mit moderaten Umgebungstemperaturen kann die

Auswerteeinrichtung bzw. Auswerteelektronik entweder in die

Gassensorvorrichtung, insbesondere direkt auf einem Sensorchip derselben, integriert werden oder alternativ benachbart zu der Gassensorvorrichtung angeordnet werden.

Es wird ferner eine Gassensorvorrichtung zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium vorgestellt, wobei die

Gassensorvorrichtung folgende Merkmale aufweist: ein erstes Halbleitersubstrat und ein zweites Halbleitersubstrat, die unter Verwendung zumindest eines Trennprozesses und zumindest eines

Beschichtungsprozesses erzeugte Ausnehmungsabschnitte,

Festelektrolytschichten und Elektroden aufweisen, wobei das erste

Halbleitersubstrat und das zweite Halbleitersubstrat zusammengefügt sind, wobe zwischen dem ersten Halbleitersubstrat und dem zweiten Halbleitersubstrat im zusammengefügten Zustand eine Einstellkammer zum Einstellen einer

Gaszusammensetzung des Messmediums, eine Erfassungskammer zum Erfassen des gasförmigen Analyten und ein Diffusionsabschnitt zum Steuern einer Diffusion des Messmediums zwischen der Einstellkammer und der Erfassungskammer angeordnet sind. Die Gassensorvorrichtung kann durch Ausführen einer Ausführungsform des vorstehend genannten Verfahrens hergestellt sein.

Gemäß einer Ausführungsform kann das erste Halbleitersubstrat einen ersten Ausnehmungsabschnitt für die Einstellkammer, einen zweiten

Ausnehmungsabschnitt für die Erfassungskammer, einen dritten

Ausnehmungsabschnitt für den Diffusionsabschnitt zwischen dem ersten

Ausnehmungsabschnitt und dem zweiten Ausnehmungsabschnitt, einen vierten Ausnehmungsabschnitt für eine Zutrittsöffnung zu der Einstellkammer für das Messmedium, eine Einsteileinrichtung mit einer ersten Festelektrolytschicht zwischen einem ersten Elektrodenpaar zum Einstellen einer

Gaszusammensetzung des Messmediums hinsichtlich eines Begleitgases, wobei die Einsteileinrichtung als ein Wandabschnitt der Einstellkammer in dem ersten Ausnehmungsabschnitt ausgeformt ist, und einen fünften Ausnehmungsabschnitt für die Einsteileinrichtung aufweisen. Ferner kann dabei das zweite

Halbleitersubstrat einen sechsten Ausnehmungsabschnitt für die Einstellkammer, einen siebten Ausnehmungsabschnitt für die Erfassungskammer, eine

Bestimmungseinrichtung mit einer zweiten Festelektrolytschicht zwischen einem zweiten Elektrodenpaar zum Bestimmen eines Gehalts eines Begleitgases in dem Messmedium, wobei die Bestimmungseinrichtung als ein Wandabschnitt der Einstellkammer in dem sechsten Ausnehmungsabschnitt ausgeformt ist, eine Erfassungseinrichtung mit einer dritten Festelektrolytschicht zwischen einem dritten Elektrodenpaar zum Erfassen des gasförmigen Analyten, wobei die Erfassungseinrichtung als ein Wandabschnitt der Erfassungskammer in dem siebten Ausnehmungsabschnitt ausgeformt ist, einen achten

Ausnehmungsabschnitt für die Bestimmungseinrichtung und einen neunten Ausnehmungsabschnitt für die Erfassungseinrichtung aufweisen. Eine solche Ausführungsform bietet den Vorteil, dass eine besonders Platz sparende bzw. miniaturisierte, kostengünstig und in großer Stückzahl herstellbare

Gassensorvorrichtung mit hoher Erfassungsgenauigkeit bereitgestellt werden kann. Es wird auch ein Verfahren zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium vorgestellt, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bereitstellen einer Ausführungsform der vorstehend genannten

Gassensorvorrichtung;

Bestimmen eines Gehalts eines Begleitgases des Messmediums in der

Einstellkammer;

Einstellen einer Gaszusammensetzung des Messmediums in der Einstellkammer hinsichtlich des Begleitgases; und

Erfassen des gasförmigen Analyten in dem in die Erfassungskammer

diffundierten Messmedium.

Das Verfahren kann somit in Verbindung mit einer Ausführungsform der vorstehend genannten Gassensorvorrichtung vorteilhaft ausgeführt werden, um zumindest einen gasförmigen Analyten in einem Messmedium zu erfassen.

Der hier vorgestellte Ansatz schafft ferner eine Vorrichtung, die ausgebildet ist, um die Schritte einer Variante eines hier vorgestellten Verfahrens in

entsprechenden Einrichtungen durchzuführen, anzusteuern bzw. umzusetzen. Auch durch diese Ausführungsvariante der Erfindung in Form einer Vorrichtung kann die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe schnell und effizient gelöst werden.

Unter einer Vorrichtung kann vorliegend ein elektrisches Gerät verstanden werden, das Sensorsignale verarbeitet und in Abhängigkeit davon Steuer- und/oder Datensignale ausgibt. Die Vorrichtung kann eine Schnittstelle aufweisen, die hard- und/oder softwaremäßig ausgebildet sein kann. Bei einer hardwaremäßigen Ausbildung können die Schnittstellen beispielsweise Teil eines sogenannten System-ASICs sein, der verschiedenste Funktionen der Vorrichtung beinhaltet. Es ist jedoch auch möglich, dass die Schnittstellen eigene, integrierte Schaltkreise sind oder zumindest teilweise aus diskreten Bauelementen bestehen. Bei einer softwaremäßigen Ausbildung können die Schnittstellen Softwaremodule sein, die beispielsweise auf einem Mikrocontroller neben anderen Softwaremodulen vorhanden sind.

Von Vorteil ist auch ein Computerprogrammprodukt oder Computerprogramm mit Programmcode, der auf einem maschinenlesbaren Träger oder Speichermedium wie einem Halbleiterspeicher, einem Festplattenspeicher oder einem optischen Speicher gespeichert sein kann und zur Durchführung, Umsetzung und/oder Ansteuerung der Schritte des Verfahrens nach einer der vorstehend

beschriebenen Ausführungsformen verwendet wird, insbesondere wenn das Programmprodukt oder Programm auf einem Computer oder einer Vorrichtung ausgeführt wird.

Gemäß Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung kann eine

Ausführungsform der vorstehend genannten Gassensorvorrichtung in

Mikrosystemtechnik als Plattform bzw. Grundbaustein verwendet werden, um weitere Sensorfunktionen, wie beispielsweise Druckerfassung, Partikelerfassung, Lambda-Sensorik, Kohlenwasserstofferfassung etc. auf einem einzigen Chip zu integrieren und kombiniert auszuwerten.

Der hier vorgestellte Ansatz wird nachstehend anhand der beigefügten

Zeichnungen beispielhaft näher erläutert. Es zeigen:

Figuren 1 bis 4G schematische Schnittdarstellungen einer Gassensorvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und

Figuren 5 und 6 Ablaufdiagramme von Verfahren gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung.

In der nachfolgenden Beschreibung günstiger Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden für die in den verschiedenen Figuren

dargestellten und ähnlich wirkenden Elemente gleiche oder ähnliche

Bezugszeichen verwendet, wobei auf eine wiederholte Beschreibung dieser Elemente verzichtet wird. Fig. 1 zeigt eine schematische Schnittdarstellung einer Gassensorvorrichtung 100 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Die

Gassensorvorrichtung 100 ist ausgebildet, um zumindest einen gasförmigen Analyten in einem Messmedium M zu erfassen. Dabei ist die

Gassensorvorrichtung 100 ausgebildet, um beispielsweise Stickoxide in einem

Abgas eines Kraftfahrzeugs zu erfassen. Somit umfasst hierbei der zumindest eine gasförmige Analyt beispielhaft Stickoxide.

Gemäß dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung ist die Gassensorvorrichtung 100 teilweise in dem Messmedium M angeordnet und teilweise in einem Referenzmedium R bzw. in Referenzluft, beispielsweise Umgebungsluft, angeordnet. Dabei ist die Gassensorvorrichtung 100 an einem Einsatzort so anordenbar, dass eine erste Seite der

Gassensorvorrichtung 100 dem Messmedium M zugewandt ist und eine zweite Seite der Gassensorvorrichtung 100 dem Referenzmedium R zugewandt ist.

Alternativ kann das Referenzmedium auch als geschlossener oder teilweise geschlossener Referenzraum ausgeführt werden.

Die Gassensorvorrichtung 100 weist ein erstes Halbleitersubstrat 101 und ein zweites Halbleitersubstrat 102 auf. Das erste Halbleitersubstrat 101 und das zweite Halbleitersubstrat 102 sind beispielsweise aus Silizium ausgeformt. Dabei sind das erste Halbleitersubstrat 101 und das zweite Halbleitersubstrat 102 zusammengefügt bzw. stoffschlüssig miteinander verbunden, beispielsweise durch Bonden, Waferbonden, Kleben oder dergleichen. Lediglich beispielhaft ist hierbei das erste Halbleitersubstrat 101 dem Messmedium M zugewandt oder zuwendbar angeordnet und ist das zweite Halbleitersubstrat 102 dem

Referenzmedium R zugewandt oder zuwendbar angeordnet.

In der Gassensorvorrichtung 100 ist eine Einstellkammer 111 angeordnet bzw. ausgeformt. Die Einstellkammer 111 ist ausgebildet, um eine

Gaszusammensetzung des Messmediums M einzustellen bzw. eine Einstellung der Gaszusammensetzung des Messmediums M zu ermöglichen. Auch ist in der Gassensorvorrichtung 100 eine Erfassungskammer 112 angeordnet bzw.

ausgeformt. Die Erfassungskammer 112 ist ausgebildet, um den gasförmigen Analyten zu erfassen bzw. eine Erfassung des gasförmigen Analyten zu ermöglichen. Ferner ist in der Gassensorvorrichtung 100 ein Diffusionsabschnitt 113 bzw. eine Diffusionsbarriere angeordnet bzw. ausgeformt. Der

Diffusionsabschnitt 113 ist ausgebildet, um eine Diffusion des Messmediums M zwischen der Einstellkammer 111 und der Erfassungskammer 112 zu steuern. Somit sind Einstellkammer 111 und die Erfassungskammer 112 mittels des Diffusionsabschnittes 113 fluidisch miteinander verbunden. Bei dem

Diffusionsabschnitt 113 handelt es sich um einen Spalt oder dergleichen in einer Wand zwischen der Einstellkammer 111 und der Erfassungskammer 112. Zudem ist in der Gassensorvorrichtung 100 eine Zutrittsöffnung 114 für einen Zutritt des Messmediums M bzw. für einen Gaszutritt in die Einstellkammer 111 angeordnet bzw. ausgeformt. Somit ist die Einstellkammer 111 über die Zutrittsöffnung 114 für das Messmedium M zugänglich. Die Zutrittsöffnung 114 kann hierbei so ausgeführt werden, dass sie ebenfalls als Diffusionsbarriere wirkt.

Die Einstellkammer 111, die Erfassungskammer 112 und der Diffusionsabschnitt 113 sind zwischen den zusammengefügten Halbleitersubstraten 101 und 102 angeordnet. Dabei sind die Einstellkammer 111, die Erfassungskammer 112 und der Diffusionsabschnitt 113 unter Verwendung zumindest eines Trennprozesses erzeugt, insbesondere eines den Prozesses aus dem Bereich der

Halbleitertechnologie, Mikrobearbeitung etc.

Ferner weist die Gassensorvorrichtung 100 unter Verwendung zumindest eines Trennprozesses und zumindest eines Beschichtungsprozesses erzeugte Ausnehmungsabschnitte, Festelektrolytschichten und Elektroden auf, die unter Bezugnahme auf die Gassensorvorrichtung 100 gemäß dem in Fig. 1

dargestellten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung nachfolgend auch unter Bezugnahme auf die Figuren 2A bis 4G detaillierter beschrieben sind.

An dem ersten Halbleitersubstrat 101 ist eine Einsteileinrichtung 121 angeordnet bzw. erzeugt. Hierbei ist die Einsteileinrichtung 121 als ein Wandabschnitt der Einstellkammer 111 ausgeformt. Die Einsteileinrichtung 121 weist eine erste Festelektrolytschicht und ein erstes Elektrodenpaar auf. Dabei ist die erste Festelektrolytschicht zwischen dem ersten Elektrodenpaar angeordnet. Die Einsteileinrichtung 121 ist ausgebildet, um eine Gaszusammensetzung des Messmediums M in der Einstellkammer 111 hinsichtlich eines Begleitgases in dem Messmedium M einzustellen.

An dem zweiten Halbleitersubstrat 102 ist eine Bestimmungseinrichtung 122 angeordnet bzw. erzeugt. Hierbei ist die Bestimmungseinrichtung 122 als ein weiterer Wandabschnitt der Einstellkammer 111 ausgeformt. Die

Bestimmungseinrichtung 122 weist eine zweite Festelektrolytschicht und ein zweites Elektrodenpaar auf. Dabei ist die zweite Festelektrolytschicht zwischen dem zweiten Elektrodenpaar angeordnet. Die Bestimmungseinrichtung 122 ist ausgebildet, um einen Gehalt des Begleitgases in dem Messmedium M in der

Einstellkammer 111 zu bestimmen.

Auch ist an dem zweiten Halbleitersubstrat 102 eine Erfassungseinrichtung 123 angeordnet bzw. erzeugt. Hierbei ist die Erfassungseinrichtung 123 als ein Wandabschnitt der Erfassungskammer 112 ausgeformt. Die

Erfassungseinrichtung 123 weist eine dritte Festelektrolytschicht und ein drittes Elektrodenpaar auf. Dabei ist die dritte Festelektrolytschicht zwischen dem dritten Elektrodenpaar angeordnet. Die Erfassungseinrichtung 123 ist ausgebildet, um den gasförmigen Analyten in der Erfassungskammer 112 zu erfassen.

Somit weist die Gassensorvorrichtung 100 auch die Einsteileinrichtung 121, die Bestimmungseinrichtung 122 und die Erfassungseinrichtung 123 auf. Dabei sind die Einsteileinrichtung 121, die Bestimmungseinrichtung 120 und die

Erfassungseinrichtung 123 voneinander galvanisch getrennt angeordnet.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann die Gassensorvorrichtung 100 zumindest eine Temperiereinrichtung zum Temperieren der

Festelektrolytschichten und zusätzlich oder alternativ der Elektroden aufweisen. Eine solche Temperiereinrichtung kann in einem Bereich des ersten

Halbleitersubstrats 101 und zusätzlich oder alternativ in einem Bereich des zweiten Halbleitersubstrats 102 angeordnet sein. Optional kann die

Gassensorvorrichtung 100 auch eine Auswerteeinrichtung zum Auswerten von Signalen von der Einsteileinrichtung 121, der Bestimmungseinrichtung 122 und der Erfassungseinrichtung 123 aufweisen. Eine solche Auswerteeinrichtung kann in einem Bereich des ersten Halbleitersubstrats 101 und zusätzlich oder alternativ in einem Bereich des zweiten Halbleitersubstrats 102 integriert bzw. angeordnet sein.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel kann die Gassensorvorrichtung 100 eine gemeinsame elektrische Signalleitung, die an der Einstellkammer und der Erfassungskammer zugewandt angeordneten Elektroden anschließbar ist, und eine Mehrzahl von einzelnen elektrischen Signalleitungen aufweisen, die an von der Einstellkammer und der Erfassungskammer abgewandt angeordneten Elektroden anschließbar sind.

Fig. 2A zeigt eine schematische Schnittdarstellung des ersten Halbleitersubstrats 101 der Gassensorvorrichtung aus Fig. 1. Hierbei ist das erste Halbleitersubstrat 101 getrennt von dem zweiten Halbleitersubstrat der Gassensorvorrichtung dargestellt. Auch ist das erste Halbleitersubstrat 101 in Fig. 2A detaillierter gezeigt. Darstellungen hinsichtlich Herstellungsschritten des ersten

Halbleitersubstrats 101 sind unter Bezugnahme auf Figuren 3A bis 3H gezeigt und näher beschrieben.

In Fig. 2A sind von der Einsteileinrichtung 121 die erste Festelektrolytschicht 221A und das erste Elektrodenpaar mit einer auf Seiten der Einstellkammer an der ersten Festelektrolytschicht 221A angeordneten ersten Innenelektrode 221B und einer auf Seiten des Messmediums an der ersten Festelektrolytschicht 221A angeordneten ersten Außenelektrode 221C gezeigt. Von einer mit dem zweiten Halbleitersubstrat verbindbaren Seite des ersten

Halbleitersubstrats 101 her sind in dem ersten Halbleitersubstrat 101 ein erster Ausnehmungsabschnitt 231 für die Einstellkammer, ein zweiter

Ausnehmungsabschnitt 232 für die Erfassungskammer und zwischen dem ersten Ausnehmungsabschnitt 231 und dem zweiten Ausnehmungsabschnitt 232 ein dritter Ausnehmungsabschnitt 233 für den Diffusionsabschnitt ausgeformt bzw. erzeugt, beispielsweise durch Trenchen und Ätzen.

Von einer dem Messmedium zuwendbaren Seite des ersten Halbleitersubstrats 101 her sind in dem ersten Halbleitersubstrat 101 ein vierter

Ausnehmungsabschnitt 234 für die Zutrittsöffnung 114 zu der Einstellkammer und ein fünfter Ausnehmungsabschnitt 235 für die Einsteileinrichtung 121 ausgeformt bzw. erzeugt, beispielsweise durch Trenchen und Ätzen. Dabei sind der vierte Ausnehmungsabschnitt 234 und der fünfte Ausnehmungsabschnitt 235 bezogen auf eine Haupterstreckungsebene des ersten Halbleitersubstrats 101 im Bereich des ersten Ausnehmungsabschnittes 231 angeordnet.

Die Einsteileinrichtung 121 ist in dem ersten Ausnehmungsabschnitt 231 und dem fünften Ausnehmungsabschnitt 235 als ein Wandabschnitt der

Einstellkammer angeordnet bzw. erzeugt, beispielsweise durch Abscheiden der ersten Festelektrolytschicht 221A und der ersten Innenelektrode 221B von Seiten des ersten Ausnehmungsabschnittes 231 aus sowie Abscheiden der ersten Außenelektrode 221C von Seiten des fünften Ausnehmungsabschnittes 235 aus.

Ferner sind in Fig. 2A eine Mehrzahl von Teilabschnitten zumindest einer Ätzstoppschicht 240 der Gassensorvorrichtung im Bereich des ersten

Halbleitersubstrats 101 gezeigt. Dabei ist die Ätzstoppschicht 240 auf einer dem Messmedium zuwendbaren Seite des ersten Halbleitersubstrats 101 außerhalb eines Bereichs der Ausnehmungsabschnitte 234 und 235 an dem ersten

Halbleitersubstrat 101 angeordnet bzw. aufgebracht. Ferner ist die

Ätzstoppschicht 240 auf einer mit dem zweiten Halbleitersubstrat verbindbaren Seite des ersten Halbleitersubstrats 101 mit Ausnahme eines Bereichs der ersten Außenelektrode 221C zwischen der ersten Festelektrolytschicht 221A und dem ersten Halbleitersubstrat 101 angeordnet bzw. aufgebracht.

Fig. 2B zeigt eine schematische Schnittdarstellung des zweiten

Halbleitersubstrats 102 der Gassensorvorrichtung aus Fig. 1. Hierbei ist das zweite Halbleitersubstrat 102 getrennt von dem ersten Halbleitersubstrat der Gassensorvorrichtung dargestellt. Auch ist das zweite Halbleitersubstrat 102 in Fig. 2B detaillierter gezeigt. Darstellungen hinsichtlich Herstellungsschritten des zweiten Halbleitersubstrats 102 sind unter Bezugnahme auf Figuren 4A bis 4G gezeigt und näher beschrieben.

In Fig. 2B sind von der Bestimmungseinrichtung 122 die zweite

Festelektrolytschicht 222A und das zweite Elektrodenpaar mit einer auf Seiten der Einstellkammer an der zweiten Festelektrolytschicht 222A angeordneten zweiten Innenelektrode 222 B und einer auf Seiten des Referenzmediums an der zweiten Festelektrolytschicht 222A angeordneten zweiten Außenelektrode 222C gezeigt. Ferner sind von der Erfassungseinrichtung 123 die dritte

Festelektrolytschicht 223A und das dritte Elektrodenpaar mit einer auf Seiten der Erfassungskammer an der dritten Festelektrolytschicht 223A angeordneten dritten Innenelektrode 223B und einer auf Seiten des Referenzmediums an der dritten Festelektrolytschicht 223A angeordneten dritten Außenelektrode 223C dargestellt.

Von einer mit dem ersten Halbleitersubstrat verbindbaren Seite des zweiten Halbleitersubstrats 102 her sind in dem zweiten Halbleitersubstrat 102 ein sechster Ausnehmungsabschnitt 236 für die Einstellkammer und ein siebter Ausnehmungsabschnitt 237 für die Erfassungskammer ausgeformt bzw. erzeugt, beispielsweise durch Trenchen und Ätzen.

Von einer dem Referenzmedium zuwendbaren Seite des zweiten

Halbleitersubstrats 102 her sind in dem zweiten Halbleitersubstrat 102 ein achter Ausnehmungsabschnitt 238 für die Bestimmungseinrichtung 122 und ein neunter Ausnehmungsabschnitt 239 für die Erfassungseinrichtung 123 ausgeformt bzw. erzeugt, beispielsweise durch Trenchen und Ätzen. Dabei ist der achte

Ausnehmungsabschnitt 238 bezogen auf eine Haupterstreckungsebene des zweiten Halbleitersubstrats 102 im Bereich des sechsten

Ausnehmungsabschnittes 236 angeordnet, wobei der neunter

Ausnehmungsabschnitt 239 bezogen auf eine Haupterstreckungsebene des zweiten Halbleitersubstrats 102 im Bereich des siebten Ausnehmungsabschnittes

237 angeordnet ist.

Die Bestimmungseinrichtung 122 ist in dem sechsten Ausnehmungsabschnitt 236 und dem achten Ausnehmungsabschnitt 238 als ein Wandabschnitt der Einstellkammer angeordnet bzw. erzeugt, beispielsweise durch Abscheiden der zweiten Festelektrolytschicht 222A und der zweiten Innenelektrode 222B von Seiten des sechsten Ausnehmungsabschnittes 236 aus sowie Abscheiden der zweiten Außenelektrode 222C von Seiten des achten Ausnehmungsabschnittes

238 aus. Die Erfassungseinrichtung 123 ist in dem siebten Ausnehmungsabschnitt 237 und dem neunten Ausnehmungsabschnitt 239 als ein Wandabschnitt der Erfassungskammer angeordnet bzw. erzeugt, beispielsweise durch Abscheiden der dritten Festelektrolytschicht 223A und der dritten Innenelektrode 223B von Seiten des siebten Ausnehmungsabschnittes 237 aus sowie Abscheiden der dritten Außenelektrode 223C von Seiten des neunten Ausnehmungsabschnittes 239 aus.

Ferner sind in Fig. 2B eine Mehrzahl von Teilabschnitten zumindest einer Ätzstoppschicht 240 der Gassensorvorrichtung im Bereich des zweiten

Halbleitersubstrats 102 gezeigt. Dabei ist die Ätzstoppschicht 240 auf einer dem Referenzmedium zuwendbaren Seite des zweiten Halbleitersubstrats 102 außerhalb eines Bereichs der Ausnehmungsabschnitte 238 und 239 an dem zweiten Halbleitersubstrat 102 angeordnet bzw. aufgebracht. Ferner ist die Ätzstoppschicht 240 auf einer mit dem ersten Halbleitersubstrat verbindbaren Seite des zweiten Halbleitersubstrats 102 mit Ausnahme eines Bereichs der zweiten Außenelektrode 222C zwischen der zweiten Festelektrolytschicht 222A und dem zweiten Halbleitersubstrat 102 sowie mit Ausnahme eines Bereichs der dritten Außenelektrode 223C zwischen der dritten Festelektrolytschicht 223A und dem zweiten Halbleitersubstrat 102 angeordnet bzw. aufgebracht.

Das in Fig. 2A gezeigte erste Halbleitersubstrat 101 und das in Fig. 2B gezeigte zweite Halbleitersubstrat 102 sind zusammenfügbar bzw. verbindbar, um die in Fig. 1 gezeigte Gassensorvorrichtung bereitzustellen. Somit ist durch

Zusammenfügen beider Halbleitersubstrate 101 und 102 bzw. Chiphälften eine als Dünnschicht-Stickoxid-Sensorchip ausgeführte Gassensorvorrichtung herstellbar.

Figuren 3A bis 3H zeigen Schnittdarstellungen hinsichtlich Verfahrensschritten einer Herstellung bzw. hinsichtlich Herstellungszuständen des ersten

Halbleitersubstrats 101 aus Fig. 2A.

Fig. 3A zeigt dabei eine Schnittdarstellung des ersten Halbleitersubstrats 101 in einem unbearbeiteten Zustand. Das erste Halbleitersubstrat 101 ist

beispielsweise aus Silizium ausgeformt. Fig. 3B zeigt eine Schnittdarstellung des ersten Halbleitersubstrats 101 aus Fig. 3A mit dem dritten Ausnehmungsabschnitt 233, der durch Mikrostrukturierung, beispielsweise mittels Trenchen, in dem ersten Halbleitersubstrat 101 ausgeformt ist. Dabei weist der dritte Ausnehmungsabschnitt 233 eine erste

Ausnehmungstiefe auf.

Fig. 3C zeigt eine Teilschnittdarstellung des ersten Halbleitersubstrats 101 aus Fig. 3B mit dem ersten Ausnehmungsabschnitt 231 und dem zweiten

Ausnehmungsabschnitt 232, die durch Mikrostrukturierung, beispielsweise mittels

Trenchen, in dem ersten Halbleitersubstrat 101 ausgeformt sind. Der erste Ausnehmungsabschnitt 231 und der zweite Ausnehmungsabschnitt 232 weisen dabei eine zweite Ausnehmungstiefe auf, die größer als die erste

Ausnehmungstiefe des dritten Ausnehmungsabschnittes 233 ist.

Fig. 3D zeigt eine Schnittdarstellung des ersten Halbleitersubstrats 101 aus Fig. 3C mit den Teilabschnitten der zumindest einen Ätzstoppschicht 240, die beispielsweise durch Abscheiden und Strukturieren auf Teilbereiche von

Oberflächen des ersten Halbleitersubstrats 101 aufgebracht ist. Die zumindest eine Ätzstoppschicht 240 weist beispielsweise Siliziumnitrid (S13N4) auf.

Fig. 3E zeigt eine Schnittdarstellung des ersten Halbleitersubstrats 101 aus Fig. 3D mit dem vierten Ausnehmungsabschnitt 234 und dem fünften

Ausnehmungsabschnittes 235, die beispielsweise durch Ätzen in dem ersten Halbleitersubstrat 101 ausgeformt sind. Hierbei sind der vierte

Ausnehmungsabschnitt 234 und der fünfte Ausnehmungsabschnitt 235 unter Verwendung der zumindest einen Ätzstoppschicht 240 geätzt. Insbesondere sind der vierte Ausnehmungsabschnitt 234 und der fünfte Ausnehmungsabschnitt 235 in diesem Ausführungsbeispiel mittels KOH-Ätzen erzeugt. Alternativ kann der vierte Ausnehmungsabschnitt 234 und/oder der fünfte Ausnehmungsabschnitt

235 auch getrennt werden. Zwischen dem ersten Ausnehmungsabschnitt 231 und dem fünften Ausnehmungsabschnitt 235 ist ein Teilabschnitt der

Ätzstoppschicht 240 als Hilfsmembran angeordnet. Genau gesagt ist der erste Ausnehmungsabschnitt 231 durch den Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 bzw. die Hilfsmembran von dem fünften Ausnehmungsabschnitt 235 getrennt. Anders ausgedrückt grenzen der erste Ausnehmungsabschnitt 231 und der fünfte Ausnehmungsabschnitt 235 an den Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 bzw. die Hilfsmembran an.

Fig. 3F zeigt eine Schnittdarstellung des ersten Halbleitersubstrats 101 aus Fig. 3E mit der ersten Festelektrolytschicht 221A, die auf Seiten des ersten

Ausnehmungsabschnittes 231 an dem Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 bzw. der Hilfsmembran abgeschieden ist. Hierbei ist die erste

Festelektrolytschicht 221A beispielsweise mittels Pulsed-Laser-Deposition (PLD), Sputtern oder dergleichen abgeschieden. Die erste Festelektrolytschicht 221A weist beispielsweise eine Ionen leitende, Yttrium-dotierte Zirconiumoxid- bzw. Zr0 ₂ -Keramik (YSZ) auf.

Fig. 3G zeigt eine Schnittdarstellung des ersten Halbleitersubstrats 101 aus Fig. 3F, wobei der Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 bzw. die Hilfsmembran von der ersten Festelektrolytschicht 221A teilweise entfernt bzw. beseitigt ist. Genau gesagt ist der Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 bzw. die Hilfsmembran in einem Bereich des fünften Ausnehmungsabschnittes 235 von der ersten

Festelektrolytschicht 221A entfernt.

Fig. 3H zeigt eine Schnittdarstellung des ersten Halbleitersubstrats 101 aus Fig. 3G mit der ersten Innenelektrode 221B und der ersten Außenelektrode 221C, die an der ersten Festelektrolytschicht 221A abgeschieden sind. Dabei ist die erste Innenelektrode 221B auf Seiten des ersten Ausnehmungsabschnittes 231 an der ersten Festelektrolytschicht 221A angeordnet, wobei die erste Außenelektrode 221C auf Seiten des fünften Ausnehmungsabschnittes 235 an der ersten

Festelektrolytschicht 221A angeordnet ist. Das in Fig. 3H gezeigte erste

Halbleitersubstrat 101 entspricht hierbei dem ersten Halbleitersubstrat aus Fig. 2A.

Figuren 4A bis 4G zeigen Schnittdarstellungen hinsichtlich Verfahrensschritten einer Herstellung bzw. hinsichtlich Herstellungszuständen des zweiten

Halbleitersubstrats 102 aus Fig. 2B. Fig. 4A zeigt dabei eine Schnittdarstellung des zweiten Halbleitersubstrats 102 in einem unbearbeiteten Zustand. Das zweite Halbleitersubstrat 102 ist

beispielsweise aus Silizium ausgeformt. Fig. 4B zeigt eine Schnittdarstellung des zweiten Halbleitersubstrats 102 aus Fig.

4A mit dem sechsten Ausnehmungsabschnitt 236 und dem siebten

Ausnehmungsabschnitt 237, die durch Mikrostrukturierung, beispielsweise mittels Trenchen, in dem zweiten Halbleitersubstrat 102 ausgeformt sind. Fig. 4C zeigt eine Schnittdarstellung des zweiten Halbleitersubstrats 102 aus Fig.

4B mit den Teilabschnitten der zumindest einen Ätzstoppschicht 240, die beispielsweise durch Abscheiden und Strukturieren auf Teilbereiche von

Oberflächen des zweiten Halbleitersubstrats 102 aufgebracht ist. Die zumindest eine Ätzstoppschicht 240 weist beispielsweise Siliziumnitrid (S13N4) auf.

Fig. 4D zeigt eine Schnittdarstellung des zweiten Halbleitersubstrats 102 aus Fig. 4C mit dem achten Ausnehmungsabschnitt 238 und dem neunten

Ausnehmungsabschnittes 239, die beispielsweise durch Ätzen in dem zweiten Halbleitersubstrat 102 ausgeformt sind. Hierbei sind der achte

Ausnehmungsabschnitt 238 und der neunte Ausnehmungsabschnitt 239 unter

Verwendung der zumindest einen Ätzstoppschicht 240 geätzt. Insbesondere sind der achte Ausnehmungsabschnitt 238 und der neunte Ausnehmungsabschnitt 239 mittels KOH-Ätzen erzeugt. Zwischen dem sechsten Ausnehmungsabschnitt 236 und dem achten Ausnehmungsabschnitt 238 sowie zwischen dem siebten Ausnehmungsabschnitt 237 und dem neunten Ausnehmungsabschnitt 239 ist jeweils ein Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 als Hilfsmembran angeordnet. Genau gesagt sind der sechste Ausnehmungsabschnitt 236 und der achte Ausnehmungsabschnitt 238 sowie der siebte Ausnehmungsabschnitt 237 und der neunte Ausnehmungsabschnitt 239 durch den jeweiligen Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 bzw. die jeweilige Hilfsmembran voneinander getrennt.

Anders ausgedrückt grenzen der sechste Ausnehmungsabschnitt 236 und der achte Ausnehmungsabschnitt 238 an einen Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 bzw. eine Hilfsmembran an und grenzen der siebte Ausnehmungsabschnitt 237 und der neunte Ausnehmungsabschnitt 239 an einen weiteren Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 bzw. eine weitere Hilfsmembran an. Fig. 4E zeigt eine Schnittdarstellung des zweiten Halbleitersubstrats 102 aus Fig. 4D mit der zweiten Festelektrolytschicht 222A, die auf Seiten des sechsten Ausnehmungsabschnittes 236 an dem Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 bzw. der Hilfsmembran abgeschieden ist, und der dritten Festelektrolytschicht

223A, die auf Seiten des siebten Ausnehmungsabschnittes 237 an dem weiteren Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 bzw. der weiteren Hilfsmembran abgeschieden ist. Hierbei sind die zweite Festelektrolytschicht 222A und die dritte Festelektrolytschicht 223A beispielsweise mittels Pulsed-Laser-Deposition (PLD), Sputtern oder dergleichen abgeschieden. Die zweite Festelektrolytschicht

222A und die dritte Festelektrolytschicht 223A weisen beispielsweise eine Ionen leitende, Yttrium-dotierte Zirconiumoxid- bzw. ZrG Keramik (YSZ) auf.

Fig. 4F zeigt eine Schnittdarstellung des zweiten Halbleitersubstrats 102 aus Fig. 4E, wobei die Teilabschnitte der Ätzstoppschicht 240 bzw. die Hilfsmembranen von der zweiten Festelektrolytschicht 222A und der dritten Festelektrolytschicht 223A teilweise entfernt bzw. beseitigt sind. Genau gesagt ist der Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 bzw. die Hilfsmembran in einem Bereich des achten

Ausnehmungsabschnittes 238 von der zweiten Festelektrolytschicht 222A entfernt, wobei der weitere Teilabschnitt der Ätzstoppschicht 240 bzw. die weitere Hilfsmembran in einem Bereich des neunten Ausnehmungsabschnittes 239 von der dritten Festelektrolytschicht 223A entfernt ist.

Fig. 4G zeigt eine Schnittdarstellung des zweiten Halbleitersubstrats 102 aus Fig. 4F mit der zweiten Innenelektrode 222B und der zweiten Außenelektrode 222C, die an der zweiten Festelektrolytschicht 222A abgeschieden sind, sowie der dritten Innenelektrode 223B und der dritten Außenelektrode 223C, die an der dritten Festelektrolytschicht 223A abgeschieden sind. Dabei ist die zweite Innenelektrode 222 B auf Seiten des sechsten Ausnehmungsabschnittes 236 an der zweiten Festelektrolytschicht 222A angeordnet, wobei die zweite

Außenelektrode 222C auf Seiten des achten Ausnehmungsabschnittes 238 an der zweiten Festelektrolytschicht 222A angeordnet ist. Ferner ist die dritte Innenelektrode 223B auf Seiten des siebten Ausnehmungsabschnittes 237 an der dritten Festelektrolytschicht 223A angeordnet, wobei die dritte

Außenelektrode 223C auf Seiten des neunten Ausnehmungsabschnittes 239 an der dritten Festelektrolytschicht 223A angeordnet ist. Das in Fig. 4G gezeigte zweite Halbleitersubstrat 102 entspricht hierbei dem zweiten Halbleitersubstrat aus Fig. 2B.

Unter Bezugnahme auf die Figuren 1 bis 4G ist eine als Dünnschicht-NOx- Sensor ausgeführte Gassensorvorrichtung 100 gemäß einem

Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung gezeigt und beschrieben. Der halbleiterbasierte Dünnschicht-NOx-Sensor bzw. die Gassensorvorrichtung 100 ist hierbei aus zwei Halbleitersubstraten 101 und 102 bzw. Mikrochips aufgebaut. Herstellung und Betrieb einer solchen Gassensorvorrichtung 100 werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren 1 bis 4G erläutert.

Mittels typischer Mikrostrukturierungsprozesse, z. B. Trenchen, KOH-Ätzen etc. werden in den Halbleitersubstraten 101 und 102 geeignete

Ausnehmungsabschnitte 231 bis 239 bzw. Kavitäten hergestellt. Für die

Halbleitersubstrate 101 und 102 können beispielsweise Silizium (Si),

Siliziumcarbid (SiC), Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN) sowie andere Materialien verwendet werden, die mittels Prozessen aus der

Halbleitertechnologie bearbeitbar sind. Eine Sensorfunktion beruht auf einer Ionen leitenden, Yttrium-dotierten ZrGr Keramik (YSZ) für die

Festelektrolytschichten 221A, 222A und 223A, die als Dünnschicht abgeschieden sind bzw. werden. Mögliche Abscheideverfahren umfassen beispielsweise Pulsed-Laser-Deposition (PLD), Sputtern, Atomic-Layer- Deposition (ALD) oder dergleichen. Elektrodenmaterialien für die Elektroden 221B, 221C, 222B, 222C, 223B und 223C umfassen beispielsweise Verbindungen aus Pt, Rh, Au, Re, Hf, Zr etc., wobei eine Abscheidung zum Beispiel mittels Sputterverfahren bzw. nasschemischer Depositionsverfahren erfolgt.

Beide Halbleitersubstrate 101 und 102 werden mittels Waferbonden, z. B. Si- Direktbonden, zusammengefügt. Dabei werden die Einstellkammer 111, die Erfassungskammer 112 und der Diffusionsabschnitt 113 erzeugt. Ein dünner Spalt als Diffusionsabschnitt 113 zwischen der Einstellkammer 111 und der Erfassungskammer 112 fungiert hierbei als Diffusionsbarriere. Der achte

Ausnehmungsabschnitt 238 und der neunte Ausnehmungsabschnitt 239 können als Referenzluftkammern ausgeführt sein. Solche Referenzluftkammern können ähnlich einer herkömmlichen Lambdasonde als echte Referenz, d. h. mit Referenzluftkanal, oder geschlossen als gepumpte Referenz ausgeführt sein.

Für einen Betrieb der Gassensorvorrichtung 100 bzw. für einen Sensorbetrieb können die innerhalb der Kammern 111 und 112 angeordneten Elektroden, d. h. die Innenelektroden 221B, 222B und 223B, zusammengeschaltet werden, sodass lediglich eine gemeinsame Signalleitung zur elektrischen Kontaktierung desselben benötigt wird. Die außerhalb der Kammern 111 und 112 angeordneten Elektroden, d. h. die Außenelektroden 221C, 222C und 223C, werden jeweils mit einer eigenen Leitung angeschlossen. In Summe ergeben sich somit für den die

Elektroden der Gassensorvorrichtung 100 lediglich vier Signalleitungen. Hinzu können zwei weitere Signalleitungen kommen, die für eine Ansteuerung eines Heizers bzw. eine Temperiereinrichtung verwendet werden. Hierbei kann die Gassensorvorrichtung 100 als Ganzes beheizt werden öder es können mittels beispielsweise dreier parallel oder seriell geschalteter Membranheizer lediglich die als Nernstzellen bzw. Pumpzellen ausgeführte Einsteileinrichtung 121, Bestimmungseinrichtung 122 und Erfassungseinrichtung 123 beheizt werden. Die Gassensorvorrichtung 100 weist geometrische Abmessungen von beispielsweise ca. 3 Millimeter mal 3 Millimeter mal 1 Millimeter auf.

Beim Erfassen von Stickoxiden als gasförmige Analyten, wie es beispielsweise unter Bezugnahme auf Fig. 6 beschrieben ist, gelangt das Messmedium M bzw. das zu messende Gas über die Zutrittsöffnung 114 bzw. eine freigeätzte Öffnung in dem ersten Halbleitersubstrat 101 in die Einstellkammer 111. Hier kann anhand einer Nernst-Spannung zwischen der zweiten Innenelektrode 222B und der zweiten Außenelektrode 222C der Bestimmungseinrichtung 122 ein aktuell in der Einstellkammer 111 vorliegender Gehalt an Sauerstoff als Begleitgas gemessen werden. Durch Anlegen einer Pumpspannung an die erste

Innenelektrode 221B, die selektiv für O2 empfindlich ist, z. B. Au-Pt-Cermet, und die erste Außenelektrode 221B kann Sauerstoff aus der Einstellkammer 111 heraus bzw. die Einstellkammer 111 hineingepumpt werden. Die Pumpspannung wird beispielsweise so geregelt, dass möglichst konstant ein niedriger

Sauerstoffgehalt in der Einstellkammer 111 vorliegt. Über den als dünnen Spalt ausgeführten Diffusionsabschnitt 113 zwischen der Einstellkammer 111 und der Erfassungskammer 112, der als Diffusionsbarriere dient, gelangt das hinsichtlich des Sauerstoffgehaltes eingestellte Messmedium M in die Erfassungskammer 112. An der dritten Innenelektrode 223B, die z. B. aus Pt-Rh-Cermet ausgeformt ist, werden aufgrund ihrer katalytischen Aktivität in der Erfassungskammer 112 vorliegende Stickoxide in Stickstoff und Sauerstoff zersetzt und wird vorliegender molekularer Sauerstoff in atomaren Sauerstoff zersetzt. Durch Anlegen einer Pumpspannung an die dritte Innenelektrode 223B und die dritte Außenelektrode 223C wird der Sauerstoff aus der Erfassungskammer 112 entfernt. Da eine Konzentration an molekularem Sauerstoff als Begleitgas aus der Einstellkammer 112 auf einen Sollwert eingestellt und bekannt ist, kann anhand des Pumpstroms zwischen der dritten Innenelektrode 223B und der dritten aus Elektrode 223C auf eine Konzentration der Stickoxide im Messmedium M rückgeschlossen werden.

Fig. 5 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 500 gemäß einem

Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei dem Verfahren 500 handelt es sich um ein Verfahren zum Herstellen einer Gassensorvorrichtung zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium. Durch Ausführen des Verfahrens 500 ist eine Gassensorvorrichtung wie die

Gassensorvorrichtung aus den Figuren 1 bis 4G herstellbar. Insbesondere ergeben sich hierbei zumindest eine Teilmenge der in Figuren 3A bis 4G dargestellten Herstellungszustände, wenn das Verfahren 500 ausgeführt wird.

In einem Schritt 510 werden ein erstes Halbleitersubstrat und ein zweites Halbleitersubstrate unter Verwendung zumindest eines Trennprozesses und zumindest eines Beschichtungsprozesses bearbeitet, um

Ausnehmungsabschnitte, Festelektrolytschichten und Elektroden in dem ersten Halbleitersubstrat und dem zweiten Halbleitersubstrat zu erzeugen.

In einem nachfolgenden Schritt 520 werden das erste Halbleitersubstrat und das zweite Halbleitersubstrat zusammengefügt, um zwischen dem ersten

Halbleitersubstrat und dem zweiten Halbleitersubstrat eine Einstellkammer zum Einstellen einer Gaszusammensetzung des Messmediums, eine

Erfassungskammer zum Erfassen des gasförmigen Analyten und einen

Diffusionsabschnitt zum Steuern einer Diffusion des Messmediums zwischen der Einstellkammer und der Erfassungskammer zu erzeugen. Fig. 6 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 600 gemäß einem

Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Bei dem Verfahren 600 handelt es sich um ein Verfahren zum Erfassen zumindest eines gasförmigen Analyten in einem Messmedium. Das Verfahren 600 ist in Verbindung mit einer

Gassensorvorrichtung wie der Gassensorvorrichtung aus den Figuren 1 bis 4G vorteilhaft ausführbar.

In einem Schritt 610 wird eine Gassensorvorrichtung wie die

Gassensorvorrichtung aus den Figuren 1 bis 4G bereitgestellt. In einem nachfolgenden Schritt 620 wird ein Gehalt eines Begleitgases des Messmediums in der Einstellkammer der Gassensorvorrichtung bestimmt. Dann wird in einem folgenden Schritt 630 eine Gaszusammensetzung des Messmediums in der Einstellkammer hinsichtlich des Begleitgases eingestellt. Danach wird in einem Schritt 640 der gasförmige Analyt in dem in die Erfassungskammer diffundierten Messmedium erfasst.

Eine Funktion einer als Zirkonoxid-basierter Stickoxid-Sensor ausgeführter Gassensorvorrichtung, die als ein Zwei-Kammer-System ausgeführt ist, beruht beispielsweise unter anderem auf einer Sauerstoffionen-Leitfähigkeit der ZrGr Keramik der Festelektrolytschichten. In der Einstellkammer wird mit Hilfe selektiver Pump- und einer Messelektroden eine Sauerstoffkonzentration auf einen möglichst konstanten, niedrigen Wert geregelt. Über einen

Diffusionsabschnitt gelangt das Gasgemisch des Messmediums in die

Erfassungskammer. An der dortigen Innenelektrode werden die im Gasgemisch enthaltenen Stickoxide zersetzt. Der dabei frei werdende Sauerstoff wird zusammen mit dem in der Einstellkammer eingestellten Sauerstoffgehalt abgepumpt. Der resultierende Pumpstrom ist direkt proportional zur Stickoxid- Konzentration im Messmedium und dient somit als Sensorsignal.

Die beschriebenen und in den Figuren gezeigten Ausführungsbeispiele sind nur beispielhaft gewählt. Unterschiedliche Ausführungsbeispiele können vollständig oder in Bezug auf einzelne Merkmale miteinander kombiniert werden. Auch kann ein Ausführungsbeispiel durch Merkmale eines weiteren Ausführungsbeispiels ergänzt werden. Ferner können die hier vorgestellten Verfahrensschritte wiederholt sowie in einer anderen als in der beschriebenen Reihenfolge ausgeführt werden.

Umfasst ein Ausführungsbeispiel eine„und/oder"-Verknüpfung zwischen einem ersten Merkmal und einem zweiten Merkmal, so ist dies so zu lesen, dass das

Ausführungsbeispiel gemäß einer Ausführungsform sowohl das erste Merkmal als auch das zweite Merkmal und gemäß einer weiteren Ausführungsform entweder nur das erste Merkmal oder nur das zweite Merkmal aufweist.