OBTENUS PAR CE PROCEDE

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un film multicouche comprenant une ou plusieurs couches ultra minces de silicium cristallin, à partir d'un substrat ayant une structure cristalline.

Ce film multicouche, à base de silicium cristallin (c-Si), est destiné à être déposé sur un support flexible ou rigide pour fabriquer des cellules solaires ou des dispositifs microélectroniques.

On entend par couche ultra mince, une couche ayant une épaisseur comprise entre 0,1 μιτι et 5 μιτι.

Les cellules solaires ayant un rendement élevé et les dispositifs microélectroniques sont fabriquées en silicium cristallin.

Le problème avec les cellules solaires et les dispositifs microélectroniques à base de silicium cristallin est que leur coût de fabrication est élevé à cause des grandes quantités de silicium utilisées pour leur fabrication.

Il existe des méthodes qui visent à réduire les quantités de silicium cristallin nécessaires pour la fabrication des cellules solaires et des dispositifs microélectroniques.

Plus particulièrement, ces méthodes permettent d'obtenir des cellules solaires à hétérojonction fabriquées sur des substrats de silicium cristallin minces (50 μιτι à 100 μιτι) fournissant des rendements très élevés (17 % à 22 %).

II existe d'autres procédés comme le procédé de découpage à implantation d'ions H ⁺ (« smart eut »), et le procédé de découpage ionique qui permettent d'obtenir des films de silicium cristallin ayant des épaisseurs réduites.

Le procédé de découpage (« smart eut »), illustré sur la figure 1 , est connu du document « M. Bruel, Séparation of silicon wafers by the smart eut method, Mat. Res. Innovât. (1999) 3, 9 - 13 ».

Ces techniques utilisent l'implantation d'ions H ⁺ sur des substrats de silicium cristallin à des doses comprises entre 10 ¹⁶ et 10 ¹⁷ H7cm ² , afin de créer des défauts (microcavités) à une certaine distance de la surface du substrat de silicium.

On obtient un substrat comprenant une couche de silicium cristallin très mince (0,3 μιτι à 1 μιτι) et fortement défectueuse.

Ensuite, une liaison hydrophile est réalisée avec un deuxième substrat de silicium cristallin. Le deuxième substrat de silicium cristallin est mis en contact avec la surface défectueuse du premier substrat. Un traitement thermique est réalisé à une température supérieure à 1000°C. Pendant la première phase du traitement, le film de silicium cristallin très mince se sépare du premier substrat, et se solidarise du deuxième substrat. Lors d'une deuxième phase, les liaisons chimiques entre le film de silicium cristallin très mince et le deuxième substrat sont consolidées.

L'inconvénient de ces processus est qu'ils font intervenir des étapes d'implantation d'ions H ⁺ , et de traitement thermique à haute température (>1000°C) qui sont des étapes compliquées à mettre en œuvre et coûteuses. Le recuit à haute température limite aussi les procédés aux substrats de silicium cristallin ou matériaux réfractaires.

De plus, avec ces procédés de l'art antérieur, il n'est pas possible d'obtenir des épaisseurs de film de silicium cristallin inférieures à 0,3 μιτι ou supérieures à 1 μιτι, ni de réaliser directement des jonctions ou dispositifs.

Ainsi, l'invention a pour objet de proposer un procédé de fabrication d'une multicouche comprenant au moins une couche ultra mince de silicium cristallin plus simple, moins onéreux et permettant d'obtenir des films de silicium cristallin ayant une épaisseur variable entre 0,1 μιτι et 5 μιτι.

A cet effet, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un film multicouche comprenant au moins une couche ultra mince de silicium cristallin, à partir d'un substrat ayant une structure cristalline et comprenant une surface préalablement nettoyée.

Selon l'invention, le procédé comprend les étapes suivantes :

a) exposition de ladite surface nettoyée à un plasma radiofréquence généré dans un mélange gazeux de SiF ₄ , d'hydrogène et d'argon, la densité de puissance du plasma radiofréquence étant comprise entre 100 mW/cm ² et 650 mW/cm ² , la pression du mélange gazeux étant comprise entre 200 Pa et 400 Pa, la température du substrat étant comprise entre 150°C et 300 °C, le flux de SiF ₄ étant compris entre 1 et 10 cm ³ /min, le flux d'hydrogène étant compris entre 1 et

60 cm ³ /min et le flux d'argon étant compris entre 1 et 80 cm ³ /min, afin de former sur ladite surface nettoyée, une couche ultra mince de silicium cristallin comportant plusieurs sous couches dont une sous couche d'interface en contact avec le substrat et comprenant des microcavités,

b) dépôt d'au moins une couche de matériau sur ladite couche ultra mince de silicium cristallin pour former, avec ladite couche ultra mince de silicium cristallin, un film multicouche, ledit film multicouche comprenant au moins une couche mécaniquement résistante pour former un film multicouche ayant une résistance suffisante pour permettre le décollement dudit film multicouche sans endommager la couche ultra mince de silicium cristallin,

c) recuit du substrat recouvert dudit film multicouche, à une température supérieure à 400 °C, permettant la séparation dudit film multicouche du substrat. On obtient ainsi un film multicouche autosupporté. Le film multicouche peut être ensuite transféré sur un support mécanique souple ou rigide, non cristallin, et le substrat cristallin peut être réutilisé.

Dans différents modes de réalisation possibles, la présente invention concerne également les caractéristiques suivantes qui pourront être considérées isolément ou selon toutes leurs combinaisons techniquement possibles et apportent chacune des avantages spécifiques :

- la durée de l'étape a) est comprise entre 1 min et 5 heures,

- lors de l'étape a), la densité de puissance du plasma radiofréquence est de 500 mW/cm ² , la pression du mélange gazeux est de 293 Pa, et la température du substrat recouvert dudit film multicouche est de 200 °C,

- lors de l'étape a), le débit gazeux de SiF ₄ est de 3 cm ³ /min, le débit gazeux d'hydrogène est de 5 cm ³ /min, et le débit gazeux d'argon est de 80 cm ³ /min,

- la couche mécaniquement résistante est une couche de chrome déposée sur une des couches du film multicouche mécaniquement résistant par une méthode d'évaporation sous vide,

- lors de l'étape c), le substrat recouvert dudit film multicouche mécaniquement résistant est chauffé jusqu'à 800 °C,

- lors de l'étape b), ladite couche de chrome est recouverte d'une couche de polyamide, lors de l'étape c), le substrat recouvert de la multicouche étant chauffé jusqu'à une température comprise entre 300 °C et 500 °C,

- la surface du substrat étant initialement recouverte d'une couche d'oxyde de silicium, le procédé de fabrication comprend, avant l'étape a), une étape a') de nettoyage de la surface du substrat initialement recouverte d'oxyde de silicium, - ladite étape a') comprend une opération d'exposition de ladite surface à un plasma radiofréquence généré à partir d'un gaz fluoré, produisant le décapage de la couche d'oxyde de silicium, et une opération d'exposition de ladite surface à un plasma radiofréquence d'hydrogène,

- les étapes a') et a) sont réalisées dans une même chambre de réaction d'un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma.

- l'étape a') comprend une opération standard de nettoyage par voie humide à base d'eau déionisée et HF,

- l'étape b) comprend une opération de dépôt d'une couche de passivation (nitrure ou oxyde de silicium) avant le dépôt de la couche mécaniquement résistante, - lors de l'étape b), le matériau déposé est du silicium ou du germanium cristallin, intrinsèque ou dopé,

- lors de l'étape b), une première couche de matériau dopé P ou N est déposée sur ladite couche ultra mince de silicium cristallin, ladite première couche de matériau dopé P ou N étant recouverte d'une deuxième couche de matériau dopé N ou P afin d'obtenir une jonction P-N ou N-P.

Ainsi, l'invention fournit un procédé de fabrication de films multicouches plus simple, moins onéreux, plus flexible et permettant d'obtenir des films de silicium cristallin ayant une épaisseur comprise entre 0,1 μιτι et 5 μιτι et de grande cristallinité.

L'utilisation d'un procédé de découpage par implantation d'ions H ⁺ , qui est compliqué à mettre en œuvre et coûteux n'est plus nécessaire. Le procédé de l'invention est une alternative à ce procédé de découpage.

Le procédé de l'invention est en partie mis en oeuvre dans un réacteur PECVD contrairement aux procédés de l'art antérieur (« smart eut », par exemple), ce qui permet de déposer la couche ultra mince de silicium cristallin à basse température. Le substrat n'est pas consommé.

De plus, contrairement aux procédés de l'art antérieur, l'invention permet d'utiliser des températures de recuit plus faibles ( ~ 400 °C - 600 °C) contre environ 1000°C pour les procédés de l'art antérieur.

L'invention permet également de réaliser des empilements de couches dopées et non dopées pour former des jonctions P-N ou N-P. Dans les procédés de l'art antérieur, le dopage est fixé par le substrat, ce qui est contraignant.

Selon l'invention, il est également possible d'incorporer d'autres éléments comme le germanium et donc de réaliser des multicouches Si/Ge, par exemple. Avec le procédé (« smart eut ») de l'art antérieur, il n'est pas possible de déposer des matériaux autres que celui du substrat.

L'invention sera décrite plus en détail en référence aux dessins annexés dans lesquels :

- la figure 1 représente un procédé de découpage par implantation ionique de l'art antérieur ;

la figure 2 représente un procédé de fabrication d'un film multicouche comprenant une couche ultra mince de silicium cristallin, selon un premier mode de réalisation de l'invention ;

- la figure 3 représente un procédé de fabrication d'une multicouche comprenant une couche ultra mince de silicium cristallin, selon un deuxième mode de réalisation de l'invention ;

la figure 4a représente un graphique dans lequel est représenté la vitesse de dépôt de la sous couche épitaxiale fine de cœur de la couche ultra mince de silicium et la composition de cette dernière en fonction du débit d'hydrogène ; la figure 4b représente un graphique dans lequel est représenté l'épaisseur de la sous couche d'interface et la composition de cette dernière en fonction du débit d'hydrogène ; la figure 4c représente un graphique dans lequel est représenté la rugosité de la sous couche de surface et la composition de cette dernière en fonction du débit d'hydrogène ;

la figure 5 représente le détail de la couche ultra mince de silicium cristallin. La figure 1 représente un procédé de découpage par implantation ionique de l'art antérieur.

Ce procédé comprend une première étape 1 ) d'implantation d'ions H ⁺ sur un premier substrat de silicium cristallin S1 , recouvert d'une couche mince d'oxyde de silicium, à des doses comprises entre 10 ¹⁶ et 10 ¹⁷ H7cm ² , afin de créer des défauts (microcavités) à une certaine distance de la surface du substrat de silicium.

On obtient un substrat comprenant une couche de silicium cristallin 1 très mince (0,3 à 1 μιτι) et fortement défectueuse.

Ensuite, il est prévu une deuxième étape 2) consistant à nettoyer le premier substrat de silicium cristallin S1 et un deuxième substrat de silicium cristallin S2, et à réaliser des liaisons hydrophiles avec ce deuxième substrat de silicium cristallin S2, à température ambiante. Le deuxième substrat de silicium cristallin S2 est mis en contact avec la surface défectueuse du premier substrat S1 .

Une troisième étape 3) de traitement thermique est réalisée à une température supérieure à 1000°C. Pendant une première phase du traitement thermique (400 °C- 600°C), le film de silicium cristallin très mince 1 se sépare du premier substrat S1 , tout en restant solidaire du deuxième substrat S2. Lors d'une deuxième phase de traitement thermique (T>1000°C), les liaisons chimiques entre le film de silicium cristallin très mince 1 et le deuxième substrat S2 sont consolidées.

Une quatrième étape 4) consiste à polir la surface du film de silicium cristallin très mince 1 du deuxième substrat S2.

L'inconvénient de ce processus est qu'il fait intervenir des étapes d'implantation d'ions H ⁺ , et de traitement thermique à haute température (>1000°C) qui sont des étapes compliquées à mettre en œuvre et coûteuses.

De plus, avec ce procédé de l'art antérieur, il n'est pas possible d'obtenir des épaisseurs de film de silicium cristallin inférieures à 0,3 μιτι, ni supérieures à 1 μιτι.

La figure 2 représente un procédé de fabrication d'un film multicouche 2' comprenant une couche ultra mince de silicium cristallin 2 à partir d'un substrat S ayant une structure cristalline, selon un premier mode de réalisation de l'invention.

Le substrat S comprend une surface préalablement nettoyée, c'est-à-dire sans oxyde. Le procédé de nettoyage est décrit plus loin.

Le substrat S peut être un substrat de silicium cristallin ou de germanium cristallin, par exemple. Le substrat S peut être un substrat <100> FZ, CZ, ou autre. Il peut être poli sur ses deux faces, par exemple. Il peut avoir une résistivité quelconque. Dans les exemples ci- dessous, il présente une résistivité comprise entre 1 et 5 Qcm.

Le procédé de l'invention peut être appliqué sur une ou les deux faces opposées du substrat de silicium.

Dans les exemples ci-dessous, le substrat S est un substrat de silicium cristallin.

Le procédé de fabrication du film multicouche 2' comprend une étape a) d'exposition de la surface nettoyée du substrat S à un plasma radiofréquence généré dans un mélange gazeux comprenant du SiF ₄ , de l'hydrogène et de l'argon, pour former, sur la surface du substrat S, une couche ultra mince de silicium cristallin 2 comprenant des microcavités. Ces microcavités comprennent de l'hydrogène.

La puissance du plasma radiofréquence est comprise entre 10 W (densité de puissance de 100 mW/cm ² ) et 60 W (densité de puissance de 600 mW/cm ² ). La pression du mélange gazeux est comprise entre 200 Pa et 400 Pa.

La température du substrat est comprise entre 150°C et 300 °C, le flux de SiF ₄ est compris entre 1 et 10 cm ³ /min, le flux d'hydrogène est compris entre 1 et 60 cm ³ /min et le flux d'argon est compris entre 1 et 80 cm ³ /min.

La durée de l'étape a) est de préférence comprise entre 1 min et 5 heures. Elle peut également être inférieure ou supérieure. Par exemple, lorsque l'étape a) est réalisée pendant 10 min, on obtient une couche ultra mince de silicium cristallin 2 ayant une épaisseur de 0,15 μιτι.

L'épaisseur de la couche ultra mince de silicium cristallin 2 dépend de la durée de l'étape a) et du débit de SiF ₄ .

Par exemple, pour une vitesse de dépôt d'environ 0,3 nm/s, une durée de 10 min pour l'étape a) peut correspondre à une épaisseur de couche ultra mince de silicium cristallin 2 de 0,18 μιτι. Une durée de 5 heures pour l'étape a) peut correspondre à une épaisseur de couche ultra mince de silicium cristallin de 5,4 μιη.

De manière préférée, lors de l'étape a), la puissance du plasma radiofréquence est de 50 W (densité de puissance de 500 mW/cm ² ), la pression du mélange gazeux est de 293 Pa, la durée de l'exposition au plasma radiofréquence est de 30 min (pour déposer une couche ultra mince de silicium cristallin 2 d'une épaisseur de 0,5 μιτι), et la température du substrat S est de 200 °C.

De manière encore plus préférée, le débit gazeux de SiF ₄ est fixé à 3 cm ³ /min, le débit gazeux d'hydrogène est compris entre 1 et 60 cm ³ /min, et le débit gazeux d'argon est de 80 cm ³ /min.

De manière encore plus préférée, le débit gazeux de SiF ₄ est fixé à 3 cm ³ /min, le débit gazeux d'hydrogène est fixé à 5 cm ³ /min, et le débit gazeux d'argon est de 80 cm ³ /min. On obtient un rapport H ₂ /SiF ₄ de 1 ,66. Après cette étape a) d'exposition d'une surface du substrat S à un plasma radiofréquence de H ₂ /SiF ₄ /Ar réalisée pendant 30 min dans les conditions optimales ci- dessus, on obtient une couche ultra mince de silicium cristallin 2 composé de trois sous couches dont une sous couche d'interface 19, une sous couche épitaxiale de cœur 20, et une sous couche de surface 21 .

Le détail de la couche ultra mince de silicium cristallin 2 est représenté sur la figure

5.

La sous couche d'interface 19 comprend une grande fraction de microcavités et une petite fraction de silicium cristallin. Cette sous couche d'interface 19 est directement en contact avec la surface du substrat. Elle est positionnée entre le substrat S et la sous couche épitaxiale de cœur 20. Elle présente une épaisseur comprise entre 0 et 9 nm, qui dépend de la fraction d'hydrogène utilisée.

La sous couche épitaxiale de cœur 20 est composée d'une fraction de silicium monocristallin, d'une fraction de gros grains de silicium cristallin et d'une fraction de petits grains de silicium cristallin. La sous couche épitaxiale de cœur 20 présente une épaisseur comprise entre 90 nm et 170 nm (pour 10 min de plasma).

La sous couche de surface 21 est composée d'une fraction de gros grains de silicium cristallin, d'une fraction de petits grains de silicium cristallin, et d'une fraction de Si0 ₂ . Elle présente une épaisseur comprise entre 0 et 5 nm.

L'épaisseur de toutes ces sous couches dépendent de la fraction d'hydrogène utilisée pour la dilution du SiF ₄ .

La figure 4a représente la vitesse de dépôt de la sous couche épitaxiale fine de cœur 20 de la couche ultra mince de silicium 2 et la composition de cette dernière en fonction du débit d'hydrogène (débits entre 1 et 60 cm ³ /s).

Le débit de SiF ₄ est de 3 cm ³ /s et le débit d'Ar est de 80 cm ³ /s pour les exemples des figures 4a à 4c.

Les abscisses 5 représentent le débit d'hydrogène (cm ³ /s). Dans la figure 4a les ordonnées 7 (à gauche) représentent la vitesse de dépôt de la sous couche épitaxiale de cœur 20, et les ordonnées 6 (à droite) représentent la composition (en %) de cette dernière.

La courbe 8 représentant la vitesse de dépôt de la sous couche épitaxiale de cœur 20 en fonction du débit d'hydrogène montre qu'à basse dilution d'H ₂ , la vitesse de dépôt est basse, comprise entre 0,1 nm/s et 0,3 nm/s.

Cependant, quand la dilution d'H ₂ augmente, la vitesse de dépôt augmentent également, avec un maximum de près de 0,3 nm/s (quand le débit de SiF ₄ = le débit de H ₂ = 3 cm ³ /s).

Un accroissement ultérieur de la dilution d'H ₂ a comme conséquence un taux de dépôt inférieur. La courbe 9 représente la fraction de silicium monocristallin (c-Si) en fonction du débit d'hydrogène.

La courbe 10 représente la fraction de petits grains de silicium en fonction du débit d'hydrogène.

La courbe 1 1 représente la fraction de gros grains de silicium en fonction du débit d'hydrogène.

Les courbes 9 à 1 1 montrent que la sous couche épitaxiale de cœur 20 a une haute fraction de silicium cristallin (environ 80 % à 95 %), une fraction de petits grains de silicium d'environ 5 % à 20 %, et une fraction de gros grains d'environ 1 % à 5%. La fraction de silicium cristallin la plus haute (~ 95 %) a été obtenue pour un film de silicium cristallin 2 déposé avec des débits de SiF ₄ et H ₂ identiques (3 cm ³ /min), et un débit d'argon de 80 cm ³ /min.

La figure 4b représente l'épaisseur de la sous couche d'interface 19 et la composition de cette dernière en fonction du débit d'hydrogène (débits entre 1 et 60 cm ³ /min).

La courbe 12 représente l'épaisseur de la sous couche d'interface 19 en fonction du débit d'hydrogène.

La courbe 13 représente la fraction de microcavités en fonction du débit d'hydrogène.

La courbe 14 représente la fraction de silicium cristallin en fonction du débit d'hydrogène.

Pour un bas débit d'H ₂ (1 cm ³ /min), il n'y a pas de sous couche d'interface 19 du tout. Quand le débit d'H ₂ augmente, la sous couche d'interface 19 apparaît et atteint un maximum d'épaisseur pour 10 cm ³ /min. Un accroissement du débit d'H ₂ entraîne une diminution de l'épaisseur de la sous couche d'interface 19. La raison d'un tel comportement est qu'à un bas débit d'H ₂ , la vitesse de dépôt est basse et donc l'hydrogène peut être désorbé du film mince de silicium 2 qui se développe.

Quand le débit d'H ₂ est plus haut, la vitesse de dépôt augmente, et l'hydrogène est emprisonné dans l'interface avec le substrat de silicium cristallin. A un débit d'H ₂ encore plus élevé, la vitesse de dépôt diminue encore. Une certaine quantité d'hydrogène est emprisonnée dans la sous couche d'interface 19 et une autre partie est désorbée, ayant pour résultat une diminution de l'épaisseur de la couche d'interface.

Les courbes 13 et 14 montrent que la sous couche d'interface 19 se compose principalement de microcavités (environ 80%) et d'un peu de silicium cristallin (environ 20 %). La composition est presque indépendante de la dilution d'H ₂ .

La figure 4c représente la rugosité de la sous couche de surface 21 et la composition de cette dernière en fonction du débit d'hydrogène (débits entre 1 et 60 cm ³ /min). La courbe 15 représente la rugosité de la sous couche de surface 21 en fonction du débit d'hydrogène.

La courbe 16 représente la fraction des gros grains de silicium en fonction du débit d'hydrogène.

La courbe 17 représente la fraction des petits grains de silicium en fonction du débit d'hydrogène.

La courbe 18 représente la fraction de Si0 ₂ en fonction du débit d'hydrogène.

La courbe 15 montre que la rugosité des couches ultra minces de silicium 2 augmente avec le débit d'H ₂ , d'environ 0,9 nm pour un débit de 1 cm ³ /min, jusqu'à environ 4,5 nm pour un débit de 60 cm ³ /min.

D'après les courbes 17 à 18, la fraction de Si0 ₂ est presque indépendante du débit d'hydrogène.

La sous couche d'interface 19 présente des quantités d'oxygène, d'hydrogène et de fluor plus importantes que la sous couche épitaxiale de cœur 20. Ceci est du au fait que la sous couche d'interface 19 présente beaucoup de défauts (environ 80% de microcavités).

Le procédé de fabrication d'un film multicouche 2' comprend également une étape b) de dépôt d'au moins une couche de matériau sur la couche ultra mince de silicium cristallin 2 pour former, avec la couche ultra mince de silicium cristallin 2, un film multicouche 2'. Le film multicouche 2' comprend au moins une couche mécaniquement résistante 3 pour former un film multicouche 2' mécaniquement résistant et mécaniquement stable.

La couche mécaniquement résistante 3 est la dernière couche qui est déposée sur le film multicouche 2'.

La couche mécaniquement résistante 3 est préférentiellement une couche métallique. Elle peut être d'un autre matériau comme le verre ou en polymère. On entend par « film multicouche 2' mécaniquement résistant », un film multicouche 2' ayant une résistance suffisante pour permettre le décollement de la multicouche, lors d'une étape ultérieure décrite ci-dessous, sans endommager la couche ultra mince de silicium cristallin 2.

La couche mécaniquement résistante 3 est préférentiellement en chrome. Elle est déposée sur une des couches du film multicouche 2' par une méthode d'évaporation sous vide. L'épaisseur de la couche de chrome 3 est supérieure à 100 nm. Une épaisseur de chrome de 150 nm assure une résistance mécanique suffisante au film multicouche 2' pour permettre son décollement ultérieur du substrat S.

Selon le mode de réalisation de la figure 2, lors de l'étape b), seule une couche de chrome est déposée sur la couche ultra mince de silicium cristallin 2.

Selon un autre mode de réalisation possible, lors de l'étape b) de dépôt, une ou plusieurs couches épitaxiales de matériaux semi-conducteurs sont déposées sur la couche ultra mince de silicium cristallin 2, pour former un film multicouche 2' comprenant une ou plusieurs couches de matériaux semi-conducteurs entre la couche ultra mince de silicium cristallin 2 et la couche mécaniquement résistante 3.

Ces couches de matériaux semi-conducteurs peuvent être à base de silicium, de germanium ou de SiGe, par exemple. Elles peuvent être intrinsèques, dopées p ou dopées n. Le film multicouche 2' peut former une jonction PIN ou NIP, P-N ou N-P. Il est possible de former des jonctions directement sur le substrat S.

Selon un mode de réalisation possible, l'étape b) comprend une opération de dépôt d'une couche de passivation avant le dépôt de la couche mécaniquement résistante 3. Cette couche de passivation peut être une couche de nitrure de silicium permettant d'obtenir une faible densité de défauts de surface.

Le procédé de fabrication d'un film multicouche 2' comprend également une étape c) de recuit du substrat S recouvert de la multicouche à une température supérieure à 400 °C et de préférence comprise entre 400 °C et 900 °C, permettant la séparation ou le décollage du film multicouche 2' et par conséquent de la couche ultra mince de silicium cristallin 2, du substrat S.

Pendant l'étape c), lors de la montée en température, les atomes d'hydrogène se recombinent dans les microcavités de la couche ultra mince de silicium cristallin 2 pour former des micro bulles d'H ₂ , générant une augmentation de volume des microcavités dans la couche ultra mince de silicium cristallin 2.

Selon le mode de réalisation de la figure 2, lors de l'étape c), le substrat S recouvert de la multicouche est chauffé jusqu'à 800 °C dans un four.

La température du four est ensuite abaissée jusqu'à la température ambiante.

Eventuellement, le four peut être ouvert à environ 250 °C pour améliorer le décollement du film multicouche 2' de la surface du substrat S.

Selon un autre mode de réalisation, illustré sur la figure 3, lors de l'étape b), la couche de chrome 3 est ensuite recouverte d'une couche de polyamide 4. Le substrat S recouvert du film multicouche 2' est ensuite chauffé dans un four à 250 °C - 350 °C.

Ensuite, lors de l'étape c), le substrat S recouvert du film multicouche 2' est chauffé jusqu'à 300 °C - 500 °C dans ce four.

La température du four est ensuite abaissée jusqu'à la température ambiante.

Eventuellement, le four peut être ouvert à environ 250 °C pour améliorer le décollement du film multicouche 2' de la surface du substrat S.

De façon alternative, l'étape c) de recuit peut être réalisée dans un four à recuit thermique rapide RTA ("Rapid Thermal Annealing") comprenant des lampes chauffantes permettant de réaliser une montée en température très rapide. Il est possible d'atteindre 900 °C en quelques minutes. Le procédé de fabrication d'un film multicouche 2' peut comprendre, avant l'étape a), une étape a') de nettoyage de la surface du substrat initialement recouverte d'oxyde de silicium (Si0 ₂ ), telle que décrite dans le document FR 0 955 766.

Selon un mode de réalisation possible, cette étape a') comprend une opération d'exposition de la surface à un plasma radiofréquence généré à partir d'un gaz fluoré, produisant le décapage de la couche d'oxyde de silicium, et une opération d'exposition de la surface à un plasma radiofréquence d'hydrogène.

Le gaz fluoré (ou à base de fluor) est préférentiellement un gaz de SiF ₄ . D'autres gaz fluorés peuvent être utilisés, comme le SF ₆ , par exemple.

Selon un autre mode de réalisation possible, l'étape a') de nettoyage peut être réalisée par voie humide avec une solution standard d'acide fluorhydrique diluée avec de l'eau déionisée.

L'avantage de l'utilisation du procédé par plasma RF est que les étapes a'), et a) peuvent être réalisées dans une même chambre de réaction d'un réacteur de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD), fonctionnant à une fréquence de 13,56 MHz.

Ainsi, le procédé de l'invention peut être mis en œuvre dans une chambre de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) unique. Les étapes a') et a) sont réalisées dans cette même chambre (PECVD), permettant d'éviter de casser le vide, de contaminer le substrat par des polluants extérieurs, d'augmenter la rapidité du procédé de fabrication et de réduire les coûts de fabrication.

Cette étape de nettoyage a') par voie sèche est réalisée pendant une durée comprise entre 60 s et 900 s. La puissance du plasma est comprise entre 1 W et 30 W, correspondant à une densité de puissance comprise entre 10 mW/cm ² et 300 mW/cm ² . La pression du gaz fluoré est comprise entre 1 ,33 Pa et 26,66 Pa.

Cette étape a') entraîne la fixation ou l'adsorption d'éléments fluorés sur la surface du substrat de silicium, provocant des défauts de surface, en particulier des liaisons Si brisées.

Ces éléments fluorés sont ensuite éliminés par l'opération d'exposition de la surface du substrat de silicium comprenant des éléments fluorés à un plasma radiofréquence d'hydrogène.

Cette opération d'exposition de la surface du substrat de silicium comprenant des éléments fluorés à un plasma radiofréquence d'hydrogène est réalisée pendant une durée comprise entre 5 s et 120 s, et avec une puissance de plasma comprise entre 1 W et 30 W (densité de puissance comprise entre 10 mW/cm ² et 30 mW/cm ² ). La pression d'hydrogène est comprise entre 1 ,33 Pa et 133,32 Pa. Cette opération d'exposition à un plasma radiofréquence d'hydrogène est facultative. L'invention fournit un procédé de fabrication de films ultra minces de silicium cristallin plus simple, moins onéreux et permettant d'obtenir des films de silicium cristallin ayant une épaisseur comprise entre 0, 1 μιτι et 5 μιτι et de grande cristallinité.