2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 1 - Beschreibung VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements angegeben. Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit verbesserten Eigenschaften anzugeben. Zusätzlich soll ein optoelektronisches Bauelement mit verbesserten Eigenschaften angegeben werden. Optoelektronische Bauelemente können zumindest einen Halbleiterchip aufweisen, der elektromagnetische Strahlung in einem bestimmten Wellenlängenbereich aussendet. Beispielsweise handelt es sich bei dem optoelektronischen Bauelement um ein Halbleiterlaserbauelement oder eine Leuchtdiode. Gemäß einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird ein Träger bereitgestellt. Der Träger ist insbesondere ein Träger für optoelektronische Bauelemente und dient der mechanischen Befestigung sowie Stabilität. Der Träger ist beispielsweise als eine ebene und plan ausgeführte Platte mit einer Haupterstreckungsrichtung ausgeführt. Der Träger kann als Substrat, Wafer oder künstlicher Wafer ausgebildet sein. Der Träger kann eine beliebige Form aufweisen, beispielsweise kann der Träger eckig, insbesondere 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 2 - rechteckig oder quadratisch, rund oder oval ausgebildet sein. Eine Abmessung des Trägers kann ebenso variieren. Ist der Träger rechteckig ausgebildet kann der Träger eine Abmessung von 125 mm x 70 mm aufweisen. Ist der Träger quadratisch ausgebildet, kann er eine Abmessung von 4 Zoll x 4 Zoll aufweisen. Bei einem runden Träger kann der Durchmesser 4 Zoll, 150 mm oder 200 mm betragen. Bevorzugt ist eine Dicke des Trägers kleiner als 1000 Mikrometer. Eine Dicke des Trägers liegt besonders bevorzugt in einem Bereich zwischen 500 Mikrometer und 1000 Mikrometer. Beispielsweise weist der Träger Glas oder ein Polymer als Material auf. Besonders bevorzugt ist der Träger ein Silizium Wafer, eine Leiterplatte (PCB) aus beispielsweise faserverstärkten Kunststoff oder eine Edelstahlplatte. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Vielzahl von Halbleiterchips auf dem Träger aufgebracht. Bei der Vielzahl von Halbleiterchips handelt es sich zum Beispiel um eine Vielzahl von Leuchtdiodenchips oder eine Vielzahl von Laserdiodenchips. Bevorzugt weist die Vielzahl von Halbleiterchips eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge mit einer aktiven Zone auf, die dazu eingerichtet ist, Primärstrahlung zu erzeugen. Hierzu weist die aktive Zone beispielsweise einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopf- oder insbesondere bevorzugt eine Mehrfachquantentopfstruktur auf. Bevorzugt emittiert jede der Vielzahl von Halbleiterchips eine Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs von einer Strahlungsaustrittsfläche. Insbesondere sendet die Vielzahl von Halbleiterchips im Betrieb Primärstrahlung aus dem ultravioletten Spektralbereich und/oder aus dem 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 3 - sichtbaren Spektralbereich, besonders bevorzugt aus dem blauen Spektralbereich aus. Die Halbleiterchips können außerdem ein seitenemittierender Halbleiterchip sein. Bei seitenemittierenden Halbleiterchips wird eine Primärstrahlung an zumindest einer Seitenfläche des Halbleiterchips abgestrahlt. Mit anderen Worten ist bei seitenemittierenden Halbleiterchips die Strahlungsaustrittsfläche quer bzw. senkrecht zu der Haupterstreckungsrichtung. Insbesondere ist es möglich, dass bei einem seitenemittierenden Halbleiterchip die Primärstrahlung ausschließlich durch zumindest eine Seitenfläche austritt und nicht durch eine Deckfläche und/oder eine Bodenfläche. Dabei kann die Primärstrahlung ausschließlich durch genau eine Seitenfläche, mindestens zwei Seitenflächen oder alle Seitenflächen des Halbleiterchips austreten. Die Halbleiterchips weisen bevorzugt eine Dicke von mehr als 3 µm auf. Besonders bevorzugt weisen die Halbleiterchips eine Dicke von mehr als 4 µm auf. Beispielsweise weisen die Halbleiterchips eine Dicke zwischen einschließlich 5 µm und einschließlich 120 µm auf. Die Dicke entspricht einer vertikalen Erstreckung, welche quer zur Haupterstreckungsrichtung angeordnet ist. Die Vielzahl der Halbleiterchips ist vorzugsweise auf dem Träger in einer gemeinsamen Fläche, insbesondere Ebene, angeordnet. Der Träger umfasst eine erste Seite. Auf der ersten Seite sind bevorzugt die Halbleiterchips angeordnet. Das Aufbringen der Vielzahl von Halbleiterchips auf den Träger führt zu Kostenvorteilen und zu einer Verbesserung der Prozessgeschwindigkeit. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 4 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Vielzahl von Halbleiterchips derart beabstandet zueinander aufgebracht, dass sich zwischen den Halbleiterchips Kavitäten bilden. Das heißt, zwischen zwei benachbarten Halbleiterchips bildet sich eine Kavität. Die Kavitäten sind Leerräume. Die Kavitäten erstrecken sich insbesondere bis zu dem Träger. Eine Breite der Kavitäten, welche sich zwischen zwei Halbleiterchips erstreckt, liegt bevorzugt in einem Bereich zwischen einschließlich 50 µm und einschließlich 200 µm. Die Breite der Kavitäten entspricht einer lateralen Erstreckung, welche parallel zur Haupterstreckungsrichtung angeordnet ist. Mit anderen Worten weisen die Halbleiterchips auf dem Träger einen Abstand von zwischen einschließlich 50 µm und einschließlich 200 µm auf. Der Abstand der einzelnen Halbleiterchips zueinander kann variieren. Eine Höhe der Kavitäten, welche einer vertikalen Erstreckung entspricht, liegt bevorzugt in einem Bereich zwischen einschließlich 5 µm und einschließlich 120 µm. Besonders bevorzugt ist die Höhe der Kavitäten zwischen einschließlich 5 µm und einschließlich 100 µm. Die Höhe der Kavitäten entspricht insbesondere der Dicke der Halbleiterchips. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird ein fotobelichtbares Material eingebracht. Das fotobelichtbare Material ist beispielsweise aus einem Polymer gebildet, welches einen Fotoinitiator aufweist. Fotobelichtbare Materialien sind zum Beispiel Polymethylmetacrylat, Novolack oder Polymethylglutarimid beziehungsweise Epoxidharze, beispielsweise SU-8. Außerdem können noch Lösungsmittel wie Cyclopentanon oder Gammabutyrolacton eine Komponente des fotobelichtbaren Materials sein. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 5 - Beispielsweise ruft der Fotoinitiator bei einer Bestrahlung beziehungsweise Belichtung des Polymers mit elektromagnetischer Strahlung einer bestimmten Wellenlänge eine Vernetzungsreaktion hervor und bedingt somit eine Aushärtung des Polymers. Alternativ bedingt der Fotoinitiator bei der Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung eine Auflösung von Bindungen und somit eine Lösung des Polymers. Ein gängiges Einsatzgebiet des fotobelichtbaren Materials ist beispielsweise der Einsatz in der Lithographie. Bevorzugt ist das fotobelichtbare Material ein Fotolack. Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden zumindest die Kavitäten mit dem fotobelichtbaren Material befüllt. Das fotobelichtbare Material wird insbesondere als Schicht ausgebildet oder in flüssiger Form in die Kavitäten eingebracht. Bevorzugt kann das fotobelichtbare Material über mehrere Schritte in die Kavitäten eingebracht werden. Beispielsweise wird das fotobelichtbare Material über das Verfahren der Rotationsbeschichtung aufgebracht. Vorzugsweise werden dünne und gleichmäßige Schichten des fotobelichtbaren Materials in die Kavitäten eingebracht. Beispielsweise wird das fotobelichtbare Material zusätzlich auf den Halbleiterchips angeordnet. Außerdem kann das fotobelichtbare Material zwischen den Halbleiterchips und dem Träger angeordnet werden. Besonders bevorzugt wird das fotobelichtbare Material durch Sprühbelackung und/oder mittels eines Inkjet-Verfahrens direkt in die Kavitäten eingebracht. Das Sprühbelacken erfolgt insbesondere flächig. Bei günstig gewähltem Dosiervolumen und Viskosität kann der Füllgrad der Kavitäten gesteuert werden ohne fotobelichtbares Material auf die Halbleiterchips aufzubringen. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 6 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das fotobelichtbare Material belichtet, wobei Teile des fotobelichtbaren Materials, welche den Halbleiterchips in Bezug auf die Belichtung nachgeordnet sind, unbelichtet bleiben. Das Belichten erfolgt bevorzugt mit einer UV- Lichtquelle, beispielsweise bei 365 nm oder mit einem LDI- Laser (englisch: Laser Diode Illuminator), beispielsweise bei 355 nm. Der Vorteil bei der Benutzung eines Lasers ist, dass der Laser einen sehr parallelen Strahlengang aufweist und dadurch wird seitlich gestreutes Licht reduziert. Der Strahlengang des Lasers ist senkrecht zu der Haupterstreckungsrichtung des Trägers. Dies ermöglicht ein tieferes Eindringen in das fotobelichtbare Material wodurch eine vollständige Belichtung des fotobelichtbaren Materials, beispielsweise in den Kavitäten, ermöglicht wird. Die Dauer der Belichtung hängt von der Dicke des zu belichteten fotobelichtbaren Materials ab und von der Lichtquelle. Beim Belichten wird die Löslichkeit des fotobelichtbaren Materials durch die Lichtquelle, beispielsweise Ultraviolett- Lichtquelle, und einer Belichtungsmaske lokal verändert. Als Belichtungsmaske dienen hier bevorzugt die Halbleiterchips. Das heißt, dass das fotobelichtbare Material, welche den Halbleiterchips in Bezug auf die Belichtung nachgeordnet ist, unbelichtet bleibt. Der unbelichtete Teil des fotobelichtbaren Materials ist somit exakt auf die Halbleiterchipfläche beschränkt beziehungsweise abgestimmt. Hierdurch ist mit Vorteil die genaue Bestimmung der Halbleiterchipposition auf dem Träger irrelevant. Nach dem Belichten erfolgt bevorzugt ein Temperaturschritt. Dies dient zusätzlich zu der Belichtung zur Aushärtung des fotobelichtbaren Materials. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 7 - Das fotobelichtbare Material, welches sich in den Kavitäten befindet, wird bevorzugt belichtet. Dadurch wird bevorzugt ein ausgehärtetes fotobelichtbares Material gebildet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die unbelichteten Teile des fotobelichtbaren Materials entfernt, wobei Ausnehmungen gebildet werden. Die Ausnehmungen befinden sich bevorzugt zwischen zwei benachbarten Kavitäten. Die Ausnehmungen weisen insbesondere eine Tiefe auf, die sich von der Oberkante des fotobelichteten Materials in den Kavitäten bis zu einer dem Träger abgewandten Seite des Halbleiterchips erstreckt. Die Oberkante des fotobelichtbaren Materials ist dem Träger abgewandt. Insbesondere ist die Ausnehmung auf dem Halbleiterchip angeordnet. „Auf dem Halbleiterchip“ bedeutet hier und im Folgenden auf der Seite des Halbleiterchips, die dem Träger abgewandt ist. Die Entfernung des unbelichteten Teils des fotobelichtbaren Materials erfolgt bevorzugt durch eine Entwicklerflüssigkeit. Eine Entwicklerflüssigkeit ist beispielsweise eine alkalische Flüssigkeit beziehungsweise ein alkalisches Medium. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Funktionsschicht auf die Halbleiterchips aufgebracht. Mit anderen Worten wird die Funktionsschicht auf die dem Träger abgewandte Seite der Halbleiterchips aufgebracht. Die Funktionsschicht wird beispielsweise durch Rakeln, Sputtern, Bedampfen oder Sprühbeschichten aufgebracht. Die Funktionsschicht kann eine Dicke von bis zu 20 µm aufweisen. Die Dicke der Funktionsschicht ist beispielsweise abhängig von der Tiefe der Ausnehmung. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 8 - Die Funktionsschicht kann beispielsweise eine Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung konvertieren. Außerdem können in der Funktionsschicht Partikel eingebracht sein. Beispielsweise ist die Funktionsschicht als Reflexionsschicht, als Konversionsschicht oder als eine Kombination daraus ausgebildet. Ist die Funktionsschicht als Reflexionsschicht ausgebildet, so hat diese die Eigenschaft, eine Primärstrahlung, vorzugsweise ausgesendet von den Halbleiterchips, zu reflektieren. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird das belichtete fotobelichtbare Material entfernt. Das Entfernen des belichteten fotobelichtbaren Materials erfolgt bevorzugt in einem Lösungsmittel und/oder in einem alkalischen Medium. Optional wird dieser Vorgang auch durch Hochdruck unterstützt. Dieser Vorgang wird als nasschemisches Strippen bezeichnet. Das Entfernen des belichteten fotobelichtbaren Materials kann ebenso in einem Plasma-Verascher erfolgen. Hierbei wird ein mikrowellenangeregtes Sauerstoff-Plasma genutzt, um den Fotolack isotrop abzuätzen. Dieser Vorgang wird als Veraschen bezeichnet. Das Entfernen des belichteten fotobelichtbaren Materials erfolgt bevorzugt in den Kavitäten. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements wird ein Träger bereitgestellt. Anschließend wird eine Vielzahl von Halbleiterchips auf dem Träger aufgebracht, wobei die Halbleiterchips derart beabstandet zueinander aufgebracht werden, dass sich zwischen den Halbleiterchips Kavitäten bilden. Ein fotobelichtbares Material wird eingebracht, wobei zumindest die Kavitäten mit dem fotobelichtbaren Material befüllt werden. Im Anschluss wird das fotobelichtbare 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 9 - Material belichtet, wobei Teile des fotobelichtbaren Materials, welche den Halbleiterchips in Bezug auf die Belichtung nachgeordnet sind, unbelichtet bleiben. Danach werden unbelichtete Teile des fotobelichtbaren Materials entfernt, wobei Ausnehmungen gebildet werden. Eine Funktionsschicht wird auf die Halbleiterchips aufgebracht und das belichtete fotobelichtbare Material wird entfernt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform erfolgt das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements nach der geschilderten Reihenfolge. Eine Idee des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements ist es, eine Funktionsschicht auf eine Vielzahl von strahlungsemittierenden Halbleiterchips aufzubringen, um somit ein kostengünstiges und ein vereinfachtes Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen bereitzustellen. Eine aufwändige, exakte Positionsvermessung und eine daraus abgeleitete positionsabhängige (justierte) Belichtung, beispielsweise eine Belichtung über Laser Direct Imaging (LDI), sind nicht mehr notwendig. Außerdem sind zudem Justagestrukturen, die einen ausreichend guten Kontrast und Sichtbarkeit bieten, nicht mehr nötig. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Ausnehmungen zumindest teilweise von der Funktionsschicht gefüllt. Bevorzugt werden die Ausnehmungen komplett von der Funktionsschicht gefüllt. Durch die Tiefe der Ausnehmungen kann somit vorteilhaft die Dicke der Funktionsschicht eingestellt werden. Mit Vorteil kann die Tiefe der Ausnehmungen durch die Dicke des verwendeten fotobelichtbaren Materials in den Ausnehmungen gesteuert werden. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 10 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Belichtung selektiv. Dadurch kann mit Vorteil gezielt ein bestimmter Bereich belichtet werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Belichtung vollflächig und selbstjustiert. Die Belichtung erfolgt vollflächig beispielsweise durch eine Flutbelichtung (englisch „Flood Exposure“). Das fotobelichtbare Material wird selbstjustierend belichtet. Ein Vorteil hiervon ist, dass die beiden zeitintensiven Schritte AOI und LDI (AOI = automatische optische Inspektion, LDI = Laser Direct Imaging) entfallen. Die vollflächige Belichtung kann erfolgen, da die Halbleiterchips selbst dazu genutzt werden, um die später unbelichteten Teile des fotobelichtbaren Materials zu definieren. Dies reduziert vorteilhafterweise die Komplexität der Prozesskette. Bei der vollflächigen Belichtung sind insbesondere keine besonderen Anforderungen an Überlagerung und Maßhaltigkeit zu erbringen. Somit ist unerheblich, welche exakte Position die Halbleiterchips auf dem Träger einnehmen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird als fotobelichtbares Material ein Negativlack verwendet. Der Negativlack polymerisiert durch Belichtung und einem nachfolgenden Ausheizschritt. Nach der Entwicklung bleiben die belichteten Bereiche stehen. Als Negativlack wird bevorzugt Polymethylmetacrylat, Novolack, Polymethylglutarimid, Epoxidharze, beispielsweise SU-8 oder Kombinationen daraus verwendet. Außerdem können als fotobelichtbare Materialien auch positive Image Reversal- Lacke (Umkehrlacke) verwendet werden. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 11 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das fotobelichtbare Material ein Trockenlack (englisch: „Dry Resist“) und/oder ein Nasslack (englisch: „Wet Resist“). Bei einem Nasslack wird bevorzugt der Nasslack auf den Träger aufgebracht und in einer Prozesskammer abgeschleudert. Die finale Dicke des Nasslacks kann über die Drehzahl bei der Rotationsbeschichtung gezielt eingestellt werden. Der Trockenlack wird insbesondere in einer vorgegebenen Dicke auf den Träger beziehungsweise auf die Halbleiterchips aufgebracht. Der Trockenlack ist beispielsweise auf einer Trägerfolie mit einer bestimmten Dicke abgeschieden und wird dann bevorzugt auf die Halbleiterchips oder auf den Träger aufgelegt und unter Vakuum und durch Temperaturerhöhungen von der Trägerfolie abgelöst. Ein Vorteil des Trockenlacks ist, dass nur geringe Einschlüsse in dem Trockenlack gebildet werden und dadurch kann eine gleichmäßige Schicht gebildet werden. Hingegen kann bei dem Nasslack die Oberfläche wellenförmig ausgebildet werden, wodurch die Lichtauskopplung des optoelektronischen Bauelements beeinträchtigt werden kann. Ein Vorteil des Nasslacks ist, dass dieser besser in Kavitäten beziehungsweise Ausnehmungen fließen kann. Gemäß zumindest einer weiteren Ausführungsform wird das fotobelichtbare Material mittels einer Vorhangbeschichtung (engl.: Curtain Coating) aufgebracht. Der Vorteil der Vorhangbeschichtung ist, dass das fotobelichtbare Material besonders gleichmäßig aufgebracht werden kann. Außerdem kann besonders abfallarm das fotobelichtbare Material aufgebracht werden. Mehrlagiges Aufbringen des fotobelichtbaren Materials ist ebenso möglich. Außerdem kann eine Dicke des fotobelichtbaren Materials besonders gut durch die Vorhangbeschichtung eingestellt werden. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 12 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist die Funktionsschicht eine Dicke und die Ausnehmung eine Tiefe auf, wobei die Dicke der Funktionsschicht höchstens der Tiefe der Ausnehmung entspricht. Mit anderen Worten heißt dies, dass die Funktionsschicht und die Ausnehmung jeweils eine vertikale Erstreckung aufweisen, wobei die vertikale Erstreckung der Funktionsschicht höchstens der vertikalen Erstreckung der Ausnehmung entspricht. Vertikal heißt im Folgenden quer beziehungsweise senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung. Dadurch kann mit Vorteil durch das fotobelichtbare Material in den Ausnehmungen beziehungsweise durch das fotobelichtbare Material in den Kavitäten die Dicke der Funktionsschicht bestimmt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird vor dem Aufbringen der Vielzahl von Halbleiterchips ein Teil des fotobelichtbaren Materials zwischen dem Träger und den Halbleiterchips aufgebracht und die Belichtung erfolgt von der Seite des Halbleiterchips, welche frei von dem fotobelichtbaren Material ist. Das fotobelichtbare Material wird bevorzugt zwischen dem Träger und dem Halbleiterchip in Form einer Schicht aufgebracht. Besonders bevorzugt wird die Schicht zusammenhängend aufgebracht. Das fotobelichtbare Material ist insbesondere eine Fotolackschicht. Das fotobelichtbare Material weist bevorzugt eine Dicke zwischen einschließlich 0,5 µm und einschließlich 100 µm auf. Beispielsweise weist das fotobelichtbare Material eine Dicke zwischen einschließlich 5 µm und einschließlich 100 µm auf. Die Halbleiterchips dienen hierbei als Belichtungsmaske und der Teil des fotobelichtbaren Materials, welches zwischen dem Halbleiterchip und dem Träger angeordnet ist, bleibt unbelichtet. Mit Vorteil kann über die Dicke des fotobelichtbaren Materials zwischen den Halbleiterchips und 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 13 - dem Träger, die Tiefe der Ausnehmungen bestimmt werden. Die Tiefe der Ausnehmungen bestimmt wiederum die Dicke der Funktionsschicht. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Teil des fotobelichtbaren Materials, welcher sich zwischen dem Träger und dem Halbleiterchip befindet, ein Nasslack oder Trockenlack und das fotobelichtbare Material, welches sich in den Kavitäten befindet, ein Nasslack. Bei dem Nasslack lässt sich die Dicke über die Drehzahl bei der Rotationsbeschichtung bestimmen und bei dem Trockenlack ist die Dicke bereits vorgegeben. Alternativ kann der Nasslack mit Vorteil mittels eines Inkjet-Verfahrens selektiv in die Kavitäten eingebracht werden. Ein Vorteil der Verwendung eines Trockenlacks als Schicht zwischen den Halbleiterchips und dem Träger ist, dass die Halbleiterchips nur erschwert in den Trockenlack einsinken können. Der Nasslack bietet sich zur Befüllung der Kavitäten besonders gut an, da dieser ein besseres Fließverhalten aufweist als ein Trockenlack und somit besser in die Kavitäten eingebracht werden kann. Bei einer Dicke von beispielsweise etwa 1 µm des fotobelichtbaren Materials zwischen dem Träger und den Halbleiterchips wird bevorzugt ein Nasslack verwendet und bei einer Dicke von beispielsweise etwa 10 µm des fotobelichtbaren Materials zwischen dem Träger und den Halbleiterchips wird ein Trockenlack verwendet. Bei dem Trockenlack und bei dem Nasslack handelt es sich bevorzugt um das gleiche Material. Beispielsweise wird als Nasslack AZ15nXT der Firma MERCK und als Trockenlack WBR2075 der Firma DuPont verwendet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird nach dem Belichten ein Hilfsträger auf der dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterchips angeordnet und der 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 14 - Träger wird abgelöst. Das führt dazu, dass nun die Halbleiterchips in direktem Kontakt bevorzugt mit dem Hilfsträger sind. Dieser Verfahrensschritt wird außerdem als Umtapen oder Umbonden bezeichnet. Durch das Umtapen wird der Teil des fotobelichtbaren Materials, welcher unbelichtet ist, freigelegt. Dadurch kann der unbelichtete Teil des fotobelichtbaren Materials durch das Entwickeln entfernt werden. Anschließend kann auf die freigelegten Halbleiterchips die Funktionsschicht aufgebracht werden. Der Hilfsträger weist bevorzugt die gleichen Eigenschaften wie der Träger auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird vor dem Aufbringen der Vielzahl von Halbleiterchips ein Teil des fotobelichtbaren Materials zwischen dem Träger und den Halbleiterchips aufgebracht und die Belichtung erfolgt von der Seite des Halbleiterchips, welche frei von dem fotobelichtbaren Material ist. Der Teil des fotobelichtbaren Materials, welcher sich zwischen dem Träger und den Halbleiterchips befindet, ist insbesondere ein Trockenlack und das fotobelichtbare Material, welches sich in den Kavitäten befindet, ist ein Nasslack. Nach dem Belichten wird ein Hilfsträger auf der dem Träger abgewandten Seite der Halbleiterchips angeordnet und der Träger wird abgelöst. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Träger strahlungsdurchlässig ausgebildet. Strahlungsdurchlässig bedeutet, dass er für Strahlung durchlässig ist, das heißt, dass der Träger bevorzugt transparent ausgebildet ist. Bevorzugt ist der Träger strahlungsdurchlässig für eine Wellenlänge der Belichtung, beispielsweise für eine UV- Lichtquelle, ausgebildet. Dies ist dann von Vorteil, wenn die Belichtung durch den Träger hindurch erfolgt. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 15 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist zwischen dem Träger und der Vielzahl der Halbleiterchips eine Haftschicht angeordnet. Die Haftschicht ist bevorzugt transparent oder strahlungsdurchlässig für die Belichtungswellenlänge ausgebildet. Die Haftschicht wird dünn auf den Träger aufgebracht und anschließend wird die Vielzahl der Halbleiterchips auf der Haftschicht angeordnet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine Antireflexionsschicht zwischen dem Träger und der Haftschicht oder zwischen der Haftschicht und der Vielzahl der Halbleiterchips angeordnet. Die Antireflexionsschicht dient bevorzugt dazu, seitliche Streuung aus dem optoelektronischen Bauelement zu minimieren. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt die Belichtung durch den Träger hindurch, so dass der Teil des fotobelichtbaren Materials, welcher sich auf den Halbleiterchips befindet, unbelichtet bleibt. Bevorzugt erfolgt die Belichtung durch den Träger und durch die Haftschicht hindurch. Bevorzugt dienen die Halbleiterchips als Belichtungsmaske für die Belichtung und somit bleibt der Teil des fotobelichtbaren Materials, welcher sich auf der Seite des Halbleiterchips befindet, die nicht direkt belichtet wird, unbelichtet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der Träger strahlungsdurchlässig ausgebildet und zwischen dem Träger und der Vielzahl der Halbleiterchips ist eine Haftschicht angeordnet, welche ebenso strahlungsdurchlässig ist. Auf den Halbleiterchips und in die Kavitäten wird in einem Schritt das fotobelichtbare Material aufgebracht. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 16 - Optional wird in einem zweistufigen Verfahren zunächst das fotobelichtbare Material in Form eines Nasslacks in die Kavitäten eingebracht, so dass der Nasslack bündig an der Oberseite des Halbleiterchips mit dem Halbleiterchip abschließt. In einem zweiten Schritt wird das fotobelichtbare Material in Form eines Trockenlacks auf den Halbleiterchip und auf das fotobelichtbare Material in den Kavitäten als Schicht aufgebracht. Der Nasslack und der Trockenlack weisen vorzugsweise das gleiche Material auf. Die Belichtung erfolgt durch den Träger und durch die Haftschicht hindurch, so dass der Teil des fotobelichtbaren Materials, welcher sich auf den Halbleiterchips befindet, unbelichtet bleibt. Das zweistufige Verfahren wird bevorzugt bei Halbleiterchips mit einer Dicke von 5 µm bis 120 µm angewendet. Das Aufbringen des Nasslacks hängt insbesondere von der Dicke der Halbleiterchips ab. Je geringer die Dicke der Halbleiterchips ist, desto eher wird das fotobelichtbare Material mittels Rotationsbeschichtung (engl.: Spin coating) aufgebracht. Bei dickeren Halbleiterchips wird bevorzugt das fotobelichtbare Material mittels eines Inkjet-Verfahrens aufgebracht. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden nach dem Entfernen des belichteten fotobelichtbaren Materials die Halbleiterchips vereinzelt zur Erzeugung optoelektronischer Bauelemente. Vereinzeln bedeutet, dass die Halbleiterchips mit der jeweiligen Funktionsschicht von dem Träger oder der Haftschicht abgenommen werden und auf einen gewünschten Ort fixiert werden. Alternativ wird der Träger beispielsweise durchgesägt, geätzt, gebrochen oder durch Laser Dicing getrennt, so dass ein Teil des Trägers, der Halbleiterchip und die Funktionsschicht jeweils ein optoelektronisches Bauelement bilden. Somit können lediglich an dem Träger Sägespuren auftreten. Die Seitenflächen der 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 17 - Funktionsschicht und des Halbleiterchips bleiben mit Vorteil frei von Spuren eines Vereinzelungsprozesses. Es wird weiter ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Insbesondere kann mit dem beschriebenen Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements ein hier beschriebenes optoelektronisches Bauelement erfolgen. Das heißt, sämtliche Merkmale, die für das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements offenbart sind, sind auch für das optoelektronische Bauelement offenbart und umgekehrt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement einen Halbleiterchip auf, der im Betrieb Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs emittiert. Der Halbleiterchip weist bevorzugt eine Strahlungsaustrittsfläche auf. Die Strahlungsaustrittsfläche kann parallel zu der Haupterstreckungsrichtung sein oder sie kann an der Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet sein. Das heißt, dass die Strahlungsaustrittsfläche parallel zu der Haupterstreckungsrichtung oder quer zu der Haupterstreckungsrichtung ausgebildet sein kann. Wenn die Strahlungsaustrittsfläche an der Seitenfläche des Halbleiterchips angeordnet ist, handelt es sich um einen seitenemittierenden Halbleiterchip. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das optoelektronische Bauelement eine Funktionsschicht, die auf dem Halbleiterchip angeordnet ist, auf. Die Funktionsschicht ist bevorzugt in direktem Kontakt mit dem Halbleiterchip. Das heißt, dass zwischen dem Halbleiterchip und der Funktionsschicht keine weitere Schicht angeordnet ist. Die 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 18 - Funktionsschicht ist beispielsweise als Konversionsschicht, Absorptionsschicht oder Reflexionsschicht beschrieben. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements schließen Seitenflächen der Funktionsschicht und des Halbleiterchips bündig miteinander ab. Die Seitenflächen sind die Flächen des Halbleiterchips und der Funktionsschicht, die den Halbleiterchip und die Funktionsschicht in ihrer lateralen Ausdehnung begrenzen. Mit anderen Worten, die Seitenflächen der Funktionsschicht überragen bevorzugt die Seitenflächen des Halbleiterchips in lateraler Richtung nicht. Die Seitenflächen sind bevorzugt frei von Spuren eines Vereinzelungsprozesses. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements umfasst das optoelektronische Bauelement einen Halbleiterchip, der im Betrieb Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs emittiert, eine Funktionsschicht, die auf dem Halbleiterchip angeordnet ist, und Seitenflächen der Funktionsschicht und des Halbleiterchips bündig miteinander abschließen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Bauelement einen Träger. Der Träger kann strahlungsdurchlässig ausgebildet sein. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist die Funktionsschicht eine Dicke bis zu 20 µm auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des optoelektronischen Bauelements umfasst die Funktionsschicht eine Konversionsschicht. Die Konversionsschicht ist bevorzugt 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 19 - dazu eingerichtet, Emission von Sekundärstrahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs zu emittieren. Die Konversionsschicht wandelt bevorzugt die Primärstrahlung des Halbleiterchips in Sekundärstrahlung um. Insbesondere ist die Konversionsschicht auf der Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips angeordnet. Die Konversionsschicht weist beispielsweise Leuchtstoffe und eine Matrix auf. Die Matrix ist bevorzugt durchlässig oder klarsichtig transparent für elektromagnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, ausgebildet. Die Leuchtstoffe sind bevorzugt in Form von Leuchtstoffpartikel in die Matrix eingebracht. Die Matrix umhüllt hierbei die Leuchtstoffpartikel bevorzugt vollständig, das heißt die Leuchtstoffpartikel sind bevorzugt in die Matrix eingebettet. Die Leuchtstoffpartikel wandeln im Betrieb die Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in Sekundärstrahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs um. Die Primärstrahlung ist von der Sekundärstrahlung bevorzugt verschieden. Die Leuchtstoffpartikel, die in die Matrix eingebettet sind, verleihen der Konversionsschicht bevorzugt wellenlängenkonvertierende Eigenschaften. Beispielsweise wandelt die Konversionsschicht mit den Leuchtstoffpartikeln die Primärstrahlung des Halbleiterchips lediglich teilweise in Sekundärstrahlung um, während ein weiterer Teil der Primärstrahlung des Halbleiterchips von der Konversionsschicht transmittiert wird. Der Leuchtstoff ist beispielsweise ein keramischer Leuchtstoff und/oder ein Quantenpunktleuchtstoff. Bevorzugt weisen die keramischen Leuchtstoffe einen Granatleuchtstoff auf. Besonders bevorzugt ist der Granatleuchtstoff ein YAG- Leuchtstoff mit der chemischen Formel Y ₃ Al ₅ O ₁₂ :Ce ³⁺ oder ein LuAG-Leuchtstoff der chemischen Formel Lu3Al5O12:Ce ³⁺ . Weiterhin können die keramischen Leuchtstoffe auch einen 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 20 - Nitridleuchtstoff aufweisen. Die Nitridleuchtstoffe wandeln bevorzugt blaue Primärstrahlung in rote Sekundärstrahlung um. Bei dem Nitridleuchtstoff kann es sich beispielsweise um ein Erdalkalisiliziumnitrid, ein Oxynitrid, ein Aluminiumoxynitrid, ein Siliziumnitrid oder ein Sialon handeln. Beispielsweise handelt es sich bei dem Nitridleuchtstoff um (Ca,Sr,Ba)AlSiN ₃ :Eu ²⁺ (CASN). Besonders bevorzugt sind die keramischen Leuchtstoffe aus der folgenden Gruppe ausgewählt: Ce ³⁺ dotierte Granate wie YAG und LuAG, beispielsweise (Y, Lu,Gd,Tb) ₃ (Al _1-x ,Ga _x ) ₅ O ₁₂ :Ce ³⁺ ; Eu ²⁺ dotierte Nitride, beispielsweise (Ca,Sr)AlSiN ₃ :Eu ²⁺ , Sr(Ca,Sr)Si ₂ Al ₂ N ₆ :Eu2+ (SCASN), (Sr,Ca)AlSiN ₃ *Si ₂ N ₂ O:Eu ²⁺ , (Ca,Ba,Sr) ₂ Si ₅ N ₈ :Eu ²⁺ , SrLiAl ₃ N ₄ :Eu ²⁺ , SrLi ₂ Al ₂ O ₂ N ₂ :Eu ²⁺ ; Ce ³⁺ dotierte Nitride, beispielsweise (Ca,Sr)Al _(1-4x/3) Si _(1+x) N ₃ :Ce; (x = 0,2 – 0,5); Eu ²⁺ dotierte Sulfide, (Ba,Sr,Ca)Si ₂ O ₂ N ₂ :Eu ²⁺ , SiAlONe, Nitrido-Orthosilikate (z.B. AE _2-x-a RE _x Eu _a Si _1-y O _4-x-2y N _x ), Orthosilikate (Ba,Sr,Ca) ₂ SiO ₄ :Eu ²⁺ ; Chlorosilikate (z.B. Ca ₈ Mg(SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ :Eu ²⁺ ); Mn ⁴⁺ dotierte Fluoride, beispielsweise (K,Na) ₂ (Si,Ti)F ₆ :Mn ⁴⁺ ; Eu ²⁺ bzw Ce ³⁺ dotierte Litho-Silikate, wie (Li,Na,K,Rb,Cs)(Li ₃ SiO ₄ ):E mit E als Eu ²⁺ , Ce ³⁺ , bzw. (Sr,Li)Li ₃ AlO ₄ :Eu ²⁺ oder SrLi ₃ AlO ₄ :Eu ²⁺ . Weitere mögliche Materialien für die Leuchtstoffe sind insbesondere die folgenden aluminiumhaltigen und/oder siliziumhaltigen Leuchtstoffpartikel: (Ba _1-x-y Sr _x Ca _y )SiO ₄ :Eu ²⁺ (0 ^ x ^ 1, 0 ^ y ^ 1), (Ba _{1-x- y} Sr _x Ca _y ) ₃ SiO ₅ :Eu ²⁺ (0 ^ x ^ 1, 0 ^ y ^ 1), Li ₂ SrSiO ₄ :Eu ²⁺ , Oxo- Nitride wie (Ba _1-x-y Sr _x Ca _y )Si ₂ O ₂ N ₂ :Eu ²⁺ (0 ^ x ^ 1; 0 ^ y ^ 1), SrSiAl ₂ O ₃ N ₂ :Eu ²⁺ , Ba _4-x Ca _x Si ₆ ON ₁₀ :Eu ²⁺ (0 ^ x ^ 1), (Ba _{1- x} Sr _x )Y ₂ Si ₂ Al ₂ O ₂ N ₅ :Eu ²⁺ (0 ^ x ^ 1), Sr _x Si _(6-y) Al _y O _y N _(8-y) :Eu ²⁺ (0,05 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 21 - ^ x ^ 0,5; 0,001 ^ y ^ 0,5), Ba3Si6O12N2:Eu ²⁺ , Si 2+ 6-zAlzOzN8-z:Eu (0 ^ z ^ 0,42), M _x Si _12-m-n Al _m+n O _n N _16-n :Eu ²⁺ (M = Li, Mg, Ca, Y; x = m/v; v = Wertigkeit von M, x ^ 2), M _x Si _12-m-n Al _m+n O _n N _16-n :Ce ³⁺ , AE2-x-aRExEuaSi1-yO4-x-2yNx (AE = Sr, Ba, Ca, Mg; RE = Seltenerdmetallelemente), AE _2-x-a RE _x Eu _a Si _1-y O _4-x-2y N _x (AE = Sr, Ba, Ca, Mg; RE = Seltenerdmetallelemente), Ba ₃ Si ₆ O ₁₂ N ₂ :Eu ²⁺ oder Nitride wie La ₃ Si ₆ N ₁₁ :Ce ³⁺ , (Ba _1-x-y Sr _x Ca _y ) ₂ Si ₅ N ₈ :Eu ²⁺ , (Ca _{1-x- y} Sr _x Ba _y )AlSiN ₃ :Eu ²⁺ (0 ^ x ^ 1; 0 ^ y ^ 1), Sr(Sr _{1- x} Ca _x )Al ₂ Si ₂ N ₆ :Eu ²⁺ (0 ^ x ^ 0,2), Sr(Sr _1-x Ca _x )Al ₂ Si ₂ N ₆ :Ce ³⁺ (0 ^ x ^ 0,2) SrAlSi ₄ N ₇ :Eu ²⁺ , (Ba _1-x-y Sr _x Ca _y )SiN ₂ :Eu ²⁺ (0 ^ x ^ 1; 0 ^ y ^ 1), (Ba _1-x-y Sr _x Ca _y )SiN ₂ :Ce ³⁺ (0 ^ x ^ 1; 0 ^ y ^ 1), (Sr _{1- x} Ca _x )LiAl ₃ N ₄ :Eu ²⁺ (0 ^ x ^ 1), (Ba _1-x-y Sr _x Ca _y )Mg ₂ Al ₂ N ₄ :Eu ²⁺ (0 ^ x ^ 1; 0 ^ y ^ 1), (Ba _1-x-y Sr _x Ca _y )Mg ₃ SiN ₄ :Eu ²⁺ (0 ^ x ^ 1; 0 ^ y ^ 1). Beispielsweise ist die Kombination mehrerer verschiedener Leuchtstoffe bzw. Leuchtstoffpartikel möglich. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des optoelektronischen Bauelements umfasst die Funktionsschicht eine Reflexionsschicht. Die Reflexionsschicht dient dazu, den Grad der Transmission der Primärstrahlung des Halbleiterchips einzustellen. Bevorzugt weist die Reflexionsschicht ein Matrixmaterial auf, in das Reflexionspartikel eingebracht sind. Die Reflexionspartikel sind bevorzugt aus der folgenden Gruppe ausgewählt: TiO ₂ , SiO ₂ , ZrO ₂ , Al ₂ O ₃ , BaTiO ₃ , SrTiO ₃ , TCO (transparent leitfähige Oxide), Nb ₂ O ₅ , HfO ₂ , ZnO. Besonders bevorzugt weist die Reflexionsschicht TiO ₂ oder ZrO ₂ oder eine Kombination daraus auf. Die Reflexionspartikel, beispielsweise TiO2oder ZrO2, können in Form von Partikeln in die Reflexionsschicht eingebracht werden oder die Reflexionsschicht besteht aus beispielsweise TiO ₂ oder ZrO ₂ . 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 22 - Gemäß zumindest einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der Halbleiterchip ein seitenemittierender Halbleiterchip. Insbesondere umfasst in dieser Ausführungsform die Funktionsschicht die Reflexionsschicht oder besteht daraus. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens oder des optoelektronischen Bauelements sind die Halbleiterchips seitenemittierende Halbleiterchips und die Funktionsschicht weist TiO ₂ oder ZrO ₂ auf oder besteht aus TiO ₂ oder ZrO ₂ . Insbesondere kann die Funktionsschicht auch gleichzeitig TiO ₂ oder ZrO ₂ Partikel aufweisen. Hierbei ist es vorteilhaft, eine definierte Dicke der Funktionsschicht mit TiO ₂ und/oder ZrO ₂ aufzubringen, um darüber den Grad der Teiltransmission einzustellen. Die Dicke der Funktionsschicht mit TiO ₂ und/oder ZrO ₂ lässt sich über die Tiefe der Ausnehmungen einstellen. Die Tiefe der Ausnehmungen definiert im Anschluss die Dicke und somit die Transmission der Funktionsschicht mit TiO ₂ und/oder ZrO ₂ . Eine Idee des vorliegenden Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements ist der Verzicht auf eine Positionsvermessung der Halbleiterchips auf dem Träger. Durch eine vollflächige Belichtung können die zeitintensiven Schritte AOI und LDI entfallen. Eine Belichtung findet bevorzugt vollflächig statt und der Halbleiterchip selbst wird benutzt, um die später frei zu entwickelnden Flächen zu definieren. Dieses Verfahren reduziert die Komplexität der Prozesskette. Außerdem werden die Kosten der Produktion des Verfahrens reduziert und die Prozesse werden stabilisiert, da auf eine Positionsvermessung der Halbleiterchips und justierte LDI-Belichtung verzichtet werden kann. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 23 - In diesem Verfahren dienen die Halbleiterchips als Belichtungsmaske für die unbelichteten Teile des fotobelichtbaren Materials. Somit ist die Position der Halbleiterchips unerheblich und das Verfahren justiert sich selbst. Dadurch ist auch die Anforderung an die Platziergenauigkeit der Halbleiterchips auf dem Träger niedriger. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und des optoelektronischen Bauelements ergeben sich aus dem im Folgenden in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiel. Es zeigen: Figuren 1A bis 1G und Figuren 2A bis 2E schematische Schnittdarstellungen verschiedener Verfahrensstadien eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß jeweils einem Ausführungsbeispiel. Figur 3 eine schematische Schnittdarstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente, insbesondere Schichtdicken, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 24 - Zur besseren Übersichtlichkeit sind nicht alle Elemente mit einem Bezugszeichen versehen. Bei dem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel der Figuren 1A bis 1F wird in einem ersten Schritt ein Träger 2 bereitgestellt, siehe Figur 1A. Der Träger 2 ist beispielsweise ein Wafer oder ein Substrat, welcher eckig ausgebildet ist. Auf dem Träger 2 wird in einem nächsten Schritt ein fotobelichtbares Material 5 aufgebracht. Das fotobelichtbare Material 5 wird als Schicht auf dem Träger 2 aufgebracht. Das fotobelichtbare Material 5 ist beispielsweise aus einem Polymer gebildet, welches einen Fotoinitiator aufweist. Beispielsweise ruft der Fotoinitiator bei einer Belichtung 6 oder Bestrahlung des Fotopolymers mit elektromagnetischer Strahlung einer bestimmten Wellenlänge eine Vernetzungsreaktion hervor und bedingt somit eine Aushärtung des Polymers beziehungsweise eine Aushärtung des fotobelichtbaren Materials. Das fotobelichtbare Material 5 ist ein Negativlack. Das fotobelichtbare Material 5, welches als Schicht zwischen dem Träger 2 und den Halbleiterchips 3 angeordnet ist, wird als Trockenlack oder Nasslack, bevorzugt als Trockenlack, aufgebracht. In einem nächsten Schritt wird eine Vielzahl von Halbleiterchips 3 auf das fotobelichtbare Material 5 aufgebracht, wobei die Halbleiterchips 3 derart beabstandet zueinander aufgebracht werden, dass sich zwischen den Halbleiterchips 3 Kavitäten 4 bilden. Die Halbleiterchips 3 sind dazu eingerichtet, im Betrieb Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs zu emittieren. Die Kavitäten 4 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 25 - erstrecken sich bis zu dem fotobelichtbaren Material 5, welches zwischen den Halbleiterchips 3 und dem Träger 2 angeordnet ist. Es werden insbesondere zwischen 100 und 10000 Halbleiterchips 3 auf dem Träger 2 aufgebracht. Die Anzahl der Halbleiterchips 3 ist abhängig von der Größe des Trägers 2, von der Größe der Halbleiterchips 3 und von dem Abstand zwischen den Halbleiterchips 3. In einem nächsten Schritt, Figur 1B, wird ein fotobelichtbares Material 5 eingebracht, wobei zumindest die Kavitäten 4 mit dem fotobelichtbaren Material 5 befüllt werden. Das fotobelichtbare Material 5, welches sich in den Kavitäten 4 befindet, weist bevorzugt das gleiche Material auf wie das fotobelichtbare Material 5, welches zwischen den Halbleiterchips 3 und dem Träger 2 als Schicht aufgebracht ist. Das fotobelichtbare Material 5, welches sich in den Kavitäten 4 befindet, schließt bündig an der Oberseite der Halbleiterchips 3 mit den Halbleiterchips 3 ab. Das fotobelichtbare Material 5 ist bevorzugt ein Nasslack. Die Dicke des fotobelichtbaren Materials 5 kann durch Rotationsbeschichtung, das heißt über die Drehzahl, eingestellt werden. Außerdem können die Kavitäten 4 mit dem fotobelichtbaren Material 5 mittels Inkjet-Verfahren befüllt werden. Hierbei werden bevorzugt nur die Kavitäten 4 mit dem fotobelichtbaren Material 5 befüllt. In Figur 1C wird das fotobelichtbare Material 5 belichtet, wobei Teile des fotobelichtbaren Materials 7, welche den Halbleiterchips 3 in Bezug auf die Belichtung 6 nachgeordnet sind, unbelichtet bleiben. Die Belichtung 6 erfolgt von der Seite, die den Halbleiterchips 3 zugewandt ist. Durch die 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 26 - Belichtung 6 härtet das fotobelichtbare Material 8 in den Kavitäten 4 aus und das fotobelichtbare Material 7, welches sich zwischen dem Halbleiterchip 3 und dem Träger 2 befindet, also nachgeordnet zu der Belichtung 6 angeordnet ist, bleibt unbelichtet und härtet somit nicht aus. Die Belichtung 6 erfolgt vorzugsweise mit Hilfe einer Flutbelichtung im UV- Bereich. Weiterhin ist die Belichtung 6 vollflächig und erfolgt selbstjustiert. Dies hat den Vorteil, dass die Position der Halbleiterchips 3 unerheblich ist, da die Halbleiterchips 3 selbst als Belichtungsmaske für die Belichtung 6 dienen. Optional kann die Belichtung 6 auch selektiv erfolgen. In einem nächsten Schritt, Figur 1D, wird nach dem Belichten ein Hilfsträger 9 auf der dem Träger 2 abgewandten Seite der Halbleiterchips 3 angeordnet und der Träger 2 wird abgelöst. Dadurch wird ermöglicht, dass die Halbleiterchips 3 in direktem Kontakt mit dem Hilfsträger 9 stehen. Die gegenüberliegende Seite der Halbleiterchips 3, die sich nicht auf dem Hilfsträger 9 befindet, weist an der Oberfläche das unbelichtete fotobelichtbare Material 7 auf. Dieser Vorgang wird auch als Wenden, Umtapen oder Umbonden bezeichnet. In Figur 1E wird der unbelichtete Teil des fotobelichtbaren Materials 7 entfernt. Dadurch werden Ausnehmungen 10 gebildet. Die Ausnehmungen 10 weisen eine Tiefe 15 auf. Der unbelichtete Teil des fotobelichtbaren Materials 7 wird durch das Verfahren des Entwickelns entfernt. Dabei wird ein alkalisches Medium aufgebracht. Die Ausnehmungen 10 befinden sich auf den Halbleiterchips 3. In der Figur 1F wird eine Funktionsschicht 11 auf die Halbleiterchips 3 aufgebracht. Die Funktionsschicht 11 kann 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 27 - beispielsweise eine Konversionsschicht oder eine Reflexionsschicht sein. Eine Reflexionsschicht ist dann von Vorteil, wenn der Halbleiterchip 3 ein seitenemittierender Halbleiterchip 3 ist. Die Funktionsschicht 11 weist eine Dicke bis zu 20 µm auf. Die Ausnehmungen 10 sind zumindest teilweise von der Funktionsschicht 11 gefüllt. Die Ausnehmungen 10 sind insbesondere komplett von der Funktionsschicht 11 gefüllt. Weiterhin weist die Funktionsschicht 11 eine Dicke 16 und die Ausnehmung 10 eine Tiefe 15 auf. Die Dicke 16 der Funktionsschicht 11 entspricht höchstens der Tiefe 15 der Ausnehmung 10. In einem weiteren Schritt, Figur 1G, wird das belichtete fotobelichtbare Material 8, welches sich in den Kavitäten 4 befindet, entfernt. Dies geschieht in einem alkalischen Medium oder in einem Lösungsmittel. Im Anschluss können die Halbleiterchips 3 mit der Funktionsschicht 11 vereinzelt werden, indem diese von dem Hilfsträger 9 abgelöst werden und an einem gewünschten Ort platziert werden. Alternativ kann der Hilfsträger 9 zerteilt werden, sodass der Hilfsträger 9, der Halbleiterchip 3 und die Funktionsschicht 11 als optoelektronisches Bauelement 1 übrig bleiben. In dem Verfahren des Ausführungsbeispiels 2 gemäß den Figuren 2A bis 2E wird zunächst ein Träger 2 bereitgestellt, siehe Figur 2A. Auf dem Träger 2 wird eine Haftschicht 12 angeordnet. Die Haftschicht 12 und der Träger 2 sind strahlungsdurchlässig für die Strahlung einer Belichtungswellenlänge ausgebildet. Das Belichten erfolgt bevorzugt mit einer UV-Lichtquelle. Im Anschluss wird eine Vielzahl von Halbleiterchips 3 auf der Haftschicht 12 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 28 - angeordnet, wobei die Halbleiterchips 3 derart beabstandet zueinander aufgebracht werden, dass sich zwischen den Halbleiterchips 3 Kavitäten 4 bilden. Ein fotobelichtbares Material 5 wird eingebracht, wobei zumindest die Kavitäten 4 mit dem fotobelichtbaren Material 5 befüllt werden. Zum einen können die Kavitäten 4 und der Bereich oberhalb der Halbleiterchips 3 in einem Schritt mit dem fotobelichtbaren Material 5 befüllt werden. Alternativ kann ein zweistufiges Verfahren angewandt werden. Hierbei wird zunächst das fotobelichtbare Material 5 in die Kavitäten 4 eingebracht. Das fotobelichtbare Material 5 in den Kavitäten 4 und die Halbleiterchips 3 schließen bündig an deren Oberfläche miteinander ab. In einem zweiten Schritt wird dann ein Trockenlack auf das fotobelichtbare Material 5 in den Kavitäten 4 und auf die Halbleiterchips 3 als bevorzugt durchgängige Schicht aufgebracht. Als fotobelichtbares Material 5 wird im ersten Schritt bevorzugt ein Nasslack verwendet. Der Vorteil des zweistufigen Verfahrens ist, dass der Trockenlack als vordefinierte sehr homogene Schicht auf den Halbleiterchip 3 und auf die mit fotobelichtbaren Material 5 befüllten Kavitäten 4 aufgebracht werden kann, wohingegen der Nasslack durch das Aufspinnen über die gesetzten Halbleiterchips deutlich größere Inhomogenitäten ausbilden kann, wodurch die Lichtauskopplung des optoelektronischen Bauelements 1 beeinträchtigt werden würde. In einem nächsten Schritt, Figur 2B, erfolgt die Belichtung 6 des fotobelichtbaren Materials 5, wobei Teile des fotobelichtbaren Materials 7, welche den Halbleiterchips 3 in Bezug auf die Belichtung 6 nachgeordnet sind, unbelichtet 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 29 - bleiben. Die Belichtung 6 erfolgt durch den Träger 2 und durch die Haftschicht 12 hindurch, sodass der Teil des fotobelichtbaren Materials 7, welcher sich auf den Halbleiterchips 3 befindet, unbelichtet bleibt. Das fotobelichtbare Material 8 in den Kavitäten 4 wird belichtet und härtet aus. In Figur 2C ist gezeigt, dass die unbelichteten Teile des fotobelichtbaren Materials 7 entfernt wurden. Dadurch werden Ausnehmungen 10 gebildet. Diese Ausnehmungen 10 weisen die gleiche Tiefe 15 auf wie die Dicke des unbelichteten Teils des fotobelichtbaren Materials 7. In einem nächsten Schritt, Figur 2D, wird eine Funktionsschicht 11 auf die Halbleiterchips 3 aufgebracht. Die Funktionsschicht 11 ist beispielsweise eine Konversionsschicht oder eine Reflexionsschicht. Ist der Halbleiterchip 3 ein seitenemittierender Halbleiterchip 3, so weist die Funktionsschicht 11 TiO ₂ und/oder ZrO ₂ auf. Die Funktionsschicht 11 weist eine Dicke 16 und die Ausnehmung 10 weist eine Tiefe 15 auf, wobei die Dicke 16 der Funktionsschicht 11 höchstens der Tiefe 15 der Ausnehmung 10 entspricht. In Figur 2E wird das belichtete fotobelichtbare Material 8 in den Kavitäten 4 entfernt. Die Entfernung erfolgt durch Lösungsmittel und/oder in einem alkalischen Medium. Das Ausführungsbeispiel der Figur 3 zeigt einen Halbleiterchip 3, der im Betrieb Primärstrahlung eines ersten Wellenlängenbereichs emittiert, eine Funktionsschicht 11, die auf dem Halbleiterchip 3 angeordnet ist, und eine Seitenfläche der Funktionsschicht 13 und eine Seitenfläche 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 30 - des Halbleiterchips 14 die bündig miteinander abschließen. Die Funktionsschicht 11 ist in direktem Kontakt mit dem Halbleiterchip 3 angeordnet. Die Seitenflächen der Funktionsschicht 13 und die Seitenflächen des Halbleiterchips 14 sind frei von Spuren eines Vereinzelungsprozesses. Die Funktionsschicht 11 weist eine Dicke zwischen einschließlich 5 Mikrometer und einschließlich 120 Mikrometer auf. Bevorzugt west die Funktionsschicht 11 eine Dicke bis zu 20 µm auf. Außerdem umfasst die Funktionsschicht 11 eine Konversionsschicht oder eine Reflexionsschicht. Bei seitenemittierenden Halbleiterchips 3 wird bevorzugt eine Reflexionsschicht verwendet. Die Konversionsschicht weist eine Matrix, in der Leuchtstoffpartikel eingebettet sind, auf. Die Reflexionsschicht weist ein Matrixmaterial auf, in das Reflexionspartikel eingebracht sind. Die Reflexionspartikel sind bevorzugt aus der folgenden Gruppe ausgewählt: TiO ₂ , SiO ₂ , ZrO ₂ , Al ₂ O ₃ , BaTiO ₃ , SrTiO ₃ , TCO (transparent leitfähige Oxide), Nb ₂ O ₅ , HfO ₂ , ZnO. Die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Merkmale und Ausführungsbeispiele können gemäß weiteren Ausführungsbeispielen miteinander kombiniert werden, auch wenn nicht alle Kombinationen explizit beschrieben sind. Weiterhin können die in Verbindung mit den Figuren beschriebenen Ausführungsbeispiele alternativ oder zusätzlich weitere Merkmale gemäß der Beschreibung im allgemeinen Teil aufweisen. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102022108133.8, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. 2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 31 - Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

2021PF01914 22. März 2023 P2021,1355 WO N - 32 - Bezugszeichenliste 1 optoelektronisches Bauelement 2 Träger 3 Halbleiterchip 4 Kavität 5 fotobelichtbares Material 6 Belichtung 7 unbelichtetes fotobelichtbares Material 8 belichtetes fotobelichtbares Material 9 Hilfsträger 10 Ausnehmung 11 Funktionsschicht 12 Haftschicht 13 Seitenfläche der Funktionsschicht 14 Seitenfläche des Halbleiterchips 15 Tiefe 16 Dicke