Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen

Halbleiterbauteilen, Leiterrahmenverbund und

optoelektronisches Halbleiterbauteil

Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines

optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. Darüber hinaus wird ein Leiterrahmenverbund sowie ein

optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zur Herstellung optoelektronischer Halbleiterbauteile anzugeben, wobei mit dem Verfahren eine hohe Ausbeute erzielbar ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens

beinhaltet dieses den Schritt des Bereitstellens eines

Leiterrahmenverbunds. Der Leiterrahmenverbund beinhaltet eine Vielzahl von Leiterrahmen. Bevorzugt ist jeder der

Leiterrahmen des Leiterrahmenverbunds für eines der

herzustellenden Halbleiterbauteile vorgesehen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist jeder der Leiterrahmen mindestens zwei oder genau zwei oder mindestens drei oder genau drei Leiterrahmenteile auf. Über die einzelnen Leiterrahmenteile des Leiterrahmens ist das optoelektronische Halbleiterbauteil, für das der

entsprechende Leiterrahmen bestimmt ist, elektrisch

kontaktierbar und verschaltbar .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens

beinhaltet dieses den Schritt des Erstellens eines

Vergusskörpers für Gehäusekörper der einzelnen Halbleiterbauteile. Insbesondere wird der Vergusskörper über ein Spritzgießen, ein Spritzpressen, ein Gießen oder ein Pressen hergestellt. Insbesondere wird der Vergusskörper über so genanntes Transfer Molding erzeugt. Auch ist ein Erstellen des Vergusskörpers beispielsweise mittels Injection Molding, Liquid Transfer Molding oder Compression Molding möglich.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform verbindet der

Vergusskörper die einzelnen Leiterrahmenteile eines

Leiterrahmens mechanisch miteinander. Ist der

Leiterrahmenverbund sowie der Vergusskörper sodann zu den einzelnen Halbleiterbauteilen vereinzelt, so sind die

Leiterrahmenteile dann mechanisch über den Gehäusekörper, insbesondere ausschließlich über den Gehäusekörper,

mechanisch miteinander fest verbunden. Mit anderen Worten kann es sich bei dem Gehäusekörper um die das

Halbleiterbauteil mechanisch stützende, tragende und

zusammenhaltende Komponente handeln. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Testens der Halbleiterbauteile. Das Testen ist insbesondere ein elektrisches Testen und kann alternativ oder zusätzlich auch ein optisches und/oder thermisches Testen sein. Beispielsweise werden bei dem Testen elektrische Eigenschaften wie Widerstände oder eine Strom-Spannungs- Charakteristik getestet. Ebenso können die jeweiligen

Halbleiterbauteile elektrisch betrieben werden, sodass eine Abstrahl-Charakteristik oder eine thermische Charakteristik der Halbleiterbauteile testbar ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Schritt des Testens vor einem Vereinzeln des

Leiterrahmenverbunds sowie des Vergusskörpers zu den einzelnen Halbleiterbauteilen durchgeführt. Mit anderen

Worten kann das Testen im Leiterrahmenverbund erfolgen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden vor dem Testen auf den einzelnen Leiterrahmen des

Leiterrahmenverbunds elektrische Bauteile wie Schutzdioden gegen Schäden vor elektrostatischer Entladung oder

optoelektronische Halbleiterchips wie Leuchtdiodenchips aufgebracht. Beim Testen ist dann insbesondere eine Kontrolle der Verschaltung und/oder die Funktionstüchtigkeit der

Schutzdioden oder der optoelektronischen Halbleiterchips möglich .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Leiterrahmenverbund mehrere Testkontakte auf. Die

Testkontakte sind an einer Oberseite des Leiterrahmenverbunds frei zugänglich. Die Oberseite liegt hierbei einer Unterseite des Leiterrahmenverbunds gegenüber. Die Unterseite ist insbesondere diejenige Seite des Leiterrahmenverbunds, die bei dem fertig hergestellten Halbleiterbauteil zu einer

Oberflächenmontage eingerichtet ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens

beinhaltet das Testen, an den Testkontakten an der Oberseite mindestens zeitweise einen elektrischen Kontakt, insbesondere mit einem Testwerkzeug, herzustellen. Beispielsweise werden die Testkontakte an der Oberseite zeitweise über Nadeln oder so genannte Pogo-Pins kontaktiert. Alternativ ist es möglich, dass die Testkontakte permanent zum Beispiel über Bonddrähte kontaktiert sind. In mindestens einer Ausführungsform dient das Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und umfasst mindestens die folgenden Schritte:

- Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds mit einer Vielzahl von Leiterrahmen für die Halbleiterbauteile, wobei der

Leiterrahmenverbund mehrere Testkontakte umfasst, die an einer Oberseite des Leiterrahmenverbunds frei zugänglich sind, und wobei der Oberseite eine Unterseite gegenüberliegt, die zu einer Oberflächenmontage des Halbleiterbauteils eingerichtet ist,

- Erstellen eines Vergusskörpers für Gehäusekörper der einzelnen Halbleiterbauteile, wobei der Vergusskörper

Leiterrahmenteile der einzelnen Leiterrahmen mechanisch miteinander verbindet, und

- elektrisches Testen der Halbleiterbauteile vor dem

Vereinzeln, wobei das Testen beinhaltet, die Testkontakte mindestens zeitweise an der Oberseite elektrisch zu

kontaktieren . Bevorzugt werden die einzelnen Verfahrensschritte in der angegebenen Reihenfolge durchgeführt. Eine hiervon

abweichende Reihenfolge ist alternativ ebenso möglich.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei dem hergestellten optoelektronischen Halbleiterbauteil um ein

QFN-Bauteil, wobei QFN für Quad Fiat No Leads steht. Solche Bauteile sind oberflächenmontierbar .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Leiterrahmen matrixartig oder array-artig in dem Leiterrahmenverbund angeordnet. Ein solches Design des Leiterrahmenverbunds wird auch als MAP-Design bezeichnet. Bei QFN-Halbleiterbauteilen wie QFN-LEDs wird oft ein halb geätzter Leiterrahmen oder Leiterrahmenverbund verwendet. Im Leiterrahmenverbund sind die Leiterrahmen für die

Halbleiterbauteile mit ihrem jeweiligen Nachbarn elektrisch leitend über Verbindungsstege verbunden. Nachdem

optoelektronische Halbleiterchips wie Leuchtdiodenchips an den einzelnen Leiterrahmen montiert und elektrisch

kontaktiert sind, sind diese dann kurzgeschlossen. Ein

Funktionstest oder eine Verschaltung der Bauteile vor einem Vereinzeln ist daher nicht möglich.

Durch die zusätzlichen Testkontakte lassen sich die einzelnen Halbleiterbauteil noch im Leiterrahmenverbund von der

Oberseite her testen. Fehler etwa in der Verschaltung sind daher frühzeitig und bereits vor dem Vereinzeln erkennbar. Dadurch ist eine Prozessausbeute steigerbar.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Leiterrahmen und/oder die Leiterrahmenteile mindestens zum Teil über Verbindungsstege des Leiterrahmenverbunds elektrisch und zumindest zeitweise mechanisch miteinander verbunden. Die Verbindungsstege sind bevorzugt aus dem gleichen Material gebildet wie die Leiterrahmen und die Leiterrahmenteile.

Insbesondere sind die Verbindungsstege einstückig mit den

Leiterrahmen und Leiterrahmenteilen aus demselben Metallblech gefertigt. Die Verbindungsstege haben in dem fertig

hergestellten Halbleiterbauteil bevorzugt keine elektrische und mechanische Funktion mehr.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens sind die Leiterrahmen und/oder die Leiterrahmenteile mindestens zum Teil jeweils mit den Testkontakten in dem Leiterrahmenverbund durch die Verbindungsstege elektrisch miteinander verbunden, Insbesondere ist jeder der Testkontakte mit genau einem der Leiterrahmenteile oder mit genau einem der Verbindungsstege unmittelbar elektrisch verbunden. Die unmittelbare

elektrische Verbindung kann durch ein Material des

Leiterrahmenverbunds selbst erfolgen oder auch durch ein elektrisches Verbindungsmittel wie einem Bonddraht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei dem Leiterrahmenverbund um ein einstückiges Werkstück. Alle

Leiterrahmen sowie weitere Komponenten des

Leiterrahmenverbunds wie die Leiterrahmenteile und die

Verbindungsstege hängen dann einstückig zusammen.

Beispielsweise sind die einzelnen Leiterrahmen und weiteren Bestandteile des Leiterrahmenverbunds durch ein Stanzen oder ein Schneiden aus einem metallischen Blech geformt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das Verfahren den Schritt des Anbringens von zusätzlichen elektrischen

Verbindungsmitteln zwischen benachbarten Leiterrahmen

und/oder zwischen benachbarten Leiterrahmenteilen und/oder zwischen benachbarten Verbindungsstegen auf. Bei den

Verbindungsmitteln handelt es sich beispielsweise um

elektrisch leitende Bänder, elektrisch leitende Brücken oder, besonders bevorzugt, um Bonddrähte. Die Verbindungsmittel sind von dem Leiterrahmenverbund verschieden und nicht einstückig mit diesem hergestellt. Insbesondere sind die Verbindungsmittel nicht aus demselben Werkstoff geformt wie der Leiterrahmenverbund.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei dem hergestellten Halbleiterbauteil um ein oberflächenmontierbares Bauteil, auch als SMD, kurz für

Surface Mountable Device, bezeichnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt der Schritt des Erstellens des Vergusskörpers nach dem

Schritt des Anbringens der elektrischen Verbindungsmittel. Insbesondere werden die elektrischen Verbindungsmittel in ein Material des Vergusskörpers eingebettet. Nach dem Schritt des Erstellens des Vergusskörpers sind dann die elektrischen Verbindungsmittel bevorzugt nicht mehr frei zugänglich.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet das

Verfahren den Schritt des Entfernens und/oder Unterbrechens mindestens eines Teils der Verbindungsstege. Das Entfernen und/oder Unterbrechen der Verbindungsstege erfolgt bevorzugt durch eine Wegnahme von Material des Leiterrahmenverbunds. Beispielsweise geschieht dies durch Ätzen, Sägen, Schleifen und/oder Materialabtrag durch Strahlung wie Laserablation oder Laserschneiden. Auch kann das Unterbrechen der

Verbindungsstege durch ein Stanzen oder ein Biegen und/oder Abreißen, zum Beispiel mittels eines Meißels, erfolgen. Es ist möglich, dass alle Verbindungsstege unterbrochen oder entfernt werden. Bevorzugt wird jedoch lediglich ein Teil der Verbindungsstege unterbrochen oder entfernt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt der Schritt des Entfernens und/oder Unterbrechens mindestens eines Teils der Verbindungsstege nach dem Erstellen des

Vergusskörpers. Es ist also möglich, dass die

Verbindungsstege erst unterbrochen werden, nachdem der

Leiterrahmenverbund durch den Vergusskörper mechanisch stabilisiert ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens

beinhaltet dieses den Schritt des Entfernens der Testkontakte nach dem Testen. Insbesondere werden bei dem Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen die Testkontakte von den

Halbleiterbauteilen abgetrennt, beispielsweise mittels Sägen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens stehen, nach dem Schritt des Entfernens oder Unterbrechens mindestens eines Teils der Verbindungsstege, die Leiterrahmenteile innerhalb eines Leiterrahmens nicht mehr in unmittelbarem elektrischen Kontakt miteinander. Dies kann bedeuten, dass zwischen den einzelnen Leiterrahmenteilen keine einstückige, elektrisch leitende Materialverbindung besteht.

Beispielsweise sind die Leiterrahmenteile innerhalb der

Leiterrahmen jeweils nur über elektrische Bauteile wie die optoelektronischen Halbleiterchips mittelbar elektrisch miteinander verbunden. Insbesondere ist entlang einer

Stromflussrichtung zwischen den Leiterrahmenteilen innerhalb eines Leiterrahmens mindestens ein pn-Übergang angeordnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens sind erste der Leiterrahmenteile elektrisch zu Spalten und zweite der Leiterrahmenteile elektrisch zu Zeilen verschaltet.

Beispielsweise sind die optoelektronischen Halbleiterchips jeweils mindestens oder nur auf den ersten Leiterrahmenteilen angebracht. Die Schutzdioden können auf den zweiten

Leiterrahmenteilen angebracht sein. Bevorzugt ist jeder der Leiterrahmen genau einer der Spalten und genau einer der Zeilen eineindeutig zugeordnet. Benachbarte Zeilen sind bevorzugt voneinander elektrisch isoliert, ebenso wie

benachbarte Spalten. Durch Kontaktieren einer der Zeilen und einer der Spalten ist dann ein Halbleiterchip an einem Kreuzungspunkt zwischen dieser Zeile und dieser Spalte elektrisch betreibbar.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst jede der Zeilen und jede der Spalten mindestens einen der

Testkontakte. Bevorzugt umfasst jede der Zeilen und jede der Spalten genau einen oder genau zwei der Testkontakte, wobei sich die Testkontakte besonders bevorzugt jeweils an einem Ende und an einem Beginn jeder der Zeilen und jeder der

Spalten befinden. Die Testkontakte können mit einem ersten und einem letzten der Leiterrahmenteile und/oder der

Verbindungsstege der jeweiligen Zeilen und Spalten

unmittelbar elektrisch verbunden sein. Alternativ hierzu ist es auch möglich, dass sich die

Testkontakte nicht an einem Anfang und/oder an einem Ende der jeweiligen Zeilen und Spalten befinden, sondern dass die Testkontakte teilweise oder vollständig innerhalb der Zeilen und Spalten angebracht sind. In diesem Fall befinden sich beiderseits der Testkontakte die Leiterrahmenteile und/oder die Verbindungsstege.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Anbringens von Schutzdioden gegen Schäden durch elektrostatische Entladungen, kurz ESD-Schutzdioden . Bevorzugt wird dieser Schritt vor dem Erstellen des

Vergusskörpers durchgeführt. Die Schutzdioden werden beim Erstellen des Vergusskörpers bevorzugt von dem Vergusskörper überdeckt und/oder in ein Material des Vergusskörpers eingebettet. Insbesondere sind die Schutzdioden nach dem Erstellen des Vergusskörpers nicht mehr frei zugänglich. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren den Schritt des Anbringens von optoelektronischen

Halbleiterchips wie Leuchtdiodenchips je auf einem der

Leiterrahmenteile oder je auf mehreren der Leiterrahmenteile von einem der Leiterrahmen. Beispielsweise werden die

Halbleiterchips auf ein erstes der Leiterrahmenteile

aufgeklebt oder aufgelötet und dann insbesondere mit Hilfe eines Bonddrahts elektrisch mit einem zweiten der

Leiterrahmenteile verbunden. Alternativ hierzu kann es sich bei den Halbleiterchips um so genannte Flip-Chips handeln. Eine elektrische Verbindung zwischen den beiden

Leiterrahmenteilen erfolgt dann bevorzugt über den

Halbleiterchip selbst. Der Schritt des Anbringens der

Halbleiterchips erfolgt bevorzugt nach dem Erstellen des Vergusskörpers und vor dem Vereinzeln zu den

Halbleiterbauteilen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform werden die

Leuchtdiodenchips oder die Schutzdioden zeilenweise und spaltenweise einzeln und unabhängig voneinander bestromt. Bei dem Testen kann es sich um eine Vierleitermessung handeln, englisch four-terminal sensing.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens sind die Schutzdioden jeweils entlang der Spalten auf jedem zweiten der Leiterrahmenteile angebracht. Bei diesen

Leiterrahmenteilen handelt es sich insbesondere um die kleineren Leiterrahmenteile der Leiterrahmen, wobei es ebenso möglich ist, dass sich die Schutzdioden auf den größeren Leiterrahmenteilen befinden oder dass die Leiterrahmenteile eines Leiterrahmens gleich groß sind. Dass die Schutzdioden auf jedem zweiten der Leiterrahmenteile längs der Spalten angebracht sind, kann bedeuten, dass größere Leiterrahmenteile und kleinere Leiterrahmenteile entlang der Spalten abwechselnd aufeinander folgen und dass auf jedem der kleineren Leiterrahmenteile eine der Schutzdioden angebracht ist .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens stehen alle oder mindestens ein Teil der Verbindungsmittel, die entlang der Spalte mit den Schutzdioden verlaufen, nicht in unmittelbarem elektrischen Kontakt mit den

Leiterrahmenteilen, auf denen die Schutzdioden aufgebracht sind. Insbesondere sind diese Verbindungsmittel an einer dem Leiterrahmenteil abgewandten Oberteil der Schutzdioden aufgebracht. Eine elektrische Verbindung zwischen diesen Verbindungsmitteln und dem entsprechenden Leiterrahmenteil erfolgt somit nur indirekt über die Schutzdiode.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Verbindungsmittel, die insbesondere jeweils Bonddrähte sind, beim Vereinzeln teilweise oder vollständig entfernt. Es ist hierbei möglich, dass lediglich ein Teil der

Verbindungsmittel vollständig oder teilweise entfernt wird oder auch, dass alle der Verbindungsmittel teilweise oder vollständig entfernt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens kommen diejenigen der Verbindungsstege, die von dem Schritt des Entfernens oder des Unterbrechens eines Teils der

Verbindungsstege nicht betroffen sind, an einer den

Verbindungsmitteln abgewandten Unterseite des

Leiterrahmenverbunds mit einem Material des Vergusskörpers in Berührung. Mit anderen Worten sind diese nicht entfernten und nicht unterbrochenen Verbindungsstege von der Unterseite des Leiterrahmenverbunds zurückgesetzt. Die Unterseite ist hierbei diejenige Seite, die zur Montage der vereinzelten Halbleiterbauteile vorgesehen ist. Es ist insbesondere möglich, dass, in einer Ebene senkrecht zur Unterseite, die nicht unterbrochenen und nicht entfernten Verbindungsstege ringsum von dem Material des Vergusskörpers umgeben werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird mindestens ein Teil der Leiterrahmenteile, insbesondere alle Leiterrahmenteile, in Draufsicht auf die Unterseite gesehen nach dem Schritt des Vereinzeins jeweils ringsum von einem Material des Vergusskörpers umgeben. Mit anderen Worten stehen die Leiterrahmenteile dann nicht in Kontakt zu

Seitenflächen des Vergusskörpers und reichen nicht bis an die Seitenflächen heran.

Darüber hinaus wird ein Leiterrahmenverbund angegeben. Der Leiterrahmenverbund wird in einem Verfahren eingesetzt, wie in Verbindung mit mindestens einer der oben genannten

Ausführungsformen angegeben. Merkmale des

Leiterrahmenverbunds sind daher auch für das Verfahren offenbart und umgekehrt.

In mindestens einer Ausführungsform weist der

Leiterrahmenverbund eine Vielzahl von einzelnen Leiterrahmen auf. Der Leiterrahmenverbund ist einstückig geformt und die Leiterrahmen sind matrixartig in dem Leiterrahmenverbund angeordnet. Jeder der Leiterrahmen ist für ein

Halbleiterbauteil vorgesehen. Die Leiterrahmen umfassen je mindestens ein erstes Leiterrahmenteil und mindestens ein zweites Leiterrahmenteil. Mindestens die ersten

Leiterrahmenteile sind dazu vorgesehen, dass darauf ein optoelektronischer Halbleiterchip wie ein Leuchtdiodenchip angebracht wird. Die einzelnen Leiterrahmen und/oder Leiterrahmenteile sind mindestens zum Teil elektrisch

miteinander über Verbindungsstege verbunden. Ferner weist der Leiterrahmenverbund Testkontakte auf, die außerhalb der matrixartig angeordneten Leiterrahmen jeweils mindestens an einem Ende und/oder an einem Beginn der Spalten und Zeilen angeordnet sind. Dass sich die Testkontakte außerhalb der matrixartigen Anordnung befinden, kann bedeuten, dass die Testkontakte die matrixartige Anordnung rahmenartig umgeben und sich keine der Testkontakte innerhalb der matrixartigen Anordnung befinden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des

Leiterrahmenverbunds sind die Testkontakte jeweils elektrisch leitend mit den Leiterrahmenteilen an einem Rand der

matrixartigen Anordnung verbunden. Die Testkontakte können also elektrisch leitend jeweils mit den äußersten

Leiterrahmen und/oder Leiterrahmenteilen und/oder

Verbindungsstegen des Leiterrahmenverbunds, insbesondere in einer jeder der Spalten und in einer jeder der Zeilen, verbunden sein.

Darüber hinaus wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben, das mit einem Verfahren, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen beschrieben, aus einem angegebenen Leiterrahmenverbund hergestellt ist. Merkmale des Verfahrens und des

Leiterrahmenverbunds sind auch für das Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt. In mindestens einer Ausführungsform weist das

Halbleiterbauteil einen Leiterrahmen mit mindestens einem ersten und mit mindestens einem zweiten Leiterrahmenteil auf. Ebenso beinhaltet das Halbleiterbauteil einen oder mehrere optoelektronische Halbleiterchips wie Leuchtdiodenchips. Der Halbleiterchip ist wenigstens auf dem ersten Leiterrahmenteil mechanisch befestigt. Ein Gehäusekörper verbindet die

Leiterrahmenteile mechanisch miteinander und weist eine

Ausnehmung auf, in der der Halbleiterchip angebracht ist. Es umfasst das Halbleiterbauteil mindestens ein elektrisches Verbindungsmittel in Form eines Bonddrahts. Das elektrische Verbindungsmittel steht mit dem Halbleiterchip höchstens in mittelbarem elektrischen Kontakt. Insbesondere stehen der Halbleiterchip und das Verbindungsmittel nicht in einem unmittelbaren Kontakt zueinander und berühren sich nicht.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils weist dieses eine Montageseite auf, die zur Montage des

Halbleiterbauteils vorgesehen ist. Die Leiterrahmenteile sind ausschließlich an der Montageseite zur Montage zugänglich. Insbesondere ragen die Halbleiterbauteile nur an der

Montageseite aus dem Gehäusekörper heraus oder schließen nur an der Montageseite bündig mit dem Gehäusekörper ab.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Halbleiterbauteils ist das Verbindungsmittel an einer oder an mehreren,

insbesondere gegenüberliegenden Seitenflächen des

Gehäusekörpers frei zugänglich. Bevorzugt liegt an mindestens einer Seitenfläche ein Material des Verbindungsmittels frei und ist nicht von einem Material des Gehäusekörpers bedeckt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist, in Draufsicht auf die Seitenfläche gesehen, das freiliegende Verbindungsmittel ringsum von einem Material des Gehäusekörpers umgeben. Mit anderen Worten befindet sich das Verbindungsmittel nicht an einem Rand sondern innerhalb der Seitenfläche. Nachfolgend wird ein hier beschriebenes Verfahren sowie ein hier beschriebener Leiterrahmenverbund und ein hier

beschriebenes Halbleiterbauteil unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei keine maßstäblichen

Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Es zeigen:

Figuren 1 und 2 schematische Darstellungen von

Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen

Verfahren zur Herstellung von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen,

Figuren 3 bis 5 schematische Draufsichten von

Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen

Leiterrahmenverbünden für hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauteile, und

Figur 6 schematische Schnittdarstellungen von

Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen.

In Figur 1A ist ein erster Schritt eines Verfahrens zur

Herstellung eine optoelektronischen Halbleiterbauteils 1 schematisch illustriert. Gemäß dem Verfahrensschritt nach Figur 1A wird ein Leiterrahmenverbund 2 bereitgestellt. Der Leiterrahmenverbund 2 umfasst eine Vielzahl von Leiterrahmen 3, die matrixartig in Spalten C und Zeilen R angeordnet sind. Jeder der Leiterrahmen 3 umfasst zwei Leiterrahmenteile 34, 38. Anders als dargestellt, können die Leiterrahmen auch mehr als zwei Leiterrahmenteile 34, 38 aufweisen.

Entlang der Zeilen R sind die kleineren Leiterrahmenteile 34 über Verbindungsstege 6e einstückig elektrisch miteinander verbunden. Entlang der Spalten C sind die Leiterrahmenteile 34, 38 über die Verbindungsstege 6a und optional über die Verbindungsstege 6b miteinander verbunden. Entlang der Zeilen R können optional zusätzlich mechanische Verbindungen über die Verbindungsstege 6c vorhanden sein. An einem Ende der

Zeilen R und der Spalten C befinden sich jeweils elektrische Testkontakte 29a, 29b. Mit einem umlaufenden Rand des

Leiterrahmenverbunds 2 mit einem optionalen weiteren

Testkontakt 29c in einer Ecke können die Testkontakte 29a, 29b über die Verbindungsstege 6d kontaktiert sein.

Anders als in Figur 1A dargestellt, befinden sich die

Testkontakte 29a, 29b bevorzugt sowohl an einem Ende als auch an einem Beginn der jeweiligen Spalten C und Zeilen R. In diesem Fall ist eine Vierpunktmessung der später angebrachten optoelektronischen Halbleiterbauteile möglich. Ebenso anders als dargestellt ist es möglich, dass die Verbindungsstege 6a zur besseren mechanischen Stabilisierung des

Leiterrahmenverbunds 2 entlang der Spalten C durchgehend geformt sind und nicht durch Lücken hin zu den

Verbindungsstegen 6e entlang der Zeilen R unterbrochen sind.

In Figur 1B sind weitere Verfahrensschritte schematisch dargestellt. Zuerst werden elektrische Verbindungsmittel 4 in Form von Bonddrähten angebracht. Die Verbindungsmittel 4 überbrücken die Verbindungsstege 6e und verbinden die

Verbindungsstege 6a entlang der Zeilen C elektrisch

miteinander. Nachfolgend wird ein Vergusskörper 50 erstellt, in Figur 1B nicht gezeichnet. Über den Vergusskörper 50, vergleiche Figur IC, werden die Leiterrahmenteile 34, 38 sowie die Verbindungsstege mechanisch miteinander verbunden. In einem weiteren Verfahrensschritt wird ein Teil der

Verbindungsstege, insbesondere die Verbindungsstege 6b, 6c, unterbrochen und/oder entfernt, ebenso wie die

Verbindungsstege 6d. Je nach Ausgestaltung des gemäß Figur 1A bereitgestellten Leiterrahmenverbunds 2 ist dieser

Verfahrensschritt optional.

In einem weiteren Verfahrensschritt, bevorzugt nachdem der Vergusskörper 50 erstellt und nachdem die optionalen

Verbindungsstege 6b, 6c, 6d entfernt sind, werden an den größeren, ersten Leiterrahmenteilen 38 optoelektronische

Halbleiterchips 8, bevorzugt Leuchtdiodenchips, angebracht, beispielsweise über ein Löten oder Kleben. Über Bonddrähte 9 werden die Leuchtdiodenchips 8 mit den kleineren, zweiten Leiterrahmenteilen 34 elektrisch verbunden. Eine Draufsicht auf den Leiterrahmenverbund 2 mit dem Vergusskörper 50 ist in Figur IC dargestellt.

In Figur 1D ist ein Schnitt entlang der Linie D-D in Figur IC gezeigt. In den Figuren IC und 1D sind Vereinzelungsbereiche 10, entlang derer eine Vereinzelung beispielsweise mittels Sägens erfolgt, durch Strich-Linien angedeutet. Gemäß Figur 1D werden die Testkontakte 29a, 29b über ein Testwerkzeug 90, beispielsweise in Form von Nadelkontakten oder Pogo-Pins, zeitweise elektrisch kontaktiert. Durch die elektrische

Verschaltung zu Zeilen R und Spalten C, die jeweils einzeln bestrombar sind, sind die Leuchtdiodenchips 8 dann im

Leiterrahmenverbund 2 unabhängig voneinander elektrisch, thermisch und/oder optisch testbar und charakterisierbar. Eine weitere Ausführungsform des Leiterrahmenverbunds 2 ist in einer perspektivischen Draufsicht in Figur 2A und in einem Detailausschnitt in Figur 2B gezeigt. Entlang der Spalten C sind benachbarte Leiterrahmen mit den Verbindungsstegen 6b miteinander verbunden. Die Verbindungsstege 6a verlaufen, unterbrochen durch die entlang der Zeilen R verlaufenden Verbindungsstege 6e, entlang der Spalten C. In einer

diagonalen Richtung sind Verbindungsstege 6d vorhanden. Alle Verbindungsstege weisen bevorzugt eine geringere Dicke auf als die Leiterrahmenteile 34, 38. Die mittlere Dicke der Verbindungsstege beträgt insbesondere zwischen einschließlich 30 % und 70 % der mittleren Dicke der Leiterrahmenteile 34, 38. Die Verbindungsstege 6a, 6e, 6f reichen von der Oberseite 25 nicht bis an die der Oberseite 25 gegenüberliegende

Unterseite 20 heran. Die Verbindungsstege 6b, 6c, 6d

schließen bündig mit der Unterseite 20 ab und reichen nicht bis an die Oberseite 25 heran. Gemäß der Figuren 2A und 2B sind die Verbindungsstege 6a über die Verbindungsmittel 4 elektrisch in Serie geschaltet.

Beim Verfahrensschritt gemäß Figur 2C wird der Vergusskörper 50 angebracht. Der Vergusskörper 50 überdeckt die

Verbindungsmittel 4 sowie alle Verbindungsstege. In Figur 2D ist der bereits erstellte Vergusskörper 50 nicht gezeigt. Die sich an der Unterseite 20 befindlichen Verbindungsstege 6b, 6c, 6d sind gemäß Figur 2D entfernt, beispielsweise über eine Fotomaskierung und über ein nachfolgendes Ätzen oder auch über ein Sägen, Ritzen, Schleifen oder über eine Abtragung durch Strahlungseinwirkung, beispielsweise Laserablation .

Eine Detailansicht des Leiterrahmenverbunds 2 gemäß Figur 2D ist auch in Figur 2E gezeigt. Beim Verfahrensschritt gemäß Figur 2F werden die Leuchtdiodenchips 8 und die Bonddrähte 9 angebracht. In Figur 2G ist das Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen 1 entlang der Vereinzelungsbereiche 10 illustriert. Die

Verbindungsstege 6a und die Verbindungsmittel 4 werden bei dem Vereinzeln jeweils vollständig oder teilweise entfernt.

Die resultierenden Halbleiterbauteile 1 sind in einer

perspektivischen Draufsicht in Figur 2H und in einer

perspektivischen Unteransicht in Figur 21 gezeigt. Die

Leiterrahmenteile 34, 38 sind jeweils ringsum von einem

Material des Gehäusekörpers 5 umgeben. Mit der Unterseite 20 ist das Halbleiterbauteil 1 oberflächenmontierbar . Der

Leuchtdiodenchip 8 befindet sich bevorzugt mittig in der Ausnehmung 58. Anders als dargestellt, können Seitenwände der Ausnehmung 58 mit einem reflektierenden Material und/oder mit einem Material der Leiterrahmenteile 34, 38 bedeckt sein.

An einer Seitenfläche 54 des Gehäusekörpers 5 liegt das Verbindungsmittel 4 frei und ist ringsum von einem Material des Gehäusekörpers 5 umgeben, in Draufsicht auf die

Seitenfläche 54 gesehen. Das Verbindungsmittel 4 ist

bevorzugt ein Relikt der Verschaltung zu den Spalten C und zu den Zeilen R während des Testens. In den fertigen

Halbleiterbauteilen 1 üben die Verbindungsmittel 4 keine elektrische oder mechanische Funktion mehr aus. An der

Unterseite 20 des Halbleiterbauteils 1 sind mehrere

Auskerbungen erkennbar, die an die Seitenfläche 54 reichen. Diese Auskerbungen sind Hohlräume, die vor dem Entfernen von den Verbindungsstegen 6b, 6c, 6d ausgefüllt waren.

In den Figuren 3 und 4 sind weitere Ausführungsbeispiele des Leiterrahmenverbunds 2, vor einem Entfernen und/oder Unterbrechen wenigstens eines Teils der Verbindungsstege 6, in Draufsichten gezeigt. Die Verbindungsstege 6 sowie die Leiterrahmenteile 34, 38 und die Testkontakte 29 sind

einstückig, beispielsweise aus einem Kupferblech über Stanzen oder Schneiden gefertigt. Eine mittlere Periodenlänge der

Testkontakte 29 entlang der Spalten C und entlang der Zeilen R entspricht einer mittleren Periodenlänge der Leiterrahmen 3, siehe Figur 3. Gemäß Figur 4 ist eine Periodenlänge der Testkontakte 29 eine andere als der Leiterrahmen 3. Hierdurch ist es möglich, gleiche Raster von Testnadeln oder Testpins beim Testen des Leiterrahmenverbunds 2 auch bei

unterschiedlichen Abmessungen der einzelnen Leiterrahmen 3 zu verwenden . Eine mittlere Periodenlänge und/oder mittlere laterale

Abmessungen der einzelnen Leiterrahmen 3 liegen

beispielsweise, wie auch in allen anderen

Ausführungsbeispielen, zwischen einschließlich 1 mm und 6 mm, insbesondere bei ungefähr 2,5 mm. Eine mittlere Breite der einzelnen Verbindungsstege beträgt beispielsweise ungefähr 100 μιη. Bei dem Verbindungsmittel 4 kann es sich um Gold- Bonddrähte mit einem mittleren Durchmesser im Bereich von einigen zehn Mikrometern handeln. Wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen weist der

Leiterrahmenverbund 2 zum Beispiel laterale Abmessungen von ungefähr 70 mm x 250 mm auf. Der Leiterrahmenverbund 2 kann an der Oberseite 25 und/oder an der Unterseite 20 teilweise oder ganzflächig mit Nickel, Palladium, Gold und/oder Silber, auch mehrlagig, beschichtet sein. Eine Dicke des

Leiterrahmenverbunds 2, senkrecht zu der Oberseite 25, liegt bevorzugt zwischen einschließlich 150 μιη und 400 μιτι,

insbesondere bei ungefähr 200 μιη. In Figur 5 ist ein Ausführungsbeispiel des

Leiterrahmenverbunds 2 nach dem Anbringen der zusätzlichen elektrischen Verbindungsmittel 4, nach dem Unterbrechen der Verbindungsstege 6 sowie nach einem Anbringen des in Figur 5 nicht gezeichneten Vergusskörpers 50 gezeigt. An den

kleineren der Leiterrahmenteile 34 sind jeweils Schutzdioden 7 zum Schutz vor Schäden vor elektrostatischen Entladungen angebracht. Die Verbindungsmittel 4b entlang der Spalten C sind jeweils über Oberseiten der Schutzdioden 7, die den

Leiterrahmenteilen 34 abgewandt sind, nur mittelbar an den Leiterrahmenteilen 34 angebracht. Hierdurch sind Kurzschlüsse zwischen den Zeilen R und den Spalten C vermeidbar. In Figur 6 sind weitere Ausführungsbeispiele der

optoelektronischen Halbleiterbauteile 1 in

Schnittdarstellungen gezeigt. Die Leiterrahmen sind jeweils von der Unterseite 20 und von der Oberseite 25 her

bearbeitet, beispielsweise mittels Ätzen. Gemäß Figur 6A überragen die Leiterrahmenteile 34, 38 den Gehäusekörper 5 an der Unterseite 20. Gemäß Figur 6B schließen die

Leiterrahmenteile 34, 38 an der Unterseite 20 mit dem

Gehäusekörper 5 bündig ab. Gemäß der Figur 6 weisen die Leiterrahmenteile 34, 38 und der Gehäusekörper 5 teilweise schräge Seitenflächen und/oder Einkerbungen an der Unterseite 20 auf. Anders als gezeichnet, können die Seitenflächen der Leiterrahmenteile 34, 38 und des Gehäusekörpers 5 auch glatt und senkrecht zu der Unterseite 20 orientiert sein.

Optional ist auf dem Leuchtdiodenchips 8 ein

Wellenlängenkonversionselement 82 angebracht. Über das Wellenlängenkonversionselement 82 ist eine von den Leuchtdiodenchips 8 erzeugte Strahlung teilweise oder

vollständig in eine Strahlung einer anderen Wellenlänge umwandelbar. Die Ausnehmung 58 ist optional mit einer Füllung 85 teilweise oder vollständig ausgefüllt. Über die Füllung 85 können optische Eigenschaften des Halbleiterbauteils 1 einstellbar sein. Beispielsweise umfasst die Füllung 85

Streupartikel. Anders als dargestellt kann die Füllung 85 auch linsenförmig geformt sein. Derartige

Wellenlängenkonversionselemente 82 und/oder Füllungen 85 können auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorhanden sein .

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die

Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt.

Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist .

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2011 056 708.9, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.