VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines

Halbleiterbauelements angegeben.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein effizientes

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

anzugeben.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem ein Hilfsträger an einer ersten Seite eines Halbleiterkörpers aufgebracht wird.

Bei dem Hilfsträger kann es sich um einen scheibenförmigen oder um einen quaderförmigen Körper handeln. Zum Beispiel handelt es sich bei dem Hilfsträger um einen Wafer. Zum

Beispiel weist der Hilfsträger in einer lateralen Richtung eine größere Ausdehnung auf als in einer vertikalen Richtung.

Die lateralen Richtungen sind dabei diejenigen Richtungen, die parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Hilfsträgers verlaufen. Die vertikale Richtung verläuft senkrecht zu den lateralen Richtungen.

Der Hilfsträger weist einen ersten lateralen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf. Der laterale thermische

Ausdehnungskoeffizient bezieht sich auf die lateralen

Richtungen. Der laterale thermische Ausdehnungskoeffizient beschreibt also die Ausdehnung des Hilfsträgers für gegebene Temperaturunterschiede in den lateralen Richtungen. Der Hilfsträger kann mit Silizium oder mit einem Glas mit einem angepassten lateralen thermischen

Ausdehnungskoeffizienten gebildet sein. Dass der laterale thermische Ausdehnungskoeffizient angepasst ist, bedeutet, dass der laterale thermische Ausdehnungskoeffizient des

Glases beispielsweise ähnlich oder gleich dem lateralen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Silizium ist. Es ist auch möglich, dass der Hilfsträger mit Keramiken

beispielsweise auf Basis von Aluminiumnitrid (A1N) oder

Siliziumnitrid (S13N ₄ ) gebildet ist, wobei der laterale thermische Ausdehnungskoeffizient ebenfalls an den lateralen thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Silizium angepasst ist. Der Hilfsträger ist bevorzugt mit Silizium gebildet, da dieses Material einfach in den Herstellungsprozess des

Halbleiterbauelements integriert werden kann. Es ist möglich, dass der Hilfsträger nicht transparent für sichtbares Licht ist oder es ist möglich, dass der Hilfsträger transparent ist und zur Prozesskontrolle genutzt werden kann. Der Halbleiterkörper kann verschiedene Halbleiterbereiche aufweisen. Beispielsweise kann der Halbleiterkörper

verschiedene Halbleiterschichten aufweisen. Alternativ oder zusätzlich kann der Halbleiterkörper einen n- und einen p- dotierten Bereich und einen aktiven Bereich aufweisen. Der Halbleiterkörper weist eine Haupterstreckungsebene auf, welche parallel zur lateralen Richtung ist. Bei dem

Halbleiterkörper kann es sich zum Beispiel um einen

Halbleiterwafer handeln, der eine Vielzahl elektronischer oder optoelektronischer Bauteile umfasst. Bei den Bauteilen kann es sich zum Beispiel um Dioden, Transistoren,

integrierte Schaltkreise, Leuchtdioden oder Laser handeln. Es ist auch möglich, dass es sich bei den Bauteilen um

Strahlungsdetektoren, insbesondere solche zur Detektion von elektromagnetischer Strahlung im infraroten oder im

ultravioletten Spektralbereich, handelt.

Der Hilfsträger und der Halbleiterkörper können direkt miteinander verbunden werden, ohne dass ein Verbindungsmittel zwischen den beiden Komponenten angeordnet wird. Es ist auch möglich, dass zwischen dem Hilfsträger und dem

Halbleiterkörper ein Verbindungsmaterial angeordnet ist. Der Hilfsträger kann dann beispielsweise durch Kleben oder Löten auf den Halbleiterkörper aufgebracht werden.

Bevorzugt wird der Halbleiterkörper während des

Verbindungsprozesses vom Halbleiterkörper mit dem Hilfsträger um weniger als 100 K über eine Ausgangstemperatur erwärmt. Die Ausgangstemperatur kann die Temperatur des

Halbleiterkörpers vor dem Aufbringen des Hilfsträgers sein. Die Ausgangstemperatur kann beispielsweise zwischen 15°C und 25°C liegen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Verfahren weiter den Schritt des Aufbringens eines Anschlussträgers mit einem zweiten lateralen thermischen Ausdehnungskoeffizienten an einer zweiten Seite des Halbleiterkörpers, welche dem Hilfsträger abgewandt ist. Bei dem Anschlussträger kann es sich zum Beispiel um eine Steuerelektronik auf einem oder in einem Siliziumsubstrat handeln. Es ist auch möglich, dass der Anschlussträger eine integrierte Schaltung oder eine

Umverdrahtung aufweist. Da der Anschlussträger auf der zweiten Seite des Halbleiterkörpers aufgebracht wird, ist der Halbleiterkörper in vertikaler Richtung zwischen dem

Anschlussträger und dem Hilfsträger angeordnet. Der

Anschlussträger, der Halbleiterkörper und der Hilfsträger sind also in einer Stapelrichtung, die parallel zur vertikalen Richtung verläuft, übereinander angeordnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Halbleiterkörper auf einem Aufwachssubstrat , welches

verschieden vom Hilfsträger ist, aufgewachsen. Das

Aufwachssubstrat kann beispielsweise mit Saphir, Silizium, Siliziumcarbid, Galliumoxid, Zinkoxid, Aluminiumnitrid,

Germanium, Galliumarsenid oder Cadmiumtellurid gebildet sein. Der Halbleiterkörper kann auf einem Nitrid- Verbindungshalbleiter, wie beispielsweise Galliumnitrid, basieren und auf einem Aufwachssubstrat , welches mit Saphir gebildet ist, aufgewachsen werden. Es ist auch möglich, dass der Halbleiterkörper mit anderen Verbindungshalbleitern, insbesondere III-V Verbindungshalbleitern, gebildet ist.

Nach dem Aufwachsen des Halbleiterkörpers auf dem

Aufwachssubstrat ist das Aufwachssubstrat an der ersten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens

unterscheiden sich der erste und der zweite laterale

thermische Ausdehnungskoeffizient um höchstens 50 Prozent. Bevorzugt unterscheiden sich der erste und der zweite

laterale thermische Ausdehnungskoeffizient um höchstens 25 Prozent oder um höchstens 20 Prozent voneinander. Besonders bevorzugt unterscheiden sich der erste und der zweite

laterale thermische Ausdehnungskoeffizient um höchstens 10 Prozent oder um höchstens 5 Prozent voneinander.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem ein Hilfsträger mit einem ersten lateralen thermischen Ausdehnungskoeffizienten an einer ersten Seite eines Halbleiterkörpers aufgebracht wird. Weiter umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt, bei dem ein Anschlussträger mit einem zweiten lateralen thermischen Ausdehnungskoeffizienten an einer zweiten Seite des

Halbleiterkörpers, welche dem Hilfsträger abgewandt ist, aufgebracht wird. Dabei wird der Halbleiterkörper auf einem Aufwachssubstrat , welches verschieden vom Hilfsträger ist, aufgewachsen und der erste und der zweite laterale thermische Ausdehnungskoeffizient unterscheiden sich um höchstens 50 %.

Da der Hilfsträger und der Anschlussträger einen ähnlichen oder den gleichen lateralen thermischen

Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, entstehen während des Herstellungsprozesses weniger oder keine thermomechanischen Verspannungen . Insbesondere während des Aufbringens des Anschlussträgers auf den Halbleiterkörper kann das

Halbleiterbauelement um mindestens 100 K über eine

Ausgangstemperatur erwärmt und anschließend um mindestens 50 K abgekühlt werden. Bei diesem Prozess kann es zum Verbiegen des Halbleiterbauelements kommen, wenn die thermischen

Ausdehnungskoeffizienten des Hilfsträgers und des

Anschlussträgers einen zu großen Unterschied aufweisen. Ein Verbiegen des Halbleiterbauelements kann außerdem zu

Problemen bei der Justage des Halbleiterbauelements auf oder in externen Vorrichtungen führen. Ein Verbiegen des

Halbleiterbauelements und Probleme bei der Justage werden dadurch vermieden, dass der erste und der zweite laterale thermische Ausdehnungskoeffizient aneinander angepasst sind. Zusätzlich wird die weitere Bearbeitung des

Halbleiterbauelements ermöglicht oder erleichtert, wenn dieses nicht verbogen ist. Somit kann das Halbleiterbauelement mit Hilfe des Verfahrens effizient hergestellt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Aufwachssubstrat vor dem Aufbringen des Hilfsträgers

entfernt. Das Aufwachssubstrat kann beispielsweise durch ein Laser-Lift-off Verfahren vom Halbleiterkörper entfernt werden. Es ist auch möglich, dass das Aufwachssubstrat durch Ätzen in wässriger Lösung aus Fluss- und Salpetersäure entfernt wird. Vorteilhafterweise wird das Aufwachssubstrat im Ganzen vom Halbleiterkörper entfernt und nicht vereinzelt, so dass keine Randeffekte auftreten. Außerdem wird das

Aufwachssubstrat vor dem Aufbringen des Anschlussträgers entfernt, so dass der Anschlussträger nicht während des

Ablösens des Aufwachssubstrates beschädigt werden kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements ist zwischen dem Hilfsträger und dem Halbleiterkörper eine Opferschicht angeordnet, welche nicht epitaktisch hergestellt ist. Die Opferschicht ist also an der ersten Seite des

Halbleiterkörpers angeordnet. Auf diese Weise ist es

besonders einfach möglich, die Opferschicht erst nach dem Aufwachsen des Halbleiterkörpers an der ersten Seite des Halbleiterkörpers aufzubringen.

Der Halbleiterkörper kann epitaktisch auf dem

Aufwachssubstrat aufgewachsen werden, welches vor dem

Aufbringen der Opferschicht entfernt werden kann. Die

Opferschicht kann dazu dienen, den Hilfsträger mit dem

Halbleiterkörper zu verbinden. Die Opferschicht kann durch ein thermisch stabiles Metalloxid wie beispielsweise Zinkoxid gebildet sein. Ferner ist es möglich, dass die Opferschicht Aluminium enthält oder aus diesem besteht. Es ist außerdem möglich, dass zwischen dem Halbleiterkörper und dem

Hilfsträger zusätzlich zur Opferschicht ein Verbindungsmittel angeordnet ist, durch welches der Hilfsträger und der

Halbleiterkörper miteinander verbunden werden. Bei dem

Verbindungsmittel kann es sich insbesondere um einen

Klebstoff oder ein Lotmaterial handeln.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Opferschicht nach dem Aufbringen des Anschlussträgers vom Halbleiterkörper entfernt. Der Hilfsträger kann porös

gestaltet sein oder Löcher aufweisen, um das Herauslösen oder Aufquellen der Opferschicht während des Entfernens der

Opferschicht zu beschleunigen. Dadurch kann die Opferschicht besonders schonend vom Halbleiterkörper und selektiv zu anderen Materialien entfernt werden. Das bedeutet, dass nur die Opferschicht entfernt wird und keine anderen Materialien und, dass insbesondere der Anschlussträger während des

Ablösens der Opferschicht nicht beschädigt wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Opferschicht durch nasschemisches Ätzen vom Halbleiterkörper entfernt. Die Opferschicht kann mit einem amorphen Material gebildet sein. Beispielsweise kann die Opferschicht durch poröses Silizium oder "spin-on-glass" Materialien gebildet sein. Dadurch kann ein Herauslösen oder Entfernen der

Opferschicht erleichtert werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Halbleiterkörper beim Aufbringen des Anschlussträgers von einer Ausgangstemperatur zumindest stellenweise um mindestens 100 K erwärmt und anschließend um mindestens 50 K abgekühlt. Beispielsweise können der Anschlussträger und der Halbleiterkörper durch ein metallisches Lotmaterial

miteinander verbunden werden. Zum Verbinden des

Anschlussträgers mit dem Halbleiterkörper kann das

Halbleiterbauelement zumindest stellenweise um mindestens 100 K erwärmt und der Umgebungsdruck kann erhöht werden. Es ist außerdem möglich zum Verbinden des Anschlussträgers und des Halbleiterkörpers das Lotmaterial zwischen dem

Halbleiterkörper und dem Anschlussträger zu verflüssigen. Anschließend wird das Halbleiterbauelement um mindestens 50 K abgekühlt und der Druck wird gegebenenfalls wieder gesenkt. Vorteilhafterweise weisen der Hilfsträger und der

Anschlussträger laterale thermische Ausdehnungskoeffizienten auf, welche sich um höchstens 50 % unterscheiden. Somit entstehen während des Abkühlungsprozesses keine oder nur wenige thermomechanische Verspannungen im Halbleiterkörper mit dem Anschlussträger.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist der Halbleiterkörper dazu ausgebildet, im Betrieb des

Halbleiterbauelements elektromagnetische Strahlung zu

emittieren. Dazu kann der Halbleiterkörper einen aktiven Bereich aufweisen, welcher dazu ausgelegt ist im Betrieb des Halbleiterbauelements elektromagnetische Strahlung zu

emittieren. Bei dem Halbleiterbauelement kann es sich zum Beispiel um eine Leuchtdiode oder einen Laser handeln. Es ist auch möglich, dass der Halbleiterkörper dazu ausgebildet ist, im Betrieb des Halbleiterbauelements elektromagnetische

Strahlung zu detektieren.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden der Halbleiterkörper und der Hilfsträger quer oder senkrecht zu einer Haupterstreckungsrichtung des Hilfsträgers in eine Vielzahl von Anordnungen, jeweils umfassend einen Teil des Halbleiterkörpers und einen Teil des Hilfsträgers, zertrennt, bevor der Anschlussträger auf den Halbleiterkörper

aufgebracht wird. Das bedeutet, dass der Halbleiterkörper und der Hilfsträger in einzelne Teile vereinzelt werden. Zum Zertrennen des Halbleiterkörpers und des Hilfsträgers sind der Halbleiterkörper und der Hilfsträger zum Beispiel auf einen Rahmen aufgebracht, um die einzelnen Anordnungen zusammen zu halten. Das bedeutet, dass der Halbleiterkörper und der Hilfsträger in vertikaler Richtung oder quer zur Haupterstreckungsrichtung des Hilfsträgers vollständig zertrennt werden und nur durch den Rahmen miteinander

verbunden sind. Es entstehen also Trenngräben zwischen den einzelnen Anordnungen. Die Vielzahl der Anordnungen kann bereits vor dem Aufbringen des Anschlussträgers getestet werden. Handelt es sich bei dem Halbleiterbauelement um eine Leuchtdiode, kann also eine Vielzahl von Leuchtdioden vor dem Aufbringen des

Anschlussträgers getestet oder charakterisiert werden und schadhafte Leuchtdioden können nach dem Zertrennen

aussortiert werden. Es ist auch möglich, dass die Anordnungen nach bestimmten Kriterien, wie zum Beispiel

Emissionswellenlängen, sortiert werden. In einem Ausführungsbeispiel kann der Hilfsträger porös sein oder Löcher aufweisen. In den Bereichen des Hilfsträgers, welche nicht zertrennt werden, in welchen sich also kein Trenngraben befindet, ist der Durchmesser der Löcher

wesentlich kleiner als die Breite der Trenngräben,

beispielsweise kleiner als 20 % der Breite der Trenngräben. Zum Beispiel kann der Durchmesser der Löcher in diesen

Bereichen höchstens 20 ym betragen. In den Bereichen, in denen sich die Trenngräben zwischen der Vielzahl der Anordnungen befinden, können die Löcher im Hilfsträger ähnlich groß sein wie die Breite der Trenngräben.

Beispielsweise können die Löcher im Hilfsträger in den

Bereichen der Trenngräben einen Durchmesser zwischen 80 und 90 % der Breite der Trenngräben aufweisen. Das kann zum

Beispiel bedeuten, dass bei einer Breite der Trenngräben von 120 ym die Löcher im Hilfsträger in den Bereichen der

Trenngräben einen Durchmesser von 105 ym aufweisen können. In einem Ausführungsbeispiel kann die Vielzahl von

Anordnungen auf eine Vielzahl von Anschlussträgern

aufgebracht werden. Das bedeutet, dass auf jede der

Anordnungen ein Anschlussträger aufgebracht wird, welcher eine ähnliche laterale Ausdehnung aufweist wie die Anordnung.

In einem Ausführungsbeispiel weisen die Anordnungen in lateralen Richtungen eine Länge und eine Breite auf. Dabei ist es möglich, dass das Verhältnis von Länge zu Breite der Anordnungen verschieden von 1 ist. Das bedeutet, dass die Anordnungen beispielsweise die Form eines Rechtecks aufweisen können .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist das Aufwachssubstrat nicht mit Silizium gebildet. Bevorzugt ist das Aufwachssubstrat mit Saphir, Siliziumcarbid, Germanium oder Galliumarsenid gebildet. Auf diesen Materialien kann ein Halbleiterkörper, welcher auf einem Nitrid- Verbindungshalbleiter, wie beispielsweise Galliumnitrid, basiert, mit besserer Qualität als auf Silizium aufgewachsen werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Halbleiterkörper einen n-dotierten und einen p-dotierten Bereich auf und der Anschlussträger ist an der Seite des p- dotierten Bereichs auf den Halbleiterkörper aufgebracht. Der n-dotierte Bereich ist mit zumindest einem n-Dotierstoff dotiert. Der n-dotierte Bereich kann eine oder mehrere n- dotierte Halbleiterschichten umfassen. Der p-dotierte Bereich ist mit zumindest einem p-Dotierstoff dotiert. Der p-dotierte Bereich kann eine oder mehrere p-dotierte Halbleiterschichten umfassen. Der n-dotierte Bereich und der p-dotierte Bereich sind in vertikaler Richtung übereinander angeordnet.

Der n-dotierte Bereich kann sich an der ersten Seite des Halbleiterkörpers befinden und der p-dotierte Bereich kann sich an der zweiten Seite des Halbleiterkörpers befinden. Somit kann der n-dotierte Bereich vor dem p-dotierten Bereich auf dem Aufwachssubstrat aufgewachsen werden. Der

Anschlussträger kann auf den p-dotierten Bereich aufgebracht werden. Zwischen dem n-dotierten und dem p-dotierten Bereich kann ein aktiver Bereich angeordnet sein, in dem im Betrieb zum Beispiel elektromagnetische Strahlung erzeugt wird. Dabei kann vorteilhafterweise eine reflektierende Schicht zwischen dem aktiven Bereich und dem Anschlussträger angeordnet sein, so dass elektromagnetische Strahlung, welche im Betrieb des Halbleiterbauelements im Halbleiterkörper emittiert wird, an der reflektierenden Schicht reflektiert wird und den

Halbleiterkörper an der ersten Seite verlassen kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Anschlussträger eine integrierte Schaltung auf.

Beispielsweise kann der Anschlussträger eine Steuerelektronik auf oder in einem Siliziumsubstrat aufweisen. Der

Halbleiterkörper kann durch die integrierte Schaltung

angesteuert oder ausgelesen werden. Es ist auch möglich, dass der Anschlussträger eine Umverdrahtung aufweist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Anschlussträger an seiner dem Halbleiterkörper

zugewandten Außenfläche eine Vielzahl von Kontaktstellen, die mechanisch und elektrisch leitend mit dem Halbleiterkörper verbunden werden, auf. Der Anschlussträger kann also

Kontaktstellen aufweisen, welche mit n-seitigen und p- seitigen Kontaktierungen des Halbleiterkörpers verbunden werden. Somit kann ein aktiver Bereich des Halbleiterkörpers mit dem Anschlussträger elektrisch leitend verbunden sein. Es ist außerdem möglich, dass einzelne Anordnungen,

beispielsweise einzelne Leuchtdioden, des Halbleiterkörpers separat angesteuert werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird vor dem Aufbringen des Hilfsträgers ein Zwischenträger auf der zweiten Seite des Halbleiterkörpers aufgebracht. Der

Zwischenträger kann zum Beispiel vor dem Entfernen des

Aufwachssubstrates vom Halbleiterkörper auf der zweiten Seite des Halbleiterkörpers aufgebracht werden. Der laterale thermische Ausdehnungskoeffizient des Zwischenträgers kann sich um mehr als 50 % vom lateralen thermischen

Ausdehnungskoeffizienten des Anschlussträgers oder des

Hilfsträgers unterscheiden. Es ist auch möglich, dass der Zwischenträger durch Saphir, Silizium oder ein Glas gebildet ist, welches einen ähnlichen thermischen

Ausdehnungskoeffizienten wie Silizium aufweist. Zwischen dem Zwischenträger und dem Halbleiterkörper kann eine

Verbindungsschicht angeordnet sein. Vorteilhafterweise kann die Verbindungsschicht bei ähnlichen Temperaturen wie einer Ausgangstemperatur des Halbleiterkörpers aufgebracht werden und die Verbindungsschicht kann wieder entfernt werden. Der Zwischenträger kann mit dem Halbleiterkörper durch

beispielsweise Pressen oder Aufschmelzen einer metallischen Schicht unter einem erhöhten Umgebungsdruck verbunden werden. Die metallische Schicht ist dabei die Verbindungsschicht. Nach dem Aufbringen des Zwischenträgers kann das

Aufwachssubstrat vom Halbleiterkörper entfernt werden, so dass der Hilfsträger auf der ersten Seite des

Halbleiterkörpers aufgebracht werden kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Halbleiterkörper invertiert aufgewachsen, so dass der p- dotierte Bereich vor dem n-dotierten Bereich auf dem

Aufwachssubstrat aufgewachsen wird. In diesem Fall wird kein Zwischenträger benötigt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird der Halbleiterkörper an der ersten Seite des Halbleiterkörpers vor dem Aufbringen des Hilfsträgers poliert. Es ist auch möglich, dass der Halbleiterkörper an der ersten Seite aufgeraut wird. Dies kann einer besseren Auskopplung von elektromagnetischer Strahlung aus dem Halbleiterkörper dienen.

Auf der zweiten Seite des Halbleiterkörpers können

elektrische Kontakte aufgebracht werden, über welche

verschiedene Bereiche des Halbleiterkörpers elektrisch kontaktiert werden können. Weist der Halbleiterkörper

beispielsweise einen n-dotierten und einen p-dotierten

Bereich auf, können eine n-seitige Kontaktierung und eine p- seitige Kontaktierung an der zweiten Seite aufgebracht werden. Es ist auch möglich, eine Vielzahl von n-seitigen und p-seitigen Kontakten auf der zweiten Seite des

Halbleiterkörpers aufzubringen. Dabei ist es möglich, dass die verschiedenen elektrischen Kontakte elektrisch

gegeneinander isoliert sind. Es ist also möglich, die erste und die zweite Seite des

Halbleiterkörpers zu bearbeiten, bevor der Anschlussträger auf den Halbleiterkörper aufgebracht wird. Somit wird der Anschlussträger durch die Bearbeitungsprozesse an der ersten und der zweiten Seite des Halbleiterkörpers nicht beschädigt. Außerdem können die Anordnungen getestet werden und einzelne Anordnungen können nach bestimmten Kriterien vor einer weiteren Bearbeitung aussortiert werden. Es ist auch möglich, dass das Halbleiterbauelement so weit vor dem Aufbringen des Anschlussträgers bearbeitet wird, dass die weitere

Prozessführung des Halbleiterbauelements mit dem

Anschlussträger vereinfacht wird. Daher können die Kosten des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements verringert werden und das Halbleiterbauelement kann effizient hergestellt werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens bestehen der Hilfsträger und der Anschlussträger zu mindestens 80 Gewichtsprozent aus dem gleichen Grundmaterial. Das

Grundmaterial bildet also mindestens 80 Gewichtsprozent des

Hilfsträgers und des Anschlussträgers. Da der Hilfsträger und der Anschlussträger zu mindestens 80 Gewichtsprozent aus dem gleichen Grundmaterial bestehen, weisen der Hilfsträger und der Anschlussträger ähnliche oder gleiche thermische

Ausdehnungskoeffizienten auf. Daher treten im Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauelements weniger oder keine thermomechanischen Verspannungen auf. Da somit das

Halbleiterbauelement nicht durch thermomechanische

Verspannungen verbogen wird, treten keine Probleme bei der Justage des Halbleiterbauelements auf und somit kann dieses effizienter hergestellt werden. Bei dem Grundmaterial handelt es sich insbesondere um Silizium. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens ist das Aufwachssubstrat während des Wachstums des Halbleiterkörpers an der zweiten Seite des Halbleiterkörpers angeordnet. Das bedeutet, dass kein Zwischenträger nötig ist, um den

Hilfsträger an der ersten Seite des Halbleiterkörpers

aufzubringen und den Anschlussträger an der zweiten Seite des Halbleiterkörpers aufzubringen. Somit umfasst das Verfahren insgesamt weniger Verfahrensschritte. Im Folgenden wird das hier beschriebene Verfahren zur

Herstellung eines Halbleiterbauelements in Verbindung mit Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert . Mit den Figuren 1 bis 11 ist ein Ausführungsbeispiel des

Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements anhand schematischer Schnittdarstellungen beschrieben.

Mit den Figuren 12 bis 15 sind Schritte eines weiteren

Ausführungsbeispiels des Verfahrens beschrieben.

Mit den Figuren 16 bis 17 sind Schritte eines weiteren

Ausführungsbeispiels des Verfahrens beschrieben. Mit den Figuren 18 bis 21 sind Schritte eines weiteren

Ausführungsbeispiels des Verfahrens beschrieben.

Mit den Figuren 22 bis 24 sind Schritte eines weiteren

Ausführungsbeispiels des Verfahrens beschrieben.

Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als

maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere

Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.

Figur 1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch einen Halbleiterkörper 20 auf einem Aufwachssubstrat 30, wobei der Halbleiterkörper 20 eine erste Seite 27 und eine zweite Seite 28, welche der ersten Seite 27 abgewandt ist, aufweist. Der Halbleiterkörper 20 weist einen n-dotierten Bereich 21, einen p-dotierten Bereich 22 und einen aktiven Bereich 29 auf. Der n-dotierte Bereich 21 ist auf das Aufwachssubstrat 30 aufgewachsen. Das Aufwachssubstrat 30 befindet sich also an der ersten Seite 27 des Halbleiterkörpers 20. Der aktive Bereich 29 ist auf den n-dotierten Bereich 21 aufgewachsen und der p-dotierte Bereich 22 ist auf dem aktiven Bereich 29 aufgewachsen. Der p-dotierte Bereich 22 befindet sich also an der zweiten Seite 28 des Halbleiterkörpers 20. Der aktive Bereich 29 ist dazu ausgelegt im Betrieb des

Halbleiterkörpers 20 elektromagnetische Strahlung zu

emittieren .

Der Halbleiterkörper 20 erstreckt sich in lateralen

Richtungen x, welche parallel zur Haupterstreckungsrichtung des Halbleiterkörpers 20 sind, über den gesamten Bereich des Aufwachssubstrates 30. Das Aufwachssubstrat 30 kann mit Saphir, Siliziumcarbid, Germanium oder Galliumarsenid

gebildet sein. Vorteilhafterweise wird der Halbleiterkörper 20 nicht auf einem Siliziumsubstrat aufgewachsen. Bevorzugt basiert der Halbleiterkörper 20 auf einem Nitrid- Verbindungshalbleiter, wie beispielsweise Galliumnitrid, und das Aufwachssubstrat 30 ist bevorzugt mit Saphir gebildet. In Figur 2 ist ein nächster Schritt des Ausführungsbeispiels des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 10 gezeigt. In diesem Schritt werden auf dem p-dotierten Bereich

22 n-seitige Kontaktierungen 23 und p-seitige Kontaktierungen 24 aufgebracht. Dabei erstrecken sich die n-seitigen

Kontaktierungen 23 von einer Oberseite 25 des p-dotierten Bereichs 22, welche dem Aufwachssubstrat 30 abgewandt ist, in Richtung des Aufwachssubstrates 30 durch den aktiven Bereich 29 bis in den n-dotierten Bereich 21. Die n-seitigen

Kontaktierungen 23 können durch einen Durchbruch durch den p- dotierten Bereich 22 und einen Teil des n-dotierten Bereichs 21 geformt werden. Der Durchbruch wird elektrisch gegen den p-dotierten Bereich 22 isoliert und mit einem elektrisch leitfähigen Material aufgefüllt. Die p-seitigen

Kontaktierungen 24 werden auf der Oberseite 25 des p- dotierten Bereichs 22 aufgebracht. Auf der Oberseite 25 des p-dotierten Bereichs 22 sind die n-seitigen Kontaktierungen

23 und die p-seitigen Kontaktierungen 24 elektrisch

gegeneinander isoliert.

In Figur 3 ist gezeigt, dass im nächsten Schritt des

Verfahrens ein Zwischenträger 50 auf der Seite des p- dotierten Bereichs 22 auf den Halbleiterkörper 20 aufgebracht wird. Der Halbleiterkörper 20 und der Zwischenträger 50 werden durch eine Verbindungsschicht 51 miteinander

verbunden. Dabei ist die Verbindungsschicht 51 zwischen dem Zwischenträger 50 und dem Halbleiterkörper 20 angeordnet. Während des Verbindungsprozesses des Zwischenträgers 50 und des Halbleiterkörpers 20 mit der Verbindungsschicht 51 wird der Halbleiterkörper 20 um weniger als 100 K über eine

Ausgangstemperatur erwärmt. Die Verbindungsschicht 51 kann beispielsweise mit Benzocyclobuten (BCB) oder mit

Galliumselenid gebildet sein. Es ist möglich, dass der Zwischenträger 50 und der Halbleiterkörper 20 miteinander verbunden werden, indem der Halbleiterkörper 20 um weniger als 100 K über eine

Ausgangstemperatur erwärmt wird und der Zwischenträger 50 und der Halbleiterkörper 20 währenddessen zusammengepresst werden. Es ist außerdem möglich, dass die Verbindungsschicht 51 durch ein Metall gebildet ist und dass während des

Verbindungsprozesses der Umgebungsdruck gegenüber einem

Ausgangsumgebungsdruck erhöht wird.

Im nächsten Schritt des Verfahrens, wie in Figur 4 gezeigt, wird das Aufwachssubstrat 30 vom Halbleiterkörper 20

entfernt. Das Aufwachssubstrat 30 kann beispielsweise durch ein Laser-Lift-off Verfahren entfernt werden, wenn das

Aufwachssubstrat 30 mit Saphir gebildet ist. Falls das

Aufwachssubstrat 30 mit Silizium gebildet ist, kann dieses durch Ätzen in wässriger Lösung aus Fluss- und Salpetersäure vom Halbleiterkörper 20 entfernt werden. Falls das

Aufwachssubstrat 30 mit Galliumarsenid gebildet ist, kann dieses durch Ätzen in wässriger Lösung aus Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid vom Halbleiterkörper 20 entfernt werden. Dabei ist es vorteilhaft, dass das Aufwachssubstrat 30 ganzflächig vom Halbleiterkörper 20 abgelöst wird und nicht in vereinzelten Teilen, da somit keine Randeffekte auftreten.

Außerdem kann in diesem Schritt des Verfahrens eine Oberseite 26 des n-dotierten Bereichs 21, welche sich auf der dem

Zwischenträger 50 abgewandten Seite des n-dotierten Bereichs 21 befindet, bearbeitet werden. Beispielsweise kann die

Oberseite 26 des n-dotierten Bereichs 21 poliert oder

aufgeraut werden oder es ist möglich, dass ein mechanischer Schutz aufgebracht wird. Vorteilhafterweise können bei diesem Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 10 sowohl die Oberseite 26 des n- dotierten Bereichs 21 als auch die Oberseite 25 des p- dotierten Bereichs 22 bearbeitet werden, ohne dass ein

Anschlussträger 60, welcher in einem späteren Schritt des Verfahrens aufgebracht wird, beschädigt wird.

In Figur 5 ist gezeigt, dass im nächsten Schritt des

Verfahrens ein Hilfsträger 40 an der Seite des n-dotierten Bereichs 21, also an der ersten Seite 27, auf den

Halbleiterkörper 20 aufgebracht wird. Der Hilfsträger 40 erstreckt sich über die gesamte laterale Ausdehnung des

Halbleiterkörpers 20. Der Hilfsträger 40 kann durch Silizium oder ein Glas mit einem thermischen Ausdehnungskoeffizienten, welcher dem von Silizium ähnlich ist, gebildet sein. Es ist auch möglich, dass der Hilfsträger 40 durch Keramiken

beispielsweise auf Basis von Aluminiumnitrid oder

Siliziumnitrid gebildet ist.

Zum Aufbringen des Hilfsträgers 40 wird an der ersten Seite 27 des Halbleiterkörpers 20 eine Opferschicht 41 auf den

Halbleiterkörper 20 aufgebracht. Es ist auch möglich, dass die Opferschicht 41 auf den Hilfsträger 40 aufgebracht wird oder dass zusätzlich zur Opferschicht 41 eine Klebeschicht aufgebracht wird. Die Opferschicht 41 kann beispielsweise durch ein thermisch stabiles Metalloxid wie Zinkoxid oder durch Aluminium gebildet sein. Es ist außerdem möglich, dass die Opferschicht 41 durch poröse Schichten wie zum Beispiel poröses Silizium oder Spin-on-Glass Materialien gebildet ist. Der Hilfsträger 40 kann mit ähnlichen Prozessen wie der

Zwischenträger 50 auf den Halbleiterkörper 20 aufgebracht werden. Das bedeutet, dass während des Verbindens des

Hilfsträgers 40 mit dem Halbleiterkörper 20 die Temperatur des Halbleiterkörpers 20 um weniger als 100 K gegenüber einer Ausgangstemperatur erhöht wird. Es ist auch möglich, dass der Halbleiterkörper 20 und der Hilfsträger 40 durch eine

Klebeschicht miteinander verklebt werden. In Figur 6 ist gezeigt, dass im nächsten Schritt des

Verfahrens der Zwischenträger 50 vom Halbleiterkörper 20 entfernt wird. Der Zwischenträger 50 kann beispielsweise durch einen Laser-Lift-off Prozess entfernt werden. Falls der Zwischenträger 50 durch Silizium gebildet ist, ist es auch möglich, dass der Zwischenträger 50 vor dem Entfernen dünner geschliffen wird und dann nasschemisch oder in Gasphase geätzt wird. Die Verbindungsschicht 51 verbleibt dabei auf dem Halbleiterkörper 20. Es ist aber auch möglich, dass die Verbindungsschicht 51 ebenfalls entfernt wird.

In Figur 7 ist gezeigt, dass gemäß eines optionalen

Verfahrensschritts der Halbleiterkörper 20 auf dem

Hilfsträger 40 vereinzelt wird. Das bedeutet, dass der

Halbleiterkörper 20 und der Hilfsträger 40 senkrecht zu einer Haupterstreckungsrichtung des Hilfsträgers 40 in eine

Vielzahl von Anordnungen 70 zertrennt werden. Dabei umfasst jede der Anordnungen 70 einen Teil des Halbleiterkörpers 20 und einen Teil des Hilfsträgers 40. Die vereinzelten

Anordnungen 70 können dabei auf einem Rahmen, welcher nicht gezeigt ist, angeordnet sein.

In Figur 8 ist gezeigt, dass im nächsten Schritt des

Verfahrens zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 10 ein Anschlussträger 60 bereitgestellt wird. Der Anschlussträger 60 kann beispielsweise eine Steuerelektronik auf einem

Siliziumsubstrat aufweisen oder eine sogenannte complementary metal-oxide-semiconductor Struktur. Auf dem Anschlussträger 60 sind elektrische Kontaktstellen 61 aufgebracht. Die Kontaktstellen 61 sind elektrisch gegeneinander isoliert. Der Anschlussträger 60 besteht zu mindestens 80 Gewichtsprozent aus einem Grundmaterial, welches mit Silizium gebildet ist. Der Hilfsträger 40 weist einen ersten lateralen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf und der Anschlussträger 60 weist einen zweiten lateralen thermischen Ausdehnungskoeffizienten auf, wobei der erste und der zweite laterale thermische

Ausdehnungskoeffizient sich um höchstens 50 % unterscheiden. Bevorzugt weisen der Hilfsträger 40 und der Anschlussträger 60 das gleiche Grundmaterial auf und bevorzugt sind der erste und der zweite laterale thermische Ausdehnungskoeffizient gleich .

Bevor der Anschlussträger 60 auf den Halbleiterkörper 20 aufgebracht wird, können die einzelnen Anordnungen 70, falls bereits vorhanden, getestet werden. Beispielsweise kann es sich bei den einzelnen Anordnungen 70 um einzelne

Leuchtdioden handeln. Somit können vor dem Aufbringen auf den Anschlussträger 60 eventuell schadhafte Anordnungen 70 aussortiert werden. Außerdem ist es vorteilhaft, dass der Anschlussträger 60 erst nach dem Entfernen des

Aufwachssubstrates 30 auf den Halbleiterkörper 20 aufgebracht wird, da somit eine Beschädigung des Anschlussträgers 60 während des Entfernens des Aufwachssubstrates 30 verhindert wird.

Wie in Figur 9 gezeigt, wird im nächsten Schritt des

Verfahrens der Anschlussträger 60 an der zweiten Seite 28 auf den Halbleiterkörper 20 aufgebracht. Das bedeutet, dass die n-seitigen Kontaktierungen 23 und die p-seitigen

Kontaktierungen 24 des Halbleiterkörpers 20 mit den

Kontaktstellen 61 des Anschlussträgers 60 elektrisch und mechanisch verbunden werden. Dabei kann der Halbleiterkörper 20 um mindestens 100 K über eine Ausgangstemperatur erwärmt werden und anschließend um mindestens 50 K abgekühlt werden. Es ist außerdem möglich, dass der Umgebungsdruck während des Verbindungsprozesses erhöht wird. Es ist auch möglich, dass während des Verbindungsprozesses die Kontaktstellen 61 und/oder die n-seitigen Kontaktierungen 23 und die p-seitigen Kontaktierungen 24 aufgeschmolzen werden oder dass diese mittels eines metallischen Lotmaterials miteinander verbunden werden. Da der Hilfsträger 40 und der Anschlussträger 60 einen ähnlichen oder den gleichen lateralen thermischen

Ausdehnungskoeffizienten aufweisen, treten beim

Verbindungsprozess wenige oder keine thermomechanischen

Verspannungen auf. Ein Verbiegen der Anordnungen 70 wird somit vermieden. Dadurch wird eine weitere Bearbeitung der Anordnungen 70 ermöglicht oder erleichtert.

Im nächsten Schritt des Verfahrens, wie in Figur 10 gezeigt, wird der Hilfsträger 40 vom Halbleiterkörper 20 entfernt. Dabei wird die Opferschicht 41 durch ein schonendes Verfahren entfernt. Beispielsweise kann die Opferschicht 41 durch nasschemisches Ätzen entfernt werden. Dabei wird der

Anschlussträger 60 nicht beschädigt. Es ist auch möglich, dass der Hilfsträger 40 porös ist oder Löcher aufweist, um das Herauslösen oder Aufquellen der Opferschicht 41 zu beschleunigen.

Da auf dem Halbleiterkörper 20 mittels der Opferschicht 41 der Hilfsträger 40 aufgebracht ist, kann die Opferschicht 41 selektiv herausgelöst und der Hilfsträger 40 somit entfernt werden. Dieser Schritt ist nicht möglich, falls der

Halbleiterkörper 20 auf einem Silizium-Substrat aufgewachsen wird. In diesem Fall könnte das Silizium-Substrat nur mit Schutzmaßnahmen für den Anschlussträger 60 chemisch selektiv herausgelöst werden. Außerdem wäre es wesentlich aufwändiger diesen Schritt für einzelne Anordnungen 70 umzusetzen, weshalb ein Aussortieren von schadhaften Anordnungen 70 nicht möglich wäre.

In Figur 11 ist gezeigt, dass die einzelnen Anordnungen 70 auf dem Anschlussträger 60 vereinzelt werden. Das bedeutet, dass der Anschlussträger 60 senkrecht zu einer

Haupterstreckungsrichtung des Anschlussträgers 60 zertrennt wird. Der Anschlussträger 60 kann beispielsweise durch einen Sägeprozess, durch Lasertrennung oder Plasmaätzen zertrennt werden. Dabei wird der Anschlussträger 60 entlang der

Anordnungen 70 zertrennt. Falls der Halbleiterkörper 20 noch nicht in einzelne Anordnungen 70 zerteilt wurde, wird in diesem Verfahrensschritt der Halbleiterkörper 20 in einzelne Anordnungen 70 zertrennt und der Anschlussträger 60 wird zertrennt. Anschließend bildet jede der Anordnungen 70 mit dem zugeordneten Teil des Anschlussträgers 60 ein

Halbleiterbauelement 10. Dabei ist es auch möglich, dass jedem Teil des Anschlussträgers 60 zwei oder mehr Anordnungen 70 zugeordnet sind. Es ist auch möglich, dass Anordnungen 70 auf mehrere Anschlussträger 60 aufgebracht werden.

Mit dem beschriebenen Verfahren kann also eine Vielzahl von Halbleiterbauelementen 10 hergestellt werden. Handelt es sich bei den einzelnen Halbleiterbauelementen 10 um Leuchtdioden, wird die Emissionsseite der Leuchtdioden durch die Oberseite 26 des n-dotierten Bereichs 21 gebildet. Die Oberseite 26 des n-dotierten Bereichs 21 oder die Emissionsseite der

Leuchtdioden kann schon vor dem Aufbringen des

Anschlussträgers 60 bearbeitet werden. Somit wird die weitere Prozessführung des Halbleiterbauelements 10 vereinfacht und effizienter . Das weitere Ausführungsbeispiel des Verfahrens, welches mit den Figuren 12 bis 15 gezeigt ist, umfasst die

Verfahrensschritte, welche in den Figuren 1 bis 5 gezeigt sind. In Figur 12 ist der daran anschließende

Verfahrensschritt gezeigt. Der Zwischenträger 50 wird vom Halbleiterkörper 20 entfernt, beispielsweise durch einen Laser-Lift-off Prozess. Die Verbindungsschicht 51 wird ebenfalls vom Halbleiterkörper 20 entfernt. Somit können die n-seitigen Kontaktierungen 23 und die p-seitigen

Kontaktierungen 24 elektrisch kontaktiert werden.

In Figur 13 ist gezeigt, dass im nächsten Schritt des

Verfahrens der Anschlussträger 60 bereitgestellt wird. In diesem Ausführungsbeispiel ist der Halbleiterkörper 20 auf dem Hilfsträger 40 noch nicht vereinzelt. Somit können vorteilhafterweise Randeffekte vermieden werden.

Im nächsten Schritt des Verfahrens, wie in Figur 14 gezeigt, wird der Anschlussträger 60 an der zweiten Seite 28 auf den Halbleiterkörper 20 aufgebracht. Wie in Verbindung mit Figur 9 beschrieben, werden die n-seitigen Kontaktierungen 23 und die p-seitigen Kontaktierungen 24 mit den Kontaktstellen 61 des Anschlussträgers 60 elektrisch und mechanisch verbunden. Wie in Figur 15 gezeigt, wird im nächsten Schritt des

Verfahrens der Hilfsträger 40 vom Halbleiterkörper 20 entfernt. Dabei kann die Opferschicht durch nasschemisches Ätzen entfernt werden. Im Unterschied zum Verfahrensschritt, welcher in Figur 10 gezeigt ist, ist der Halbleiterkörper 20 in diesem Fall noch nicht vereinzelt. Im nächsten Schritt des Verfahrens wird der Halbleiterkörper 20 auf dem

Anschlussträger 60 vereinzelt. Die weiteren Schritte des Verfahrens gemäß des weiteren Ausführungsbeispiels sind im Zusammenhang mit den Figuren 10 und 11 beschrieben.

In Figur 16 ist ein Schritt eines weiteren

Ausführungsbeispiels des Verfahrens gezeigt. In diesem

Ausführungsbeispiel ist das Aufwachssubstrat 30 an der zweiten Seite 28 des Halbleiterkörpers 20 angeordnet. Wie in Verbindung mit Figur 1 beschrieben wird der n-dotierte

Bereich 21 auf das Aufwachssubstrat 30 aufgewachsen.

In Figur 17 ist gezeigt, dass in weiteren Schritten des

Verfahrens ein Hilfsträger 40 an der ersten Seite 27 des Halbleiterkörpers 20 aufgebracht wird. Der Hilfsträger 40 wird mit Hilfe einer Opferschicht 41 mit dem Halbleiterkörper 20 verbunden. Die Opferschicht 41 ist also zwischen dem

Hilfsträger 40 und dem Halbleiterkörper 20 angeordnet. Der Hilfsträger 40 und die Opferschicht 41 können wie in

Verbindung mit Figur 5 beschrieben ausgebildet sein. In einem nächsten Schritt des Verfahrens wird das Aufwachssubstrat 30 vom Halbleiterkörper 20 entfernt. Das Aufwachssubstrat 30 kann mit Verfahren wie in Verbindung mit Figur 4 beschrieben vom Halbleiterkörper 20 entfernt werden. Die Oberseite 26 des Halbleiterkörpers, welche dem Hilfsträger 40 abgewandt ist, kann nach dem Entfernen des Aufwachssubstrates 30 bearbeitet werden. Anschließend werden n-seitige Kontaktierungen 23 und p-seitige Kontaktierungen 24 auf den Halbleiterkörper 20 aufgebracht, wie in Verbindung mit Figur 2 beschrieben.

Gemäß des weiteren Ausführungsbeispiels des Verfahrens wird der Halbleiterkörper 20 analog zu den Verfahrensschritten, welche in den Figuren 7 bis 11 oder 13 bis 15 gezeigt sind, bearbeitet . Im Gegensatz zu den Verfahren, welche in den Figuren 7 bis 15 gezeigt sind, befindet sich jedoch in diesem weiteren

Ausführungsbeispiel des Verfahrens der Anschlussträger 60 an der Seite des n-dotierten Bereichs 21 des Halbleiterkörpers 20 und die Emissionsseite des Halbleiterkörpers 20 befindet sich auf der Seite des p-dotierten Bereichs 22 des

Halbleiterkörpers 20. Das bedeutet, dass in diesem weiteren Ausführungsbeispiel des Verfahrens kein Zwischenträger 50 nötig ist, um den Hilfsträger 40 an der ersten Seite 27 des Halbleiterkörpers 20 aufzubringen und den Anschlussträger 60 an der zweiten Seite 28 des Halbleiterkörpers 20

aufzubringen .

Mit den Figuren 18 bis 21 ist ein weiteres

Ausführungsbeispiel des Verfahrens beschrieben. In Figur 18 ist ein Verfahrensschritt gezeigt, welcher dem in Figur 1 gezeigten Verfahrensschritt nachfolgt. Dabei wird der

Zwischenträger 50 auf der Seite des p-dotierten Bereichs 22 auf den Halbleiterkörper 20 aufgebracht, ohne dass vorher auf dem p-dotierten Bereich 22 n-seitige Kontaktierungen 23 und p-seitige Kontaktierungen 24 aufgebracht werden.

Die nächsten Schritte des weiteren Ausführungsbeispiels verlaufen analog zu den in den Figuren 4, 5 und 6 gezeigten Verfahrensschritten. In Figur 19 ist gezeigt, dass das

Aufwachsubstrat 30 vom Halbleiterkörper 20 entfernt wird. Außerdem wird die Oberseite 26 des n-dotierten Bereichs 21 bearbeitet. Bei der Oberseite 26 des n-dotierten Bereichs handelt es sich um die Seite, welche sich auf der dem

Zwischenträger 50 abgewandten Seite des n-dotierten Bereichs 21 befindet. Die Oberseite 26 des n-dotierten Bereichs 21 kann beispielsweise poliert oder aufgeraut werden oder es ist möglich, dass ein mechanischer Schutz aufgebracht wird. In Figur 20 ist gezeigt, dass ein Hilfsträger 40 an der Seite des n-dotierten Bereichs 21 auf den Halbleiterkörper 20 aufgebracht wird. Wie mit Figur 5 beschrieben, ist zwischen dem Hilfsträger 40 und dem Halbleiterkörper 20 eine

Opferschicht 41 angeordnet.

Im nächsten Schritt des Verfahrens, wie in Figur 21 gezeigt, wird der Zwischenträger 50 vom Halbleiterkörper 20 entfernt. Anschließend werden auf dem p-dotierten Bereich 22 n-seitige Kontaktierungen 23 und p-seitige Kontaktierungen 24

aufgebracht, wie mit Figur 2 beschrieben. Vorteilhafterweise werden die n-seitigen Kontaktierungen 23 und die p-seitigen Kontaktierungen 24 in diesem Ausführungsbeispiel nach dem Entfernen des Auftragssubstrats 30 und nach dem Aufbringen des Hilfsträgers 40 aufgebracht. Somit werden Verzugs- oder Verzerrungseffekte der n-seitigen Kontaktierungen 23 und der p-seitigen Kontaktierungen 24, welche in den vorigen

Verfahrensschritten auftreten können, vermieden. Dies ermöglicht eine genaue Justage der n-seitigen Kontaktierungen 23 und der p-seitigen Kontaktierungen 24 auf den

Kontaktstellen 61 des Anschlussträgers 60. Die folgenden Verfahrensschritte sind in den Figuren 7 bis 11 gezeigt.

Mit den Figuren 22 bis 24 ist ein weiteres

Ausführungsbeispiel des Verfahrens beschrieben. In Figur 22 ist ein Verfahrensschritt gezeigt, welcher dem in Figur 1 gezeigten Verfahrensschritten nachfolgt. Dabei wird, ähnlich wie in Figur 18 gezeigt, der Zwischenträger 50 auf der Seite des p-dotierten Bereichs 22 auf den Halbleiterkörper 20 aufgebracht, ohne dass auf dem p-dotierten Bereich 22 in ^¬ seitige Kontaktierungen 23 und p-seitige Kontaktierungen 24 aufgebracht werden. In diesem Ausführungsbeispiel handelt es sich bei dem Zwischenträger 50 um eine Haltevorrichtung. Der Halbleiterkörper 20 kann somit für die folgenden zwei

Verfahrensschritte an der Haltevorrichtung befestigt sein. Die Haltevorrichtung kann Teil einer Maschine sein, welche als Haltevorrichtung für den Halbleiterkörper 20 verwendet wird.

Im nächsten Verfahrensschritt, wie in Figur 23 gezeigt, wird das Aufwachssubstrat 30 vom Halbleiterkörper 20 entfernt. In Figur 24 ist gezeigt, dass ein Hilfsträger 40 an der Seite des n-dotierten Bereichs 21 auf den Halbleiterkörper 20 aufgebracht wird. Wie mit Figur 5 beschrieben, ist zwischen dem Hilfsträger 40 und dem Halbleiterkörper 20 eine

Opferschicht 41 angeordnet. Anschließend wird der

Zwischenträger 50 vom Halbleiterkörper 20 entfernt. Somit ist der Halbleiterkörper 20 in den folgenden Verfahrensschritten nicht mehr an der Haltevorrichtung befestigt. Die folgenden Verfahrensschritte sind mit den Figuren 21 und 7 bis 11 beschrieben .

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Die vorliegende Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2016 124 646.8, deren

Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Bezugs zeichenliste

10 : Halbleiterbauelement

20 : Halbleiterkörper

21 : n-dotierter Bereich

22 : p-dotierter Bereich

23: n-seitige Kontaktierung

24 : p-seitige Kontaktierung

25: Oberseite

26: Oberseite

27 : erste Seite

28 : zweite Seite

29: aktiver Bereich

30 : AufwachsSubstrat

40 : Hilfsträger

41 : Opferschicht

50 : Zwischenträger

51 : VerbindungsSchicht

60 : Anschlussträger

61: Kontaktstelle

70 : Anordnung

x : laterale Richtung