Verfahren zur Herstellung von Solarzellen unter Verwendung von Phosphor-dlffusionshemmenden, druckbaren

Dotiermedien Die vorliegende Erfindung betrifft ein neues druckbares Medium in Form eines Hybridsols und/oder -gels auf Basis von Precursoren anorganischer Oxide zur Verwendung in einem vereinfachten Verfahren zur Herstellung von

Solarzellen, worin das erfindungsgemäße Medium sowohl als Dotiermedium als auch als Diffusionsbarriere fungiert.

Stand der Technik

Die Herstellung von einfachen bzw. der derzeit im Markt mit größtem

Marktanteil vertretenen Solarzellen umfasst die im Folgenden skizzierten wesentlichen Herstellungsschritte:

1) Sägeschadensätzung und Textur

Ein Siliziumwafer (monokristallin, multikristallin oder quasi-monokristallin, Basisdotierung p- oder n-Typ) wird mittels Ätzverfahren von anhaftenden

Sägeschädigung befreit und„zeitgleich", im Regelfall in dem gleichen Ätzbad, texturiert. Unter Texturierung ist in diesem Fall die Schaffung einer

vorzugsorientierten Oberfläche(nbeschaffenheit) in Folge des Ätzschrittes oder einfach die gezielte, aber nicht besonders orientierte Aufrauhung der

Waferoberfläche zu verstehen. In Folge der Texturierung wirkt die Oberfläche des Wafers nun als ein diffuser Reflektor und mindert somit die gerichtete, Wellenlängen- und vom Winkel des Auftreffens abhängige Reflexion, was letztlich zu einer Erhöhung des absorbierten Anteils des auf die Oberfläche auftreffenden Lichtes führt und somit die Konversionseffizienz der Solarzelle erhöht.

Die vorher erwähnten Ätzlösungen zur Behandlung der Siliziumwafer bestehen im Falle monokristalliner Wafer typischerweise aus verdünnter Kalilauge, der als Lösungsmittel Isopropylalkohol zugesetzt ist. Es können stattdessen auch andere Alkohole mit höherem Dampfdruck oder höherem Siedepunkt als Isopropylalkohol hinzugefügt sein, sofern dadurch das gewünschte Ätzergebnis erzielt werden kann. Als gewünschtes Ätzergebnis erhält man typischerweise eine Morphologie, die von zufällig angeordneten, oder vielmehr aus der ursprünglichen Oberfläche herausgeätzten, Pyramiden mit quadratischer Grundfläche gekennzeichnet ist. Die Dichte, die Höhe und damit Grundfläche der Pyramiden kann durch geeignete Wahl der oben erwähnten Inhaltsstoffe der Ätzlösung, die Ätztemperatur und die

Verweildauer der Wafer im Ätzbecken mit beeinflusst werden. Typischerweise wird die Texturierung der monokristallinen Wafer im Temperaturbereich von 70 - <90 °C durchgeführt, wobei Ätzabträge von bis zu 10 pm pro Waferseite erzielt werden können.

Im Falle multikristalliner Siliziumwafer kann die Ätzlösung aus Kalilauge mit mittlerer Konzentration (10 - 15 %) bestehen. Diese Ätztechnik wird in der industriellen Praxis aber kaum noch angewandt. Häufiger wird eine Ätzlösung bestehend aus Salpetersäure, Flusssäure und Wasser verwendet. Diese Ätzlösung kann durch verschiedene Additive, wie beispielsweise

Schwefelsäure, Phosphorsäure, Essigsäure, N-Methylpyrrolidon und auch Tensiden, modifiziert werden, womit u. a. Benetzungseigenschaften der Ätzlösung als auch deren Ätzrate gezielt beeinflusst werden können. Diese sauren Ätzmischungen erzeugen auf der Oberfläche eine Morphologie von in sich verschachtelt angeordneter Ätzgruben. JJie Ätzung wird typischerweise bei Temperaturen im Bereich zwischen 4 °C bis <10 °C durchgeführt und der Ätzabtrag beträgt hier im Regelfall 4 pm bis 6 pm. Direkt im Anschluss an die Texturierung werden die Siliziumwafer mit Wasser intensiv gereinigt und mit verdünnter Flusssäure behandelt, um die in Folge der vorhergehenden Behandlungsschritte entstandene chemische

Oxidschichtschicht und darin als auch daran absorbierte und adsorbierte Verunreinigungen zur Vorbereitung der nachfolgenden

Hochtemperaturbehandlung zu entfernen.

2) Diffusion und Dotierung

Die im vorhergehenden Schritt geätzten und gereinigten Wafer (in diesem Fall p-Typ Basisdotierung) werden bei höheren Temperaturen, typischerweise zwischen 750 °C und <1000 °C, mit Dampf, bestehend aus Phosphoroxid, behandelt. Dabei werden die Wafer in einen Rohrofen in einer Quarzglasröhre einer kontrollierten Atmosphäre, bestehend aus getrocknetem Stickstoff, getrocknetem Sauerstoff und Phosphorylchlorid, ausgesetzt. Die Wafer werden dazu bei Temperaturen zwischen 600 und 700 °C in das

Quarzglasrohr eingebracht. Die Gasmischung wird durch das Quarzglasrohr transportiert. Während des Transportes der Gasmischung durch das stark erwärmte Rohr zerfällt das Phosphorylchlorid zu einem Dampf, bestehend aus Phosphoroxid (z. B. P2O5) und Chlorgas. Der Dampf aus Phosphoroxid schlägt sich u. a. auf den Waferoberflächen nieder (Belegung). Zeitgleich wird die Siliziumoberfläche bei diesen Temperaturen unter Bildung einer dünnen Oxidschicht oxidiert. In diese Schicht wird das niedergeschlagene

Phosphoroxid eingebettet, wodurch eingemischtes Oxid aus Siliziumdioxid und Phosphoroxid auf der Waferoberfläche entsteht. Dieses Mischoxid wird als Phosphorsilikatglas (PSG) bezeichnet. Dieses PSG-Glas verfügt in

Abhängigkeit von der Konzentration des enthaltenen Phosphoroxids über unterschiedliche Erweichungspunkte und unterschiedliche

Diffusionskonstanten hinsichtlich des Phosphoroxides. Das Mischoxid dient dem Siliziumwafer als Diffusionsquelle, wobei im Verlauf der Diffusion das Phosphoroxid in Richtung der Grenzfläche zwischen PSG-Glas und

Siliziumwafer diffundiert und dort durch Reaktion mit dem Silizium an der Waferoberfläche (silizothermisch) zu Phosphor reduziert wird. Das derart entstandene Phosphor verfügt über eine um Größenordnungen höhere Löslichkeit in Silizium als in der Glasmatrix, aus der es entstanden ist und löst sich dadurch aufgrund des sehr hohen Segregationskoeffizienten bevorzugt im Silizium. Nach dessen Lösung diffundiert der Phosphor im Silizium entlang des Konzentrationsgradienten in das Volumen des Siliziums ein. Bei diesem Diffusionsprozess entstehen Konzentrationsgradienten in der Größenordnung von 105 zwischen typischen Oberflächenkonzentrationen von 1021

Atomen/cm ² und der Basisdotierung im Bereich von 1016 Atomen/cm ² . Die typische Diffusionstiefe beträgt 250 bis 500 nm und ist von der gewählten Diffusionstemperatur (beispielsweise 880 °C) und der

Gesamtexpositionsdauer (Aufheizen & Belegungsphase & Eintreibephase & Abkühlen) der Wafer in der stark erwärmten Atmosphäre abhängig. Während der Belegungsphase entsteht eine PSG-Schicht, die eine typischer Weise eine Schichtdicke von 40 bis 60 nm aufweist. Im Anschluss an die Belegung der Wafer mit dem PSG-Glas, während derer bereits auch eine Diffusion in das Volumen des Siliziums stattfindet, folgt die Eintreibephase. Diese kann von der Belegungsphase entkoppelt werden, wird jedoch praktischerweise im Regelfall zeitlich unmittelbar an die Belegung gekoppelt und findet

üblicherweise deshalb auch bei der gleichen Temperatur statt. Dabei wird die Zusammensetzung der Gasmischung so angepasst, dass die weitere Zufuhr von Phosphorylchlorids unterbunden wird. Während des Eintreibens wird die Oberfläche des Siliziums durch den in der Gasmischung enthaltenen

Sauerstoff weiter oxidiert, wodurch zwischen der eigentlichen Dotierquelle, dem an Phosphoroxid stark angereicherten PSG-Glas und dem Siliziumwafer eine an Phosphoroxid abgereicherte Siliziumdioxidschicht generiert wird, die ebenfalls Phosphoroxid enthält. Das Wachstum dieser Schicht ist im

Verhältnis zum Massenstrom des Dotierstoffes aus der Quelle (PSG-Glas) sehr viel schneller, weil das Oxidwachstum durch die hohe

Oberflächendotierung des Wafers selbst beschleunigt wird (Beschleunigung um eine bis zwei Größenordnungen). Dadurch wird in gewisser Weise eine

Verarmung oder Separierung der Dotierquelle erzielt, deren Durchdringung mit herandiffundierendem Phosphoroxid von dem Stoffstrom beeinflusst wird, der von der Temperatur und damit dem Diffusionskoeffizienten abhängig ist. Auf diese Weise kann die Dotierung des Siliziums in gewissen Grenzen kontrolliert werden. Eine typische Diffusionsdauer bestehend aus Belegungs- und

Eintreibephase beträgt beispielsweise 25 Minuten. Im Anschluss an diese Behandlung wird der Rohrofen automatisch abgekühlt und die Wafer können bei Temperaturen zwischen 600 °C bis 700 °C aus dem Prozessrohr ausgeschleust werden.

Im Falle einer Bordotierung der Wafer in Form einer n-Typ-Basisdotierung, wird ein anderes Verfahren durchlaufen, das hier nicht gesondert erläutert werden soll. Die Dotierung wird in diesen Fällen beispielsweise mit

Bortrichlorid oder Bortribromid durchgeführt. Je nach Wahl der

Zusammensetzung der zur Dotierung eingesetzten Gasatmosphäre, kann die Bildung einer sogenannten Borhaut auf den Wafern festgestellt werden. Diese Borhaut ist von verschiedenen Einflussfaktoren abhängig: maßgeblich der Dotieratmosphäre, der Temperatur, der Dotierdauer, der Quellkonzentration und den gekoppelten (oder linearkombinierten) zuvor genannten Parametern. Bei solchen Diffusionsprozessen versteht es sich von selbst, dass es bei den verwendeten Wafern keine Bereiche bevorzugter Diffusion und Dotierung geben kann (ausgenommen solcher, die durch inhomogene Gasflüsse und daraus resultierende inhomogen zusammengesetzte Gaspakete entstanden sind), sofern die Substrate nicht im Vorfeld einer entsprechenden

Vorbehandlung unterworfen wurden (beispielsweise deren Strukturierung mit diffusionshemmenden und/oder -unterbindenden Schichten und Materialien).

Der Vollständigkeit halber sei hier noch darauf verwiesen, dass es noch weitere Diffusions- und Dotiertechnologien gibt, welche sich unterschiedlich stark in der Herstellung kristalliner Solarzellen auf Basis von Silizium etabliert haben. So seien erwähnt,

• die Ionenimplantation,

• die Dotierung, vermittelt über die Gasphasendeposition von Mischoxiden, wie beispielsweise deren von PSG- und BSG-(Borosilicat-)Glas, mittels APCVD-, PECVD-, MOCVD- und LPCVD-Verfahren,

• (Co-)Sputtering von Mischoxiden und/oder keramischen Materialien und Hartstoffen (z. B. Bornitrid), der Gasphasendeposition beider letztgenannter, - der rein thermischen Gasphasendeposition ausgehend von festen

Dotierstoffquellen (z. B. Boroxid und Bornitrid) sowie

• der Flüssigphasendeposition von dotierend wirkenden Flüssigkeiten

(Tinten) und Pasten.

Letztere werden häufig bei der sogenannten inline-Dotierung verwendet, bei der die entsprechenden Pasten und Tinten auf der zu dotierenden Seite des Wafers mittels geeigneten Verfahren aufgetragen werden. Nach dem oder auch bereits während des Auftragens werden die in den zur Dotierung eingesetzten Zusammensetzungen enthaltenen Lösungsmittel durch

Temperatur- und/oder Vakuumbehandlung entfernt. Hierdurch bleibt der eigentliche Dotierstoff auf der Waferoberfläche zurück. Als flüssige

Dotierquellen können beispielsweise verdünnte Lösungen von Phosphor- oder Borsäure, als auch Sol-Gel-basierte Systeme oder auch Lösungen polymerer Borazilverbindungen eingesetzt werden. Entsprechende Dotierpasten sind fast ausschließlich durch die Verwendung von zusätzlichen verdickend wirkenden Polymeren gekennzeichnet, und enthalten Dotierstoffe in geeigneter Form. An die Verdampfung der Solventien aus den zuvor genannten Dotiermedien schließt sich meist eine Behandlung bei hoher Temperatur an, während derer unerwünschte und störende, aber die Formulierung bedingende,

Zuschlagsstoffe entweder„verbrannt" und/oder pyrolysiert werden. Die

Entfernung von Lösungsmitteln und das Ausbrennen können, müssen aber nicht, simultan erfolgen. Anschließend passieren die beschichteten Substrate üblicherweise einen Durchlaufofen bei Temperaturen zwischen 800 °C und 1000 °C, wobei zur Verkürzung der Durchlaufzeit die Temperaturen im

Vergleich zur Gasphasendiffusion im Rohrofen leicht erhöht sein können. Die in dem Durchlaufofen vorherrschende Gasatmosphäre kann gemäß den Erfordernissen der Dotierung unterschiedlich sein und aus trockenem

Stickstoff, trockener Luft, einem Gemisch aus trockenem Sauerstoff und trockenem Stickstoff und/oder, je nach Ausführung des zu passierenden Ofens, aus Zonen der einen und anderen der oben genannten

Gasatmosphären bestehen. Weitere Gasmischungen sind vorstellbar, besitzen aber industriell derzeit keine größere Bedeutung. Ein

Charakteristikum der inline-Diffusion ist, dass die Belegung und das Eintreiben des Dotierstoffes prinzipiell voneinander entkoppelt erfolgen können. 3) Entfernung der Dotierstoffquelle und optionale Kantenisolation

Die nach der Dotierung vorliegenden Wafer sind beidseitig mit mehr oder weniger Glas auf beiden Seiten der Oberfläche beschichtet. Mehr oder weniger bezieht sich in diesem Fall auf Modifikationen, die im Rahmen des Dotierprozesses angewendet werden können: Doppelseiten-Diffusion vs. quasi einseitiger Diffusion vermittelt durch back-to-back Anordnung zweier Wafer in einem Stellplatz der verwendeten Prozessboote. Die letztere Variante ermöglicht eine vorwiegend einseitige Dotierung, unterbindet die Diffusion auf der Rückseite jedoch nicht vollständig. In beiden Fällen ist es derzeit Stand der Technik die nach der Dotierung vorliegenden Gläser mittels Ätzens in verdünnter Flusssäure von den Oberflächen zu entfernen. Dazu werden die Wafer einerseits chargenweise in Nassprozessboote umgeladen und mit deren Hilfe in eine Lösung aus verdünnter Flusssäure, typischerweise 2 %ig bis 5 %ig, eingetaucht und in dieser so lange belassen, bis entweder die Oberfläche vollständig von dem Gläsern befreit ist, oder die

Prozesszyklendauer abgelaufen ist, die ein Summenparameter aus der notwendigen Ätzdauer und der maschinellen Prozessautomatisierung darstellt. Die vollständige Entfernung der Gläser kann beispielsweise anhand der vollständigen Entnetzung der Siliziumwaferoberfläche durch die verdünnte wässrige Flusssäurelösung festgestellt werden. Die vollständige Entfernung eines PSG-Glases wird unter diesen Prozessbedingungen beispielsweise mit 2 %-iger Flusssäurelösung innerhalb von 210 Sekunden bei Raumtemperatur erreicht. Die Ätzung entsprechender BSG-Gläser ist langsamer und erfordert längere Prozesszeiten und ggfs. auch höhere Konzentrationen der zum

Einsatz gelangenden Flusssäure. Nach der Ätzung werden die Wafer mit Wasser gespült.

Andererseits kann die Ätzung der Gläser auf den Waferoberflächen auch in einem horizontal operierenden Verfahren erfolgen, bei dem die Wafer in einem konstanten Fluss in eine Ätzanlage eingeführt werden, in welcher die Wafer die entsprechenden Prozessbecken horizontal durchlaufen (inline-

Anlage). Dabei werden die Wafer auf Rollen und Walzen entweder durch die Prozessbecken und die darin enthaltenen Ätzlösungen gefördert oder die Ätzmedien mittels Walzenauftrag auf die Waferoberflächen transportiert. Die typische Verweildauer der Wafer beträgt im Falle des Ätzens des PSG-Glases etwa 90 Sekunden, und die zur Anwendung kommende Flusssäure ist etwas höher konzentriert als bei dem chargenweise arbeitenden Verfahren, um die kürzere Verweildauer infolge einer erhöhten Ätzrate zu kompensieren. Die Konzentration der Flusssäure beträgt typischerweise 5 %. Optional kann zusätzlich die Beckentemperatur gegenüber der Raumtemperatur leicht erhöht vorliegen (> 25 °C < 50 °C).

Bei dem zuletzt skizzierten Verfahren hat es sich etabliert, die sogenannte Kantenisolation sequentiell gleichzeitig mit durchzuführen, wodurch sich ein leicht abgewandelter Prozessfluss ergibt: Kantenisolation -> Glasätzung.

Die Kantenisolation ist eine prozesstechnische Notwendigkeit, die sich aus der systemimmanenten Charakteristik der doppelseitigen Diffusion, auch bei beabsichtigter einseitiger back-to-back Diffusion, ergibt. Auf der (späteren) Rückseite der Solarzelle liegt ein großflächiger parasitärer p-n-Übergang vor, der zwar, prozesstechnisch bedingt, teilweise, aber nicht vollständig im Laufe der späteren Prozessierung entfernt wird. Als Folge davon werden die Vorder- und Rückseite der Solarzelle über einen parasitären und verbleibenden p-n- Übergang (Tunnelkontakt) kurzgeschlossen sein, der die Konversionseffizienz der späteren Solarzelle reduziert. Zur Entfernung dieses Übergangs werden die Wafer einseitig über eine Ätzlösung bestehend aus Salpetersäure und Flusssäure geführt. Die Ätzlösung kann als Nebenbestandteile beispielsweise Schwefelsäure oder Phosphorsäure enthalten. Alternativ wird die Ätzlösung über Walzen vermittelt auf die Rückseite des Wafers transportiert. Der typischerweise bei diesen Verfahren erzielte Ätzabtrag beträgt bei

Temperaturen zwischen 4 °C bis 8 °C etwa

1 μιτι Silizium (inklusive der auf der zu behandelnden Oberfläche vorliegenden Glasschicht). Bei diesem Verfahren dient die auf der gegenüberliegenden Seite des Wafers noch vorhandene Glasschicht als Maske, die vor

Ätzübergriffen auf diese Seite einen gewissen Schutz ausübt. Diese

Glasschicht wird im Anschluss mit Hilfe der bereits beschriebenen Glasätzung entfernt.

Darüber hinaus kann die Kantenisolation auch mit Hilfe von

Plasmaätzprozessen durchgeführt werden. Diese Plasmaätzung wird dann in der Regel vor der Glasätzung durchgeführt. Dazu werden mehrere Wafer aufeinander gestapelt und die Außenkanten werden dem Plasma ausgesetzt. Das Plasma wird mit fluorierten Gasen, beispielsweise Tetrafluormethan, gespeist. Die beim Plasmazerfall dieser Gase auftretenden reaktiven Spezies ätzen die Kanten des Wafers. Im Anschluss an die Plasmaätzung wird dann im Allgemeinen die Glasätzung durchgeführt. 4) Beschichtung der Frontseite mit einer Antireflexionsschicht

Im Anschluss an die Ätzung des Glases und die optional erfolgte

Kantenisolation findet die Beschichtung der Frontseite der späteren

Solarzellen mit einer Antireflexionsbeschichtung statt, die üblicherweise aus amorphem und wasserstoffreichem Siliziumnitrid besteht. Alternative

Antireflexionbeschichtungen sind vorstellbar. Mögliche Beschichtungen können Titandioxid, Magnesiumfluorid, Zinndioxid und/oder aus

entsprechenden Stapelschichten aus Siliziumdioxid und Siliziumnitrid bestehen. Es sind aber auch anders zusammengesetzte

Antireflexionbeschichtungen technisch möglich. Die Beschichtung der

Waferoberfläche mit dem oben erwähnten Siliziumnitrid erfüllt im Wesentlichen zwei Funktionen: einerseits generiert die Schicht aufgrund der zahlreichen inkorporierten positiven Ladungen ein elektrisches Feld, dass Ladungsträger im Silizium von der Oberfläche fern halten kann und die Rekombinationsgeschwindigkeit dieser Ladungsträger an der

Siliziumoberfläche erheblich reduzieren kann (Feldeffektpassivierung), andererseits generiert diese Schicht in Abhängigkeit von ihren optischen Parametern, wie beispielsweise Brechungsindex und Schichtdicke, eine reflexionsmindernde Eigenschaft, die dazu beiträgt, dass in die spätere Solarzelle mehr Licht eingekoppelt werden kann. Durch beide Effekte kann die Konversionseffizienz der Solarzelle erhöht werden. Typische Eigenschaften der derzeit verwendeten Schichten sind: eine Schichtdicke von ~80 nm bei Verwendung von ausschließlich dem oben genannten Siliziumnitrid, welches einen Brechungsindex von etwa 2,05 aufweist. Die Antireflexionsminderung zeigt sich am deutlichsten im Wellenlängenbereich des Lichtes von 600 nm. Die gerichtete und ungerichtete Reflexion zeigt hierbei einen Wert von etwa 1 % bis 3 % des ursprünglich einfallenden Lichtes (senkrechter Einfall zur Oberflächennormalen des Siliziumwafers).

Die oben erwähnten Siliziumnitridschichten werden zurzeit im Allgemeinen mittels direktem PECVD-Verfahren auf der Oberfläche deponiert. Dazu wird einer Gasatmosphäre aus Argon ein Plasma gezündet, in welches Silan und Ammoniak eingeleitet werden. Das Silan und das Ammoniak werden in dem Plasma über ionische und radikalische Reaktionen zu Siliziumnitrid umgesetzt und dabei auf der Waferoberfläche deponiert. Die Eigenschaften der

Schichten können z. B. über die individuellen Gasflüsse der Reaktanden eingestellt und kontrolliert werden. Die Abscheidung der oben erwähnten Siliziumnitridschichten kann auch mit Wasserstoff als Trägergas und/oder den Reaktanden allein erfolgen. Typische Abscheidetemperaturen liegen im Bereich zwischen 300 °C bis 400 °C. Alternative Abscheidemethoden können beispielsweise LPCVD und/oder Sputtern sein. 5) Erzeugung des Frontseitenelektrodengitters

Nach der Deponierung der Antireflexionsschicht wird auf der mit Siliziumnitrid beschichteten Waferoberfläche die Frontseitenelektrode definiert. In der industriellen Praxis hat es sich etabliert, die Elektrode mit Hilfe der

Siebdruckmethode unter Verwendung von metallischen Sinterpasten zu erzeugen. Dieses ist jedoch nur eine von vielen verschiedenen Möglichkeiten die gewünschten Metallkontakte herzustellen. Bei der Siebdruckmetallisierung wird in der Regel eine stark mit Silberpartikeln angereicherte Paste (Silberanteil <= 80 %) verwendet. Die Summe der Restbestandteile ergibt sich aus den zur Formulierung der Paste notwendigen Theologischen Hilfsmitteln, wie zum Beispiel Lösemittel, Binde- und

Verdickungsmittel. Weiterhin enthält die Silberpaste einen spezielle Glasfrit- Mischung, meistens Oxide und Mischoxide auf der Basis von Siliziumdioxid, Borosilicatglas als auch Bleioxid und/oder Bismutoxid. Die Glasfrit erfüllt im Wesentlichen zwei Funktionen: sie dient einerseits als Haftvermittler zwischen der Waferoberfläche und der Masse der zu versinternden Silberpartikel, andererseits ist sie für die Penetration der Siliziumnitriddeckschicht

verantwortlich, um den direkten ohm'schen Kontakt zu dem darunter befindlichen Silizium zu ermöglichen. Die Penetration des Siliziumnitrids erfolgt über einen Ätzprozess mit anschließender Diffusion von in der

Glasfritmatrix gelöst vorliegendem Silber in die Siliziumoberfläche, wodurch die ohm'sche Kontaktbildung erzielt wird. In der Praxis wird die Silberpaste mittels Siebdruckens auf der Waferoberfläche deponiert und anschließend bei Temperaturen von etwa 200 °C bis 300 °C für wenige Minuten getrocknet. Der Vollständigkeit halber sei erwähnt, dass auch Doppeldruckprozesse

industrielle Anwendung finden, die es ermöglichen, auf ein während des ersten Druckschrittes generiertes Elektrodengitter, ein deckungsgleiches zweites aufzudrucken. Somit wird die Stärke der Silbermetallisierung erhöht, was die Leitfähigkeit in dem Elektrodengitter positiv beeinflussen kann.

Während dieser Trocknung werden die in der Paste enthaltenen Lösemittel aus der Paste ausgetrieben. Anschließend passiert der bedruckte Wafer einen Durchlaufofen. Ein solcher Ofen verfügt im Allgemeinen über mehrere

Heizzonen, die unabhängig voneinander angesteuert und temperiert werden können. Beim Passivieren des Durchlaufofens werden die Wafer auf Temperaturen bis etwa 950 °C erhitzt. Der einzelne Wafer wird jedoch im Regelfall dieser Spitzentemperatur nur für wenige Sekunden ausgesetzt.

Während der verbleibenden Druchlaufphase weist der Wafer Temperaturen von 600 °C bis 800 °C auf. Bei diesen Temperaturen werden in der

Silberpaste enthaltene organische Begleitstoffe, wie beispielsweise

Bindemittel, ausgebrannt und die Ätzung der Siliziumnitridschicht wird initiiert. Während des kurzen Zeitintervalls der vorherrschenden Spitzentemperaturen findet die Kontaktbildung zum Silizium statt. Anschließend lässt man die Wafer abkühlen.

Der so kurz skizzierte Prozess der Kontaktbildung üblicherweise simultan mit den beiden verbleibenden Kontaktbildungen (vgl. 6 und 7) durchgeführt, weshalb man in diesem Fall auch von einem Ko-Feuerungsprozess spricht. Das frontseitige Elektrodengitter besteht an sich aus dünnen Fingern (typische Anzahl >= 68), die eine Breite von typischerweise 80 pm bis 140 pm

aufweisen, als auch sammelnden Bussen mit Breiten im Bereich von 1 ,2 mm bis 2,2 mm (abhängig von deren Anzahl, typischerweise zwei bis drei). Die typische Höhe der gedruckten Silberelemente beträgt in der Regel zwischen 10 μητι und 25 pm. Das Aspektverhältnis ist selten größer als 0,3.

6) Erzeugung der rückseitigen Sammelbusse

Die rückseitigen Sammelbusse werden in der Regel ebenfalls mittels

Siebdruckverfahren aufgebracht und definiert. Dazu findet eine der zur frontseitigen Metallisierung verwendeten ähnliche Silberpaste Anwendung. Diese Paste ist ähnlich zusammengesetzt, enthält aber eine Legierung aus Silber und Aluminium, worin der Anteil des Aluminiums typischerweise 2 % ausmacht. Daneben enthält diese Paste einen geringeren Glasfrit-Anteil. Die Sammelbusse, in der Regel zwei Stück, werden mit einer typischen Breite von 4 mm auf der Rückseite des Wafers mittels Siebdruck aufgedruckt werden und wie bereits unter Punkt 5 beschrieben verdichtet und versintert werden. 7) Erzeugung der rückseitigen Elektrode

Die rückseitige Elektrode wird im Anschluss an den Druck der Sammelbusse definiert. Das Elektrodenmaterial besteht aus Aluminium, weswegen zur Definition der Elektrode eine aluminiumhaltige Paste mittels Siebdruck auf der verbleibenden freien Fläche der Waferrückseite mit einem Kantenabstand <1 mm aufgedruckt wird. Die Paste ist zu <= 80 % aus Aluminium

zusammengesetzt. Die restlichen Komponenten sind solche, die bereits unter Punkt 5 erwähnt worden sind(wie z. B. Lösemittel, Bindemittel etc.). Die Aluminiumpaste wird während der Ko-Feuerung mit dem Wafer verbunden, indem während der Erwärmung die Aluminiumpartikel zu schmelzen beginnen und sich Silizium von dem Wafer in dem geschmolzenen Aluminium auflöst. Die Schmelzmischung fungiert als Dotierstoffquelle und gibt Aluminium an das Silizium ab (Löslichkeitsgrenze: 0,016 Atomprozent), wobei das Silizium infolge dieses Eintriebs p+ dotiert wird. Beim Abkühlen des Wafers scheidet sich auf der Waferoberfläche u. a. eine eutektische Mischung aus Aluminium und Silizium ab, die bei 577 °C erstarrt und eine Zusammensetzung mit einem Molenbruch von 0,12 Si aufweist. Infolge des Eintreibens des Aluminiums in das Silizium entsteht auf der

Rückseite des Wafers eine hochdotierte p-Typ-Schicht, die auf Teile der freien Ladungsträger im Silizium als eine Art Spiegel fungiert ("elektrischer Spiegel"). Diese Ladungsträger können diesen Potentialwall nicht überwinden und werden somit sehr effizient von der rückwärtigen Waferoberfläche

ferngehalten, was sich somit in einer insgesamt reduzierten

Rekombinationsrate von Ladungsträgern an dieser Oberfläche äußert. Dieser Potentialwall wird im Allgemeinen als Rückseitenfeld oder back surface field bezeichnet. Die Abfolge der Verfahrensschritte, die unter den Punkten 5, 6 und 7 beschrieben sind, kann der hier skizzierten Reihenfolge entsprechen, muss es aber nicht. Dem Fachmann ist ersichtlich, dass die Abfolge der geschilderten Prozessschritte im Prinzip in jeder vorstellbaren Kombinatorik ausgeführt werden können. 8) Optionale Kantenisolation

Sofern die Kantenisolation des Wafer nicht bereits, wie unter Punkt 3 beschrieben, erfolgt ist, wird diese typischerweise nach dem Ko-Feuern mit Hilfe von Laserstrahlverfahren durchgeführt. Dazu wird ein Laserstrahl auf die Vorderseite der Solarzelle dirigiert und der frontseitige p-n-Übergang wird mit Hilfe der durch diesen Strahl eingekoppelten Energie durchtrennt. Dabei werden Schnittgräben mit einer Tiefe von bis zu 15 pm infolge der Einwirkung des Lasers generiert. Dabei wird Silizium über einen Ablationsmechanismus von der behandelten Stelle entfernt bzw. aus dem Lasergraben geschleudert. Typischerweise ist dieser Lasergraben 30 pm bis 60 pm breit und etwa 200 pm von der Kante der Solarzelle entfernt.

Nach ihrer Herstellung werden die Solarzellen charakterisiert und

entsprechend ihrer individuellen Leistungen in einzelne Leistungskategorien klassiert.

Der Fachmann kennt Solarzellenarchitekturen mit sowohl n-Typ als auch p- typ-Basismaterial. Zu diesen Solarzellentypen zählen u. a.

• PERC-Solarzellen

• PERL-Solarzellen

• PERT-Solarzellen

• daraus folgernd MWT-PERT- und MWT-PERL-Solarzellen

· Bifaciale Solarzellen

• Rückseitenkontaktzellen

• Rückseitenkontaktzellen mit interdigitierenden Kontakten (IBC-Zellen)

Auch die Wahl alternativer Dotiertechnologien, alternativ zu der bereits eingangs beschriebenen Gasphasendotierung, kann im Regelfall das Problem der Schaffung lokal unterschiedlich dotierter Bereiche auf dem

Siliziumsubstrat nicht auflösen. Als Alternativtechnologien seien hier die Deponierung dotierter Gläser, bzw. von amorphen Mischoxiden, mittels PECVD- und APCVD-Verfahren erwähnt. Aus diesen Gläsern kann eine thermisch induzierte Dotierung des sich unter diesen Gläsern befindlichen

Siliziums leicht erreicht werden. Zur Schaffung lokal unterschiedlich dotierter Bereiche müssen diese Gläser allerdings mittels Maskenprozessen geätzt werden, um die entsprechenden Strukturen aus diesen heraus zu präparieren. Alternativ hierzu können strukturierte Diffusionsbarrieren vor der Deponierung der Gläser auf den Siliziumwafern abgeschieden werden, um damit die zu dotierenden Bereiche zu definieren. Nachteilig bei diesem Verfahren ist allerdings, dass jeweils nur eine Polarität (n oder p) bei der Dotierung der Substrate erreicht werden kann.

Figur 1 zeigt einen vereinfachenden Querschnitt durch eine IBC-Solarzelle (nicht skaliert, ohne Oberflächentextur, ohne Antireflexions- und

Passivierungsschichten, ohne rückseitige Metallisierung). Die alternierenden pn-Übergänge können unterschiedliche Anordnungen aufweisen, wie beispielsweise direkt aneinander angrenzend, oder mit Lücken mit

intrinsischen Bereichen).

Konzentrieren wir uns im Folgenden vereinfachend auf einen möglichen Ausschnitt des Herstellungsprozesses einer sogenannten IBC-Solarzelle (Figur 1). Dieser Ausschnitt und damit skizzierte Teilprozess erhebt in dieser Betrachtung nicht den Anspruch auf Vollständigkeit, sowohl als auch nicht auf Ausschließlichkeit. Es sind mühelos Abweichungen und Modifikationen der dargestellten Prozesskette vorstell- als auch realisierbar. Man beginnt mit einem CZ-Wafer, der beispielsweise über eine einseitig alkalisch polierte oder sägeschadensgeätzte Oberfläche verfügt. Dieser Wafer wird auf einer Seite, der nicht polierten und damit der der späteren Vorderseite, mittels eines CVD- Oxides geeigneter Dicke, wie beispielsweise 200 nm oder mehr, vollflächig beschichtet. Nach der einseitigen Beschichtung mit dem CVD-Oxid wird der Wafer einer B-Diffusion in einem konventionellen Rohrofen, mittels

beispielsweise Bortribromid als Precursor, unterworfen. Im Anschluss an die Bordiffusion muss der Wafer auf der nun diffundierten Rückseite lokal strukturiert werden, um die Bereiche für die späteren Kontakte zur Basis und zur Herstellung des in diesem Fall mit Phosphor diffundierten lokalen

Rückseitenfeldes zu definieren und letztlich zu schaffen. Diese Strukturierung kann beispielsweise mit Hilfe eines Lasers erreicht werden, der das auf der Rückseite vorhandene dotierte Glas lokal ablatiert. Die Verwendung von Laserstrahlung bei der Herstellung von hocheffizienten Solarzellen ist aufgrund der Schädigung des Bulks des Siliziumwafers umstritten. Gehen wir aber der Einfachheit halber davon aus, dass es möglich sei und keine weiteren prinzipiellen Probleme vorlägen oder -liegen. Dann muss im

Anschluss an die Laserbehandlung das zumindest an der Oberfläche vorliegende, unstrittig beschädigte Silizium mit Hilfe einer alkalischen

Schadensätze entfernt werden. Praktischerweise wird dabei gleichzeitig der an dieser Stelle vorhandene Boremitter mit aufgelöst und entfernt (insofern man ebenfalls in diesem Fall davon ausginge, dass, wie üblicherweise bekannt, mit Bor hoch dotiertes Silizium keinen Ätzstop für auf KOH basierenden

Ätzlösungen darstellt) - insofern man berechtigterweise davon ausgehen kann, dass das verbleibende Borosilicatglas (BSG) an den geschlossenen Stellen einen ausreichenden Schutz des Siliziums gegenüber der KOH- Lösung darstellt (Ätzrate von SiO2 in 30 % KOH bei 80 °C beträgt etwa 3 nm/min, geht man bei BSG von einem„gestörten Oxid" aus, dann könnte diese in KOH ggfs. etwas höher sein). In das Silizium wird dabei eine Plateau bzw. eine Art Graben hereingeätzt. Alternativ könnte man die Basiskontakte mit dem späteren lokalen Rückseitenfeld derart schaffen, dass man auf der Rückseite eine Ätzmaske aufträgt, beispielsweise mittels Siebdruckens, und anschließend die offenen Stellen mit Hilfe von zweier konsekutiver oder gar nur eines Ätzschrittes nachbehandelt: einseitige Entfernung des Glases durch Ätzen in Flusssäure und anschließende Ätzung in KOH-Lösung, oder Ätzung beider Materialien in einem Schritt. Im Anschluss würde man entweder die Ätzmaske und das dotierte Glas oder nur das dotierte Glas, beides jeweils einseitig auf der Rückseite entfernen. Daran anknüpfend würde man eine CVD-Oxidschicht auf der Rückseite des Wafers abscheiden, diese lokal Öffnen und strukturieren, und zwar an den Stellen, an welchen zuvor der Boremitter entfernt wurde. Die Wafer würden anschließend einer

Phosphordiffusion unterzogen werden. Je nachdem, wie die

Prozessparameter dieser Diffusion im Detail aussähen, wären die zuvor beschriebenen Strukturierungen auch nur in einfacher Ausführung erforderlich, und zwar beispielsweise in einem solchen Fall, wenn die Ausführung der Phosphordiffusion das bereits erhaltene Bordotierprofil bei gleichzeitiger Anwesenheit des BSG-Glases nicht mehr, oder eben in kontrollierbarer Weise beeinflussen würde. Anschließend würden die Wafer auf deren Vorderseite einseitig von dem schützenden Oxid befreit und einer schwachen

Phosphordiffusion unterzogen werden. Der Einfachheit halber wurde an dieser Stelle davon ausgegangen, dass das auf der Rückseite vorliegende PSG-Glas auf der Waferoberfläche verbleiben könne und somit keine weiteren

Störungen bzw. Beeinflussungen hervorrufen würde. Nach der schwachen Diffusion auf der Vorderseite werden die Wafer mit Flusssäure geätzt und alle Oxide und Gläser werden entfernt. In der Summe ist der zuvor skizzierte Prozess von den folgenden Schritten und deren Gesamtanzahl

gekennzeichnet (vereinfachend für eine Strukturierung mittels eines

Laserprozesses dargestellt; im Fall der Anwendung von Atzresists würde noch das Drucken und Strippen des Lackes noch hinzugezählt werden müssen):

1. Frontseitige ganzflächige Oxidmaske

2. Bordiffusion

3. Rückseitige Strukturierung und Ätzung

4. Rückseitige ganzflächige Oxidmaske

5. Rückseitige Strukturierung

6. Phosphordiffusion

7. Entfernung frontseitige Oxidmaske

8. Phosphordiffusion

9. Entfernung aller Gläser

In der Summe ergeben sich neun Prozessschritte, um eine strukturierte Dotierung des Wafers zu erzielen. Demgegenüber stünden, je nach

Zählweise, acht Prozessschritte zur Herstellung einer ganzen Standard- Aluminium-BSF-Solarzelle. Bei der Herstellung von IBC-Zellen mögen andere Möglichkeiten zur Anwendung kommen können, der Aufwand zum Erzielen der strukturierten Dotierungen ist jedem Fall sehr hoch und ist in jedem dieser Fälle kostenintensiv, bis teilweise derart kostenintensiv wie die Herstellung einer einzigen Standard-Aluminium-BSF-Soalrzelle. Die weitere Verbreiterung dieser Zelltechnologie wird in jedem Fall von der Senkung der Prozesskosten abhängig sein, womit diese von der Etablierung von

vereinfachenden, aber dennoch hohen Zelleffizienzen erlaubende,

Prozessalternativen deutlich profitieren werden. Aufgabe der vorliegenden Erfindung

Die bei der industriellen Herstellung von Solarzellen üblicherweise

verwendeten Technologien zum Dotieren, namentlich durch die

gasphasenvermittelte Diffusion mit reaktiven Vorstufen, wie Phosphorylchlorid und/oder Bortribromid, ermöglichen es nicht, gezielt lokale Dotierungen und/oder lokal unterschiedliche Dotierungen auf Siliziumwafern zu erzeugen. Die Schaffung solcher Strukturen ist bei Anwendung bekannter

Dotiertechnologien nur durch aufwändige und kostenintensive Strukturierung der Substrate möglich. Bei der Strukturierung müssen verschiedene

Maskierungsprozesse aufeinander abgestimmt werden, was die industrielle Massenfertigung solcher Substrate sehr komplex gestaltet. Aus diesem Grund haben sich Konzepte zur Herstellung von Solarzellen, die einer solchen Strukturierung bedürfen, bisher nicht durchsetzen können. Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung ein preiswertes, einfach durchführbares Verfahren, sowie ein in diesem Verfahren einsetzbares Medium zur Verfügung zu stellen, wodurch diese Probleme und die normalerweise erforderliche Maskierungsschritte obsolet sind und damit beseitigt werden. Darüber hinaus zeichnet sich die lokal applizierbare Dotierquelle dadurch aus, dass diese bevorzugt mittels bekannter und in der Technik der Solarzellenfertigung etablierten Drucktechnologien auf die Waferoberflächen aufgebracht werden können. Die Besonderheit des erfindungsgemäßen Verfahrens ergibt sich darüberhinaus aus der Tatsache, dass die verwendeten druckbaren

Dotiermedien eine diffusionshemmende Wirkung gegenüber des industriell konventionell verwendeten Gasphasendotierstoffes Phosphorylchlorid, als auch ähnlichen (wobei es sich korrektererweise ausgedrückt um Dotierstoffe handeln kann, die infolge ihrer Verbrennung in der Gasphase zu

Phosphorpentoxid umgesetzt werden), haben und somit in einfachster Weise simultan, aber auch beliebig sequentiell erfolgende Diffusionen und

Dotierungen mit zwei Dotierstoffen zur entweder simultanen oder

sequentiellen Dotierung entgegengesetzter Polaritäten in Silizium erlauben. Kurze Beschreibung der Erfindung

Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind daher druckbare Hybridsole und/oder -gele auf Basis von Precursoren, wie des Siliziumdioxids,

Aluminiumoxids und Boroxids, welche mittels geeigneter Druckverfahren auf Siliziumoberflächen zum Zwecke der lokalen und/oder ganzflächigen, einseitigen Diffusion und Dotierung bei der Herstellung von Solarzellen, bevorzugt von hocheffizienten strukturiert dotierten Solarzellen, aufgedruckt, angetrocknet und anschließend mittels eines geeigneten

Hochtemperaturprozesses zur Abgabe des in dem Hybridgel enthaltenen Boroxidprecursors an das unter dem Hybridgel befindlich Substrat zur gezielten Dotierung des Substrates selbst gebracht werden. Dabei handelt es sich um druckbare Hybridsole und/oder -gele auf Basis von Precursoren der folgenden Oxidmaterialien, a) Siliziumdioxid: ein- bis vierfach symmetrisch und asymmetrisch

substituierte Carboxy-, Alkoxy- und Alkoxyalkylsilane, explizit

Alkylalkoxysilane enthaltend, in welchen das zentrale Siliziumatom einen Substitutionsgrad von 1 bis 3 mit mindestens einem direkt an das Siliziumatom gebundene Wasserstoffatom aufweisen kann, wie beispielsweise Triethoxysilan, und wobei sich weiterhin ein

Substitutionsgrad auf die Anzahl möglicher vorhandener Carboxy- und/oder Alkoxygruppen bezieht, welche sowohl bei Alkyl- und/oder Alkoxy- und/oder Carboxygruppen einzelne oder verschiedene gesättigte, ungesättigte verzweigte, unverzweigte aliphatische, alicyclische und aromatische Reste aufweisen, die wiederum an beliebiger Position des Alkyl, Alkoxid oder des Carboxyrestes durch Heteroatome, ausgewählt aus der Gruppe O, N, S, Cl und Br funktionalisiert sein können, sowie Mischungen der zuvor genannten Precursoren; einzelne Verbindungen, welche in zuvor genannten

Ansprüchen genügen, sind: Tetraethylorthosilicat und dergleichen, Triethoxysilan, Ethoxytrimethylsilan, Dimethyldimethoxysilan,

Dimethyldiethoxysilan, Triethoxyvinylsilan, Bis[triethoxysilyl]ethan und Bis[diethoxymethylsilyl]ethan,

b) Aluminiumoxid: symmetrisch und asymmetrisch substituierte

Aluminiumaikoholate (-alkoxide), wie Aluminiumtriethanolat, Aluminiumtrisopropylat, Aluminiumtri-sec-buty!at, Aluminiumtributylat, Aluminiumtriamylat und Aluminiumtri-iso-pentanolat, Aluminium-tris(-ß- diketone), wie Aluminiumacetylacetonat oder Aluminium-tris(1 , 3- cyclohexandionate), Aluminium-tris(-ß-ketoester), Aluminium- monoacetylacetonat-monoalkoholat, Aluminium-tris-(hydroxychinolate),

Aluminiumseifen, wie mono- und dibasisches Aluminiumstearat und Aluminiumtristearat, Aluminiumcarboxylate, wie basisches

Aluminiumacetat, Aluminiumtriacetat, basisches Aluminiumformat, Aluminiumtriformat und Aluminiumtrioctoat, Aluminiumhydroxid,

Aluminiummetahydroxid und Aluminiumtrichlorid und dergleichen, sowie deren Mischungen,

c) Boroxid: Diboroxid, einfache Borsäurealkylester, wie Triethylborat,

Trisopropylborat, Borsäureester aus funktionalisierten 1 ,2-Glykolen, wie beispielsweise Ethylenglykol, funktionalisierten 1 ,2,3-Triolen, wie beispielsweise Glycerin, funktionalisierten 1 ,3-Glykolen, wie

beispielsweise, 1 ,3- Propandiol, Borsäureestern mit Borsäureestern, die zuvor genannte Strukturmotive als strukturelle Untereinheiten enthalten, wie beispielsweise 2,3-Dihydroxbernsteinsäure und deren Enantiomere, Borsäureestern, aus Ethanolamin, Diethanolamin, Triethanolamin, Propanolamin, Dipropanolamin und Tripropanolamin, gemischten

Anhydriden aus Borsäure und Carbonsäuren, wie beispielsweise Tetracetoxydiborat, Borsäure, Metaborsäure, und Mischungen zuvor genannter Precusoren unter wasserhaltigen oder wasserfreien Bedingungen mit Hilfe der Sol-

Gel-Technik entweder simultan oder sequentiell zu partieller oder vollständiger intra- und/oder interspeziärer Kondensation gebracht werden, wobei sich infolge der eingestellten Kondensationsbedingungen, wie Precursor-Konzentrationen, Wassergehalt, Katalysatorgehalt,

Reaktionstemperatur und -zeit, der Zugabe von

kondensationskontrollierenden Agentien, wie beispielsweise

verschiedener oben genannter Komplex- und Chelatbildner, verschiedener Lösungsmittel und deren individuellen Volumenfraktionen, und durch gezieltes Eliminieren leichtflüchtiger Reaktionshilfsmittel und

unvorteilhafter -nebenprodukte, der Gelierungsgrad der entstehenden

Hybridsole und -gele gezielt gesteuert und in erwünschter Weise beeinflusst wird, sodass lagerungsstabile, sehr gut druckbare und druckstabile Formulierungen erhalten werden.

Die so erhaltenen druckbaren Hybridsole und/oder -gele, wie im folgenden näher beschrieben, lassen sich sehr gut auf Oberflächen von Siliziumwafern verdrucken. Sie können mittels geeigneter Druckverfahren, wie Schleuderoder Tauch-Beschichtung, Drop-Casting, Curtain- oder Schlitzdüsen-Coating, Screen- oder Flexodrucken, Gravur-, Ink Jet- oder Aerosol Jet-Drucken, Offset-Drucken, Micro Contact-Drucken, elektrohydrodynamischer Dispensen, Walzen- oder Sprüh-Beschichtung, Ultraschall-Sprüh-Beschichtung, Pipe Jet- Drucken, Laser Transfer-Drucken, Tampondruck, Flachbettsiebdruck und Rotationssiebdruck verarbeitet und auf entsprechende Oberflächen deponiert werden. Entsprechende druckbare Hybridsole und/oder -gele sind besonders gut geeignet zur Verwendung als Dotiermedien zur Bearbeitung von

Siliziumwafern für photovoltaische, mikroelektronische, mikromechanische und mikrooptische Applikationen. Insbesondere zeigen diese

Zusammensetzungen vorteilhafte Eigenschaften für die Herstellung von PERC-, PERL-, PERT-, IBC-Solarzellen und weiterer Solarzellen, wobei die Solarzellen weitere Architekturmerkmale, wie MWT, EWT, Selektiver Emitter, Selektives Front Surface Field, Selektives Back Surface Field und Bifacialität aufweisen.

Bei den erfindungsgemäßen druckbaren Hybridsole und/oder -gele, handelt es sich um borhaltiges Dotiermedien für Siliziumoberflächen, die während der Bordotierung gleichzeitig als Diffusionsbarriere oder als diffusionshemmende Schicht gegenüber unerwünschtem Eindiffundieren von Phosphor durch diese Medien selbst wirken und eine entsprechende Diffusion vollständig blockieren oder in ausreichendem Maß hemmen, so dass die unter diesem

aufgedruckten Medien vorherrschende Dotierung p-Typ, also borhaltig, ist.

Die oben beschriebene Aufgabe wird dementsprechend durch das

Zurverfügungstellen der beschriebenen druckbaren Hybridsole und/oder - gele, aber auch durch ein geeignetes Verfahren zur Verwendung in der Solarzellenherstellung zur Bordotierung gelöst, wobei gleichzeitig die

Dotierung derselben Flächen durch Phosphor vermieden wird.

Das entsprechende Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass durch geeignete Temperaturbehandlung eine Dotierung des bedruckten Substrates simultan und/oder sequentiell erfolgt und eine Dotierung der unbedruckten Siliziumwaferoberflächen mit Dotanden der entgegengesetzten Polarität mittels konventioneller Gasphasendiffusion induziert wird und wobei die aufgedruckten Hybridsole und/oder -gele gegenüber den Dotanden der entgegengesetzten Polarität als Diffusionsbarriere wirkt. Insbesondere umfasst das erfindungsgemäße Verfahren die Schritte, dass a. Siliziumwafer mit den Hybridsolen und/oder -gelen lokal ein- oder beidseitig oder einseitig ganzflächig bedruckt werden, die aufgedruckte Zusammensetzungen angetrocknet und verdichtet werden und anschließend einer nachträglichen Gasphasendiffusion mit

beispielsweise Phosphorylchlorid ausgesetzt werden, wodurch p-Typ Dotierungen in den bedruckten Bereichen und n-Typ Dotierungen in den Bereichen erhalten werden, die ausschließlich der

Gasphasendiffusion ausgesetzt sind,

oder

b. auf dem Siliziumwafer großflächig deponiertes Hybridsol und/oder -gel verdichtet wird und aus der getrockneten und/oder verdichteten Paste mit Hilfe von Laserbestrahlung, die lokale Dotierung des darunter liegenden Substratmaterials initiiert wird, gefolgt von einer

Hochtemperaturdiffusion und -dotierung zur Herstellung von

zweistufigen p-Typ Dotierniveaus im Silizium induziert wird,

oder

c. der Siliziumwafer lokal einseitig mit Hybridsolen und/oder -gelen bedruckt wird, wobei die strukturierte Deponierung gegebenenfalls alternierende Linien aufweisen kann, die gedruckten Strukturen angetrocknet und verdichtet werden, und der Siliziumwafer nachträglich auf der gleichen Waferseite ganzflächig mit Hilfe von PVD- und/oder CVD-deponierten phospordotierend wirkenden Dotierstoffquellen beschichtet wird, wobei die gedruckten Strukturen der Hybridsole und - gele verkapselt werden, und die überlappende Gesamtstruktur durch geeignete Hochtemperaturbehandlung zur strukturierten Dotierung des Siliziumwafers gebracht wird und wobei das aufgedruckte Hybridgel gegenüber der darüber befindlichen phosphorhaltigen Dotierstoffquelle und des darin enthaltenen Dotierstoffs als Diffusionsbarriere wirkt, oder d. der Siliziumwafer lokal einseitig mit Hybridsolen und/oder -gelen bedruckt wird, wobei die strukturierte Deponierung gegebenenfalls alternierende Linien aufweisen kann, die gedruckten Strukturen angetrocknet und verdichtet werden und der Siliziumwafer nachträglich auf der gleichen Waferseite ganzflächig mit Hilfe von

phosphordotierend wirkenden Dotiertinten oder Dotierpasten beschichtet wird, wobei die gedruckten Strukturen der Hybridsole und - gele verkapselt werden, und, die überlappende Gesamtstruktur durch geeignete Hochtemperaturbehandlung zur strukturierten Dotierung des Siliziumwafers gebracht wird, wobei das aufgedruckte Hybridgel gegenüber der darüber befindlichen phosphorhaltigen Dotierstoffquelle und des darin enthaltenen Dotierstoffs als Diffusionsbarriere wirkt.

Detaillierte Beschreibung der Erfindung

Überraschenderweise wurde gefunden, dass druckbare Hybridsole und Hybridgele, die mindestens aus folgenden Oxidprecursoren bestehen,

Aluminiumoxid, Siliziumdioxid und Boroxid, sich als druckbare Dotiermedien zur lokalen Dotierung von Siliziumwafern eignen und gleichzeitig die

Diffusion derselben, mit diesen Hybridsolen und -gelen bedruckten, Wafer, mit Bor zulassen, wobei die gedruckten Hybridsole und -gele gegenüber der Diffusion mit Phosphor als effiziente Diffusionsbarriere wirken. Anders ausgedrückt: man erhält unter den geschilderten Co-Diffusionbedingungen in den Bereichen die mit den erfindungsgemäßen Solen und Gelen bedruckt werden eine ausschließliche Dotierung mit Bor, und in den Bereichen, die dem dotierend wirkenden Phosphoroxiddampf ausgesetzte werden, eine ausschließliche Dotierung mit Phosphor. Die erfindungsgemäßen Hybridsole und -gele sind in den folgenden Dokumenten beschrieben WO 2012/ 19686 A, WO2012119685 A1 , WO2012119684 A, EP12703458.5 und

EP12704232.3, und diese sind somit als Teil der vorliegende Offenbarung zu betrachten. Die Anwendung der erfindungsgemäßen Hybridsole und -gele ermöglicht somit eine vereinfachende Herstellung von entweder Solarzellen, die über strukturierte Dotierungen verfügen, wie beispielsweise IBC-Zellen, oder ganz allgemein von solchen Zellen, die über mindestens zwei unterschiedliche, nicht notwendigerweise entgegengesetzte, Dotierungen verfügen. Im

Folgenden werden mögliche Anwendungen der erfindungsgemäßen

Dotiermedien skizzierend dargestellt.

Figur 2 zeigt einen vereinfachten Prozessfluss zur Herstellung einer bifacialen (in diesem Fall n-Typ) Solarzelle (PERT-Struktur). Als Dotierstoffquelle für die Phosphordiffusion wurde eine Phosphorpaste angenommen, es kann sich aber genauso gut um jede andere ganzflächig abgeschiedene Quelle, wie beispielsweise eine Dotiertinte oder ein CVD-Glas, eine aufgesputterte

Schicht, epitaktisch abgeschiedenes phosphordotiertes Silizium, oder eine mit Phosphor angereicherte Siliziumnitridschicht handeln. Anstelle der in der Figur genannten erfindungsgemäßen Borpaste kann natürlich auch eine

erfindungsgemäße Bordotiertinte zum Einsatz kommen.

Die Herstellung einer bifacial Zelle gemäß der Figur 2 umfasst die folgenden wesentlichen Prozessschritte: zwei Druckschritte zum Bedrucken der

Waferoberfläche, Eintreiben der Dotanden, Entfernen des Glases. In der Summe 4 Prozessschritte, denen bei Anwendung des klassischen

Gasphasendiffusionsverfahrens mindestens sechs gegenüberständen, davon zwei Hochtemperaturschritte: einseitige Maskierung, Diffusion mit B,

Entfernung der Oxide, Maskierung der bereits dotierten Oberfläche, Diffusion mit P, Entfernung der Oxide. Die Verwendung der erfindungsgemäßen borhaltigen Dotiermedien schafft gegenüber der klassischen Prozessvariante eine nominelle Reduktion der notwendigen Prozessschritte von einem Drittel, was sich damit in günstigere Herstellkosten übersetzen lässt. Die oben gezeigte bifaciale Zelle lässt sich auch durch die Anwendung von anderen einseitig deponierbaren Dotierquellen, wie beispielsweise phosphorhaltige Dotiertinten oder ein CVD-Glas, eine aufgesputterte Schicht, epitaktisch abgeschiedenes und phosphordotiertes Silizium, oder eine mit Phosphor angereicherte Siliziumnitridschicht, herstellen; wobei in diesem

Zusammenhang natürlich auch die umgekehrte Vorgehensweise prinzipiell vorstellbar ist. Bei Verwendung der zuvor genannten einseitig wirkenden Dotierstoffquellen ist ebenfalls eine Verkürzung der Prozesssequenz zu erhalten: Deposition der Quelle 1 , Deposition der Quelle 2, Diffusion,

Entfernung der Rückstände. Insofern beide Quellen mit einem Ätzschritt zu beseitigen sind, ergibt sich der nominell gleiche Aufwand, wie in dem bereits zuvor erläuterten Fall: vier Prozessschritte. Das gilt selbst für den Fall, wenn die erfindungsgemäße Bordotierquelle, Tinte (Hybridsol) oder Paste

(Hybridgel), durch eine der zuvor genannten Quellen, wie beispielsweise ein CVD-Glas ersetzt werden würde. Nun ist allerdings die Abscheidung von CVD- Glas als Vakuumprozess aufgrund der Vakuumbedingungen ein recht kostenintensiver Prozessschritt. Nämliches gilt auch für das Sputtern oder epitaktische Abscheiden, sodass der Verwendung der erfindungsgemäßen Bordotiermedien aufgrund der kostengünstigeren Deponierbarkeit mittels Druckschritten ein inhärenter Kostenvorteil gegenüber steht. Im Prinzip stellt die beidseitig mit Dotiermedien bedruckte Waferoberfläche die

kostengünstigste Möglichkeit dar. Gemäß der erfindungsgemäßen

Komposition der borhaltigen Hybridsole und -gele stellen auch parasitäre häufig aus phosphorhaltigen Dotiermedien stattfindende und zu beobachtende Dotierungen keine signifikanten Einschränkung der Möglichkeit zur Herstellung einer bifacialen Solarzelle auf diesem Wege dar: die erfindungsgemäßen borhaltigen Hybridsole und -gele wirken, neben ihrer Funktion als

Dotierstoffquelle, als Diffusionsbarrieren für Phosphordiffusionen.

Überraschenderweise wurde deshalb festgestellt, dass mit Hilfe der

erfindungsgemäßen Hybridsole und -gele bifaciale Solarzellen gemäß des in der Figur 3 skizzierten Schemas in einfacher Weise hergestellt werden können.

Figur 3 zeigt einen vereinfachten Prozessfluss zur Herstellung einer bifacialen (in diesem Fall n-Typ) Solarzelle (PERT-Struktur). Dargestellt ist ein Co- Diffusionsprozess unter Anwendung einer klassischen Diffusion mit

Phosphorylchlorid. Die erfindungsgemäßen Hybridsole und -gele (hier nur erwähnt als Borpaste) wirken, neben ihrer Funktion als Dotierstoffquelle, als Diffusionsbarriere gegenüber der Phosphordiffusion.

Die erfindungsgemäßen Hybridsole und -gele wirken als Diffusionsbarriere gegenüber einer Phosphordiffusion und schützen damit den Siliziumwafer vor dem Eindringen dieses Dotierstoffes aus der Gasphase in die Oberflächenregionen des Wafers. Gleichzeitig bleibt die bor-dotierende Wirkung der erfindungsgemäßen Hybridsole und -gele erhalten und ermöglicht somit einerseits den Schutz vor dem Eindringen von Phosphor in den Halbleiter und andererseits die wirkungsvolle Diffusion und Dotierung der mit diesen Medien bedruckten Oberflächen mit der erwünschten und beabsichtigten Bordotierung. Die Ausführung der Herstellung einer bifacialen Solarzelle nach dem oben skizzierten Prinzip führt zu den folgenden wesentlichen Prozessschritten: Drucken der Borquelle, Co-Diffusion mit einer Phosphorquelle aus der Gasphase, Entfernen der Oxide und Gläser - in der Summe drei Prozessschritte. Das entspricht somit einer Reduktion der notwendigen Prozessschritte zu Herstellung einer bifacialen Solarzelle um die Hälfte gegenüber der klassischen Vorgehensweise (Gasphasendiffusion mit Maskierungen), sowie einer Reduktion von einem Viertel der notwendigen Prozessschritte gegenüber dem zuvor skizzierten Fall unter der Anwendung von beispielsweise CVD-basierten oder ähnlichen Dotierstoffquellen. Die Co- Diffusion mit den erfindungsgemäßen borhaltigen Hybridsolen und -gelen als Dotierstoffquellen stellt damit die kostengünstigste Möglichkeit zur Herstellung von bifacialen Solarzellen dar. Es versteht sich in diesem Zusammenhang von selbst, dass unter Einbeziehung der europäischen Patentanmeldungen 14004453.8 und14004454.6 auch sehr einfach selektiv dotierte Strukturen, mindestens in den mit Bor zu dotierenden Regionen, des Wafers hergestellt werden können (vgl. Figur 4).

Figur 4 zeigt eine vereinfachte schematische Darstellung einer bifacialen Solarzelle (n-Typ) mit selektiver oder zweistufiger Dotierung (selektiver Boremitter) im Bereich des Boremitters.

Die folgenden Figuren skizzieren die bereits für die bifacialen n-Typ

Solarzellen geschilderten Prozesssequenzen. Die Figuren 5 bis 7 zeigen die möglichen Prozesssequenzen und deren Ergebnisse für p-Typ Wafer als Basismaterial. Die für diese Prozesssequenzen grundsätzlich ableitbaren Aussagen sind die gleichen, wie bereits für den Fall der Herstellung von bifacialen n-Typ-Zellen ausgeführt.

Figur 5 zeigt einen vereinfachten Prozessfluss zur Herstellung einer möglichen bifacialen (in diesem Fall p-Typ) Solarzelle (PERT-Struktur). Als Dotierstoffquelle für die Phosphordiffusion wurde eine Phosphorpaste angenommen, es kann sich aber genauso gut um jede andere ganzflächig abgeschiedene Quelle, wie beispielsweise eine Dotiertinte oder ein CVD-Glas, eine aufgesputterte Schicht, epitaktisch abgeschiedenes phosphordotiertes Silizium, oder eine mit Phosphor angereicherte Siliziumnitridschicht handeln. Anstelle der in der Figur genannten erfindungsgemäßen Borpaste kann natürlich auch eine erfindungsgemäße Bordotiertinte zum Einsatz kommen.

Figur 6 zeigt einen vereinfachten Prozessfluss zur Herstellung einer möglichen bifacialen (in diesem Fall p-Typ) Solarzelle (PERT-Struktur). Dargestellt ist ein Co-Diffusionsprozess unter Anwendung einer klassischen Diffusion mit Phosphorylchlorid. Die erfindungsgemäßen Hybridsole und -gele (hier nur erwähnt als Borpaste) wirken, neben ihrer Funktion als Dotierstoffquelle, als Diffusionsbarriere gegenüber der Phosphordiffusion.

Figur 7 zeigt eine vereinfachte schematische Darstellung einer möglichen bifacialen Solarzelle (p-Typ) mit selektiver oder zweistufiger Dotierung

(selektives Rückseitenfeld) im Bereich des Bor-Rückseitenfeldes. In Figur 8 wird eine mögliche Prozesssequenz für die Herstellung einer p-Typ PERL-Solarzelle gezeigt. Die in dem Schema skizzierte Darstellung basiert auf der Verwendung von ganzflächig und strukturiert deponierbaren

Dotierstoffquellen. Im Falle der Anwendung einer klassischen

Gasphasendiffsuion, wie beispielsweise infolge der Anwendung von

Phosphorylchlorid zur Phosphordiffusion, wäre noch ein zusätzlicher

Maskenschritt zum Schutz der rückseitigen, offenen und basisdotierten

Bereiche des Wafers notwendig.

Figur 8 zeigt eine vereinfachte schematische Darstellung eines möglichen Herstellungsprozesses einer p-Typ-Solarzelle mit rückseitigen lokalen

Kontakten (PERL-Struktur). Als Dotierstoffquelle für die Phosphordiffusion wurden eine Phosphorpaste, Phosphortinte oder ein CVD-Glas angenommen, es kann sich aber genauso gut um jede andere ganzflächig abgeschiedene Quelle, wie beispielsweise eine aufgesputterte Schicht, epitaktisch

abgeschiedenes phosphordotiertes Silizium, oder eine mit Phosphor angereicherte Siliziumnitridschicht handeln. Anstelle der in der Figur genannten erfindungsgemäßen Borpaste kann natürlich auch eine

erfindungsgemäße Bordotiertihte zum Einsatz kommen.

Wenden wir uns nun der Herstellung einer IBC-Solarzelle zu. Mit der klassischen Vorgehensweise, basierend auf der Gasphasendiffusion, haben wir gesehen, dass eine Sequenz bestehend aus neun Prozessschritten zum Erreichen der strukturierten Dotierbereiche notwendig ist. In der Figur 9 ist eine alternative Vorgehensweise dargestellt, die auf der Verwendung von auf der Rückseite strukturiert aufzubringenden Dotiermedien, wie den

erfindungsgemäßen Hybridsolen und -gelen basiert, während auf der

Vorderseite des Wafers eine weitere Dotierquelle ganzflächig aufgebracht werden kann. Bei der Dotierquelle auf der Vorderseite kann es sich um ebenfalls um eine erfindungsgemäßes Dotiermedium, Hybridsol und/oder Hybridgel, handeln, muss es sich jedoch nicht notwendigerweise. Ebenso sind die bereits erwähnten alternativen Dotierstoffquellen, wie beispielsweise ein CVD-Glas, geeignet. Zuvor Genanntes gilt selbstredend auf für die Rückseite. Betrachtet man sich die Herstellungsweise basierend auf den

erfindungsgemäßen Hybridsolen und -gelen, dann sind fünf Prozessschritte zur Erzielung einer strukturierten Dotierung notwendig: Deponierung Quelle 1 , Deponierung Quelle 2, Deponierung 3, Hochtemperatur Co-Diffusion aller

Quellen in einem konventionellen Rohrofen, Entfernung der Dotierstoffquellen. Das entspricht somit einer nominellen Reduktion der benötigen

Prozessschritte um 45 % gegenüber der Verwendung des klassischen

Diffusionsprozesses, was sich somit in deutlichen Kostenvorteilen des

Prozesses auswirkt. Das gleiche Ergebnis wird bei der Anwendung von beispielsweise der ganzflächigen frontseitigen Abscheidung von CVD-Gläsern als Dotierstoffquelle erhalten. Da die Verwendung der bisherigen

Dotierstoffquelle eine Deponierung per Vakuumprozess voraussetzt, sind die erzielbaren Kosteneinsparungen nicht von der gleichen Größenordnung, wie sie im Falle der Verwendung von den druckbaren erfindungsgemäßen

Hybridsolen und -gelen als Dotierstoffquelle erhalten werden. Wendet man die dotierend wirkenden CVD-Gläser auch für die Definition der auf der Rückseite vorhanden dotierten Bereiche an, dann ergibt sich aufgrund der erforderlichen Maskierungs- und Strukturierungsverfahren ein Mehraufwand von mindestens einem Strukturierungs- und Ätzschritt (zuvor als eine Einheit gezählt); sofern man auf die Abscheidung einer weiteren Capping-Schicht, die zwei aufeinander abgeschiedene dotierte CVD-Gläser voneinander trennt, verzichten kann. Gegenüber der Vorgehensweise basierend auf der

Gasphasendiffusion würde somit ein Reduktion der notwendigen

Prozessschritte um ein Drittel erreicht werden, gegenüber der Verwendung der erfindungsgemäßen dotierend wirkenden Hybridsole und -gele ergäbe sich hingegen ein Mehraufwand von einem weiteren zusätzlichen Prozessschritt oder von einem Fünftel. Es versteht sich von selbst, dass eine Prozessfolge, basierend auf dem Verdrucken der erfindungsgemäßen Hybridsole und -gele, den anderen skizzierten Prozessabfolgen aus Kostengesichtspunkten vorzuziehen ist.

Figur 9 zeigt eine vereinfachte schematische Darstellung eines möglichen Herstellungsprozesses einer n-Typ IBC-Solarzelle. Als Dotierstoffquelle für die vorderseitige Phosphordiffusion wurden eine Phosphorpaste, Phosphortinte oder ein CVD-Glas angenommen, es kann sich aber genauso gut um jede andere ganzflächig abgeschiedene Quelle, wie beispielsweise eine

aufgesputterte Schicht, epitaktisch abgeschiedenes phosphordotiertes

Silizium, oder eine mit Phosphor angereicherte Siliziumnitridschicht handeln. Auf der Rückseite wird die strukturierte Diffusion mit Hilfe von

unterschiedlichen Dotiermedien, in diesem Falle als Bor- und Phosphorpaste bezeichnet, erhalten. Anstelle der in der Figur genannten erfindungsgemäßen Borpaste kann natürlich ganz zwanglos eine erfindungsgemäße Bordotiertinte verwendet werden. Eine weitere Vereinfachung der Herstellung von IBC-Solarzellen ergibt sich aus dem in der Figur 10 schematisch dargestelltem Prozessfluss. Bei diesem Prozessfluss wird die Eigenschaft der erfindungsgemäßen Hybridsole und - gele, als Diffusionsbarriere für eine Phosphordiffusion zu wirken, konsequent ausgenutzt. Infolgedessen ergeben sich wie im zuvor genannten Beispiel fünf Prozessschritte, um eine strukturierte Dotierung für IBC-Zellen zu erzielen (in diesem Fall inkl. der in der Figur nicht dargestellten Frontseitendotierung): Deponierung Quelle 01 , Deponierung Quelle 2, Deponierung Quelle 3,

Hochtemperatur Co-Diffusion aller Dotierquellen, Entfernung der

Dotierstoffquellen. In diesem Beispiel kann eine weitere Kostenreduktion gegenüber dem zuvor skizzierten Beispiel erreicht werden, indem die rückseitige Phosphorquelle beispielsweise als Dotiertinte mit einem sehr durchsatzstarken Depositionsschritt abgeschieden wird. Solch ein Schritt stellt beispielsweise die Sprühbeschichtung der ganzen Waferoberfläche dar.

Alternativ mag es sich auch um einen Flexod ruckschritt handeln, welcher einen bis zu 2.5- bis 3.0-fachen Waferdurchsatz gegenüber einer

konventionellen Siebdrucklinie haben soll. Wird die erfindungsgemäße borhaltige Dotierquelle ebenso auf der Waferoberfläche deponiert, sind auch gegenüber einer recht kostengünstigen Siebdruckverarbeitung noch weitere Kostensenkungspotentiale auszuschöpfen. Figur 10 zeigt eine vereinfachte schematische Darstellung eines möglichen Herstellungsprozesses einer n-Typ IBC-Solarzelle. Die Diffusion der

Vorderseite wurde in diesem Fall außer Betracht gelassen. Auf der Rückseite wird die strukturierte Diffusion mit Hilfe von unterschiedlichen Dotiermedien, in diesem Falle dem strukturierten Auftrag der erfindungsgemäßen Borpaste, wobei es sich im Prinzip genauso gut um eine erfindungsgemäße Bortinte handeln, erzielt. Die Rückseite des Wafers wird anschließend mit einer weiteren phosphorhaltigen Dotierstoffquelle ganzflächig beschichtet, wobei das erfindungsgemäße, aufgedruckte borhaltige Dotiermedium ebenfalls von der phosphorhaltigen Quelle bedeckt wird. Im Bereich, der nicht mit dem erfindungsgemäßen dotierend wirkenden borhaltigen Medium bedeckt ist, liegt die phosphorhaltige Quelle direkt auf der Waferoberfläche auf und kann diese während eines Hochtemperaturprozesses entsprechend mit Phosphor dotieren, wohingegen in den Bereichen des erfindungsgemäßen borhaltigen Dotiermediums dieses gegenüber der Phosphordiffusion als Diffusionsbarriere wirkt und somit die Waferoberfläche vor dem Eindringen des Phosphors schützt, aber gleichzeitig in der Lage ist, den in dem Medium enthaltenen Dotierstoff, in diesem Fall Bor, an den Wafer abzugeben und damit dessen Dotierung mit Bor zu induzieren. Es entstehen strukturierte pn-Übergänge mit alternierender Abfolge der unterschiedlichen Dotierregimes. Das in der Figur erwähnte CVD-Dotierglas kann hierbei zwanglos durch alternative

Dotierstoffquellen, wie beispielsweise eine Dotiertinte, eine aufgesputterte Schicht, epitaktisch abgeschiedenes phosphordotiertes Silizium, oder eine mit Phosphor angereicherte Siliziumnitridschicht ersetzt werden. Durch konsequentes Ausnutzen der Diffusionsbarriere Eigenschaften der erfindungsgemäßen Hybridsole und -gele gegenüber einer Phosphordiffusion kann die Herstellung einer IBC-Solarzelle weiterhin vereinfacht werden. Bei dieser Vereinfachung bedient man sich eines Co-Diffusionsschrittes zur Erhaltung einer Bordotierung bei gleichzeitiger oder konsekutiv erfolgender Diffusion mit Phosphor aufgrund der beispielsweisen thermischen Zersetzung von Phosphorylchlorid. Beide Merkmale werden in einem einzigen

Prozessschritt in einem konventionellen Rohrofenprozess durchgeführt.

Anschließend wird der Wafer auf der Vorderseite mittels einseitigen Ätzens derart behandelt, dass die frontseitige Dotierung auf bestimmtes, erwünschtes Maß des Schichtwiderstandes eingestellt wird (vgl. Figur 11). Letzteres ist notwendig, weil IBC-Solarzellen auf der Vorderseite in der Regel eine schwächere Dotierung als an den rückseitigen Kontaktstellen, dem lokalen Rückseitenfeld aufweisen. Die geringere Dotierung auf der Frontseite fördert die Passivierbarkeit dieser Oberfläche, was eine Reduktion der

Dunkelstromsättigungsdichte und somit einen Anstieg der Zellspannung mit sich bringt. Letzteres äußerst sich letztlich in einer Effizienzzunahme bzw. als einer der wichtigsten Hebel, die Effizienz einer Solarzelle, in diesem Fall, positiv zu beeinflussen. Als Konsequenz ergibt sich als Prozesskette zum Erhalt strukturierter Dotierungen die folgende Anzahl von Schritten:

Deponierung der Borquelle, Hochtemperaturdiffusion in Anwesenheit eines reaktiven Phosphor-Precursors, Rückätzen der frontseitigen Dotierung und Entfernen der Dotierstoffquellen. Zusammengefasst handelt es sich hierbei um vier Prozessschritte. Fassen wir nun das Ätzen des Frontseitenfeldes und die Entfernung des Glases als einen Prozessschritt zusammen, was man insofern als gerechtfertigt erachten könnte, weil bei der Auflistung der notwendigen Prozessschritte im Zuge der klassischen Vorgehensweise zum Erhalt strukturierter Dotierung diese Praxis ebenfalls angewandt wurde (vgl. Strukturierung und Ätzung), viel ausschlaggebender jedoch noch, weil diese Prozesssequenz in der industriellen Fertigung bereits dergestalt zur

Herstellung von selektiven Emitter-Solarzellen etabliert war oder zum Teil noch ist, dann ergeben sich insgesamt drei Prozessschritte. Als Konsequenz eröffnet somit die Herstellung von IBC-Solarzellen mit Hilfe der

erfindungsgemäßen Hybridsole und -gele die Möglichkeit gegenüber der klassischen, rein Gasphasen vermittelten Dotierung sechs Prozessschritte bzw. zwei Drittel des notwendigen Aufwandes einzusparen. Prinzipiell lässt sich die gleiche Prozesskette auch mit alternativen herkömmlichen PVD- oder CVD-deponierten Dotierstoffquellen realisieren. Diese müssen jedoch nach deren Abscheidung auf der Rückseite strukturiert werden, um Bereiche zu definieren, die mittels des Gasphasenprozesses dotiert werden sollen - in diesem Fall praktischerweise ebenso mit Hilfe einer Phosphordiffusion mit Phosphorylchlorid. Die sich hieraus ergebende Prozesskette weist somit notwendigerweise vier Prozessschritte auf. Des Weiteren muss im Regelfall eine Capping-Schicht mit eingebunden werden, um die Durchdringung des in diesem Fall aufgebrachten BSG-Glases durch die Phosphordiffusion mit diffundierendem Phosphor zu unterbinden. Somit wird offensichtlich, dass die Anwendung der erfindungsgemäßen und dotierend, als auf Phosphor als Barriere wirkenden Hybridsole und -gele einen immanenten Vorteil aufweisen, der zur kosteneffizienten Herstellung von IBC-Solarzellen signifikanten beitragen kann.

Figur 1 zeigt eine vereinfachte schematische Darstellung eines möglichen Herstellungsprozesses einer n-Typ IBC-Solarzelle. Die Diffusion der

Vorderseite wurde in diesem Fall nicht außer Betracht gelassen. Auf der Rückseite wird die strukturierte Diffusion mit Hilfe von unterschiedlichen Dotiermedien, in diesem Falle dem strukturierten Auftrag der

erfindungsgemäßen Borpaste, wobei es sich im Prinzip genauso gut um eine erfindungsgemäße Bortinte handeln, erzielt. Der Wafer wird anschließend einer konventionellen Gasphasendiffusion mit beispielsweise

Phosphorylchlorid als Dotierstoff-Precursor unterzogen. Dadurch werden alle „offenen" Stellen des Siliziumwafers mit Phosphor dotiert. Die Flächen auf der Rückseite, welche mit dem erfindungsgemäßen borhaltigen Dotierstoff bedruckt sind, werden, aufgrund dessen Eigenschaft als Diffusionsbarriere gegenüber einer Phosphordiffusion zu wirken, nicht mit Phosphor, sondern durch das in der Dotierstoffquelle enthaltene Bor dotiert. In der Konsequenz wird auf der Rückseite die erwünschte strukturierte Dotierung erhalten. Die Vorderseite kann, muss jedoch nicht notwendigerweise, dabei einer zu hohen Dotierung unterzogen worden sein. Die Dotierintensität der Vorderseite wird durch kontrolliertes Zurückätzen der höchstdotierten Bereiche gezielt gegenüber den erwünschten Erfordernissen eingestellt.

In den folgenden Beispielen sind die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung wiedergegeben. Wie oben ausgeführt, ermöglicht die vorliegende Beschreibung es dem Fachmann die Erfindung umfassend anzuwenden. Auch ohne weitere Ausführungen wird daher davon ausgegangen, dass ein Fachmann die obige Beschreibung im weitesten Umfang nutzen kann.

Bei etwaigen Unklarheiten versteht es sich von selbst, die zitierten

Veröffentlichungen und Patentliteratur heranzuziehen. Dementsprechend gelten diese Dokumente als Teil der Offenbarung der vorliegenden

Beschreibung. Dieses gilt insbesondere für die Offenbarungen der

europäischen Patentanmeldungen mit den Aktenzeichen 14004453.8 und 14004454.6 und der internationalen Anmeldung WO 2014/101990 A.

Zum besseren Verständnis und zur Verdeutlichung der Erfindung werden im Folgenden Beispiele gegeben, die im Rahmen des Schutzbereichs der vorliegenden Erfindung liegen. Diese Beispiele dienen auch zur

Veranschaulichung möglicher Varianten. Aufgrund der allgemeinen Gültigkeit des beschriebenen Erfindungsprinzips sind die Beispiele jedoch nicht geeignet, den Schutzbereich der vorliegenden Anmeldung nur auf diese zu reduzieren. Weiterhin versteht es sich für den Fachmann von selbst, dass sich sowohl in den gegebenen Beispielen als auch in der übrigen Beschreibung die in den Zusammensetzungen enthaltenen Komponentenmengen in der Summe immer nur zu 100 Gew.-, mol- oder vol.-% bezogen auf die

Gesamtzusammensetzung aufaddieren und nicht darüber hinausgehen können, auch wenn sich aus den angegebenen Prozentbereichen höhere Werte ergeben könnten. Sofern nichts anderes angegeben ist, gelten daher %-Angaben als Gew.-, mol- oder vol.-%. Die in den Beispielen und der Beschreibung sowie in den Ansprüchen gegebenen Temperaturen gelten immer in °C.

Beispiele Beispiel 1 : In einem Glaskolben werden 55,2 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB) und 20,1 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser werden 7,51 g Eisessig, 0,8 g

Acetaldoxim und 0,49 g Acetylaceton unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,45 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für fünf Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird die Mischung einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 30 mbar unterworfen. Der Massenverlust an leichtflüchtigen Reaktionsprodukten beträgt 12,18 g. Die destillierte Mischung wird

anschließend mit 62,3 g Texanol und weiteren 65 g EGB verdünnt, sowie mit einem gemischten kondensierten Sol, bestehend aus Precursoren von Boroxid und Siliziumdioxid versetzt. Das Hybridsol aus Siliziumdioxid und Boroxid wird dazu wie folgt hergestellt: 6,3 g Tetraacetoxydiborat werden in 40 g

Benzylbenzoat vorgelegt und mit 15 g Acetanhydrid versetzt. Die Mischung wird in einem Ölbad auf 80 °C erwärmt und nachdem eine klare Lösung entstanden ist, werden zu dieser Lösung 4,6 g Dimethyldimethoxysilan hinzugefügt und die ganze Mischung unter Rühren für 45 Minuten reagieren lassen. Das Hybridsol wird im Anschluss ebenfalls einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddruckes von 30 mbar unterworfen, wobei der Massenverlust an leichtflüchtigen Reaktionsprodukten 7,89 g beträgt. Die 110 g der Gesamtmischung werden mit 9 g Synchrowachs versetzt und unter Rühren auf 150 °C bis zur vollständigen Lösung und klaren Durchmischung erwärmt. Im Anschluss wird die Mischung unter intensivem Rühren abkühlen lassen. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare Paste. Beispiel 2:

Die Paste gemäß des Beispiels 1 wird mit Hilfe einer konventionellen

Siebdruckmaschine und einem Sieb mit 350 mesh, 16 pm Fadenstärke (Edelstahl) und einer Emulsionsdicke von 8 - 12 pm unter Anwendung einer Rakelgeschwindigkeit von 170 mm/s und einem Rakeldruck von 1 bar auf einen Wafer aufgedruckt und anschließend einer Trocknung in einem

Durchlaufofen unterworfen. Die Heizzonen in dem Durchlaufofen werden auf 350/350/375/375/375/400/400 °C eingestellt.

Figur 12 zeigt ein mit Hilfe des erfindungsgemäßen Hybridgels gemäß der Zusammensetzung und Herstellung des Beispiels 1 bedruckter Siliziumwafer nach dessen Trocknung in einem Durchlaufofen. Beispiel 3:

Die Paste gemäß des Beispiels 1 wird mit Hilfe einer konventionellen

Siebdruckmaschine und einem Sieb mit 280 mesh und 25 pm Fadenstärke (Edelstahl) großflächig auf einer rauen CZ-Waferoberfläche (n-Typ) aufgedruckt. Der Nassauftrag beträgt 1 ,5 mg/cm ² . Der bedruckte Wafer wird anschließend auf einer konventionellen Laborheizplatte für 3 Minuten bei 300 °C getrocknet und anschließend einem Diffusionsprozess unterworfen. Dazu werden die Wafer bei ungefähr 700 °C in einen Diffusionsofen eingeschleust, und der Ofen wird anschließend auf eine Diffusionstemperatur von 950 °C aufgeheizt. Der Wafer wird für 30 Minuten bei dieser Plateautemperatur in einer Atmosphäre aus Stickstoff mit 0,2 % v/v Sauerstoff gehalten. Im

Anschluss an die Bordiffusion wird der Wafer einer Phosphordiffusion mit Phosphorylchlorid bei niedriger Temperatur, 880 °C, in dem gleichen

Prozessrohr ausgesetzt. Nach den Diffusionen und dem Abkühlen des Wafers wird dieser mittels Ätzung mit verdünnter Flusssäure von den auf den

Waferoberflächen vorhandenen Gläsern befreit. Der Bereich, welcher zuvor mit der erfindungsgemäßen Borpaste bedruckt war, weist ein hydrophiles Benetzungsverhalten bei Spülung der Waferoberfläche mit Wasser auf, was einen eindeutigen Hinweis auf das Vorliegen einer Borhaut in diesem Bereich darstellt. Der in dem mit der Borpaste bedruckten Oberflächenbereich bestimmte Schichtwiderstand beträgt 195 Ω/sqr (p-Typ-Dotierung). Die nicht von der Borpaste geschützten Bereiche weisen einen Schichtwiderstand von 90 Ω/sqr auf (n-Typ-Dotierung). In dem Bereich der Oberfläche, welcher mittels der erfindungsgemäßen Borpaste bedruckt war, wird das SIMS- (Sekundärionen-Massenspektrometrie)-Tiefenprofil der Dotierstoffe bestimmt. In der mit der B-Paste bedeckten Region wird, ausgenommen der n-Typ- Basisdotierung, ein von der Waferoberfläche in die des Siliziums reichende Bordotierung bestimmt. Die aufgedruckte Pastenschicht wirkt somit als Diffusionsbarriere gegenüber einer typischen Phosphordiffusion. Figur 13 zeigt das SIMS-Profil einer rauen Siliziumoberfläche, die mit der erfindungsgemäßen Borpaste bedruckt und anschließend einer

Gasphasendiffusion mit Phosphorylchlorid unterworfen wurde. Aufgrund der rauen Oberfläche können nur relative Konzentrationen in Form von Zählraten erhalten werden.

Beispiel 4:

In einem Rundkolben werden 3,66 g von in einem Exsikkator vorgetrockneter Borsäure in 40 g Dibenzylether, 8 g Acetanhydrid und 8 g

Tetraethylorthosilicat unter Rühren bei 00 °C gelöst und für 30 Minuten reagieren lassen. Anschließend werden 60 g Ethylenglycolmonobutylether in einer Lösung aus 0,4 g 1 ,3-cyclohexandion und 7,2 g Saliclysäure gelöst und es werden 160 g Ethanol zugegeben. Nachdem die Reaktionsmischung vollständig durchmischt ist, werden zu dieser Lösung 20 g Aluminium-tri-sec- butylat zugesetzt. Die Lösung wird für eine weitere Stunde refluxiert. Die

Bortinte wird anschließend durch einen Filter mit der Porengröße von 0,45 pm filtriert und entlüftet. Zum Verdrucken mittels eines Ink Jet-Druckers wird die Tinte in einen geeigneten Druckkopf, Spectra SE128AA, eingefüllt und unter Wahl der folgenden Druckbedingungen auf sauer glanzgeätzte Siliziumwafer aufgedruckt: Feuerfrequenz - 1500 Hz; Spannung - 70 V; Trapezfunktion - 1 - 11 - 1 ps; Unterdruckdifferenz über dem Tintentank - 21.5 mbar. Die Substrate werden auf der Substrathalterung von unten erwärmt. Die jeweilige Erwärmung (-> Drucktemperatur) ist in den aufgeführten Beispielen genannt. Auf den Wafem werden Quadrate mit einer Kantenlänge von jeweils 2 cm aufgedruckt. Die gewählte Druckauflösung ist ebenfalls in den einzelnen

Beispielen wiedergegeben. Nach dem Drucken werden die bedruckten Wafer auf einer konventionellen Laborheizplatte bei Temperaturen zwischen 400 °C und 600 °C für jeweils fünf bis zehn Minuten getrocknet. Die getrockneten Strukturen werden anschließend mit einer Phosphortinte, gemäß der

Zusammensetzung wie in der Patentanmeldung

WO 2014/101990 erwähnt, ebenfalls mittels Ink Jet Drucks bedruckt. Die jeweilige Druckauflösung, wie auch die jeweilige Drucktemperatur, ist in den Beispielen wiedergegeben. Die Phosphortinte wird unter Wahl der folgenden Druckbedingungen verarbeitet: Feuerfrequenz - 1500 Hz; Spannung - 90 V; Trapezfunktion - 1 - 11 - 1 ps; Unterdruckdifferenz über dem Tintentank - 21.5 mbar. Die gedruckte Struktur besteht ebenfalls aus einem Quadrat der Kantenlänge von jeweils 2 cm, welches auf dem Quadrat mit der Bortinte deponiert worden ist. Nach dem Drucken wird die Phosphortinte auf einer konventionellen Laborheizplatte bei Temperaturen zwischen 400 °C und 600 °C für jeweils fünf bis zehn Minuten getrocknet. Die gesamte Struktur wird anschließend einer Hochtemperaturdiffusion in einem Rohrofen bei 950 °C unterworfen. Dazu wird die Diffusion für 30 Minuten im Stickstoffstrom, gefolgt von einem Oxidationsprozess für fünf Minuten in einer Atmosphäre aus Stickstoff und Sauerstoff (20 % v/v) und weiterhin gefolgt von einer

Eintreibephase von zehn Minuten in Stickstoffatmosphäre getrieben. Die diffundierten Wafer werden anschließend mittels Ätzens in verdünnter

Flusssäure von den aufgedruckten Dotierstoffquellen befreit und das

Dotierprofil wird mit Hilfe von elektrochemischer Kapazitäts-Spannungs- Messung (ECV) in dem bedruckten Stellen gemessen. Figur 14 zeit das ECV-Profil eines mit der erfindungsgemäßen Bortinte bedruckten Siliziumwafers, welche anschließend mit Phosphortinte

überschichtet und zur Diffusion gebracht wurde. Das Profil zeigt die

Bordotierung, die sich bei Anwendung einer Druckauflösung von 508 dpi und einer Drucktemperatur von 50 °C ergab. In dem Profil wurde keine

Phosphordotierung gemessen, zum Beispiel Wechsel des Ladungsträgertyps in unterschiedlichen Bereichen des Profils.

Tabelle : Temperaturen und Druckauflösungen zu den oben beschriebenen Überschichtungsversuchen mit der erfindungsgemäßen Bortinte mittels einer ebenfalls mittels Ink Jet verdruckten Phosphortinte. Die Analyse der gedruckten und dotierten Sandwich-Strukturen resultierte in allen Fällen in einer im Siliziumwafer erzielten Bordotierung. Beispiel 5:

In einem Rundkolben werden 2 g Boroxid in 10,5 g Tetrahydrofuran, 3 g Acetanhydrid und 4 g Tetraethylorthosilicat unter Rühren und Refluxieren gelöst und für 30 Minuten reagieren lassen. Anschließend werden 41 g

Ethylenglycolmonobutylether, in dem 2 g Salicylsäure und 0,6 g Acetylaceton vorgelöst sind, und 20 g Diethylenglycolmonoethylether zugegeben. Nachdem die Reaktionsmischung vollständig durchmischt ist, werden zu dieser Lösung 10 g Aluminium-tri-sec-butylat zugesetzt. Die Lösung wird für eine weitere Stunde refluxiert und anschließend werden an einem Rotationsverdampfer leichtflüchige Lösemittel und Reaktionsprodukte bei 60 °C unter Erreichen eines Enddruckes von 50 mbar abgezogen. Die Bortinte wird anschließend durch einen Filter mit der Porengröße von 0,45 μιτι filtriert und entlüftet.

Anschließend werden einseitig polierte p-Typ Testwafer mittels des

Lackschleuderverfahrens unter Anwendung eines zweistufigen

Beschichtungsprogramms beschichtet: Schleudern für 15 s bei 500 rpm zum Verteilen der Tinte, gefolgt von 2000 rpm für 45 s. Die beschichteten Wafer werden anschließend auf einer konventionellen Laborheizplatte für fünf Minuten bei 500 °C getrocknet. Im Anschluss an diese Beschichtung werden die Wafer mit einer phosphorhaltigen Dotiertinte, gemäß der

Zusammensetzung, wie in der Patentanmeldung WO 2014/101990 erwähnt, mit Hilfe des gleichen Schleuderprogramms auf der bereits mit Bortinte beschichteten Seite erneut beschichtet, wonach die Wafer ebenfalls für fünf Minuten bei 500 °C getrocknet werden. Die doppelt beschichteten Wafer werden in einem Rohrofen bei 930 °C im Stickstoffstrom für 30 Minuten zur

Diffusion gebracht. Nach der Diffusion werden die Reste der Dotiermedien mit Hilfe von verdünnter Flusssäure von der Oberfläche entfernt, und die Wafer werden mit Hilfe von elektrochemischer Kapazitäts-Spannungsmessung (ECV) und Sekundär-Ionen-Massenspektrometrie (SIMS) hinsichtlich ihrer jeweiligen Dotierprofile beprobt.

Die Bortinte ist gegenüber der Diffusion von Phosphor aus der Phosphortinte dicht. Figur 15 zeigt das ECV-Profil eines mit der erfindungsgemäßen Bortinte beschichteten Siliziumwafers, welcher anschließend mit Phosphortinte überschichtet und zur Diffusion gebracht wurde. In dem Profil wurde keine Phosphordotierung gemessen, zum Beispiel Wechsel des Ladungsträgertyps in unterschiedlichen Bereichen des Profils. Zum Vergleich ist ein ECV-Profil einer gleichbehandelten Referenzprobe dargestellt.

Figur 16 zeigt das SIMS-Profil einer, zu Figur 14 vergleichbaren Probe. Das SIMS-Profil zeigt die Konzentrationsverläufe von Bor und Phosphor in Silizium. Das Phosphorprofil erreicht nach einer Tiefe von 40 nm eine Konzentration von 1*10 ¹⁶ Atome/cm ³ .

In einem Vergleichsexperiment wird eine Bortinte, ausschließlich basierend auf einem Hybridsol bestehend aus Precursoren des Siliziumdioxids und Boroxids, gemäß der zuvor erwähnten Vorgehensweise hergestellt. Der Anteil des Aluminiumoxides wird hierbei durch Siliziumdioxid ersetzt. Die Tinte wird mittels Lackschleuderbeschichtung unter Anwendung des bereits genannten Beschichtungsprogramms aufgetragen und anschließend ebenfalls mit

Phosphortinte überschichtet. Die doppelt beschichteten Proben werden der bereits beschriebenen Diffusion unterworfen und im Anschluss auf die gleiche Weise analysiert.

Figur 17 zeigt das ECV-Profil eines mit einer nicht erfindungsgemäßen

Bortinte beschichteten Siliziumwafers, welcher anschließend mit Phosphortinte überschichtet und zur Diffusion gebracht wurde. In dem Profil wurde

ausschließlich eine Phosphordotierung (blau) gemessen. Zum Vergleich ist ein ECV-Profil einer gleichbehandelten Referenzprobe dargestellt.

Figur 8 zeigt das SIMS-Profil einer, zu Figur 16 vergleichbaren Probe. Das SIMS-Profil zeigt die Konzentrationsverläufe von Bor und Phosphor in Silizium. Bei der im Silizium vorherrschenden Konzentration handelte es sich um

Phosphor.

Das Hybridsol auf Basis von Silicumdioxid und Boroxid und gleichzeitiger Abwesenheit von Aluminiumoxid war gegenüber der Diffusion von Phosphor aus der Phosphortinte nicht diffusionsdicht. Beispiel 6:

In einem Glaskolben werden 72,2 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 2,9 g Dimethyldimethoxysilan und 12,8 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser

Mischung werden 12,2 g Eisessig und 0,38 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Der Massenverlust an leichtflüchtigen Reaktionsprodukten beträgt 15,3 g. Die destillierte Mischung wird

anschließend mit 84 g α-Terpineol (Isomerengemisch) und 3,76 g

Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Die Viskosität der Paste beträgt 8,5 Pa ^* s bei einer Scherrate von 25 1/s und einer

Temperatur von 23 °C.

Die Paste wird mit Hilfe eines Siebdruckers unter Verwendung eines

Trampolinsiebs mit Edelstahlgewebe (400 mesh, 18 μιτι Drahtdurchmesser, kalandriertes, 8 - 12pm Emulsion über dem Gewebe) auf alkalisch glanzgeätzten Wafern, unter Anwendung der folgenden Druckparameter verdruckt:

einem Siebabsprung von 2 mm,

einer Druckgeschwindigkeit von 200 mm/s,

einer Flutgeschwindigkeit von ebenfalls 200 mm/s,

einem Rakeldruck von 60 N während des Druckvorganges und einem

Rakeldruck von 20 N während des Flutens, sowie unter der Verwendung einer Carbonfaserrakel mit Polyurethangummi der Shorehärte von 65 °.

Die bedruckten Wafer werden anschließend in einem auf 400 °C erwärmten Durchlaufofen getrocknet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 90 cm/s. Die

Länge der Heizzonen beträgt 3 m. Der Pastenübertrag beträgt 0,93 mg/cm ²

Figur 19 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 6 siebgedruckten und getrockneten Linie. Figur 20 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 6 siebgedruckten und getrockneten Pastenfläche.

Figur 21 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 6 siebgedruckten und getrockneten Pastenfläche.

Beispiel 7:

In einem Glaskolben werden 72,3 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 2,8 g Dimethyldimethoxysilan und 12,9 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,1 g Eisessig und 1 ,5 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Der Massenverlust an leichtflüchtigen Reaktionsprodukten beträgt 15,3 g. Die destillierte Mischung wird

anschließend mit 84 g oc-Terpineol (Isomerengemisch) und 3,8 g

Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Die Viskosität der Paste beträgt 6,7 Pa ^* s bei einer Scherrate von 25 1/s und einer

Temperatur von 23 °C. Die Paste wird mit Hilfe eines Siebdruckers unter Verwendung eines Trampolinsiebs mit Edelstahlgewebe (400 mesh, 18 μηη Drahtdurchmesser, kalandriert, 8 - 12 pm Emulsion über dem Gewebe) auf alkalisch glanzgeätzten Wafern, unter Anwendung der folgenden

Druckparameter verdruckt: einem Siebabsprung von 2 mm, einer

Druckgeschwindigkeit von 200 mm/s, einer Flutgeschwindigkeit von ebenfalls 200 mm/s, einem Rakeldruck von 60 N während des Druckvorganges und einem Rakeldruck von 20 N während des Flutens sowie unter der

Verwendung einer Carbonfaserrakel mit Polyurethangummi der Shorehärte von 65 °. Die bedruckten Wafer werden anschließend in einem auf 400 °C erwärmten Durchlaufofen getrocknet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 90 cm/s. Die Länge der Heizzonen beträgt 3 m. Der Pastenübertrag beträgt 1 ,04 mg/cm ² . Figur 22: Mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 7 siebgedruckten, und getrockneten Linie.

Figur 23: Mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 7 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche

Figur 24: Mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 7 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche In einer weiteren Ausführungsweise werden sowohl alkalisch glanzgeätzte, als auch alkalisch texturierte und mittels einseitiger saurer Ätze nachpolierte CZ-n-typ Siliziumwafer annähernd ganzflächig (~93 %) mit der Dotierpaste bedruckt. Der Druck erfolgt mit einem Sieb mit Edelstahlgewebe (400/18, 10 μιη Emulsionsdicke über dem Gewebe). Der Pastenauftrag beträgt

0,9 mg/cm ² . Die Wafer werden für drei Minuten bei 400 °C auf einer

Heizplatte getrocknet und anschließend einer Co-Diffusion bei einer

Plateautemperatur von 950 °C für 30 Minuten unterworfen. Bei der Co- Diffusion wird der Wafer auf der mit der Borpaste bedruckten Seite mit Bor diffundiert und dotiert, wohingegen die Waferseite oder -Oberfläche, die nicht mit Borpaste bedruckt ist, mit Phosphor diffundiert und dotiert wird. Die Phosphordiffusion wird in diesem Fall mit Hilfe von Phosphorylchloriddampf erzielt, welcher, transportiert durch einen Strom inerten Gases, in die heiße Ofenatmosphäre eingetragen wird. Infolge der im Ofen vorherrschenden hohen Temperatur und des gleichzeitig in der Ofenatmosphäre vorhandenen Sauerstoffs, wird das Phosphorylchlorid zu Phosphorpentoxid verbrannt. Das Phosphorpentoxid schlägt sich in Verbindung mit einem, sich auf der

Waferoberfläche aufgrund des in der Ofenatmosphäre vorhandenen

Sauerstoffs bildenden Siliziumdioxids nieder. Die Mischung aus dem

Siliziumdioxid mit dem Phosphorpentoxid wird als auch als PSG-Glass bezeichnet. Aus dem PSG-Glass auf der Oberfläche erfolgt die Dotierung des Siliziumwafers. Auf Oberflächenbereichen, auf weichen bereits Borpaste vorhanden ist, kann sich ein PSG-Glass nur auf der Oberfläche der Borpaste bilden. Wenn die Borpaste als Diffusionsbarriere gegenüber Phosphor wirkt, dann kann an solchen Stellen, auf weichen bereits Borpaste vorhanden ist, keine Phosphordiffusion erfolgen, sondern nur eine von Born selbst, welches aus der Pastenschicht in den Siliziumwafer eindiffundiert. Diese Art der Co- Diffusion kann in verschiedenen Ausführungsformen durchgeführt werden. Prinzipiell kann das Phosphorylchlorid zu Beginn des Diffusionsprozesses in dem Ofen verbrannt werden. Unter Prozessbeginn versteht man bei der industriellen Herstellung von Solarzellen im Regelfall einen

Temperaturbereich zwischen 600 °C und 800 °C, in welchem die zu diffundierenden Wafer in den Diffusionsofen eingefahren werden können. Weiterhin kann es während des Aufheizens des Ofens auf die gewünschte Prozesstemperatur in dem Ofenraum verbrannt werden. Das Einbringen von Phosphorylchlorid kann demgemäß auch während des Haltens der

Plateautemperatur, als auch während des Abkühlens des Ofens oder vielleicht auch nach dem Erreichen einer zweiten Plateautemperatur, welche höher und/oder auch niedriger als die erste Plateautemperatur sein kann, in den Ofen eingebracht werden. Von den zuvor genannten Möglichkeiten können, je nach den jeweiligen Erfordernissen, auch beliebige

Kombinationen der Phasen des möglichen Eintragens von Phosphorylchlorid in den Diffusionsofen vorgenommen werden. Einige dieser Möglichkeiten sind skizziert. In dieser Abbildung ist die Möglichkeit der Verwendung einer zweiten Plateautemperatur nicht dargestellt. Die mit der Borpaste bedruckten Wafer werden einem, wie in Figur 25 dargestellt, Co-Diffusionprozess unterworfen, bei welchem der Eintrag des Phosphorylchlorids in den Diffusionsofen vor dem Erreichen der

Plateautemperatur, welche zum Erzielen einer Bordiffusion notwendig ist, in diesem Fall 950 °C, erfolgt. Während der Diffusion sind d ie Wafer in dem Prozessboot paarweise dergestalt angeordnet, dass deren mit Borpaste bedruckten Seiten jeweils zueinander zeigen (vgl. Figur 27). Es wird jeweils ein Wafer in einem Schlitz des Prozessbootes aufgenommen . Der nominelle Abstand zwischen den Substraten beträgt damit etwa 2,5 mm. Im Anschluss an die Diffusion werden die Wafer einer Glasätze in verdünnter Flusssäure unterworfen und anschließend werden deren Schichtwiderstände mittels Vierpunktmessung gemessen. Die mit der Borpaste diffundierte Seite des Wafers verfügt über einen Schichtwiderstand von 35 Ω/Π (Spannweite: 10 Ω/D), wohingegen die der mit der Borpaste bedruckten gegenüberliegende Seite des Wafers einen Schichtwiderstand von 70 Ω/D besitzt. Mit Hilfe eines p-n-Testers wird nachgewiesen, dass die Seite, welche über einen

Schichtwiderstand von 35 Ω/D verfügt ausschließlich p-, also mit Bor, dotiert ist, während die gegenüberliegende Seite, die über einen Schichtwiderstand von 70 Ω/Π verfügt, ausschließlich n-, also mit Phosphor dotiert ist.

Zwischen den Schichtwiderständen auf den alkalisch glanzgeätzten Wafem und jenen, bei denen die alkalische Textur einseitig sauer nachpoliert wurde, kein grundlegender Unterschied besteht - sowohl auf der mit Phosphor, als auch auf der mit Bor dotierten Waferseite.

In einer weiteren, gleichen Ausführungsform des oben geschilderten Co- Diffusionsexperiments werden die Wafer in dem Prozessboot für die

Diffusion dergestalt angeordnet, dass die mit der Borpaste bedruckte

Waferseite einer nicht bedruckten Waferoberfläche gegenüber steht (vgl. Figur 28). Nach der oben bereits geschilderten post-diffusiven

Nachbehandlung der Wafer werden die Schichtwiderstände, als auch die vorherrschenden Dotierungen mit den bereits genannten Methoden bestimmt. Auf der mit Borpaste bedruckten Seite wird ein Schichtwiderstand von 37 Ω/D (Spannweite: 10 Ω/D) bestimmt. Diese Seite ist ausschließlich p-dotiert, während auf der Rückseite ein Schichtwiderstand von 70 Ω/D von gemessen wird. Die Rückseite ist ausschließlich n-dotiert. In einer weiteren Ausführungsform des bereits beschriebenen Co-

Diffusionsexperiments werden Wafer mit der erfindungsgemäßen Borpaste mit einem Pastenauftrag von 0,7 mg/cm ² bedruckt und den gleichen

Diffusionsbedingungen unterworfen. Die Anordnung der Wafer in dem

Prozessboot erfolgte gemäß der Figur 29. Nach der Aufarbeitung der diffundierten Wafer gemäß der bereits geschilderten Vorgehensweise, kann auf der mit der Borpaste bedruckten Seite ein Schichtwiderstand von 37 Ω/D (Spannweite: 8 Ω/D) bestimmt werden. Bei der auf dieser Waferoberfläche vorherrschenden Dotierung handelt es sich um p-Typ. In einer weiteren Ausführungsform des Co-Diffusionsexperiments werden Wafer mit der erfindungsgemäßen Borpaste mit einem Pastenübertrag von 0,9 mg/cm ² bedruckt. Die bedruckten Wafer werden auf einer Heizplatte für drei Minuten bei 400 °C und daran anschließend in einem Durchlaufofen für weitere 20 Minuten getrocknet. Die Wafer werden einem bereits oben beschriebenen Co-Diffusionsexperiment unterzogen, wobei die mit Borpaste bedruckten Waferoberflächen jeweils gegenüber liegend angeordnet sind. Nach der Diffusion werden die Wafer in der gewohnten Weise

weiterbehandelt und anschließen wird auf der mit der Paste bedruckten Seite der Schichtwiderstand mittels Vierpunktmessung bestimmt. Der Schichtwiderstand beträgt 41 Ω/D (Spannweite: 5 Ω/Π). Die intensivierte Trocknung der Paste führt zu einer deutlichen Reduktion der Varianz des Schichtwiderstandes.

In einer weiteren Ausführungsform der Co-Diffusion werden Wafer mit einem Sieb unter Verwendung eines strukturierten Sieblayouts verdruckt. Das verwendete Sieb entspricht den bereits oben erwähnten Charakteristika. Des Weiteren verfügt das Sieb über einen mittig auf der Waferoberfläche aufzudruckenden Sammelbus, von welchem jeweils 700 μιτι breite Balken oder Finger nach sowohl rechts, als auch links abzweigen. Zwischen den Balken befinden sich 300 μιτι breite Stege, welche die Waferoberfläche vor dem Pastendruck schützen. Die dergestalt bedruckten Wafer werden auf einer Heizplatte bei 400 °C für drei Minuten getrocknet, anschließend in einer Anordnung gemäß der Figur 28 in dem Prozessboot ausgerichtet und unter Anwendung der bereits beschriebenen Co-Diffusionsbedingungen zur Diffusion gebracht. Nach der weiteren, bereits oben beschriebenen

Behandlung der diffundierten Wafer, werden diese mittels eines

bildgebenden Verfahrens zur Bestimmung der Schichtwiderstandes untersucht (sheet resistance imaging). Die verwendete Messmethode erfolgte unkalibriert, was bedeutet, dass die

Schichtwiderstandsinformationen über die von Messmethode erhaltenen Signale und Signaländerungen codiert sind (in diesem Fall Zählraten der mit Hilfe des Verfahrens detektierten IR-Strahlung). In der Figur 29 ist eine mikroskopische Aufnahme einer gedruckten Struktur nach der Co-Diffusion dargestellt. Auf der Probe liegt die Borpaste noch vor. Die mit der Borpaste bedruckten Bereiche weisen eine dunkelblaue Farbe auf. Ein Wafer, der mit der erfindungsgemäßen Borpaste bedruckt und getrocknet ist, ist dargestellt: die in dieser Abbildung gezeigte Struktur entspricht im Prinzip der zuvor beschriebenen Strukturgebung, ausgenommen, dass der als mittig

angeordnete Sammelbus auf dieser Waferoberfläche nicht vorliegt und die Abmessungen der gedruckten Balken nicht exakt den ebenfalls bereits genannten Abmessungen entsprechen. Die aus der Figur 29 ersichtlichen Strukturen werden in die, in der Figur 30 gezeigten Schichtwiderstandskartierung übertragen. Die in der Figur 30 orange-rot dargestellten Bereiche entsprechen den mit der Borpaste gedruckten Strukturen, während die roten Bereiche den Aussparungen in der Struktur zuzuordnen sind, die infolge der Co-Diffusion mit Phosphor diffundiert wurden. Es ist darüber hinaus zu erkennen, dass die benachbarten Bereiche über eine, mit der Messgenauigkeit der zur Verfügung stehenden Mittel und unter Berücksichtigung der gemessenen Waferoberflächen (Streuung des Signals), sehr scharfe Abgrenzung und sehr gut definierten

Übergangsbereich verfügen. In der Figur 30 sind gemäß der

Versuchsausführung alternierende, scharf abgegrenzte pn-Übergänge gezeigt, die mit Hilfe eines einzigen Hochtemperatur-Diffusionsschrittes hergestellt werden können.

Des Weiteren ist in Figur 31 ein ECV-Profil (elektrochemische Kapazitäts- Spannungs-Profilierung) der mit Hilfe der erfindungsgemäßen Borpaste hergestellten, und der in Figur 29 und auch der in Figur 30 gezeigten

Busbar-Region dargestellt. Das Profil zeigt ein Emitterprofil mit einer Tiefe des pn-Überganges von etwa 600 nm an. Es herrscht ausschließlich eine p- typ-Dotierung vor. Die Oberflächenkonzentration der Ladungsträger (Löcher) des Emitterprofils beträgt etwa 2 ^* 10 ²⁰ cm ^"3 . Durch geeignete Manipulationen der Prozessführung des Co-Diffusionsprozesses kann sowohl die Tiefe des Profils als auch die Oberflächenkonzentration in gewünschter Weise eingestellt werden (z. B. durch die Wahl der Diffusionstemperatur, der Diffusionslänge, der Zusammensetzung der während des

Diffusionsprozesses verwendeten Gasatmosphäre, und hierbei

insbesondere durch die Einstellung einer dezidierten

Sauerstoffkonzentration).

Figur 25 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 7 siebgedruckten, und getrockneten Linie.

Figur 26 zeigt die photographische Aufnahme eines, mit Borpaste gemäß des Beispiels 7 in Form einer Balkenstruktur bedruckten monokristallinen Siliziumwafers. Figur 27 zeigt eine Anordnung von Wafern in einem Prozessboot während eines Co-Diffusionsprozesses. Die mit Borpaste bedruckten

Waferoberflächen sind gegenüberliegend. Figur 28 zeigt eine Anordnung von Wafern in einem Prozessboot während eines Co-Diffusionsprozesses. Die mit Borpaste bedruckten

Waferoberflächen sind gegenüberliegend.

Figur 29 zeigt eine mikroskopische Aufnahme eines mit der

erfindungsgemäßen Borpaste bedruckten Wafers (alkalisch texturierte, einseitig sauer nachpolierte Waferoberfläche). Die nominellen Bemessungen der aufgedruckten Struktur sind im Text erwähnt.

Figur 30 zeigt eine Schichtwiderstandskartierung mit Hilfe des SRI- Verfahrens. Die orange-gelben Bereiche entsprechen einer Bordotierung, wohingegen die roten Bereiche einer Phosphordotierung zuzuordnen sind. Die gezeigte Struktur entspricht derjenigen, in der Figur 29 dargestellten.

Figur 31 zeigt ein ECV-Profil eines mittels der erfindungsgemäßen Borpaste und unter Anwendung eines Co-Diffusionsprozesses erhaltenes Emitter- Profil (Bor, p-typ). Die Tiefe des pn-Überganges beträgt etwa 600 nm. Die Oberflächenkonzentration der Ladungsträger (Löcher) beträgt etwa 2 ^* 10 ²⁰ cm ^-3 . Beispiel 8:

In einem Glaskolben werden 563,2 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 23 g Dimethyldimethoxysilan und 102,2 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 97,8 g Eisessig und 6 g Acetaldoxim in der genannten

Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 15,6 g Wasser, gelöst in 50 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Der Massenverlust an leichtflüchtigen Reaktionsprodukten beträgt 1 19,6 g. Die destillierte Mischung wird anschließend mit 782 g α-Terpineol (Isomerengemisch) und 32,2 g

Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Die Viskosität der Paste beträgt 7,5 Pa ^* s bei einer Scherrate von 25 1/s und einer

Temperatur von 23 °C.

Die Paste wird mit Hilfe eines Siebdruckers unter Verwendung eines Trampolinsiebs mit Edelstahlgewebe (400 mesh, 18 m Drahtdurchmesser, kalandriert, 8 - 12 μιη Emulsion über dem Gewebe) auf alkalisch

glanzgeätzten Wafern, unter Anwendung der folgenden Druckparameter verdruckt:

einem Siebabsprung von 2 mm,

einer Druckgeschwindigkeit von 200 mm/s,

einer Flutgeschwindigkeit von ebenfalls 200 mm/s,

einem Rakeldruck von 60 N während des Druckvorganges und einem Rakeldruck von 20 N während des Flutens sowie unter der Verwendung einer Carbonfaserrakel mit Polyurethangummi der Shorehärte von 65 °. Die bedruckten Wafer werden anschließend in einem auf 400 °C erwärmten Durchlaufofen getrocknet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 90 cm/s. Die Länge der Heizzonen beträgt 3 m. Der Pastenübertrag beträgt 1 ,17 mg/cm ²

Figur 32 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 8 siebgedruckten, und getrockneten Linie.

Figur 33 zeigt ein mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 8 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche

Figur 34 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 8 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche. Beispiel 9:

In einem Glaskolben werden 72,5 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 2,9 g Dimethyldimethoxysilan und 12,8 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,2 g Eisessig und 1 ,4 g 1 ,3-Cyclohexandion in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die

Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Der

Massenverlust an leichtflüchtigen Reaktionsprodukten beträgt 20,8 g. Die destillierte Mischung wird anschließend mit 103 g a-Terpineol

(Isomerengemisch) und 3,9 g Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Die Viskosität der Paste beträgt 19,3 Pa ^* s bei einer Scherrate von 25 1/s und einer Temperatur von 23 °C. Die Paste wird mit Hilfe eines Siebdruckers unter Verwendung eines Trampolinsiebs mit Edelstahlgewebe (400 mesh, 18 pm Drahtdurchmesser, kalandriert, 8 - 12 pm Emulsion über dem Gewebe) auf alkalisch glanzgeätzten Wafern, unter Anwendung der folgenden Druckparameter verdruckt: einem Siebabsprung von 2 mm, einer Druckgeschwindigkeit von 200 mm/s, einer

Flutgeschwindigkeit von ebenfalls 200 mm/s, einem Rakeldruck von 60 N während des Druckvorganges und einem Rakeldruck von 20 N während des Flutens sowie unter der Verwendung einer Carbonfaserrakel mit

Polyurethangummi der Shorehärte von 65 °. Die bedruckten Wafer werden anschließend in einem auf 400 °C erwärmten Durchlaufofen getrocknet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 90 cm/s. Die Länge der Heizzonen beträgt 3 m. Der Pastenübertrag beträgt 1 ,15 mg/cm ² .

Figur 35 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 9 siebgedruckten, und getrockneten Linie.

Figur 36 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 9 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche. Figur 37 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 9 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche.

Beispiel 10: In einem Glaskolben werden 74,2 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 2,9 g Dimethyldimethoxysilan und 12,9 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,3 g Eisessig und 1 ,9 g 3,5-Dihydroxybenzoesäure in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die

Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Der

Massenverlust an leichtflüchtigen Reaktionsprodukten beträgt 20,5 g. Die destillierte Mischung wird anschließend mit 96,5 g a-Terpineol

(Isomerengemisch) und 3,9 g Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Die Viskosität der Paste beträgt 23,8 Pa ^* s bei einer Scherrate von 25 1/s und einer Temperatur von 23 °C. Die Paste wird mit Hilfe eines Siebdruckers unter Verwendung eines Trampolinsiebs mit Edelstahlgewebe (400 mesh, 18 μιτι Drahtdurchmesser, kalandriert, 8 - 12 pm Emulsion über dem Gewebe) auf alkalisch glanzgeätzten Wafern, unter Anwendung der folgenden Druckparameter verdruckt: einem Siebabsprung von 2 mm, einer Druckgeschwindigkeit von 200 mm/s, einer

Flutgeschwindigkeit von ebenfalls 200 mm/s, einem Rakeldruck von 60 N während des Druckvorganges und einem Rakeldruck von 20 N während des Flutens sowie unter der Verwendung einer Carbonfaserrakel mit

Polyurethangummi der Shorehärte von 65 °. Die bedruckten Wafer werden anschließend in einem auf 400 °C erwärmten Durchlaufofen getrocknet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 90 cm/s. Die Länge der Heizzonen beträgt 3 m. Der Pasten Übertrag beträgt 1 ,08 mg/cm ²

Figur 38 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 10 siebgedruckten, und getrockneten Linie Figur 39 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 10 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche

Figur 40 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 10 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche. Beispiel 11 :

In einem Glaskolben werden 72,2 g Ethylengiycolmonobutylether (EGB), 2,9 g Dimethyldimethoxysilan und 12,8 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,3 g Eisessig und 1 ,6 g Salicylsäure in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Der Massenverlust an leichtflüchtigen Reaktionsprodukten beträgt 16,9 g. Die destillierte Mischung wird

anschließend mit 94,5 g oc-Terpineol (Isomerengemisch) und 4 g

Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Die Viskosität der Paste beträgt 8,4 Pa ^* s bei einer Scherrate von 25 1/s und einer

Temperatur von 23 °C. Die Paste wird mit Hilfe eines Siebdruckers unter Verwendung eines Trampolinsiebs mit Edelstahlgewebe (400 mesh, 18 m Drahtdurchmesser, kalandriert, 8 - 12 pm Emulsion über dem Gewebe) auf alkalisch glanzgeätzten Wafern, unter Anwendung der folgenden

Druckparameter verdruckt: einem Siebabsprung von 2 mm, einer

Druckgeschwindigkeit von 200 mm/s, einer Flutgeschwindigkeit von ebenfalls 200 mm/s, einem Rakeldruck von 60 N während des Druckvorganges und einem Rakeldruck von 20 N während des Flutens sowie unter der

Verwendung einer Carbonfaserrakel mit Polyurethangummi der Shorehärte von 65 °. Die bedruckten Wafer werden anschließend in einem auf 400 °C erwärmten Durchlaufofen getrocknet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 90 cm/s. Die Länge der Heizzonen beträgt 3 m. Der Pastenübertrag beträgt 0,92 mg/cm ² .

Figur 41 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 11 siebgedruckten, und getrockneten Linie.

Figur 42 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 11 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche. Figur 43 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 11 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche.

Beispiel 12:

In einem Glaskolben werden 72,3 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 2,9 g Dimethyldimethoxysilan und 12,9 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,2 g Eisessig und 0,56 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Der Massenverlust an leichtflüchtigen Reaktionsprodukten beträgt 21 ,6 g. Die destillierte Mischung wird

anschließend mit 108 g -Terpineol (Isomerengemisch) und 3,9 g

Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Die Viskosität der Paste beträgt 9,3 Pa ^* s bei einer Scherrate von 25 1/s und einer

Temperatur von 23 °C. Die Paste wird mit Hilfe eines Siebdruckers unter

Verwendung eines Trampolinsiebs mit Edelstahlgewebe (400 mesh, 18 pm Drahtdurchmesser, kalandriert, 8 - 12 pm Emulsion über dem Gewebe) auf alkalisch glanzgeätzten Wafern, unter Anwendung der folgenden

Druckparameter verdruckt: einem Siebabsprung von 2 mm, einer

Druckgeschwindigkeit von 200 mm/s, einer Flutgeschwindigkeit von ebenfalls 200 mm/s, einem Rakeldruck von 60 N während des Druckvorganges und einem Rakeldruck von 20 N während des Flutens sowie unter der

Verwendung einer Carbonfaserrakel mit Polyurethangummi der Shorehärte von 65 °. Die bedruckten Wafer werden anschließend in einem auf 400 °C erwärmten Durchiaufofen getrocknet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 90 cm/s. Die Länge der Heizzonen beträgt 3 m. Der Pastenübertrag beträgt 1 ,06 mg/cm ² .

Figur 44 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 12 siebgedruckten, und getrockneten Linie. Figur 45 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 12 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche.

Figur 46 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 12 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche.

Beispiel 13:

In einem Glaskolben werden 72,1 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 2,9 g Dimethyldimethoxysilan und 12,8 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,3 g Eisessig und 1,1 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Der Massenverlust an leichtflüchtigen Reaktionsprodukten beträgt 9,3 g. Die destillierte Mischung wird

anschließend mit 99 g α-Terpineol (Isomerengemisch) und 3,9 g

Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Die Viskosität der Paste beträgt 5,9 Pa ^* s bei einer Scherrate von 25 1/s und einer

Temperatur von 23 °C. Die Paste wird mit Hilfe eines Siebdruckers unter Verwendung eines Trampolinsiebs mit Edelstahlgewebe (400 mesh, 18 pm Drahtdurchmesser, kalandriert, 8 - 12 pm Emulsion über dem Gewebe) auf alkalisch glanzgeätzten Wafern, unter Anwendung der folgenden

Druckparameter verdruckt: einem Siebabsprung von 2 mm, einer

Druckgeschwindigkeit von 200 mm/s, einer Flutgeschwindigkeit von ebenfalls 200 mm/s, einem Rakeldruck von 60 N während des Druckvorganges und einem Rakeldruck von 20 N während des Flutens sowie unter der

Verwendung einer Carbonfaserrakel mit Polyurethangummi der Shorehärte von 65 °. Die bedruckten Wafer werden anschließend in einem auf 400 °C erwärmten Durchlaufofen getrocknet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 90 cm/s. Die Länge der Heizzonen beträgt 3 m. Der Pastenübertrag beträgt 0,86 mg/cm ² . Figur 47 zeigt eine Mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 13 siebgedruckten, und getrockneten Linie.

Figur 48 zeigt eine Mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 13 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche.

Figur 49 zeigt eine Mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 13 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche. Beispiel 14:

In einem Glaskolben werden 577,2 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 19,9 g Tetraethylorthosilicat, 19,9 g 1 ,2-Bis(triethoxysilyl)ethan und 102,2 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 97,8 g Eisessig und 6 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt.

Anschließend werden 15,6 g Wasser, gelöst in 50 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer

Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Der Massenverlust an leichtflüchtigen

Reaktionsprodukten beträgt 269,7 g. Die destillierte Mischung wird anschließend mit 782 g -Terpineol (Isomerengemisch) und 32,2 g

Tetraacetoxydiborat versetzt, intensiv durchmischt und abschließend werden weitere 100 ml Ethylenglycolmonobutylether hinzugefügt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Die Paste wird mit Hilfe eines Siebdruckers unter Verwendung eines Trampolinsiebs mit Edelstahlgewebe (400 mesh, 18 pm Drahtdurchmesser, kalandriert, 8 - 12 pm Emulsion über dem Gewebe) auf alkalisch glanzgeätzten Wafern, unter Anwendung der folgenden Druckparameter verdruckt: einem Siebabsprung von 2 mm, einer Druckgeschwindigkeit von 200 mm/s, einer

Flutgeschwindigkeit von ebenfalls 200 mm/s, einem Rakeldruck von 60 N während des Druckvorganges und einem Rakeldruck von 20 N während des Flutens sowie unter der Verwendung einer Carbonfaserrakel mit

Polyurethangummi der Shorehärte von 65 °. Die bedruckten Wafer werden anschließend in einem auf 400 °C erwärmten Durchlaufofen getrocknet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 90 cm/s. Die Länge der Heizzonen beträgt 3 m.

Figur 50 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 14 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche.

Beispiel 15:

In einem Glaskolben werden 60 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 1 ,7 g Tetraethylorthosilicat, 1 ,4 g 1 ,2-Bis(triethoxysilyl)ethan, 1 g

Dimethyldimethoxysilan und 12,8 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,4 g Eisessig und 0,7 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 17,5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines

Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Der Massenverlust an leichtflüchtigen Reaktionsprodukten beträgt 15,2 g. Die destillierte Mischung wird

anschließend mit 85 g oc-Terpineol (Isomerengemisch) und 4 g

Tetraacetoxydiborat versetzt, intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Die Paste wird mit Hilfe eines Siebdruckers unter Verwendung eines Trampolinsiebs mit Edelstahlgewebe (400 mesh, 18 pm Drahtdurchmesser, kalandriert, 8 - 12 pm Emulsion über dem Gewebe) auf alkalisch glanzgeätzten Wafern, unter Anwendung der folgenden Druckparameter verdruckt: einem Siebabsprung von 2 mm, einer Druckgeschwindigkeit von 200 mm/s, einer

Flutgeschwindigkeit von ebenfalls 200 mm/s, einem Rakeldruck von 60 N während des Druckvorganges und einem Rakeldruck von 20 N während des Flutens sowie unter der Verwendung einer Carbonfaserrakel mit

Polyurethangummi der Shorehärte von 65 °. Die bedruckten Wafer werden anschließend in einem auf 400 °C erwärmten Durchlaufofen getrocknet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 90 cm/s. Die Länge der Heizzonen beträgt 3 m. Figur 51 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 15 siebgedruckten, und getrockneten Linie. Figur 51 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 15siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche.

Beispiel 16:

In einem Glaskolben werden 72 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 1 ,3 g 1 ,2-Bis(triethoxysilyl)ethan, 2 g Dimethyldimethoxysilan und 12,8 g

Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,2 g Eisessig und 0,7 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt.

Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer

Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Der Massenverlust an leichtflüchtigen

Reaktionsprodukten beträgt 15,3 g. Die destillierte Mischung wird

anschließend mit 92 g -Terpineol (Isomerengemisch) und 3,9 g

Tetraacetoxydiborat versetzt, intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Die Viskosität der Paste beträgt 10,6 Pa ^* s bei einer Scherrate von 25 1/s und einer

Temperatur von 23 °C. Die Paste wird mit Hilfe eines Siebdruckers unter Verwendung eines Trampolinsiebs mit Edelstahlgewebe (400 mesh, 8 pm Drahtdurchmesser, kalandriert, 8 - 12 μιη Emulsion über dem Gewebe) auf alkalisch glanzgeätzten Wafern, unter Anwendung der folgenden

Druckparameter verdruckt: einem Siebabsprung von 2 mm, einer

Druckgeschwindigkeit von 200 mm/s, einer Flutgeschwindigkeit von ebenfalls 200 mm/s, einem Rakeldruck von 60 N während des Druckvorganges und einem Rakeldruck von 20 N während des Flutens sowie unter der

Verwendung einer Carbonfaserrakel mit Polyurethangummi der Shorehärte von 65 °. Die bedruckten Wafer werden anschließend in einem auf 400 °C erwärmten Durchlaufofen getrocknet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 90 cm/s. Die Länge der Heizzonen beträgt 3 m.

Figur 53 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 16 siebgedruckten, und getrockneten Linie. Figur 54 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 16 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche

Figur 55 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 16 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche.

Beispiel 17:

In einem Glaskolben werden 72,2 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 0,4 g 1 ,2-Bis(triethoxysilyl)ethan, 2,6 g Dimethyldimethoxysilan und 12,9 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,4 g Eisessig und 0,7 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt.

Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer

Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Der Massenverlust an leichtflüchtigen

Reaktionsprodukten beträgt 15,3 g. Die destillierte Mischung wird

anschließend mit 92 g α-Terpineol (Isomerengemisch) und 4 g

Tetraacetoxydiborat versetzt, intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Die Viskosität der Paste beträgt 5,4 Pa ^* s bei einer Scherrate von 25 1/s und einer

Temperatur von 23 °C. Die Paste wird mit Hilfe eines Siebdruckers unter Verwendung eines Trampolinsiebs mit Edelstahlgewebe (400 mesh, 18 m Drahtdurchmesser, kalandriert, 8 - 12 pm Emulsion über dem Gewebe) auf alkalisch glanzgeätzten Wafern, unter Anwendung der folgenden

Druckparameter verdruckt: einem Siebabsprung von 2 mm, einer

Druckgeschwindigkeit von 200 mm/s, einer Flutgeschwindigkeit von ebenfalls 200 mm/s, einem Rakeldruck von 60 N während des Druckvorganges und einem Rakeldruck von 20 N während des Flutens sowie unter der

Verwendung einer Carbonfaserrakel mit Polyurethangummi der Shorehärte von 65 °. Die bedruckten Wafer werden anschließend in einem auf 400 °C erwärmten Durchlaufofen getrocknet. Die Bandgeschwindigkeit beträgt 90 cm/s. Die Länge der Heizzonen beträgt 3 m. Figur 56 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 17 siebgedruckten, und getrockneten Linie.

Figur 57 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 17 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche.

Figur 58 zeigt eine mikroskopische Aufnahme einer, mit einer Dotierpaste gemäß des Beispiels 17 siebgedruckten, und getrockneten Pastenfläche Beispiel 18:

In einem Glaskolben werden 72,2 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 3,55 g Trimethoxyvinylsilan und 12,9 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,4 g Eisessig und 0,7 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Die destillierte Mischung wird anschließend mit 97 g α-Terpineol (Isomerengemisch) und 4 g

Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Beispiel 19:

In einem Glaskolben werden 72,2 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 5,85 g Dimethoxydiphenylsilan und 12,9 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,4 g Eisessig und 0,7 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Die destillierte Mischung wird anschließend mit 97 g α-Terpineol (Isomerengemisch) und 4 g Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste.

Beispiel 20:

In einem Glaskolben werden 72,2 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 3,53 g Bis(dimethoxydimethylsilyl)-1 ,2-ethan und 12,9 g Aluminium-tri-sec- butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,4 g Eisessig und 0,7 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Die destillierte

Mischung wird anschließend mit 97 g -Terpineol (Isomerengemisch) und 4 g Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste.

Beispiel 21 :

In einem Glaskolben werden 72,2 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 4,36 g Dimethoxymethylphenylsilan und 12,9 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,4 g Eisessig und 0,7 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Die destillierte

Mischung wird anschließend mit 97 g α-Terpineol (Isomerengemisch) und 4 g Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste. Beispiel 22:

In einem Glaskolben werden 72,2 g Ethylenglycolmonobutylether (EGB), 5,8 g Triethoxyphenylsilan und 12,9 g Aluminium-tri-sec-butylat (ASB) vorgelegt und gerührt, bis eine homogene Mischung entsteht. Zu dieser Mischung werden 12,4 g Eisessig und 0,7 g Acetaldoxim in der genannten Reihenfolge unter Rühren hinzugefügt. Anschließend werden 1 ,9 g Wasser, gelöst in 5 g EGB, tropfenweise hinzugefügt, und die Mischung wird bei 80 °C für vier Stunden refluxiert. Nach dem Erwärmen wird das Hybridsol für zwei Stunden einer Vakuumdestillation bei 70 °C bis zum Erreichen eines Enddrucks von 20 mbar unterworfen. Die destillierte Mischung wird anschließend mit 97 g α-Terpineol (Isomerengemisch) und 4 g

Tetraacetoxydiborat versetzt und intensiv durchmischt. Es entsteht eine strukturviskose und sehr gut druckbare, transparente Paste.