BESCHREIBUNG Im Stand der Technik ist es bekannt, mehrere Leuchtdioden ^¬ chips auf einer Leiterplatte anzuordnen, um einen Bildpixel einer Videowand zu realisieren.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 102016114275.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein vereinfachtes Multichipmodul und ein vereinfachtes Verfahren zum Herstellen eines Multichipmoduls bereitzustellen.

Die Aufgabe der Erfindung wird durch das Multichipmodul gemäß Patentanspruch 1 und durch das Verfahren zum Herstellen eines Multichipmoduls gemäß Patentanspruch 15 gelöst. Weitere Aus- führungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.

Es wird ein Multichipmodul vorgeschlagen, wobei Leuchtdiodenchips in einen Träger aus einem Moldmaterial eingebettet sind. Die Leuchtdiodenchips weisen jeweils auf der Vordersei- te einen ersten elektrischen Kontakt auf. Zudem weisen die Leuchtdiodenchips auf der Rückseite einen zweiten elektri ^¬ schen Kontakt auf. Die zweiten elektrischen Kontakte sind mit einer Sammelleitung verbunden, die auf einer Rückseite des ersten Trägers angeordnet ist. Die ersten elektrischen Kon- takte sind mit einer Steuerleitung verbunden, wobei die Steuerleitungen auf einer Vorderseite des ersten Trägers angeord ^¬ net sind. Auf diese Weise kann ein einfach aufgebautes Mul ^¬ tichipmodul bereitgestellt werden. In einer Ausführung sind im ersten Träger elektrisch leitende Durchkontaktierungen vorgesehen, die von der Vorderseite zu der Rückseite des ersten Trägers geführt sind, wobei eine Steuerleitung mit einer Durchkontaktierung verbunden ist. auf diese Weise wird ein Multichipmodul bereitgestellt, bei dem sowohl die ersten als auch die zweiten elektrischen Kontakte der Leuchtdiodenchips auf der Rückseite des ersten Trägers zugänglich sind. Somit wird ein Multichipmodul bereitge- stellt, das als oberflächenmontierbares Bauteil ausgebildet ist .

In einer Ausführungsform ist auf der Vorderseite des ersten Trägers eine optisch transparente Deckschicht angeordnet, wo- bei die Steuerleitungen zwischen der Deckschicht und dem ersten Träger ausgebildet sind. Somit werden die Leuchtdiodenchips und die Steuerleitungen gegenüber Umwelteinflüssen geschützt . In einer weiteren Ausführungsform sind zwischen dem ersten

Träger und der Deckschicht Steuerschaltungen vorgesehen, die zur Ansteuerung der Leuchtdiodenchips ausgebildet sind. Auf diese Weise wird ein kompakter Aufbau des Multichipmoduls mit Steuerschaltungen für die Leuchtdioden bereitgestellt. Abhän- gig von der gewählten Ausführungsform kann für jeden Leuchtdiodenchip eine Steuerschaltung vorgesehen sein. Dadurch kann jeder Leuchtdiodenchip individuell angesteuert werden. Die Anordnung der Steuerschaltungen zwischen dem Träger und der Deckschicht ermöglicht ein einfaches Verfahren zur Herstel- lung der Steuerschaltungen, wobei die Steuerschaltungen zudem gegenüber Umwelteinflüssen geschützt sind.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann eine Steuerschaltung wenigstens einen Transistor, insbesondere zwei Transistoren und einen Kondensator aufweisen. Die Steuerschaltung kann z.B. in TFT-Technologie ausgebildet sein.

Eine verbesserte Abstrahlung des Multichipmoduls wird dadurch erreicht, dass bei einer Ausführungsform die Steuerschaltung und/oder die Steuerleitungen und/oder die Ansteuerleitungen aus einem optisch transparenten Material bestehen. Das optisch transparente Material kann beispielsweise transparentes leitendes Oxyd (TCO) wie zum Beispiel Indiumzinnoxyd, Indium- zinkoxyd, ein Kohlenstoffnanotubefilm oder ein transparentes elektrisch leitendes Polymer sein.

In einer weiteren Ausführungsform des Multichipmoduls ist der erste Träger auf der Oberseite eines zweiten Trägers angeord ^¬ net, wobei der zweite Träger eine zweite leitende Verbindung aufweist, die von einer Oberseite zu einer Unterseite des zweiten Trägers geführt ist, wobei die zweite Verbindung mit der Sammelleitung verbunden ist. Auf diese Weise wird die elektrische Kontaktierung der zweiten elektrischen Kontakte auf eine Unterseite des zweiten Trägers geführt. Dadurch kann ein stabilerer Aufbau des Multichipmoduls erreicht werden, wobei trotzdem die elektrische Kontaktierung der zweiten elektrischen Kontakte der Leuchtdiodenchips auf der Untersei- te des zweiten Trägers möglich ist.

In einer weiteren Ausführungsform sind auch die ersten elektrischen Kontakte der Leuchtdiodenchips über leitende Verbindungen durch den zweiten Träger auf eine Unterseite des zweiten Trägers geführt. Somit können auch bei einer Anord ^¬ nung mit einem zweiten Träger die ersten elektrischen Kontakte der Leuchtdiodenchips über die Unterseite des zweiten Trä ^¬ gers elektrisch kontaktiert werden. Somit wird auch bei der Anordnung mit zwei Trägern ein oberflächenmontierbares Mul- tichipmodul bereitgestellt.

In einer weiteren Ausführungsform sind auf der Vorderseite des ersten Trägers elektrische Leitungen vorgesehen, wobei die elektrischen Leitungen mit den ersten elektrischen An- Schlüssen der Leuchtdiodenchips in Verbindung stehen und wobei die elektrischen Leitungen seitlich zu Anschlusskontakten am Randbereich des ersten Trägers geführt sind. Auf diese Weise kann eine elektrische Kontaktierung der ersten elektrischen Kontakte der Leuchtdiodenchips über eine Vorderseite des ersten Trägers erfolgen.

In einer weiteren Ausführungsform weist der erste Träger eine vierte elektrisch leitende Verbindung auf, die von einer Oberseite zu einer Unterseite des ersten Trägers geführt ist, wobei die vierte leitende Verbindung mit der Sammelleitung verbunden ist. Die vierte leitende Verbindung ist zudem mit einer fünften elektrischen Leitung verbunden, wobei die fünf- te Leitung auf der Vorderseite des ersten Trägers seitlich nach außen zu Anschlusskontakten geführt ist. Somit kann eine elektrische Kontaktierung der zweiten elektrischen Kontakte der Leuchtdiodenchips über eine Vorderseite des ersten Trä ^¬ gers erfolgen.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann der zweite Träger als Leiterrahmen oder als Leiterplatte ausgebildet sein. In der Ausbildung als Leiterrahmen kann der Leiterrahmen auch aus einem elektrisch leitenden Material ausgebildet sein und gleichzeitig die elektrische Verbindung zwischen ei ^¬ ner Vorderseite und einer Rückseite des Leiterrahmens dar ^¬ stellen. Bei der Ausbildung der Leiterplatte ist die elektrische Verbindung zwischen der Vorderseite und der Rückseite der Leiterplatte mithilfe einer Durchkontaktierung aus einem elektrisch leitenden Material ausgebildet.

In einer weiteren Ausführungsform ist der zweite Träger auf einem dritten Träger angeordnet. Der dritte Träger weist eine fünfte elektrische Leitung auf, die mit der zweiten leitenden Verbindung verbunden ist. Zudem ist der dritte Träger mit einer Moldschicht bedeckt, die wenigstens teilweise Seitenflä ^¬ chen des ersten Trägers bedeckt. Auf diese Weise wird ein kompakter Aufbau des Multichipmoduls erreicht, der sich ins ^¬ besondere zur Anordnung von mehreren zweiten Trägern mit Leuchtdiodenchips auf dem dritten Träger eignet.

In einer weiteren Ausführungsform ist der der erste Träger einteilig und einstofflich mit der Moldschicht ausgebildet. Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen eines Multichipmoduls bereitgestellt, wobei wenigstens zwei Leuchtdiodenchips wenigstens mit Seitenflä ^¬ chen in einen ersten Träger aus einem Moldmaterial eingebet- tet werden. Die Leuchtdiodenchips weisen erste elektrische Kontakte auf einer Vorderseite auf. Die Vorderseite ist als Abstrahlseite ausgebildet. Die Leuchtdiodenchips weisen auf einer Rückseite zweite elektrische Kontakte auf. Die zweiten elektrischen Kontakte sind mit einer Sammelleitung verbunden. Die Sammelleitung wird zu einer Rückseite des ersten Trägers geführt. Die ersten Kontakte werden mit Steuerleitungen verbunden, wobei die Steuerleitungen auf der Vorderseite des ersten Trägers ausgebildet werden. Auf diese Weise wird ein einfaches Verfahren zum Herstellen eines Multichipmoduls be ^¬ reitgestellt .

Die Erfindung wird im Folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen

Fig. 1 bis 12 Verfahrensschritte eines ersten Verfahrens zur Herstellen eines Multichipmoduls,

Verfahrensschritte eines zweiten Verfahrens zur Herstellung eines Multichipmoduls mit einer Deckschicht,

Fig. 24 und 25 Verfahrensschritte zur Herstellung eines

Multichipmoduls im Nutzen,

Fig. 26 einen Querschnitt durch eine weitere Aus ^¬ führungsform eines Multichipmoduls mit ei ^¬ nem dritten Träger, Fig. 27 eine weitere Ausführungsform eines Mul ^¬ tichipmoduls,

Fig. 28 eine weitere Ausführungsform eines Mul ^¬ tichipmoduls, und

Fig. 29 ein Ersatzschaltbild für die Steuerschal ^¬ tung . Fig. 1 zeigt in einem schematischen Querschnitt in einer Y-X- Ebene einen Leuchtdiodenchip 1, wobei der Leuchtdiodenchip 1 eine Abstrahlseite 2 aufweist, die gegenüberliegend zu einer Rückseite 3 angeordnet ist. Die Y- und die X-Achse stehen senkrecht aufeinander. Der Leuchtdiodenchip 1 weist auf der Abstrahlseite 2 einen ersten elektrischen Kontakt 4 auf. Zu ^¬ dem weist der Leuchtdiodenchip 1 auf der Rückseite 3 einen zweiten elektrischen Kontakt 5 auf. Der Leuchtdiodenchip 1 ist beispielsweise als Halbleiterchip mit einer pn-Struktur und einer aktiven Zone ausgebildet. Dabei kann der erste elektrische Kontakt 4 mit der p-Seite und der zweite elektri ^¬ sche Kontakt 5 mit der n-Seite der Halbleiterstruktur

elektrisch kontaktiert sein. Der Leuchtdiodenchip 1 kann beispielsweise aus einem III-V-Verbindungshalbleiter oder aus einem II-VI-Verbindungshalbleiter hergestellt sein. Beispielsweise kann der Leuchtdiodenchip aus Indiumgalliumar- senid, Galliumarsenidphosphid, Aluminiumindiumgalliumphos- phid, Galliumphosphid, Siliziumcarbid, Zinkselenid, Indi ^¬ umgalliumnitrit oder Galliumnitrit gebildet sein.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann der Leuchtdiodenchip 1 in einem Grundkörper 6 eingebettet sein, wie in Fig. 1 dargestellt ist. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann auf den Grundkörper 6 auch verzichtet werden. Bei der Ausbildung des Grundkörpers 6 ist der zweite elektri ^¬ sche Kontakt 5 auf einer Rückseite 3 des Grundkörpers 6 ange ^¬ ordnet und über eine elektrisch leitende Verbindung 7 mit dem Leuchtdiodenchip 1 elektrisch leitend verbunden. Über eine entsprechende Bestromung der elektrischen Kontakte 4, 5 wird der Leuchtdiodenchip 1 zum Leuchten gebracht, wobei elektromagnetische Strahlung wenigstens über die Abstrahlseite 2 ab ^¬ gegeben wird. Im Folgenden werden Leuchtdiodenchips 1 mit Grundkörper 6 verwendet. Es können jedoch in der gleichen Weise Leuchtdiodenchips 1 ohne Grundkörper verwendet werden.

Fig. 2 zeigt in einem Querschnitt in der Y-X-Ebene eine An ^¬ ordnung von drei Leuchtdiodenchips 1, die in einen ersten Träger 8 eingebettet sind. Der erste Träger 8 ist aus einem Moldmaterial gebildet. Das Moldmaterial kann beispielsweise Silikon und/oder Epoxymaterial aufweisen. Die Leuchtdiodenchips 1 sind in der dargestellten Ausführungsform auf allen Seitenflächen und auf der Rückseite 3 mit dem Moldmaterial bedeckt. Die Abstrahlseite 2 der Leuchtdiodenchips 1 ist frei von dem Moldmaterial. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann das Einmolden der Leuchtdiodenchips 1 auch in der Weise erfolgen, dass die Rückseite 3 der Leuchtdiodenchips 1 frei von dem Moldmaterial ist. In Fig. 2 sind nur exempla- risch drei Leuchtdiodenchips 1 dargestellt, die in den ersten Träger 8 eingebettet sind. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können mehr oder auch weniger Leuchtdiodenchips 1 in den ersten Träger 8 eingebettet sein. Fig. 3 zeigt einen Querschnitt durch einen Leuchtdiodenchip 1 senkrecht zu der Darstellung der Fig. 2. In der Fig. 3 ist der Querschnitt in der y-z-Ebene dargestellt, wobei die y- Achse senkrecht zur z-Achse angeordnet ist. Somit ist die z- Achse auch senkrecht zur x-Achse angeordnet.

Fig. 4 zeigt einen weiteren Verfahrensschritt mit einem Querschnitt in der y-x-Ebene, wobei in eine Rückseite 9 des ers ^¬ ten Trägers 8 Ausnehmungen 10 für jeden Leuchtdiodenchip 1 eingebracht sind. Die Ausnehmungen 10 erstrecken sich von der Rückseite 9 des ersten Trägers 8 bis zur Rückseite 3 des

Leuchtdiodenchips 1. Die Ausnehmungen 10 sind voneinander ge ^¬ trennt. In der dargestellten Ausführungsform ist der Querschnitt der Ausnehmungen 10 in der Y-X-Ebene leicht konisch zulaufend in Richtung auf den Leuchtdiodenchip 1 ausgebildet.

Fig. 5 zeigt einen Querschnitt durch einen Leuchtdiodenchip 1 der Anordnung der Fig. 4 in der y-z-Ebene. Dabei ist erkennbar, dass neben dem Leuchtdiodenchip 1 eine zweite Ausnehmung 11 in den ersten Träger 8 eingebracht ist. Die zweite Ausnehmung 11 erstreckt sich von der Rückseite 9 des ersten Trägers 8 bis zu einer Vorderseite 12 des ersten Trägers 8. Die zweite Ausnehmung 11 weist ebenfalls einen Querschnitt auf, der in Richtung auf die Vorderseite 12 konisch zulaufend ausgebildet ist. Die Ausnehmung 10 und die zweite Ausneh ^¬ mung 11 können beispielsweise mithilfe eines Lasers oder mit- hilfe von Bohr- oder Ätzverfahren in den ersten Träger 8 eingebracht werden. Die zweite Ausnehmung 11 ist in der z- Richtung seitlich zum Leuchtdiodenchip 1 beabstandet. In der dargestellten Ausführungsform ist für jeden Leuchtdiodenchip 1 eine entsprechende zweite Ausnehmung 11 im ersten Träger 8 ausgebildet . Fig. 6 zeigt einen weiteren Verfahrensschritt, bei dem die die Ausnehmungen 10 mit einem elektrisch leitenden Material 13 aufgefüllt sind. Das elektrisch leitende Material 13 steht in Kontakt mit den zweiten elektrischen Kontakten 5 der Leuchtdiodenchips 1. Zudem ist das elektrisch leitende Mate- rial 13 auf der Rückseite 9 des ersten Trägers 8 wenigstens in einem Bereich zwischen den Ausnehmungen 10 angeordnet. Das elektrisch leitende Material 13 der Ausnehmungen 10 bildet eine Sammelleitung 14. In der dargestellten Ausführungsform sind die zweiten elektrischen Kontakte 5 von drei Leuchtdio- denchips 1 über eine Sammelleitung 14 elektrisch miteinander verbunden. Abhängig von der gewählten Ausführungsform können auch nur zwei zweite elektrische Kontakte 5 von zwei Leucht ^¬ diodenchips 1 mit einer Sammelleitung 14 verbunden sein. Zudem können auch mehr als drei zweite elektrische Kontakte 5 von drei Leuchtdiodenchips 1 mit einer Sammelleitung 14 ver ^¬ bunden sein. Beispielsweise kann für jeden Leuchtdiodenchip 1 eine separate Sammelleitung 14 vorgesehen sein. Das

elektrisch leitende Material 13 kann beispielsweise mit Li ^¬ thographieverfahren und Galvanik in die Ausnehmungen 10 und die Rückseite 9 des ersten Trägers 8 ein- beziehungsweise aufgebracht werden. Beispielsweise kann als Material für das elektrisch leitende Material 13 ein Metall, insbesondere ein Edelmetall und/oder Schichten von verschiedenen Metallen verwendet werden.

Zudem werden bei diesem Verfahrensschritt, wie in Fig. 7 dargestellt ist, auch die zweiten Ausnehmungen 11 mit dem elektrisch leitenden Material 13 aufgefüllt. Fig. 7 zeigt ei- nen Querschnitt der Anordnung der Fig. 6 in der y-z-Ebene. Zudem wird bei diesem Verfahrensschritt auf der Vordersei ^¬ te 12 des ersten Trägers 8 für jede zweite Ausnehmung 11 ein elektrisch leitendes Material 13 aufgebracht, das mit dem ersten elektrischen Kontakt 4 des Leuchtdiodenchips in Ver ^¬ bindung gebracht wird. Auf der Vorderseite 12 bildet das elektrisch leitende Material 13 eine Steuerleitung 15 aus, die über eine elektrische Durchkontaktierung 17 durch die zweite Ausnehmung 11 auf der Rückseite 9 des ersten Trägers 8 geführt ist.

In einem weiteren Verfahrensschritt werden Gruppen von

Leuchtdiodenchips 1, die mit der Sammelleitung 14 verbunden sind, aus dem ersten Träger 8 gelöst und vereinzelt. Fig. 8 zeigt eine Gruppe 16 von drei Leuchtdiodenchips 1, die ver ^¬ einzelt sind und ein Multichipmodul darstellen. Fig. 9 zeigt einen Querschnitt durch einen Leuchtdiodenchip 1 der Gruppe 16 der Fig. 8 in der y-z-Ebene. Dabei ist deutlich die Durchkontaktierung 17 zu erkennen, über die der erste elekt- rische Kontakt 4 des Leuchtdiodenchips 1 elektrisch leitend zur Rückseite 9 des ersten Trägers 8 geführt ist.

Fig. 10 zeigt einen vergrößerten Querschnitt durch die Anord ^¬ nung der Fig. 8 in der y-x-Ebene.

Fig. 11 zeigt eine Draufsicht auf die Rückseite 9 des ersten Trägers 8 der Anordnung der Fig. 10. Die Sammelleitung 14 weist eine rechteckförmige Fläche auf, die sich entlang der x-Richtung über die drei Durchkontaktierungen 17 erstreckt. Jede Durchkontaktierung 17 stellt eine rechteckförmige Kon ^¬ taktfläche auf der Rückseite 9 des ersten Trägers 8 dar. So ^¬ mit können die ersten elektrischen Kontakte 4 der drei

Leuchtdiodenchips 1 einzeln elektrisch kontaktiert werden. Gleichzeitig können über die Sammelleitung 14 die zweiten elektrischen Kontakte 5 der drei Leuchtdiodenchips 1 gemein ^¬ sam beispielsweise mit Masse elektrisch kontaktiert werden. Abhängig von der gewählten Ausführung kann ein Multichipmodul auch mehr oder weniger als drei Leuchtdiodenchips 1 aufwei ^¬ sen, die gemäß der Anordnung der Fig. 8 angeordnet sind.

Fig. 12 zeigt eine Draufsicht auf die Vorderseite 12 des ers- ten Trägers 8 der Gruppe 16 der Fig. 10. In der dargestellten Ausführungsform ist der Leuchtdiodenchip 1 in dem Grundkörper 6 eingebettet. Der Grundkörper 6 kann aus einem

elektrisch isolierenden Material gebildet sein. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann auf den Grundkörper 6 auch verzichtet werden.

Die Figuren 1 bis 12 zeigen ein erstes Verfahren zur Herstellung eines Multichipmoduls . Die Figuren 13 bis 23 zeigen Verfahrensschritte eines zweiten Verfahrens zur Herstellung eines Multichipmoduls. Fig. 13 zeigt einen Querschnitt in der y-x-Ebene durch einen zweiten Träger 20, auf dem drei Leuchtdiodenchips 1 angeordnet sind. Der zweite Träger 20 weist auf einer Vorderseite 21 eine Sam- melleitung 14 auf, die in elektrischem Kontakt mit den zweiten elektrischen Kontakten 5 der Leuchtdiodenchips 1 steht. Die Leuchtdiodenchips 1 sind mit der Rückseite 3 auf der Sam ^¬ melleitung 14 angeordnet. Die Sammelleitung 14 steht über eine zweite Durchkontaktierung 22 mit einer Rückseitenmetalli- sierung 23 in Verbindung, die auf einer Rückseite 24 des zweiten Trägers 20 ausgebildet ist. Der zweite Träger 20 kann beispielsweise in Form einer Leiterplatte oder in Form eines Leadframes ausgebildet sein. Die zweite Durchkontaktierung 22 kann mithilfe von Laser-, Bohr- oder Ätzverfahren und mithil- fe von galvanischen Verfahren in den zweiten Träger 20 analog zu der Durchkontaktierung des ersten Trägers eingebracht werden .

Fig. 14 zeigt den Querschnitt durch den mittleren Leuchtdio- denchip 1 in der y-z-Ebene der Fig. 13. Die Sammelleitung 14, die zweite Durchkontaktierung 22 und die Rückseitenmetalli ^¬ sierung 23 sind aus einem elektrisch leitenden Material 13 gebildet. Zudem ist die zweite Durchkontaktierung 22 durch eine durchgehende Ausnehmung des zweiten Trägers 20 geführt, die von der Vorderseite 21 des zweiten Trägers 20 bis zur Rückseite 24 des zweiten Trägers 20 reicht. Die Leuchtdioden ^¬ chips 1 können mithilfe von Klebeverfahren oder mithilfe von Lötverfahren auf der Sammelleitung 14 befestigt werden.

Fig. 15 zeigt einen weiteren Verfahrensschritt, bei dem die Leuchtdiodenchips 1 wenigstens teilweise mit den Seitenflä ^¬ chen in ein Moldmaterial eingebettet werden und ein erster Träger 8 auf der Vorderseite 21 des zweiten Trägers 20 ausge ^¬ bildet wird. Fig. 15 zeigt den Querschnitt in der y-x-Ebene. Fig. 16 zeigt einen Querschnitt durch den mittleren Leuchtdi ^¬ odenchip 1 in der y-z-Ebene der Anordnung der Fig. 15. Fig. 17 zeigt einen weiteren Verfahrensschritt, wobei eine

Deckschicht 25 beispielsweise in Form einer Platte, insbeson ^¬ dere in Form einer Glasplatte oder Saphirplatte bereitge ^¬ stellt wird. Die Deckschicht 25 weist auf einer Unterseite 26 Steuerschaltungen 27 auf. Dabei kann für jeden Leuchtdioden- chip 1 eine Steuerschaltung 27 vorgesehen sein. Die Steuerschaltung 27 ist ausgebildet, um abhängig von einer Ansteue- rung der Steuerschaltung 27 wenigstens einen Leuchtdiodenchip 1 mit Strom zu versorgen. Zudem kann eine Steuerschaltung 27 für mehrere Leuchtdiodenchips 1 vorgesehen sein. Die Steuer- Schaltung 27 kann beispielsweise wenigstens einen Transistor, insbesondere zwei Transistoren und einen Kondensator aufweisen. Die Steuerschaltung 27 kann in TFT-Technologie ausgebil ^¬ det sein. Zudem kann die Steuerschaltung 27 aus einem optisch transparenten Material hergestellt sein. Die Steuerschaltung 27 ist schematisch nur als Block dargestellt. Die Steuerschaltung 27 kann mehrere Schichten aufweisen und beispielsweise transparente oder semitransparente Materialien wie zum Beispiel amorphes Silizium, transparente elektrisch leitende Oxyde (TCO) , wie zum Beispiel Indiumzinnoxyd und Indiumzin- koxyd oder Kohlenstoffnanoröhrenfilme oder transparente lei ^¬ tende Polymere und isolierende Schichten aufweisen. Fig. 18 zeigt einen Querschnitt der Anordnung der Fig. 17 in der y-z-Ebene. In dem gewählten Beispiel ist jede Steuer ^¬ schaltung 27 ist mit einer Ansteuerleitung 28 verbunden, die ebenfalls auf der Unterseite 26 der Deckschicht 25 angeordnet ist. Die Ansteuerleitung 28 ist in der z-Richtung einer vorgegebenen Strecke weg von der Steuerschaltung 27 geführt.

Fig. 19 zeigt einen Verfahrensschritt, bei dem die Deck ^¬ schicht 25 auf der Vorderseite 12 des zweiten Trägers 8 be- festigt wird. Dazu werden elektrische Anschlüsse der Steuer ^¬ schaltung 27 direkt oder über eine Steuerleitung mit den ersten elektrischen Kontakten 4 der Leuchtdiodenchips 1 in Verbindung gebracht. Beispielsweise kann die Deckschicht 25 auf den ersten Träger 8 aufgeklebt werden. Zudem können zur Aus- bildung der elektrisch leitenden Verbindung zwischen den ersten elektrischen Kontakten 4 und den Steuerschaltungen 27 beispielsweise Nanowires aus Silber als Steuerleitungen ver ^¬ wendet werden. Somit wird die Deckschicht 25 fest mit der An ^¬ ordnung der Leuchtdiodenchips 1 verbunden und gleichzeitig wird eine elektrisch leitende Verbindung zwischen einem Aus- gangsanschluss der Steuerschaltung 27 und dem jeweiligen ersten elektrischen Kontakt 4 des Leuchtdiodenchips 1 herge ^¬ stellt. Fig. 20 zeigt einen Querschnitt der Anordnung der Fig. 19 in der y-z-Ebene. Durchkontaktierungen 17 sind für jeden Leuchtdiodenchip 1 seitlich neben den Leuchtdiodenchip 1 in den ersten und den zweiten Träger 8, 20 eingebracht. Die Durch- kontaktierung 17 ist von einer Rückseite 24 des zweiten Trä- gers 20 bis zu der Vorderseite 12 des ersten Trägers 8 ge ^¬ führt. Zudem steht die Durchkontaktierung 17 mit der Ansteuerleitung 28 in Verbindung. Die Durchkontaktierung 17 ist bis zur Rückseite 24 des zweiten Trägers 20 geführt. Die Ansteu ^¬ erleitung 28 ist mit einem Eingangsanschluss der Steuerschal- tung 27 verbunden.

Fig. 21 zeigt eine Ansicht auf die Rückseite 24 des zweiten Trägers 20. Fig. 22 zeigt in einer schematischen Darstellung eine Draufsicht auf die Anordnung der Fig. 20, wobei die Deckschicht nicht dargestellt ist und schematisch die Steuerschaltungen 27 und die Ansteuerleitung 28 dargestellt sind.

Fig. 23 zeigt eine weitere Ausführungsform eines Multichipmo- duls, das im Wesentlichen gemäß der Ausführungsform der

Fig. 10 ausgebildet ist, wobei jedoch anstelle der Steuerlei- tung 15 zusätzlich eine Deckschicht 25 mit Steuerschaltungen 27 für jeden Leuchtdiodenchip 1 ausgebildet ist. Die Durchkontaktierung von der Ansteuerleitung 28 zur Rückseite 9 des ersten Trägers 8 erfolgt wie in der Ausführungsform der Fig. 10 durch die Durchkontaktierung 17.

Fig. 24 zeigt eine Anordnung gemäß Fig. 19, wobei jedoch mehrere Gruppen 16 von Leuchtdiodenchips 1 im ersten und im zweiten Träger 8, 20 angeordnet sind und mit einer einteili ^¬ gen Deckschicht 25 mit Steuerschaltungen 27 bedeckt sind. Fig. 24 zeigt einen Teilausschnitt einer Anordnung. Es können somit eine Vielzahl von Gruppen 16 von Leuchtdiodenchips 1 auf einem einteiligen ersten und zweiten Träger 8, 20 angeordnet und mit einer einteiligen Deckschicht 25 versehen werden. Die Gruppen 16 von Leuchtdiodenchips 1 können die glei- che oder unterschiedliche Anzahl von Leuchtdiodenchips 1 auf ^¬ weisen. Ein Multimodul wird dadurch erzeugt, dass die einzel ^¬ nen Gruppen von Leuchtdiodenchips 1 vereinzelt werden, wie in Fig. 25 schematisch dargestellt ist. Auch das Multimodul, das gemäß dem Verfahren der Figuren 1 bis 12 hergestellt wird, kann ebenfalls in Form von mehreren Gruppen hergestellt werden, die im ersten Träger 8 angeordnet sind und durch entsprechende Verfahrensschritte vereinzelt werden .

Fig. 26 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine weitere Ausführungsform, die im Wesentlichen der Ausführungsform der Fig. 25 entspricht, wobei wenigstens eine Gruppe 16 von drei Leuchtdiodenchips 1, das heißt ein Multichipmodul 30, 31 auf einem dritten Träger 29 angeordnet ist. In der darge ^¬ stellten Ausführungsform sind zwei Multichipmodule 30,31 auf dem dritten Träger 29 angeordnet. Zudem sind die zwei Mul- tichipmodule 30, 31 in eine Moldschicht 32 eingebettet, die auf dem dritten Träger 29 angeordnet ist. Die Moldschicht 32 ist aus einem Moldmaterial wie zum Beispiel Silikon oder Epo- xymaterial gebildet. Beispielsweise kann die Moldschicht 32 aus dem gleichem Material wie der erste Träger 8 gebildet sein. Der dritte Träger 29 kann beispielsweise als Leiter ^¬ platte ausgebildet sein und eine Mehrlagenverdrahtung aufwei ^¬ sen. Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann bei dieser Ausführungsform auf die Ausbildung des ersten Trägers 8 verzichtet werden und der erste Träger 8 in Form der Mold- schicht 32 ausgebildet werden. Die elektrische Kontaktierung der ersten Kontakte ist wie in den Figuren 19 und 20 ausge ^¬ führt .

Fig. 27 zeigt in einer schematischen Darstellung ein Mul- tichipmodul 30 mit drei Leuchtdiodenchips 1, die mit der Ab ^¬ strahlseite auf einer Deckschicht 25 angeordnet sind. Die Deckschicht 25 weist Steuerschaltungen 27 auf. Die Steuerschaltungen 27 sind mit den ersten Kontakten 4 der Leuchtdiodenchips 1 verbunden. Zudem sind die Rückseiten 3 der Leucht- diodenchips 1 mit einer Sammelleitung 14 verbunden, die auf einem zweiten Träger 20 aufgebracht ist. Weiterhin weist die Deckschicht 25 eine Kontaktfläche 33 auf. Weiterhin ist ein erster Träger 8 aus Moldmaterial auf der Deckschicht 25 aus ^¬ gebildet, in den die Leuchtdiodenchips 1 und wenigstens teil- weise der zweite Träger 20 eingebettet sind. Zudem ist eine dritte Ausnehmung 34 von einer Rückseite 24 des zweiten Trägers 20 bis zur Vorderseite 21 des zweiten Trägers 20 und durch den ersten Träger 8 bis zur Kontaktfläche 33 geführt. Dabei grenzt die dritte Ausnehmung 34 wenigstens teilweise an die Sammelleitung 14 an oder geht durch die Sammelleitung 14 hindurch. Die dritte Ausnehmung 34 ist mit einem elektrisch leitenden Material 13 aufgefüllt. Somit wird die Sammellei ^¬ tung 14 elektrisch leitend mit der Kontaktfläche 33 verbun- den. Die Kontaktfläche 33 und die nicht dargestellten Ansteu ^¬ erleitungen der Steuerschaltungen 27 sind über elektrische Leitungen 51 mit Anschlusskontakten 35, 36 elektrisch leitend verbunden, die auf dem ersten Träger und/oder auf der Deck- schicht 25 angeordnet sind. Die Anschlusskontakte 35, 36 kön ^¬ nen seitlich neben dem ersten Träger 8 angeordnet sein. In der dargestellten Figur sind nur ein Anschlusskontakt 35, 36 und nur eine elektrische Leitung 51 schematisch dargestellt. Mithilfe dieser Anordnung kann eine gesamte Verdrahtung des Multichipmoduls 30 auf der Deckschicht 25 ausgeführt sein.

Die Steuerschaltungen 27 und die Verdrahtungen auf der Deckschicht 25 können aus einem optisch transparenten Material gebildet sein. Ebenso kann die Deckschicht 25 aus einem op ^¬ tisch transparenten Material wie zum Beispiel Glas oder Sa- phir gebildet sein.

Fig. 28 zeigt eine weitere Ausführungsform, bei der zwei Mul- tichipmodule 30, 31 auf einer Deckschicht 25 angeordnet sind. Die Multichipmodule sind im Wesentlichen gemäß der Ausfüh- rungsform der Fig. 19 ausgebildet. Zudem sind die Mul ^¬ tichipmodule 30, 31 in eine Moldschicht 32 eingebettet, die auch die Rückseitenmetallisierungen 23 der zweiten Träger 20 bedeckt. Zudem sind eine dritte und eine vierte Durchkontak- tierung 37, 38 in die Moldschicht 32 eingebracht. Die dritte Durchkontaktierung 37 erstreckt sich von einer Rückseite 40 der Moldschicht 32 bis zur Rückseitenmetallisierung 23 der zweiten Träger 20 der Multichipmodule 30, 31. Die vierten Durchkontaktierungen 38 erstrecken sich von der Rückseite 40 der Moldschicht 32 bis zur Ansteuerleitung 28 der Steuer- Schaltungen 27. In Fig. 28 ist nur eine vierte Durchkontaktierung 38 für ein Multichipmodul 30, 31 dargestellt. Jedoch ist für jede Steuerschaltung 27 jedes Leuchtdiodenchips 1 ei ^¬ ne vierte Durchkontaktierung 38 vorgesehen. Die in Fig. 28 dargestellte Anordnung kann anschließend auf einer Leiter- platte montiert werden. Zudem kann die Anordnung der Fig. 28 direkt auf einen SMT-Stecker aufgelötet werden. Fig. 29 zeigt in einer schematischen Darstellung ein elektrisches Ersatzschaltbild für die Steuerschaltung 27 für einen Leuchtdiodenchip 1. Ein erster elektrischer Anschluss 41 des Leuchtdiodenchips 1 steht mit einem zweiten Transistor 42 in Verbindung. Ein zweiter elektrischer Anschluss 43 des Leuchtdiodenchips 1 steht mit einer Masseleitung 44 in Verbindung. Ein Eingang des zweiten Transistors 42 ist mit einer Versorgungsleitung 45 verbunden. Die Versorgungsleitung 45 stellt eine positive Spannung bereit. Weiterhin ist ein Kondensator 46 zwischen dem Eingang des zweiten Transistors 42 und einem Gateanschluss 47 des zweiten Transistors 42 geschaltet. Wei ^¬ terhin steht der Gateanschluss 47 des zweiten Transistors über einen ersten Transistor 48 mit einer Spaltenleitung 49 in Verbindung. Zudem ist ein Gateanschluss 56 des ersten Transistors 48 an eine Zeilenleitung 50 angeschlossen. Jeder der Leuchtdiodenchips 1 wird von einer Ansteuerschaltung 27 abhängig von der Ansteuerung der Spaltenleitung 49 und der Zeilenleitung 50 mit Strom versorgt. Die Steuerschaltungen 27 können zudem elektronisch aktive Dioden oder Transistorstrukturen und Kapazitäten aufweisen. Die Steuerschaltungen und die elektrischen Leitungen auf der transparenten Deckschicht können aus transparenten Materialien gebildet werden. Zudem können die elektrischen Leitungen auch aus dünnen metallischen Leiterbahnen gebildet sein, die kaum eine Abschattung bewirken. Das elektrisch leitende Material 13 für die Durchkontaktierungen kann beispielsweise aus einem transparenten Material, insbesondere aus einem transpa ^¬ renten leitenden Klebstoff gebildet sein. Zudem können elektrisch leitende Nanodrähte beispielsweise aus Silber ver ^¬ wendet werden.

Das Moldmaterial des ersten Trägers 8 oder das Moldmaterial der Moldschicht 32 kann aus einem schwarzen oder reflektie- renden Material gebildet sein. Im Falle eines weißen Moldma- terials kann zur Kontrastverbesserung eine dünne schwarze Schicht auf die nicht Licht emittierenden Oberflächen aufge ^¬ bracht werden. Die Deckschicht 25 kann als Mischelement, das heißt als Mischoptik ausgebildet sein. Zudem kann die Deckschicht 25 wenigstens an einer Fläche, insbesondere an der gesamten Oberfläche als diffus streuendes Element ausgebildet sein. Weiterhin kann die Deckschicht 25 weitere optische Ele- mente, wie zum Beispiel Linsen aufweisen.

Abhängig von der gewählten Ausführungsform kann die Verdrahtung auch auf der Oberseite des ersten Trägers 8 ausgebildet sein. Die dargestellten Multichipmodule können direkt auf entsprechende Bauteile oder SMT-Stecker montiert werden.

Die vorgeschlagenen Multichipmodule bieten den Vorteil, dass die Komplexität des Aufbaus reduziert ist, wobei eine einfa ^¬ chere Montagetechnik auf Chip- und auf Submount-Ebene verwen- det werden kann. Zudem ist eine erhöhte Flexibilität bei der Montage der Multichipmodule gegeben. Weiterhin weisen die vorgeschlagenen Multichipmodule eine erhöhte Robustheit auf. Zur Montage der Leuchtdiodenchips auf dem zweiten Träger kön ^¬ nen hochparallele Die-Attach-Prozesse verwendet werden. Für die Montage der Multichipmodule auf einem dritten Träger kön ^¬ nen auch schnelle serielle Die-Attach-Prozesse verwendet wer ^¬ den. Die Leuchtdiodenchips können eine Kantenlänge zwischen 1 ym und 100 ym aufweisen und beispielsweise quadratisch aus ^¬ gebildet sein. Die Multichipmodule können beispielsweise eine Kantenlänge von einigen Mikrometern bis zu mehreren Millimetern aufweisen.

Durch die Selektierung von Multichipmodulen kann auf der Modulebene ebenfalls eine hohe Ausbeute erreicht werden. Wei- terhin kann eine immer feinere Pixelierung durch Clusterung emittierender Flächen auf Multichipmodulebene erreicht wer ^¬ den. Zudem können bekannte Techniken aus der TFT-Technologie verwendet werden, um die Steuerschaltungen 27 zur Ausbildung der einzelnen Ansteuerbarkeit der einzelnen Leuchtdioden- chips 1 zu realisieren. Weiterhin weisen die vorgeschlagenen vertikalen Leuchtdiodenchips 1 einen einfachen Aufbau auf. Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei ^¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abge- leitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen .

BEZUGSZEICHENLISTE

1 Leuchtdiodenchip

2 Abstrahlseite

3 Rückseite Leuchtdiodenchip

4 erster elektrischer Kontakt

5 zweiter elektrischer Kontakt

6 Grundkörper

7 leitende Verbindung

8 erster Träger

9 Rückseite erster Träger

10 Ausnehmung

11 zweite Ausnehmung

12 Vorderseite

13 elektrisch leitendes Material

14 Sammelleitung

15 Steuerleitung

16 Gruppe von Leuchtdiodenchips

17 Durchkontaktierung

20 zweiter Träger

21 Vorderseite zweiter Träger

22 zweite Durchkontaktierung

23 Rückseitenmetallisierung

24 Rückseite zweiter Träger

25 Deckschicht

26 Unterseite Deckschicht

27 SteuerSchaltung

28 Ansteuerleitung

29 dritter Träger

30 erstes Multichipmodul

31 zweites Multichipmodul

32 Moldschicht

33 Kontaktfläche

34 dritte Ausnehmung

35 erster Anschlusskontakt

36 zweiter Anschlusskontakt

37 dritte Durchkontaktierung

38 vierte Durchkontaktierung Rückseite Moldschicht

erster elektrischer Anschluss zweiter Transistor

zweiter elektrischer Anschluss

Masseleitung

Versorgungsleitung

Kondensator

Gateanschluss zweiter Transistor erster Transistor

Spaltenleitung

Zeilenleitung

elektrische Leitung

Gateanschluss erster Transistor