本发明的实施例涉及一种 OLED器件、 AMOLED显示器件及 AMOLED 显示器件的制造方法。 背景技术

有机发光二极管 ( Organic Light - Emitting Diode, OLED ) 的基本结构 包括阳极层， 功能层和阴极层。 功能层包括： 空穴传输层、 发光层与电子 传输层。 当给阴极和阳极提供适当电压时， 电子和空穴分别从阴极和阳极 注入到电子和空穴传输层， 并分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层， 空穴与电子在发光层中复合发光， 从而实现 OLED器件自身发光的特性。

为了增加发光效率， OLED器件的阳极材料必需具有高功函数和可透� � 性， 而阴极材料通常需要具有低功函数。 所以， 具有 4.5eV-5.3eV的功函数、 性质稳定且透光的铟锡氧化物（ ITO )透明导电膜被广泛用作 OLED的阳极 材料。 具有低功函数的 Al、 Ca、 Li与 Mg等金属或低功函数的复合金属通 常用作阴极材料。但通常情况下， ITO薄膜和各种金属自身的功函数是固定 的， 提高 ITO薄膜的功函数或者降低金属的功函数主要是 通过对它们进行 表面处理来实现的， 因此对现有 OLED器件电极功函数的调节范围是很有 限的， 这就限制了 OLED器件显示效率的提高。

此夕卜， 有源矩阵有机发光二极管 （ Active Matrix Organic Light Emitting Diode, AMOLED )显示器件主要由薄膜晶体管（ Thm Film Transistor, TFT ) 和 OLED构成。 TFT包括栅电极、 栅绝缘层、 有源层、 源漏电极等结构。 OLED 包括阳极层、 空穴传输层、 发光层、 电子传输层和阴极层等结构。 OLED的阳极或阴极与 TFT连接。 这种复杂的结构造成 AMOLED显示器 件的制造工艺繁杂， 生产成本高的问题。 发明内容

本发明实施例提供一种 OLED器件、 AMOLED显示器件及 AMOLED 显示器件的制造方法， 用以扩大 OLED器件电极功函数的调节范围， 同时 提高 OLED器件的发光效率； 减少 AMOLED显示器件的制造工艺， 降低生 产成本。

根据本发明的一方面， 提供一种 OLED器件， 包括阳极层、 功能层和 阴极层， 其中， 所述阴极层和所述阳极层至少之一由氧化物半 导体铟镓锌 氧（IGZO )材料制成。

根据本发明的另一方面， 提供一种 AMOLED显示器件， 包括： TFT有 源层、 像素电极层及 OLED器件。 所述 OLED器件包括阴极层和功能层， 所述像素电极层作为所述 OLED器件的阳极层； 或者， 所述 OLED器件包 括阳极层和功能层， 所述像素电极层作为所述 OLED器件的阴极层； 所述 TFT有源层、 像素电极层由同一层 IGZO薄膜经过构图工艺形成的。

根据本发明的再一方面， 提供一种 AMOLED显示器件的制造方法， 该 方法包括： 在衬底上依次形成栅电极、 栅绝缘层； 沉积 IGZO薄膜层， 并将 该 IGZO薄膜层构图得到 TFT有源层和像素电极层； 依次形成源电极、 漏 电极和像素界定层， 所述像素界定层具有露出所述像素电极层的开 口； 形 成 OLED器件， 其中所述像素电极层作为所述 OLED器件的阳极或阴极。

本发明实施例提供的 OLED器件，阴极层和 /或阳极层采用 IGZO薄膜， 与现有技术中相比， OLED器件电极的功函数具有更宽的调节范围， 同时提 高 OLED器件的发光效率。

本发明实施例提供了一种 AMOLED显示器件及 AMOLED显示器件的 制造方法， TFT有源层和像素电极层由同一层 IGZO薄膜经一次沉积、光刻、 刻蚀工艺制成。 该像素电极层同时作为 OLED器件的阴极层或阳极层。 与 现有技术相比， 减少了 AMOLED 显示器件制造过程中像素电极的制造工 艺， 从而降低 AMOLED显示器件的生产成本， 缩短了生产时间。 附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案， 下面将对实施例的附图 作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实 施例， 而非对本发明的限制。

图 1为本发明实施例提供的 OLED器件一种结构示意图； 图 2为本发明实施例提供的 AMOLED显示器件一种结构示意图； 图 3为本发明实施例提供的 AMOLED显示器件的另一种结构示意图； 图 4为本发明实施例提供的 AMOLED显示器件制造方法的流程图； 图 5为本发明实施例提供的 AMOLED显示器件制造方法过程中的器件 结构示意图一；

图 6为本发明实施例提供的 AMOLED显示器件制造方法过程中的器件 结构示意图二；

图 7为本发明实施例提供的 AMOLED显示器件造方法过程中的器件结 构示意图三；

图 8为本发明实施例提供的 AMOLED显示器件制造方法过程中的器件 结构示意图四。 具体实施方式

为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本 发明实施例的附图， 对本发明实施例的技术方案进行清楚、 完整地描述。 显然， 所描述的实施例是本发明的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于所描述的本发明的实施例， 本领域普通技术人员在无需创造性劳动的 前提下所获得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供的 OLED器件， 如图 1所示， 包括衬底 11、 阳极层 12、 空穴传输层 13 、 发光层 14、 电子传输层 15和阴极层 16。 空穴传输层 13、 发光层 14、 电子传输层 15为功能层； 阳极层 12和阴极层 16之一或者 阳极层 12和阴极层 16都采用氧化物半导体铟镓锌氧（ InGaZn0 ₄ , IGZO ) 材料制成。 进一步的， 可以对 IGZO薄膜进行表面处理。

示例性的， OLED器件的衬底 11 采用透明玻璃， 阳极层 12 由厚度为 5-10 nm的 Au金属层和厚度为 100-300 nm的 A1金属层组成；空穴传输层 13 采用厚度为 30-70nm的 NPB ( Ν,Ν'-二苯基 -N-N'二 (1-萘基) -1,1'二苯基 -4,4'- 二胺） ； 电子传输层 15和发光层 14合为一层， 采用厚度为 30-70nm的 8- 羟基喹啉铝（ A1Q )； 阴极层 16采用厚度为 100 nm的 IGZO薄膜。 优选的 , IGZO阴极层 16采用 H ₂ 等离子体处理表面， 持续时间例如为 1分钟。 在另 一个示例中， 电子传输层 15和发光层 14也可以分开而单独形成。 该 OLED器件的阴极层采用 IGZO薄膜， 与现有技术中阴极层采用的 金属材料的 OLED器件相比， 可通过调节 IGZO薄膜中铟、 镓、 锌和氧的 元素组分来调节 IGZO薄膜的功函数， 扩大 OLED器件阴极功函数的调节 范围。 IGZO阴极层表面经处理后， 可以进一步降低阴极层的功函数。 从而 可以提高 OLED器件的发光效率。

示例性的， OLED器件的衬底 11采用石英，阳极层 12采用厚度为 50nm 的 IGZO薄膜； 空穴传输层 13采用厚度为 50nm的 NPB; 发光层 14采用 子像素区掩模（例如分別用于红、 绿和蓝色子像素区的掩膜）通过蒸镀工 艺制成。 绿光、 蓝光和红光像素区分别采用掺杂磷光材料的主 体材料 25nm 厚的 CBP: (ppy) ₂ Ir(acac) ( 4,4'-Ν,Ν'-二咔唑-联苯： 二 (2-苯基吡啶）乙酰丙酮 铱）、 CBP: FIrpic ( 4,4'-Ν,Ν'-二咔唑-联苯： 双 (4,6-二氟苯基吡啶 -N,C2)吡啶 曱酰合铱）和 CBP: Btp2Ir(acac) ( 4,4'-Ν,Ν'-二咔唑-联苯：二 (2-(2，-苯并 [4,5-a] 噻喻基)吡啶 - 〇30)铱（乙酰丙酮））； 电子传输层 15采用厚度为 25nm厚的 Bphen( 4,7-二苯基 -1,10-菲啰啉）； 阴极层 16采用厚度为 200nm的 钐（Sm ) 和 A1双层金属层； 优选的， 阳极层 12采用 0 ₂ 等离子体处理表面。

该 OLED器件的阳极层采用 IGZO薄膜， 与现有技术中阳极层采用的 ITO薄膜的 OLED相比，可通过调节 IGZO薄膜的元素组分可以调节 IGZO 薄膜的功函数， 扩大 OLED器件阳极功函数的调节范围。 IGZO阳极层表面 处理后， 可以进一步提高阳极层的功函数。 使得 OLED器件的发光效率提 高。

示例性的， OLED器件的衬底 11采用石英。阳极层 12采用厚度为 50nm 的 IGZO薄膜； 空穴传输层 13由 30-70nm厚的 NPB制成； 电子传输层 15 和发光层 14合为一层， 由 30-70nm厚的 8-羟基喹啉铝 （ A1Q ) 制成； 阴极 层 16采用厚度为 100 nm的 IGZO薄膜。 优选的， IGZO阴极层 16采用 H ₂ 等离子体处理表面， 持续时间例如为 1分钟。 IGZO阳极层 12采用 0 ₂ 等离 子体处理表面。

该 OLED器件的阴极层和阳极层均采用 IGZO薄膜。 与现有技术相比， OLED器件阴极和阳极的功函数具有更宽的调节� �围。 提高了 OLED器件 的发光效率。

需要说明的是， 上述各 OLED器件的功能层也可以进一步的包括空穴 注入层、 空穴阻挡层、 电子注入层、 电子阻挡层、 飩化层、 保护层等结构。 各层可采用有机小分子材料、 有机聚合物材料， 也可采用无机材料， 以及 复合掺杂材料等。对 IGZO薄膜的表面处理方式可包括等离子体处理� � 如采 用 H ₂ , CF ₄ 的等离子体进行处理等； 也包括液体处理， 如采用 HC1, HF进 行处理等。 IGZO薄膜也可采用含有 IGZO薄膜的复合薄膜， 如 A1/IGZO复 合薄膜作为阴极， Ag/IGZO复合薄膜作为阳极。 可以在 IGZO薄膜上刻蚀 图形， 实现光学特性改善。

本发明的另一个实施例提供了一种 AMOLED显示器件。

该阵列基板可包括多条栅线、 多条数据线以及和多条驱动线， 该多条 栅线和彼此交叉多条数据线， 由此定义了多个像素单元； 该多条驱动线可 平行于多条数据线设置， 分别对应于多列 （平行于数据线方向） 的像素单 元。 每个像素单元可以包括开关晶体管、 驱动晶体管和作为发光器件的有 机发光二极管。 开关晶体管与栅线和数据线连接作为像素单元 的开关元件， 驱动晶体管受开关晶体管控制， 并且源漏电极之一接驱动线， 而另一个接 有机发光二极管。 本发明不受驱动方式的限制。 每个像素单元根据有机发 光二极管所采用的有机发光材料的不同， 可以发出例如白光、 红光、 绿光 或蓝光等。 下面的描述仅针对单个像素单元， 而其他像素单元也同样适用。

如图 2所示， 该 AMOLED显示器件包括衬底 21、 栅电极 22、 栅绝缘 层 23、 TFT有源层 24和像素电极层 25、 刻蚀阻挡层 26、 源电极 27、 漏电 极 28、 像素界定层 29和 OLED 器件 30。

TFT有源层 24和像素电极层 25是由同一层 IGZO薄膜例如经光刻、刻 蚀而构图形成的。 OLED 器件 30包括阳极层 305和空穴传输层 304、 发光 层 303、 电子传输层 302。 电子传输层 302、 发光层 303、 空穴传输层 304 为功能层。 像素电极层 25是 OLED 器件 30的阴极层 301。

或者， 如图 3 , OLED 器件 30包括阴极层 315、 电子传输层 314、 发光 层 313、和空穴传输层 312。像素电极层 25是 OLED 器件 30的阳极层 311。

在图 2和图 3所示的实施例之中， 在基板 21的背面（即与 OLED相反 一侧）还可以形成反射层 （未示出） ， 用于反射 OLED器件发射的光， 从 而得到顶发射 AMOLED显示器件。 或者， 在像素电极层 25和村底 21间可 以形成反射金属层来实现顶发射器件。 本发明实施例提供的 AMOLED显示器件中， TFT有源层、 像素电极层 由同一层 IGZO薄膜制成， 该像素电极层即作为 OLED器件的阴极层或阳 极层。与现有技术相比，减少了 AMOLED显示器件制造过程中沉积、光刻、 刻蚀像素电极层的工艺， 从而降低 AMOLED显示器件的生产成本。 此外， 可以听通过调节 IGZO薄膜的元素组分可以调节 OLED器件的阴极层或阳 极层的功函数，扩大 OLED器件阴极功函数的调节范围。提高 AMOLED显 示器件的显示效率。

本发明另一实施例提供的 AMOLED 显示器件， 可以在图 2 所示的 AMOLED显示器件的基础上， 阳极层 305采用 IGZO材料制成； 也可以在 图 3所示的 AMOLED显示器件的基础上 ,阴极层 315采用 IGZO材料制成。 这样， AMOLED显示器件的阴极层和阳极层均采用 IGZO材料 , 同时调节 阴极层和阳极层 IGZO材料的元素组分以降低阴极层的功函数，� �高阳极层 的功函数， 可以提高 AMOLED显示器件的发光效率。

下面通过图 4-图 8对本发明实施例提供的 AMOLED显示器件的制造方 法进行说明。 如图 4所示， 该方法包括如下步骤。

步骤 401、 在衬底上依次形成栅电极、 栅绝缘层。

示例性的， 该步骤包括： 清洗衬底 21 ; 采用溅射、 蒸镀等方法沉积栅 极金属层， 并经光刻、 刻蚀将该栅金属层构图得到栅电极 22; 采用化学气 相沉积 （CVD ) 、 等离子体增强化学气相沉积等方法沉积栅极绝 缘层 23。 如图 5所示。 当然， 在清洗衬底后可以沉积緩冲层， 防止衬底 21中的杂质 对位于衬底 21上部结构的损伤。

步骤 402、 沉积 IGZO薄膜层， 并经光刻、 刻蚀将该 IGZO薄膜层构图 得到 TFT有源层和像素电极层。

如图 6,采用溅射等方法沉积 IGZO薄膜层，通过光刻、刻蚀，将该 IGZO 薄膜层构图得到的有源层 24和像素电极层 25。 通过该步骤， 经一次沉积、 光刻、 刻蚀工艺同时得到有源层 24和像素电极层 25 , 减少了现有技术中沉 积、 光刻、 刻蚀像素发光层的工艺。

优选的， 步骤 402后还可以进行如下步骤，

在所述 TFT有源层上形成刻蚀阻挡层。

采用溅射、 蒸镀等方法沉积得到刻蚀阻挡材料层， 然后经光刻、 刻蚀 将该刻蚀阻挡材料层构图形成刻蚀阻挡层 26。 如图 7所示。 刻蚀阻挡层 26 可以避免形成源、 漏电极的刻蚀工艺对 IGZO有源层的损伤。

步骤 403、 依次形成源电极、 漏电极和像素界定层。

采用溅射、 蒸镀等方法沉积源漏金属层， 然后经光刻、 刻蚀将该源漏 金属层构图形成源电极 27、 漏电极 28。 然后， 旋涂沉积亚克力系材料或树 脂材料， 并光刻、 固化得到像素界定层 29。 如图 8所示， 该像素界定层 29 中形成有开口以露出像素电极层 25。 当然， 在本步骤中还可以加入形成钝 化层的步骤， 即先在源电极 27、 漏电极 28之上形成钝化层， 然后在钝化层 上形成像素界定层， 同样在钝化层和像素界定层之中形成有开口以 露出像 素电极层 25。

至此， 形成 TFT阵列背板部分。

优选的， 步骤 403后还可以进行如下步骤，

对制作完成所述像素界定层之后的衬底表面进 行表面处理。

示例性的， 当步骤 402的像素电极层 25作为步骤 406中 OLED器件 的阴极 401 时， 可采用 H ₂ , CF ₄ 等离子体进行表面处理， 也可采用 HC1, HF等液体进行表面处理。当步骤 402的像素发光区 25作为步骤 406中 OLED 器件的阳极 311时， 可采用 0 ₂ 等离子体进行表面处理。 通过本步骤可以进 一步降低或提高 IGZO薄膜表面功函数。

步骤 404、 形成 OLED器件。

示例性的 , 当步骤 402的像素发光区 25作为步骤 404中 OLED器件的 阴极 301 时， 在真空条件下依次热蒸发蒸镀电子传输层 302、 有机发光层 303、 空穴传输层 304和阳极层 305。 得到如图 3所示的 AMOLED显示器 件。当步骤 402的像素电极层 25作为步骤 404中 OLED器件的阳极 311时， 依次沉积空穴传输层 312、 有机发光层 313、 电子传输层 314和阴极层 315。 得到如图 3所示的 AMOLED显示器件。 当然， 本步骤中可以加入电极修饰 层、 空穴注入层、 电子注入层、 光学增透层等。

本发明实施例提供的 AMOLED显示器件的制造方法， TFT有源层和像 素电极层由同一层 IGZO薄膜经一次沉积、 光刻、 刻蚀工艺制成。 该像素电 极层即作为 OLED 器件的阴极层或阳极层。 与现有技术相比， 减少了 AMOLED显示器件制造过程中像素电极层的制备工 艺，从而降低 AMOLED 显示器件的生产成本。 此外， 调节 IGZO 薄膜的元素组分可以调整其作为 OLED电极的功函数， 从而提高 OLED器件的发光效率。

下面通过具体实施例对本发明提供的 AMOLED 显示器件的制造方法 做具体说明。

作为 AMOLED显示器件的制造方法的第一实施例，该方 法包括如下步 骤。

步骤 501、 清洗村底 21。 采用 CVD方法沉积厚度为 200 nm的 Si0 ₂ 薄 膜作为緩冲层。 采用溅射方法沉积厚度为 200 nm的金属 Mo, 采用光刻、 刻蚀将该 Mo层构图得到栅电极 22。 采用 CVD方法在 370 。C下沉积厚度 为 150 nm的 Si0 ₂ 作为栅绝缘层 23。

步骤 502、采用溅射方法沉积厚度为 50 nm的 IGZO薄膜层，采用光刻、 刻蚀将该 IGZO薄膜层构图得到有源层 24和像素电极层 25。

步骤 503、 采用溅射方法沉积厚度为 50 nm的 Si0 ₂ 层， 采用光刻、 刻 蚀将该 Si02层构图得到阻挡层 26。

步骤 504、 采用溅射方法沉积厚度为 200 nm的金属层， 该金属层是由

Mo和 A1组成的双层金属层。 采用光刻、 刻蚀将该双层金属层构图得到源 电极 27、漏电极 28。旋涂沉积亚克力系材料并光刻、 固化得到厚度为 1.5nm 的像素界定层 29。

至此形成 TFT阵列背板部分。

步骤 505、 采用 H ₂ 等离子体处理 TFT的背板表面 , 同时钝化表面层。 步骤 506、 在 1χ1(Γ ⁵ Pa的真空、 190 °C下依次热蒸发蒸镀电子传输层 302、发光层 303 ,在 lxl(T ⁵ Pa的真空、 170 °C下热蒸发蒸镀空穴传输层 304, 在 lxl0- ⁵ Pa的真空、 900 °C下热蒸发蒸镀阳极层 305。

电子传输层 302和发光层 303合为一层， 用厚度为 30-70nm的 8-羟基 喹啉铝 （ A1Q )制成。 空穴传输层 304用厚度为 30-70nm的 PB制成。 阳 极层 305采用 Au和 A1双层结构。 Au层的蒸发速率为 lnm/min,厚度为 5-10 nm。 A1层的厚度为 100-300 nm。

上述方法制造的 AMOLED显示器件发绿光（发光峰位为 522nm ) ， 出 光方式为底出光。

作为本发明提供的 AMOLED显示器件的制造方法的第二实施例，该方 法包括如下步骤。

步骤 601、 清洗衬底 21。 采用 CVD方法沉积厚度为 200 nm的 Si0 ₂ 薄 膜作为緩冲层。 采用溅射方法沉积厚度为 200 nm的金属 Cr薄膜层， 将该 金属 Cr薄膜层经光刻、 刻蚀构图得到栅电极 22。 采用 CVD方法在 390 °C 下沉积厚度为 120 nm的 Si0 ₂ 和 SiN _x 作为栅绝缘层 23。

步骤 602、 采用溅射方法沉积厚度为 50 nm的 IGZO薄膜层， 在 400°C 纯氧环境下退火 lh, 通过光刻、 刻蚀将 IGZO薄膜层构图得到有源层 24和 像素电极层 25。

步骤 603、 采用溅射方法沉积厚度为 50 nm的 Si0 ₂ 层， 经光刻、 刻蚀 将该 Si0 ₂ 层构图得到阻挡层 26。

步骤 604、 采用溅射方法沉积厚度为 200 nm的金属层， 该金属层是由 Mo和 Ti组成的双层金属层。 经光刻、 刻蚀将该双层金属层构图得到源电 极 27、 漏电极 28。 旋涂沉积有机树脂材料并光刻、 固化得到厚度为 2 画 的像素界定层 29。

至此形成 TFT阵列背板部分。

步骤 605、 采用 0 ₂ 等离子体处理 TFT的背板表面。

步骤 606、 沉积厚度为 5-10 nm的 V ₂ 0 ₅ 作为空穴增强层。 沉积厚度为 50nm的 NPB作为空穴传输层 312。采用分像素区掩模蒸镀工艺制造发光层 313 ; 绿光、 蓝光和红光像素区分别采用掺杂磷光材料的主 体材料厚度为 25nm的 CBP: (ppy) ₂ Ir(acac)、 CBP: FIrpic和 CBP: Btp2Ir(acac) 。 沉积厚度 为 25nm的 Bphen作为电子传输层 314。 沉积厚度为 200nm的 Sm和 A1层 作为阴极层 315。

该方法制造的 AMOLED显示器件为全彩发光， 出光方式为底出光。 作为本发明的提供的 AMOLED显示器件的制造方法的第三实施例，该 方法包括如下步骤。

步骤 701、 清洗衬底 21。 在村底 21背面蒸镀厚度为 150-300 nm的 A1 层作为反射镜。 釆用溅射方法沉积厚度为 200 nm的金属 Mo薄膜层， 经光 刻、 刻蚀将该金属 Mo薄膜层构图得到栅电极 22。 采用 CVD方法在 390 °C 下沉积厚度为 120 nm的 Si0 ₂ 和 SiN _x 作为栅绝缘层 23。

步骤 702、 釆用溅射方法沉积厚度为 50 nm的 IGZO薄膜层， 经光刻、 刻蚀将该 IGZO薄膜层构图得到有源层 24和像素电极层 25 步骤 703、 采用溅射方法沉积厚度为 50 nm的 Si0 ₂ 层， 经光刻、 刻蚀 将该 Si0 ₂ 层构图得到阻挡层 26

步驟 704、 采用溅射方法沉积厚度为 200 nm的金属层， 该金属层是由 Mo和 Ti组成的双层金属层。 经光刻、 刻蚀将该双层金属层构图得到源电 极 27、 漏电极 28。 沉积 Si0 ₂ 和 SiN _x 复合层， 经光刻、 刻蚀将该复合层构 图得到钝化层。 旋涂沉积有机树脂材料并光刻、 固化得到厚度为 2 um的像 素界定层 29

至此形成 TFT阵列背板部分。

步骤 705、 采用 CF ₄ 等离子体处理 TFT的背板表面。 同时钝化表面层。 步骤 706、采用旋涂沉积厚度为 80 nm 的 MEH-PPV将有机电子传输层 302、 发光层 303和空穴传输层 304合为一层。 沉积 V ₂ 0 ₅ 和 Au复合层作为 阳极层 305 V ₂ 0 ₅ 层厚度为 5-10 nm; Au的蒸发速率为 lnm/min, 厚度为 15-30

该方法制造的 AMOLED显示器件发红光， 出光方式为顶出光。

以上所述仅是本发明的示范性实施方式， 而非用于限制本发明的保护 范围， 本发明的保护范围由所附的权利要求确定。