本发明属于显示技术领域，尤其涉及 0LED像素电路及驱动方 法、 显示装置。 背景技术

随着多媒体技术的快速进步， 半导体元件及显示装置的技术 也随之具有飞跃性的进步。 就显示装置而言， OLED ( Organic Light-Emitting Diode, 有机发光二极管） 由于具有能自发光、 对比度高、 色域广等优点， 并且还具有制备工艺简单、 功耗低、 易于实现柔性显示等优点， 成为新兴的平板显示装置中重要的发 光元件。

其中， 尤其以主动式矩阵有机发光二极管 （Active Matrix Organic Light-Emitting Diode,简称 AMOLED )显示装置具有无视 角限制、 低制造成本、 高应答速度（约为液晶显示装置的百倍以 上） 、 省电、 工作温度范围大、 重量轻、 可用于可携式机器的直 流驱动且可随硬件设备小型化及薄型化等优点 ， 而具有极大的发 展潜力， 可望成为下一代的新型平板显示装置， 大有取代液晶显 示装置 (Liquid Crystal Display,简称 LCD ) 的趋势。

在 AMOLED显示面板的像素结构中，每一个子像素中 都集成了 一组薄膜晶体管 （ThinFilm Transistor, 简称 TFT)和存储电容 (Storing Capacitor, 简称 C _s ) , 通过对薄膜晶体管 TFT和存储 电容 C _s 的驱动控制， 实现对通过子像素中的 0LED的电流的控制， 从而使 0LED发光。 目前， AMOLED显示面板中薄膜晶体管主要有三 种制备方式， 其一是利用非晶硅（ a- Si)工艺技术来制备， 其二 是利用低温多晶石圭（ Low Temperature Poly- Silicon, 简称 LTPS) 工艺技术来制备， 其三是利用氧化物 （Oxide) 工艺技术来制备。 一般的， 薄膜晶体管的型态可以为 P型或 N型。

但是， 无论是选择 P型还是 N型薄膜晶体管来实现有机发光 二极管像素电路，通过 0LED的电流都不仅受数据电压 V _Dm 的控制， 同时也受 TFT阔值电压 V _TH 的影响。 由于多个像素电路中 TFT的阔 值电压和迁移率等特性存在差异， 各 0LED像素电路的 TFT不可能 具备完全一致的性能参数； 同时， TFT 随着电压应力 （Vol tage s tress )时间的增加， 阔值会发生漂移。 由此导致流经 0LED的电 流不仅会随着 0LED的导通电压（ V _TH )经长时间应力（ long t ime s tress )的变化而改变， 而且还会随着用以驱动 0LED的薄膜晶体 管 TFT的阔值电压的漂移 （V _TH shif t ) 而有所不同。 进而造成流 过各 0LED像素电路中 0LED的电流不一致， 导致各 0LED像素电路 发光亮度不同， 进一步导致有机发光二极管显示装置的亮度均 匀 性 ( br ightness uniformi ty ) 与亮度恒定性 ( br ightness cons tancy ) 受影响， 影响有机发光二极管显示装置的显示效果； 同时， 目前的有机发光二极管像素电路中， 由于 0LED长时间处于 正偏压的状态， 将导致 0LED的使用寿命缩短， 从而导致有机发光 二极管显示装置的使用寿命受影响。 发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中 存在的上述不 足， 提供一种 0LED像素电路及驱动方法、 显示装置， 该 0LED像 素电路能对阈值电压进行有效补偿， 从而保证各 0LED像素电路发 光亮度的均勾性， 还能延长有机发光二极管的使用寿命。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种 0LED 像素电 路，该 0LED像素电路包括： 数据存储与阔值补偿模块、开关模块、 驱动模块和发光模块， 其中：

所述数据存储与阈值补偿模块分别连接至所述 驱动模块、 所 述开关模块、 扫描信号线和数据信号线， 用于根据所述扫描信号 线的扫描信号， 来使所述数据信号线上的数据信号输入至所述 驱 动模块并对所述驱动模块的阔值电压进行补偿 ； 所述开关模块还分别连接至所述驱动模块、 所述发光模块和 发光控制信号线， 用于根据所述发光控制信号线的控制信号， 来 使经阈值补偿的所述驱动模块提供的数据信号 输入至所述发光模 块， 以驱动所述发光模块发光。

优选的是， 所述驱动模块包括控制端、 输入端和输出端， 其 中：

所述驱动模块的控制端连接至所述数据存储与 阈值补偿模 块； 所述驱动模块的输入端连接至所述开关模块和 第一电压端， 所述第一电压端为可变电压提供端； 所述驱动模块的输出端连接 至所述数据存储与阔值补偿模块和所述开关模 块。

优选的是， 所述发光模块还连接至第二电压端， 所述第二电 压端为低电压提供端。

优选的是， 所述驱动模块包括第一晶体管， 所述驱动模块的 控制端为所述第一晶体管的栅极， 所述驱动模块的输入端为所述 第一晶体管的第一极， 所述驱动模块的输出端为所述第一晶体管 的第二极。

优选的是， 所述数据存储与阈值补偿模块包括第二晶体管 、 第三晶体管和存储电容， 其中：

所述第三晶体管的栅极连接至所述扫描信号线 ， 所述第三晶 体管的第一极连接至所述数据信号线， 所述第三晶体管的第二极 连接至所述存储电容的一端；

所述第二晶体管的栅极连接至所述扫描信号线 ， 所述第二晶 体管的第一极连接至所述第一晶体管的栅极和 所述存储电容的另 一端， 所述第二晶体管的第二极连接至所述第一晶体 管的第二极。

优选的是， 所述开关模块包括第四晶体管和第五晶体管， 其 中：

所述第四晶体管的栅极连接至所述发光控制信 号线， 所述第 四晶体管的第一极连接至所述第一晶体管的第 一极， 所述第四晶 体管的第二极连接至所述第三晶体管的第二极 和所述存储电容的 一端； 所述第五晶体管的栅极连接至所述发光控制信 号线， 所述第 五晶体管的第一极连接至所述第一晶体管的第 二极， 所述第五晶 体管的第二极连接至所述发光模块。

优选的是，所述 0LED像素电路中所述第一晶体管至所述第五 晶体管均为 N型晶体管、 P型晶体管或其组合。

优选的是， 所述发光模块包括 0LED, 所述 0LED的阳极连接 至所述第五晶体管的第二极， 所述 0LED的阴极连接至所述第二电 压端。

本发明还提供了一种显示装置， 该显示装置包括上述的 0LED 像素电路。

本发明还提供了一种上述 0LED像素电路的驱动方法， 所述驱 动方法包括下述步骤：

在数据存储与阈值补偿阶段： 输入扫描信号和数据信号， 使 得所述数据存储与阈值补偿模块开启， 所述数据存储与阈值补偿 模块存储数据电压并对所述驱动模块的阔值电 压进行补偿；

在发光阶段： 输入发光控制信号， 使得所述开关模块开启， 所述驱动模块驱动所述发光模块发光。

优选的是， 所述驱动方法具体包括：

在数据存储与阈值补偿阶段， 通过扫描信号线输入所述扫描 信号， 通过数据信号线输入所述数据信号， 使得第一电压端的低 电平输入至所述第一晶体管的第一极， 所述第三晶体管和所述第 二晶体管导通， 所述第四晶体管和所述第五晶体管截止， 所述存 储电容存储所述数据电压和所述第一晶体管的 阔值电压；

在发光阶段， 通过发光控制信号线输入所述发光控制信号， 使得所述第三晶体管和所述第二晶体管截止， 所述第四晶体管和 所述第五晶体管导通， 所述第一电压端的高电平输入至所述第一 晶体管的第一极， 所述第一晶体管的第二极驱动所述发光模块发 光， 从而实现显示。

优选的是， 所述第一电压端的低电平为 1至 3伏， 所述第一 电压端的高电平为 10至 15伏。 本发明获得的有益效果是： 提供了一种 0LED 像素电路， 该 0LED像素电路可对其中的驱动晶体管的阔值电� �进行补偿， 并将 经过阔值电压补偿的数据信号输出， 从而可以对驱动晶体管阔值 电压的漂移进行补偿， 使得驱动电流不受驱动晶体管阔值电压的 影响， 改善 0LED显示装置的显示效果； 而且， 由于该 0LED像素 电路中， 0LED 仅在发光阶段处于正偏压状态， 因此能延长 0LED 的寿命； 同时由于该 0LED像素电路的结构简单， 因此具有较高的 可靠性。 附图说明

图 1为本发明实施例 1中 0LED像素电路的结构框图； 图 2为本发明实施例 1中 0LED像素电路的结构示意图； 图 3为对应着图 2的 0LED像素电路的信号时序图；

图 4为对应着图 2的 0LED像素电路在数据存储与阔值补偿阶 段的结构示意图；

图 5为对应着图 2 的 0LED像素电路在发光阶段的结构示意 图；

附图标记：

1-数据存储与阈值补偿模块； 2-开关模块； 3-驱动模块； 4- 发光模块。 具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术 方案， 下面结 合附图和具体实施方式对本发明 0LED像素电路及驱动方法、显示 装置作进一步详细描述。

一种 0LED像素电路， 包括： 数据存储与阔值补偿模块、 开关 模块、 驱动模块和发光模块， 其中：

所述数据存储与阈值补偿模块分别连接至所述 驱动模块、 所 述开关模块、 扫描信号线和数据信号线， 用于根据所述扫描信号 线的扫描信号， 来使所述数据信号线上的数据信号输入至所述 驱 动模块并对所述驱动模块的阔值电压进行补偿 ； 所述开关模块还分别连接至所述驱动模块、 所述发光模块和 发光控制信号线， 用于根据所述发光控制信号线的控制信号， 来 使经阈值补偿的所述驱动模块提供的数据信号 输入至所述发光模 块， 以驱动所述发光模块发光。

一种显示装置， 包括上述的 0LED像素电路。

一种 0LED像素电路的驱动方法， 所述 0LED像素电路包括： 数据存储与阈值补偿模块、 开关模块、 驱动模块和发光模块， 所 述驱动方法包括下述步骤：

在数据存储与阈值补偿阶段： 输入扫描信号和数据信号， 使 得所述数据存储与阈值补偿模块开启， 所述数据存储与阈值补偿 模块存储数据电压并对所述驱动模块的阈值电 压进行补偿；

在发光阶段： 输入发光控制信号， 使得所述开关模块开启， 所述驱动模块驱动所述发光模块发光。 实施例 1 :

本实施例提供一种 0LED像素电路及驱动方法。

一种 0LED像素电路，其每一个子像素均被连接到一� �扫描信 号线 SCAN、一条数据信号线 DATA、 一个可变电压提供端 V _DD 、 一共 同发光控制信号线 EM和一接地电压端 V _ss 。 该像素结构为 5T1C ( 5 个晶体管和 1 个存储电容）结构， 存储电容主要负责存储数据电 压 V _Dm 及驱动晶体管的阔值电压 V _TH 。

如图 1所示， 本实施例中的 0LED像素电路包括： 数据存储与 阔值补偿模块 1、 开关模块 2、 驱动模块 3以及发光模块 4 , 其中： 数据存储与阈值补偿模块 1分别连接至驱动模块 3、 开关模 块 2、 扫描信号线 SCAN和数据信号线 DATA , 用于根据扫描信号线 SCAN的扫描信号 Sn, 来使数据信号线 DATA上的数据信号 （即数 据电压 V _DATA )输入至驱动模块 3并对驱动模块 3的驱动晶体管的阔 值电压 V _TH 进行补偿；

开关模块 2还分别连接至驱动模块 3、 发光模块 4和发光控 制信号线 EM, 用于根据发光控制信号线 EM的控制信号 Em, 来使 经阔值补偿的驱动模块 3提供的数据信号输入至发光模块 4 ,以驱 动发光模块 4发光。

其中， 驱动模块 3 包括控制端、 输入端和输出端， 驱动模块 3的控制端连接至数据存储与阔值补偿模块 1 ; 驱动模块 3的输入 端连接至开关模块 2和第一电压端 V _DD ,第一电压端 V _DD 为可变电压 提供端； 驱动模块 3 的输出端连接至数据存储与阔值补偿模块 1 和开关模块 2。

具体的， 如图 2所示， 驱动模块 3包括第一晶体管 TFT1 , 驱 动模块 3的控制端为第一晶体管 TFT1的栅极， 驱动模块 3的输入 端为第一晶体管 TFT1的第一极， 驱动模块 3的输出端为第一晶体 管 TFT1的第二极。

数据存储与阔值补偿模块包括第二晶体管 TFT2、 第三晶体管 TFT 3和存储电容 C _s , 其中：

第三晶体管 TFT 3 的栅极连接至扫描信号线 SCAN , 第三晶体 管 TFT 3的第一极连接至数据信号线 DATA , 第三晶体管 TFT3的第 二极连接至存储电容 C _s 的一端；

第二晶体管 TFT2 的栅极连接至扫描信号线 SCAN , 第二晶体 管 TFT2的第一极连接至第一晶体管 TFT1的栅极和存储电容 Cs的 另一端， 第二晶体管 TFT2的第二极连接至第一晶体管 TFT1的第 二极。

开关模块 2包括第四晶体管 TFT4和第五晶体管 TFT5 , 其中： 第四晶体管 TFT4 的栅极连接至发光控制信号线 EM, 第四晶 体管 TFT4的第一极连接至第一晶体管 TFT1的第一极， 第四晶体 管 TFT4的第二极连接至第三晶体管 TFT 3的第二极和存储电容 C _s 的一端；

第五晶体管 TFT5 的栅极连接至发光控制信号线 EM, 第五晶 体管 TFT5的第一极连接至第一晶体管 TFT1的第二极， 第五晶体 管 TFT5的第二极连接至发光模块 4。

发光模块 4 包括 OLED , 0LED的阳极连接至第五晶体管 TFT5 的第二极， 还同时连接至驱动模块 3 的输出端， 阴极连接至第二 电压端 V _ss , 第二电压端 V _ss 为低电压提供端。

这里需要说明的是， 图 2中， 驱动模块 3的控制端为节点 b , 该节点 b为数据存储与阔值补偿模块 1与驱动模块 3的连接点； 驱动模块 3的输入端为节点 c ,该节点 c为开关模块 2和驱动模块 3的连接点； 驱动模块 3的输出端为节点 d, 该节点 d为驱动模块 3、 开关模块 2与发光模块 4的连接点。 对存储电容 C _s 而言， 存储 电容 C _s 的一端为数据存储与阔值补偿模块 1和开关模块 2的连接 点（即节点 a ) ,也即第三晶体管 TFT3的第二极、第四晶体管 TFT4 的第二极和存储电容 C _s 的一端的连接点， 存储电容 C _s 的另一端为 驱动模块 3的控制端 （即节点 b ) 。

本实施例中， 第一晶体管 TFT1 为驱动晶体管， 第二晶体管 TFT2为驱动晶体管的阔值电压获取晶体管，第� �晶体管 TFT3为数 据信号的写入晶体管， 第四晶体管 TFT4和第五晶体管 TFT5为发 光模块的开关控制晶体管， 第一电压端 V _DD 提供功率信号， 第二电 压端 V _ss 提供接地信号。 写入晶体管的第二极、 存储电容 C _s 的一端 与一个开关控制晶体管的第二极连接于 a 点， 写入晶体管的第一 极连接至数据信号线 DATA; 驱动晶体管的栅极与阔值电压获取晶 体管的第一极及存储电容 Cs的另一端连接于 b点； 阔值电压获取 晶体管的栅极和写入晶体管的栅极均由扫描信 号线 SCAN控制， 扫 描信号线 SCAN提供行选通信号 Sn,数据电压 V _DATA 经过写入晶体管 对存储电容 C _s 充电，为选通的 0LED提供带有显示信息的数据信号； 驱动晶体管的第一极与所述一个开关控制晶体 管的第一极连接于 c点， c点还同时连接至可变电压提供端 V _DD ;驱动晶体管的第二极、 阔值电压获取晶体管的第二极与另一个开关控 制晶体管的第一极 连接于 d点； 所述另一个开关控制晶体管的第二极连接到 0LED的 阳极， 0LED的阴极与第二电压端 （即公共接地端）连接， 两个开 关控制晶体管的栅极均由发光控制信号线 EM控制， 以实现数据信 号对通过 0LED的电流的控制， 使得 0LED实现发光显示。

在本实施例中， 0LED 像素电路中的晶体管均以薄膜晶体管 TFT为示例进行说明。 其中， OLED像素电路中第一晶体管 TFT1至 第五晶体管 TFT5可以均为 N型晶体管， 此时， 其第一极可以是源 极， 第二极可以是漏极； 或者， 0LED像素电路中 TFT1至 TFT5可 以均为 P型晶体管， 此时， 其第一极可以是漏极， 第二极可以是 源极； 或者， 0LED像素电路中 TFT1至 TFT5混合选用 N型晶体管 和 P型晶体管， 只需同时将选定类型的晶体管 TFT1至 TFT5的端 口极性按本实施例晶体管 TFT1至 TFT5的端口极性相应连接即可。 同时应该理解的是， 本实施例中的 TFT1至 TFT5并不限于薄膜晶 体管， 任何具有电压控制能力以使得本发明按照上述 工作方式工 作的控制器件均应包含在本发明的保护范围内 ， 本领域技术人员 能够根据实际需要进行改变， 此处不再赘述。

图 3所示为本实施例中 0LED像素电路的信号时序图，本实施 例中 0LED像素电路的驱动过程主要包括数据存储与� �值补偿阶段 和发光阶段。 其中， 第一电压端 V _DD 可提供可变电压， 当为第二晶 体管 TFT2的栅极提供参考电压时， V _DD 电压范围为 1- 3V;当为 0LED 提供驱动用的功率信号电压时， V _DD 电压范围为 10- 15V; 而数据电 压 V _DATA 的设置范围根据具体应用中 0LED像素电路的驱动要求确 定。

相应的， 本实施例中 0LED像素电路的驱动方法包括： 在数据存储与阈值补偿阶段： 输入扫描信号和数据信号， 使 得数据存储与阈值补偿模块开启， 数据存储与阈值补偿模块存储 数据电压并对驱动模块的阔值电压进行补偿；

在发光阶段： 输入发光控制信号， 使得开关模块开启， 驱动 模块驱动发光模块发光。

具体的， 本实施例中 0LED像素电路的驱动方法包括： 在数据存储与阔值补偿阶段， 如图 4所示， 扫描信号线 SCAN 会逐行使能，扫描信号线 SCAN逐行输入扫描信号 S1…… Sn, 第三 晶体管 TFT3和第二晶体管 TFT2导通（ turned- on ) , 通过数据信 号线 DATA输入数据信号， 数据信号会随扫描信号线 SCAN的使能 而为每行 0LED像素电路传输所需求的数据电压 V _Dm ; 发光控制信 号线 EM 为低电平， 第四晶体管 TFT4 和第五晶体管 TFT5 截止

( turned- off )

由于存储电容 C _s 的一端连接至第三晶体管 TFT3的第二极，此 时数据电压 V _DATA 会被存储在节点 a ,并且此时存储电容 C _s 在节点 a 的电压为 V _Dm ; 而存储电容 C _s 的另一端连接至第一晶体管 TFT1的 栅极和第二晶体管 TFT2的第一极， 由于第二晶体管 TFT2导通， 此时相当于第一晶体管 TFT1的栅极与第二极直接连接， 第一电压 端 V _DD 为低电平， 输出一个低电压 V _ss , 该低电压 V _ss 输入第一晶体 管 TFT1的第一极， 存储电容 C _s 会通过第一晶体管 TFT1以二极管 连接的方式放电， 直到第一晶体管 TFT1截止为止， 此时存储电容 Cs在节点 b的电压为 V _SS +V _TH ,从而同时完成数据电压 V _Dm 的存储及 驱动晶体管阔值电压 V _TH 的获取（即存储电容 C _s 存储数据电压 V _DATA 和第一晶体管 TFT1的阔值电压 V _TH ) , 节点 a和节点 b之间的电压 差包含了阔值电压 V _TH 以及数据电压 V _Dm

在发光阶段， 如图 5所示， 发光控制信号线 EM为使能， 输入 发光控制信号 Em , 第三晶体管 TFT3 和第二晶体管 TFT2 截止

( turned- of f )； 发光控制信号线 EM为高电位， 第四晶体管 TFT4 和第五晶体管 TFT5导通（ turned- on ) , 第一电压端 V _DD 为高电平， 输出一个高电压 V _dd , 该高电压 V _dd 输入至第一晶体管 TFT1的第一 极， 第一晶体管 TFT1的第二极驱动发光模块 4发光， 从而实现显 示。

由于存储电容 C _s 的一端连接至第四晶体管 TFT4的第二极， 存储电容 Cs在节点 a的电压因第四晶体管 TFT4 的导通而升高到 V _dd , 与此同时存储电容 Cs的另一端的电压会因电容的升压效应而 升高， 节点 b的电压为 V _dd - V _Dm +V _TH +V _ss , 而第一晶体管 TFT1的第 二极的电压为 V _LED +V _SS , 其中 V。 _LED 为 0LED两端的跨压， 此时第一晶 体 管 TFT1 的 栅 极 与 第 二 极 之 间 的 电 压 为 ： = V _dd - V _DATA +V _TH - V 因此， 在发光阶段， 第一晶体管 TFT1所产生的驱动电流 I。 _LED 可以表示为如下公式：

1 ₂ 1 ₂

^OLED = χ (V _GS ― V _TH ) =—Κ χ (V _dd ― V _DATA + Vpjj― V _0LED ― V _TH )

1 ₂

= ^{K X} ( ^V dd― ^V DATA― ^V 0LED ) …… （1 ) 公式（1 ) 中， K为与第一晶体管 TFT1 (驱动晶体管）特性相 关的电流常数， V _dd 为第一电压端 V _DD 提供的功率信号电压， V _Dm 为 写入的数据电压， V。L _ED 在长时间使用后将趋向于一个常数。

由公式（ 1 )可看出， 在发光阶段， 流经 0LED的驱动电流 I _0LED 与第一晶体管 TFT1 的阔值电压 V _TH 并不相关， 因此， 当第一晶体 管 TFT1选定后， 由于 V _dd 为已经给定的电压值， 此时流过 0LED的 电流值仅受数据电压 V _DATA 和存储电容 C _s 的电容值的影响， 而与像 素电路中驱动晶体管的阔值电压无关， 即使驱动晶体管的阔值电 压 V _TH 存在差异或者 V _TH 发生了漂移， 流过 0LED的电流也不会受到 影响， 从而消除了阔值电压 V _TH 对通过 0LED的电流的影响， 也即 消除了 0LED像素电路内驱动晶体管阔值电压漂移的问� �， 提高了 0LED像素电路的稳定性， 可有效地改善显示面板的不均勾性； 同 时， 0LED在非发光阶段（数据存储与阔值补偿阶段� � 中没有处于 正偏压的状态， 而仅在所有像素电路的 V _Dm 都存储完毕后， 才在 发光阶段处于正偏压的状态， 减短了 0LED处于正偏压的时间， 因 此可有效地延长 0LED的使用寿命。

另外， 如图 3所示， V _DD 和 Em信号相对帧周期中第一行 0LED 像素电路的扫描信号 S1稍有提前， 而相对最后一行 0LED像素电 路的扫描信号 Sn稍有延时， 以保证数据写入的正确性。

本实施例中的 0LED像素电路， 由于预先通过存储电容补偿了 该 0LED像素电路内部的驱动晶体管的阔值电压，� �在数据写入时， 将该阔值电压与数据信号进行叠加， 从而可达到对阔值电压的漂 移进行补偿的技术效果； 同时， 由于此时 0LED不再处于长时间的 正偏压控制状态， 因此能有效延长 0LED的寿命。 实施例 2 :

本实施例提供一种显示装置， 该显示装置包括实施例 1 中所 示例的多个 0LED像素电路。 若干个图 2所示的相同的 0LED像素 电路按矩阵排列就构成 0LED显示阵列， 对若干个像素电路分别进 行控制即可实现 0LED显示阵列的发光， 从而实现显示。

该显示装置可以为： 电子纸、 手机、 平板电脑、 电视机、 显 示装置、 笔记本电脑、 数码相框、 导航仪等任何具有显示功能的 产品或部件。

本实施例中的有机发光二极管显示装置， 采用实施例 1所示 例的 0LED像素电路， 由于 0LED像素电路的稳定性较好， 保证了 各 0LED像素电路发光亮度的均勾性， 因此相应提高了显示装置的 显示质量， 因此可靠性更高、 成本更低， 更适合大批量生产； 同 时， 由于 0LED的使用寿命得到延长， 因此能有效地延长有机发光 二极管显示装置的使用寿命。 本发明提供的电压写入型主动式有机发光二极 管驱动方式的 0LED像素电路， 通过 5T1C结构、 并同时配合可变电压提供端 V _DD 的控制来完成数据电压 V _DATA 的存储及驱动晶体管阔值电压 V _TH 的补 偿， 使得 0LED的像素电路不受驱动晶体管阔值电压 V _TH 的影响， 即该 0LED像素电路具有对其内的驱动晶体管的阔值� �压漂移起到 补偿的作用， 使得 0LED的驱动电流不受驱动晶体管阔值电压的影 响， 从而改善主动式有机发光二极管显示面板影像 的不均匀性； 同时， 由于该 0LED像素电路在数据存储与阔值电压获取阶段� � 有 机发光二极管不处于正偏压状态， 能有效延长 0LED的寿命， 因而 能有效延长有机发光二极管显示装置的使用寿 命； 另外， 由于该 0LED像素电路的结构简单， 因此具有较高的可靠性， 保持了现有 的 0LED像素电路的高精度灰阶控制以及高稳定性� �优点， 使得包 括该 0LED像素电路的有机发光二极管显示装置亮度� �勾性更好， 成本更低， 更适合大批量生产。 应当理解的是， 以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理 而采用的示例性实施方式， 然而本发明并不局限于此。 对于本领 域内的普通技术人员而言， 在不脱离本发明的精神和实质的情况 下， 可以做出各种变型和改进， 这些变型和改进也视为本发明的 保护范围。