本发明涉及显示领域， 尤其涉及一种显示装置。 背景技术

一般而言， 显示装置采用高频驱动 （60Hz, 120Hz等） 时， 大的存储电容 Cst会影响充电率， 所以 Cst需要设计成较小值； 但是采用低频驱动 （30Hz以下， 一般为 10Hz, 5Hz驱动） 时， 电压保持率 (voltage holding ratio, VHR)依赖 Cst的 大小， 如果 Cst过小 VHR不能维持正常值， 所以低频驱动时需要较大的 Cst。 举例 而言， 如果将 60Hz驱动时像素的 Csti殳为 1 , 那么采用 6Hz (即驱动频率变为原来 的 1/10 )的低频驱动时大概需要将近 10倍的 Cst。 所以， 如果将高频驱动的显示 装置换成低频驱动， 会导致 VHRP条低， 故为了适应高频或低频驱动， 一般针对 不同驱动频度， 分别对像素进行设计。 具体来说， 高频驱动时为了使充电 率符合设计要求， 设计小的像素电极以减少 Cst; 而低频驱动时， 将像素电极 设计成大的以确保更大的 Cst, 但缺点是， 高频驱动时像素电极小， 开口率也会 相应减小。

一种新型 ADS模式显示装置的结构如图 1所示， 由彩膜基板 10和 ADS阵列基 板 20对盒而成， 彩膜基板 10包括： 基板 11 , 设置在基板 11上的彩膜层和公共电 极 13; ADS阵列基板 20包括： 基板 21 , 设置在基板 21上的像素电极 22, 像素电 极 22为狭缝电极，公共电极 13为板式电极。 图 1所示新型 ADS模式因 Cst比较小， 高频驱动时在充电率设计方面具有优势， 但是同时也因 Cst比较小， 并不适 合低频驱动。 其中， 上面所述的 AD S ( Advanced-Super Dimensional Switching )模式， 指高级超维场开关模式， 简称 ADS, 其原理是： 通过同一平面内像素电极或公 共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与 公共电极间产生的纵向电场形成 多维电场， 使液晶盒内取向液晶分子都能够产生旋转转换 ， 从而提高平面取向 系液晶工作效率并增大透光效率。 发明内容

本发明的实施例提供一种显示装置， 能够实现低频（低驻波）驱动， 同时 实现高频驱动时， 不会因保证充电率而导致开口率减少。

为达到上述目的， 本发明的实施例采用如下技术方案： 本发明的实施例提供一种显示装置， 包括： 相互对盒的第一 反和第二基 板， 所述第一 反包括： 第一电极层， 所述第二基板包括： 第二电极层， 所述 第一基板还包括： 第三电极层， 设置在所述第一电极层的远离所述第二基板的 一侧， 且， 所述第三电极层与所述第一电极层之间夹设有 绝缘层； 所述第三电 极层与所述第二电极层电连接。

优选地， 在所述第三电极层与所述第二电极层之间设置 有开关， 并且所述 开关在所述显示装置进行高频驱动时断开。

优选地， 所述第一基板为彩膜基板， 所述绝缘层为彩膜层。

具体地， 所述彩膜层包括： 黑矩阵， 以及由所述黑矩阵隔开的色阻块。 优选地， 所述显示装置还包括具有导电性的隔垫物， 所述第三电极层通过 所述隔垫物与所述第二电极层电连接。

可选地， 所述第一 反设置有贯穿所述第一电极层及所述绝缘层的 过孔， 所述隔垫物穿过所述过孔连接到所述第三电极 层。

可选地， 所述第二电极层设置有狭缝电极。

可选地， 所述第二电极层为像素电极层， 所述狭缝电极为像素电极。 可选地， 所述第二基板上还设置有： 与所述像素电极相连的薄膜晶体管； 所述第一电极层通过所述隔垫物与所述薄膜晶 体管的漏极相连。 可选地， 所述第一电极层、 所述第二电极层和所述第二电极层均为透明导 电膜。

所述第一电极层、 所述第二电极层和所述第三电极层的总厚度小 于 1000埃。 现有显示装置中， 用于产生驱动电场的第一、 第二电极层分别位于彩膜、 阵列极板上， 距离较远， Cst比较小， 适合高频驱动； 而本发明实施例提供的 显示装置， 在第一基板上设置有隔着绝缘层的有第一电极 层和第三电极层； 并 且， 将远离第二差 的第三电极层还与第二差 上的第二电极层电连接， 这样， 第二 反上的第二电极层与第一电极层形成第一电容 Cist,第一电极层与第三电 极层形成第二电容 C2st, 显示装置的存储电容 Cst实际为 Clst+ C2st。 因此， 与现 有技术相比， 本实施例提供的显示装置存储电容大， 能够适合低频驱动。 另夕卜， 在高频驱动时， 可以断开第三电极层 33与第二电极层 42之间的电连接， 从而减 少存储电容 Cst以保证充电率。 由于不通过使用较小的像素电极来减少 Cst, 高 频驱动时开口率并不会因此减少。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案 ， 下面将对实施例中所需要 使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的附图仅仅是本发明的一 些实施例， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下， 还 可以根据这些附图获得其它的附图。

图 1为现有的 ADS模式显示装置的结构示意图；

图 2为本发明实施例提供的显示装置的结构示意� �一；

图 3为本发明实施例提供的显示装置的结构示意� �二。

附图标记 10-彩膜基板， 11 - 反， 12-彩膜层， 13-公共电极， 20-阵列基板， 21-¾ , 22-像素电极；

30-第一 _ί ^反， 32-第一电极层， 33-第三电极层， 34-绝缘层，

35-过孔， 40-第二基板， 42-第二电极层， 44-漏极过孔，

50-隔垫物。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清 楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 而不是 全部的实施例。

为了便于清楚说明， 在本发明中采用了第一、 第二等字样对相似项进行类 别区分， 该第一、 第二字样并不在数量上对本发明进行限制， 本领域技术人员 根据本发明公开的内容， 想到的显而易见的相似变形或相关扩展均属于 本发明 的保护范围内。

实施例

本发明实施例提供一种显示装置， 如图 2所示， 该显示装置包括： 相互对盒 的第一 反 30和第二 反 40, 第一 _ί ^反 30包括： 第一电极层 32, 第二 反 40包 括： 第二电极层 42; 所述第一基板 30还包括： 第三电极层 33, 设置在第一电极 层 32的远离第二基板 40的一侧（即第一电极层 32的上方）， 且， 第三电极层 33与 第一电极层 32之间夹设有绝缘层 34; 第三电极层 33与第二电极层 42电连接。

现有显示装置中， 用于产生驱动电场的第一、 第二电极层分别位于彩膜、 阵列极板上， 距离较远， Cst比较小， 适合高频驱动； 而本发明实施例提供的 显示装置， 在第一 反 30上设置有隔着绝缘层 34的第一电极层 32和第三电极层 33; 并且， 将远离第二基板 40的第三电极层 33还与第二电极层 42电连接， 这样， 第二 反40上的第二电极层 42与第一电极层 32形成第一电容 Cist,第一电极层 32 与第三电极层 33形成第二电容 C2st, 显示装置的存储电容 Cst实际为 Clst+ C2st。 因此， 与现有技术相比， 本实施例提供的显示装置存储电容大， 适合低频驱动。

另外， 现有技术中， 实现高频驱动时为了使充电率符合设计要求， 需 设计小的像素电极以减少存储电容 Cst, 但缺点是， 高频驱动时像素电极小， 开口率也会相应减小。 而本发明实施例提供的显示装置， 如果采用高频驱动时， 可以断开第三电极层 33与第二电极层 42的电连接， 从而减少存储电容 Cst以保证 充电率， 而开口率并不会因此减少。 例如， 在本实施例中， 可以针对整个显示 装置在第三电极层 33与第二电极层 42之间提供控制开关（图中未示出）， 以便在 高频驱动和低频驱动之间切换时， 基于控制信号使所述控制开关断开或闭合， 以改变存储电容 Cst, 同时开口率不发生变化。

其中优选地， 本实施例第一基板 30为彩膜基板， 绝缘层 34为彩膜层。 如图 2 所示， 在本实施例的第一种具体实施方式中， 彩膜层设置在第一电极层 32和第 三电极层 33之间， 作为绝缘层使第一电极层 32和第三电极层 33隔开； 当然， 也 可以分别单独设置彩膜层和绝缘层， 例如， 第一电极层 32、 绝缘层和第三电极 层 33依次设置构成三明治式夹层结构， 彩膜层 2位于夹层结构之上或者之下。

所述的彩膜层一般可具体包括： 黑矩阵， 以及由黑矩阵隔开的色阻块。 对 于常见的 RGB (红 /绿 /蓝）混色方案， 一个像素区域一般包括 R/G B (红 /绿 /蓝） 三个色阻块。 除常见的 RGB (红 /绿 /蓝）混色方案之外， 本发明技术方案还可用 于其它混色方案， 例如 RGBY (红 /绿 /蓝 /黄）、 RGBW (红 /绿 /蓝 /白）混色方案。

需要进一步详细说明的是， 在本实施例的第一种具体实施方式中， 第一基 板 30上的第一电极层 32为公共电极层， 设置有板式的公共电极； 第二基板 40为 阵列 H, 第二基板 40上的第二电极层 42与第一 反 30上的第三电极层 33电连 接， 二者均为像素电极层， 其中， 第二电极层 42设置有狭缝状的像素电极， 第 三电极层 33设置有板式的像素电极。

本实施例对彩膜基板的结构进行了改进， 在彩膜层 +透明导电膜的结构中再 多形成一层透明导电膜， 并且将新增透明导电膜（即第三电极层）与阵 列基板 的像素电极层电连接， 从而使显示装置的存储电容增大， 适合低频驱动。 本发明实施例对第三电极层 33与第二电极层 42相连接的实现方式不做限 定， 可以是本领域技术人员所熟知的任意实现方式 。 但优选地， 本实施例可将 第三电极层 33通过具有导电性的隔垫物与第二电极层 42相连， 所述隔垫物设置 在第一 _ί ^反 30与第二 反 40之间， 用于维持第一 _ί ^反 30和第二 反 40的间距。

如图 3所示， 为本实施例的第二种具体实施方式， 第一基板 30设置有贯穿第 一电极层 32及绝缘层 34 (如彩膜层）的过孔 35, 隔垫物 50的一端穿过过孔 35连 接到第三电极层 33; 第二基板 40上设置有与像素电极（第二电极层 42为像素电 极层）相连的薄膜晶体管， 在薄膜晶体管的漏极上方设置漏极过孔 44, 隔垫物 50的另一端穿过漏极过孔 44与薄膜晶体管的漏极相连。 所述隔垫物 50具有导电 性， 从而将第三电极层 33与像素电极连接在一起， 第二基板上的像素电极与第 三电极层 33形成第一电容 Cist, 第一电极层 32与第三电极层 33形成第二电容

C2st, 第一电容 Cist与第二电容 C2st并连， 共同形成存储电容 Clst+C2st, 因此， 本实施例所述显示装置的存储电容增大为 Clst+C2st, 适合低频驱动。

其中， 所述第一电极层 32、 第二电极层 42和第三电极层 33均为透明导电膜， 常见的透明导电膜的材料有： 氧化铟锡（indium tin oxide, ITO)、 氧化锌（ΖηΟ)、 氧化锡 (Sn02)、 氧化锌掺铝 ( AZO )和 FTO (氧化锡掺氟）。

此外， 因显示区域电极层的总厚度越薄透射率越好， 现有技术中只存在两 层电极层， 而本发明实施例在第一基板上额外增加了第三 电极层， 因此， 需要 通过减小各电极层的厚度， 才可使显示装置整体的透射率不会因额外增加 的第 三电极层而降低。

一般而言， 现有技术形成板式电极时电极层的厚度一般约 400埃， 形成狭缝 电极时电极层的厚度一般约 600埃。 因此， 本实施例第一电极层、 第二电极层和 第三电极层的总厚度小于 1000埃， 一般即可保证显示装置整体的透射率不降低。

综上所述， 本发明实施例所述显示装置存储电容大， 适合低频驱动； 此外 在实现高频驱动时， 不会为了保证充电率而导致开口率减少。 所述的显示装置 可以为： 液晶面板、 电子纸、 OLED面板、 手机、 平板电脑、 电视机、 显示器、 笔记本电脑、 数码相框、 导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

所述显示装置制备方法与现有技术大致相同， 包括： 第一 反制程； 第二 基板制程； 以及， 第一基板与第二基板对盒制程， 只是所述第一 _ί ^反制程增加 一形成透明导电膜的工序， 具体如下， 包括：

步骤一、 在基板形成第三电极层；

步骤二、 在设置有所述第三电极层的基板上， 形成绝缘层；

步骤三、 在设置有所述第三电极层和绝缘层的基板上， 形成第一电极层， 并通过构图工艺形成过孔， 所述过孔贯穿所述第一电极层及绝缘层。

本实施例所述第一 反制程， 在彩膜层 +透明导电膜的结构中再多形成一层 透明导电膜， 并且利用导电性隔垫物将新增透明导电膜（即 第三电极层）与第 二基板的第二电极层相连接。 与现有的设计理念不同， 本实施例从设计初开始 重点放在低频驱动上， 可同时满足低频驱动和高频驱动， 并且在高频驱动的情 况下不使开口率降低。

需要说明的是， 在不冲突的前提下， 本发明实施例中的各项技术特征可以 任意组合使用。 以上所述， 仅为本发明的具体实施方式， 但本发明的保护范围并不局限于 此， 任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露 的技术范围内， 可轻易想到 的变化或替换， 都应涵盖在本发明的保护范围之内。 因此， 本发明的保护范围 应该以权利要求的保护范围为准。