Optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur

Herstellung eines optoelektronischen Bauelements

Die Anmeldung betrifft ein optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines oder einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen. Bei einem lichtemittierenden Bauelement mit einem Träger aus einem Vergussmaterial kann kurzwellige elektromagnetische Strahlung in den Träger gelangen und den Träger aufgrund des lichtempfindlichen Vergussmaterials schädigen. Des Weiteren kann elektromagnetische Strahlung seitlich austreten, wodurch es zu Lichtverlusten und eventuell zu inhomogener

Farbverteilung des emittierten Lichts führt.

Eine Aufgabe ist es, ein optoelektronisches Bauelement mit einer hohen Effizienz anzugeben. Des Weiteren ist es eine weitere Aufgabe, ein kostengünstiges und vereinfachtes

Verfahren zur Herstellung eines oder einer Mehrzahl von solchen Bauelementen anzugeben.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform eines

optoelektronischen Bauelements weist dieses einen Träger und einen auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper auf. Der Träger weist eine dem Halbleiterkörper zugewandte Vorderseite und eine dem Halbleiterkörper abgewandte Rückseite auf.

Insbesondere ist der Träger unmittelbar am Halbleiterkörper hergestellt. Das bedeutet, dass der Träger etwa nicht in einem von dem Halbleiterkörper separaten Produktionsschritt hergestellt und anschließend an dem Halbleiterkörper

befestigt wird, sondern direkt auf den Halbleiterkörper aufgebracht und somit direkt am Halbleiterkörper ausgebildet ist. Dabei muss der Träger nicht unmittelbar an den

Halbleiterkörper angrenzen. Zwischen dem Träger und dem

Halbleiterkörper können weitere Schichten etwa zur

elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers angeordnet sein .

Der Träger weist insbesondere einen elektrisch isolierenden Formkörper auf, der bevorzugt als Moldkörper ausgebildet ist. Zum Beispiel ist der als Moldkörper ausgebildete Formkörper durch ein Gießverfahren insbesondere unter Druckeinwirkung ausgebildet. Der Halbleiterkörper wird dabei etwa von einem Material des Formkörpers zumindest bereichsweise umgössen. Bevorzugt ist der Formkörper aus einem Kunststoffmaterial ausgebildet, etwa aus einem gießbaren Polymer, zum Beispiel aus einem Gießharz wie Epoxidharz oder aus Silikon. Das

Kunststoffmaterial kann mit Siliziumoxid, zum Beispiel mit Si02, zur Anpassung des thermischen Ausdehnungskoeffizienten (CTE) gefüllt sein.

Der Halbleiterkörper weist eine dem Träger abgewandte erste Hauptfläche und eine dem Träger zugewandte zweite Hauptfläche auf. Die Hauptflächen begrenzen den Halbleiterkörper

insbesondere in vertikaler Richtung. Unter einer vertikalen Richtung wird eine Richtung verstanden, die insbesondere senkrecht zu einer Haupterstreckungsfläche des

Halbleiterkörpers gerichtet ist. Insbesondere ist die

vertikale Richtung die Wachstumsrichtung der

Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers. Unter einer lateralen Richtung wird eine Richtung verstanden, die etwa parallel zu der Haupterstreckungsfläche des Halbleiterkörpers verläuft. Insbesondere sind die vertikale Richtung und die laterale Richtung quer, etwa senkrecht zueinander gerichtet. Der Halbleiterkörper weist insbesondere eine der Vorderseite des Trägers abgewandte erste Halbleiterschicht, eine der Vorderseite des Trägers zugewandte zweite Halbleiterschicht und eine in der vertikalen Richtung zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktive Schicht auf. Im Betrieb des Bauelements ist die aktive Schicht bevorzugt zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung

eingerichtet, etwa im sichtbaren, ultravioletten oder im infraroten Spektralbereich. Zum Beispiel ist die aktive

Schicht eine pn-Übergangszone, die als eine Schicht oder als eine Schichtenfolge mehrerer Schichten ausgebildet sein kann. Der Halbleiterkörper wird bevorzugt mittels eines Epitaxie- Verfahrens schichtenweise auf ein Aufwachssubstrat

aufgebracht. Das Aufwachssubstrat kann jedoch in einem nachfolgenden Verfahrensschritt von dem Halbleiterkörper entfernt werden, sodass das Bauelement insbesondere frei von einem Aufwachssubstrat ist.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist der Halbleiterkörper zumindest bereichsweise von dem Formkörper lateral umschlossen. In der vertikalen Richtung ragt der Formkörper etwa über die zweite Hauptfläche des

Halbleiterkörpers hinaus. Es ist auch denkbar, dass der

Formkörper in der vertikalen Richtung über die zweite und über die erste Hauptfläche, also über den gesamten

Halbleiterkörper, überragt. Der Halbleiterkörper weist eine Seitenfläche auf, die in der lateralen Richtung von dem

Formkörper teilweise oder vollständig bedeckt werden kann. Der Formkörper kann den Halbleiterkörper lateral vollständig umschließen.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses eine Mehrschichtstruktur auf. Die Mehrschichtstruktur ist insbesondere in der lateralen Richtung zumindest

bereichsweise zwischen dem Halbleiterkörper und dem

Formkörper angeordnet. Die Mehrschichtstruktur ist bevorzugt dazu eingerichtet, die im Betrieb des Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung, welche über die Seitenfläche des Halbleiterkörpers aus dem Halbleiterkörper austreten kann, zu absorbieren oder bevorzugt in den Halbleiterkörper zurück zu reflektieren. Die Mehrschichtstruktur kann eine nicht-metallische

Grenzschicht und eine metallische Schicht aufweisen.

Insbesondere ist die Grenzschicht in der lateralen Richtung zwischen dem Halbleiterkörper und der metallischen Schicht angeordnet. Die Grenzschicht kann an den Halbleiterkörper angrenzen. Dabei ist es möglich, dass zwischen der

Grenzschicht und dem Halbleiterkörper eine dünne

Verbindungsschicht, etwa eine Haftschicht, angeordnet ist, wobei die Verbindungsschicht eine Schichtdicke von höchstens 50 nm, bevorzugt höchstens 30 nm oder höchstens 10 nm

aufweist. Die Grenzschicht ist insbesondere dazu

eingerichtet, die Totalreflexion an der Seitenfläche des Halbleiterkörpers zu begünstigen. Zweckmäßig weist die

Grenzschicht im Vergleich zu dem Halbleiterkörper einen geringeren Brechungsindex auf. Insbesondere weist die

Grenzschicht ein strahlungsdurchlässiges und

niedrigbrechendes Material auf. Zum Beispiel beträgt der Brechungsindex der Grenzschicht zwischen einschließlich 1 und 2, etwa zwischen einschließlich 1 und 1,6, zum Beispiel zwischen einschließlich 1 und 1,4. Bevorzugt ist die

Grenzschicht transparent, insbesondere für die im Betrieb des Bauelements erzeugte Strahlung durchlässig, ausgebildet. Die metallische Schicht ist in der lateralen Richtung etwa zwischen der Grenzschicht und dem Formkörper angeordnet.

Insbesondere ist die metallische Schicht dazu eingerichtet, ein Auftreffen der im Betrieb des Bauelements erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf den Formkörper zu

verhindern. Dabei kann die metallische Schicht so ausgebildet sein, dass diese die im Betrieb des Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung absorbiert oder bevorzugt reflektiert. Die metallische Schicht kann dabei an den

Formkörper angrenzen. Die Mehrschichtstruktur kann derart ausgebildet sein, dass sie zumindest bereichsweise durch die Grenzschicht und die metallische Schicht lateral begrenzt ist. Das heißt, dass die metallische Schicht und die

Grenzschicht bereichsweise als äußerste Schichten der

Mehrschichtstruktur ausgebildet sein können.

In mindestens einer Ausführungsform eines optoelektronischen Bauelements weist dieses einen Träger mit einem elektrisch isolierenden Formkörper, einem Halbleiterkörper mit einer im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung eingerichteten aktiven Schicht und eine

Mehrschichtstruktur auf. In lateralen Richtungen umschließt der Formkörper den Halbleiterkörper zumindest bereichsweise. Die Mehrschichtstruktur ist in der lateralen Richtung

zumindest bereichsweise zwischen dem Halbleiterkörper und dem Formkörper angeordnet. Die Mehrschichtstruktur weist eine metallische Schicht und eine nicht-metallische Grenzschicht auf, wobei die Grenzschicht in der lateralen Richtung

zwischen dem Halbleiterkörper und der metallischen Schicht angeordnet ist, zumindest bereichsweise an den

Halbleiterkörper angrenzt, die aktive Schicht lateral bedeckt und im Vergleich zu dem Halbleiterkörper einen kleineren Brechungsindex aufweist. Die metallische Schicht ist dazu eingerichtet, ein Auftreffen der im Betrieb des Bauelements erzeugten, durch die Grenzschicht hindurchtretenden

elektromagnetischen Strahlung auf den Formkörper zu

verhindern .

Mit Hilfe der Mehrschichtstruktur kann die Reflektivität an der Seitenfläche des Halbleiterkörpers insbesondere durch Totalreflexion an der Grenzschicht und Reflexion an der metallischen Schicht gesteigert werden. Gleichzeitig kann eine Bestrahlung des Trägers, insbesondere des Formkörpers, mit Hilfe der Mehrschichtstruktur verhindert werden.

Lichtempfindliches Material des Formkörpers kann vor

kurzwelligen Strahlungsanteilen geschützt werden, sodass eine mögliche Degradation des Materials, etwa eines

Vergussmaterials, des Formkörpers durch Bestrahlung mit blauem Licht oder mit UV-Licht vermieden wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist eine Schichtdicke der Grenzschicht derart gewählt, dass eine Amplitude einer evaneszenten Welle, die bei einer

Totalreflexion an einer Grenzfläche zwischen der Grenzschicht und dem Halbleiterkörper entsteht, innerhalb der Grenzschicht auf weniger als 37 %, das heißt weniger als 1/e, wobei e die eulersche Zahl ist, ihres ursprünglichen Wertes reduziert wird. Zum Beispiel ist ein Produkt aus dem Brechungsindex und aus der Schichtdicke der Grenzschicht größer als eine Peak- Wellenlänge der im Betrieb des Bauelements von der aktiven Schicht erzeugten elektromagnetischen Strahlung. Insbesondere ist das Produkt größer oder gleich 400 nm, größer oder gleich 800 nm oder größer oder gleich 1 ym.

Die evaneszente Welle kann in oder hinter einer Grenzfläche auftreten, an der Wellen reflektiert werden, wie zum Beispiel bei einer Totalreflexion. Kann sich die evaneszente Welle in einem Medium nicht ausbreiten, fällt ihre Amplitude hinter der Grenzfläche nicht auf Null ab, sondern klingt

exponentiell ab. Befindet sich die Grenzschicht zwischen dem Halbleiterkörper und einer weiteren Schicht aus einem im

Vergleich zur Grenzschicht optisch dichteren Medium, können Teile der auf die Grenzschicht auftreffenden Strahlung - auch bei einer Totalreflexion - aufgrund eines evaneszenten Feldes in die weitere Schicht transmittiert werden, wodurch eine Intensität der an der Grenzfläche totalreflektierten

Strahlung abgeschwächt wird. Dieser Effekt wird als

verhinderte Totalreflexion bezeichnet. Um die verhinderte Totalreflexion zu vermeiden und somit zur Verhinderung einer möglichen abgeschwächten reflektierten Strahlung kann die Schichtdicke der Grenzschicht derart gewählt sein, dass die evaneszente Welle innerhalb der Grenzschicht ausreichend unterdrückt wird. Insbesondere ist die Schichtdicke der

Grenzschicht größer als die Eindringtiefe der evaneszenten Welle, wobei die Amplitude der evaneszenten Welle bei der Eindringtiefe auf zirka 37 % ihres ursprünglichen Wertes reduziert ist. Insbesondere ist die Schichtdicke der

Grenzschicht derart gewählt, dass eine Amplitude einer evaneszenten Welle innerhalb der Grenzschicht auf weniger als 30 %, etwa auf weniger als 20 %, insbesondere auf weniger als 5 % ihres ursprünglichen Wertes reduziert wird.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist die Grenzschicht aus einem strahlungsdurchlässigen Dielektrikum mit einem Brechungsindex zwischen 1 und einschließlich 2 gebildet. Insbesondere beträgt die Schichtdicke der

Grenzschicht mindestens 400 nm, etwa zwischen einschließlich 400 nm und 1 ym oder zwischen einschließlich 400 nm und 3 ym, etwa zwischen einschließlich 400 nm und 5 ym. Bei einer solchen Schichtdicke kann sichergestellt werden, dass die evaneszente Welle bezüglich Wellenlängen im infraroten, sichtbaren und ultravioletten Spektralbereich der im Betrieb des Bauelements emittierten elektromagnetischen Strahlung in der Grenzschicht ausreichend unterdrückt wird, sodass eine verhinderte Totalreflexion nicht oder kaum auftritt und die Intensität der an der Grenzfläche reflektierten

elektromagnetischen Strahlung kaum oder nicht abgeschwächt wird. Aufgrund der Grenzschicht mit einem niedrigen

Brechungsindex wird die Totalreflexion an der Seitenfläche des Halbleiterkörpers begünstigt und kann ohne nennenswerte Verluste an der Strahlungsintensität der totalreflektierten elektromagnetischen Strahlung realisiert werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist ein Zwischenraum in der lateralen Richtung zwischen dem

Halbleiterkörper und der Grenzschicht angeordnet. Dabei kann die Grenzschicht einen ersten Teilbereich und einen zweiten Teilbereich aufweisen, wobei der erste Teilbereich an den Halbleiterkörper angrenzt und der zweite Teilbereich an den Zwischenraum angrenzt, sodass der Zwischenraum in der

lateralen Richtung zwischen dem Halbleiterkörper und dem zweiten Teilbereich der Grenzschicht angeordnet ist. Somit können sowohl die Grenzschicht als auch der Zwischenraum bereichsweise an den Halbleiterkörper angrenzen. Insbesondere bedeckt die Grenzschicht, etwa der erste Teilbereich der Grenzschicht, die aktive Schicht des Halbleiterkörpers lateral vollständig. Der Zwischenraum und die aktive Schicht können entlang der vertikalen und/oder entlang der lateralen Richtung überlappungsfrei sein. Der Zwischenraum kann ein gasleerer Raum oder ein mit einem gasförmigen Medium, etwa mit Luft, gefüllter Raum sein. Der Zwischenraum kann an einer Seitenfläche des Bauelements eine Öffnung zur äußeren Umgebung des Bauelements aufweisen oder von der äußeren

Umgebung insbesondere luftdicht abgeschlossen sein. Vakuum und Luft weisen einen besonders geringen Brechungsindex auf, sodass die Totalreflexion an einer Grenzfläche zwischen dem Halbleiterkörper und Luft oder Vakuum besonders begünstigt wird .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements enthält die metallische Schicht ein Metall oder besteht aus einem Metall. Es ist auch möglich, dass die metallische Schicht aus einer Mehrzahl von Metallen, etwa in Form einer

Metalllegierung oder eines Metallschichtenstapels,

ausgebildet ist. Insbesondere weist die metallische Schicht eine Schichtdicke von mindestens 100 nm, etwa mindestens 200 nm oder mindestens 400 nm auf. Die metallische Schicht kann dicker als 1 ym, 3 ym oder 5 ym sein. Die Schichtdicke sowie die Materialien der metallischen Schicht können derart gewählt sein, dass die metallische Schicht für die im Betrieb des Bauelements von der aktiven Schicht erzeugten

elektromagnetischen Strahlung absorbierend oder reflektierend wirkt .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist die Mehrschichtstruktur einen Strahlungsreflektierenden

Schichtenstapel aus einer Mehrzahl von dielektrischen

Schichten auf. Die dielektrischen Schichten können dabei verschiedene Schichtdicken und/oder verschiedene

Brechungsindizes aufweisen. Der Schichtenstapel ist dabei bevorzugt in der lateralen Richtung zwischen der metallischen Schicht und der Grenzschicht angeordnet. Insbesondere ist der Schichtenstapel als dielektrischer Spiegel, etwa in Form eines DBR-Spiegels (englisch: distributed bragg reflector) ausgebildet. Der Schichtenstapel kann als DBR-Spiegel in reduzierter Form ausgebildet sein. Zum Beispiel weist der Schichtenstapel zwei, drei oder mehr dielektrische Schichten auf. Der dielektrische Schichtenstapel ist bevorzugt dazu eingerichtet, die etwa durch die Grenzschicht

hindurchtretende elektromagnetische Strahlung in Richtung des Halbleiterkörpers zurück zu reflektieren. Es ist jedoch auch möglich, dass die Mehrschichtstruktur frei von einem solchen Strahlungsreflektierenden Schichtenstapel ist. In diesem Fall kann die Reflexion der etwa durch die Grenzschicht

hindurchtretenden elektromagnetischen Strahlung an der metallischen Schicht realisiert werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements bedeckt die Grenzschicht die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht in der lateralen Richtung vollständig und die erste Halbleiterschicht zumindest bereichsweise. Dadurch soll eine elektrische Isolierung verschiedener Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers an dessen Seitenfläche sichergestellt werden. Es ist möglich, dass die Seitenfläche des

Halbleiterkörpers in der lateralen Richtung von der

Mehrschichtstruktur, insbesondere von der Grenzschicht, vollständig bedeckt ist. Es ist auch denkbar, dass alle

Seitenflächen des Halbleiterkörpers in der lateralen Richtung von der Mehrschichtstruktur zumindest teilweise oder

vollständig bedeckt sind. Der Halbleiterkörper kann somit in lateralen Richtungen von der Mehrschichtstruktur

vollumfänglich und vollständig umschlossen sein. Alternativ ist es auch möglich, dass mindestens 90 % der Seitenfläche von der Mehrschichtstruktur bedeckt ist, wobei ein Teil der Seitenfläche von der Mehrschichtstruktur unbedeckt bleiben kann . Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist die Seitenfläche eine Stufe auf. Die Stufe weist eine sich in lateralen Richtungen erstreckende Ebene auf. Die Ebene kann dabei parallel zu der ersten Hauptfläche und/oder der zweiten Hauptfläche des Halbleiterkörpers verlaufen. Es ist auch möglich, dass die Ebene schräg zu der ersten Hauptfläche und/oder zu der zweiten Hauptfläche verläuft. Insbesondre ist die Ebene der Stufe ausschließlich durch eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht des Halbleiterkörpers gebildet. Die erste Halbleiterschicht ist dabei in der vertikalen Richtung zwischen der ersten Hauptfläche und der aktiven Schicht angeordnet. Die Stufe kann vertikale Flanken aufweisen, die jeweils etwa an die laterale Ebene der Stufe angrenzen. Die Flanken können dabei senkrecht oder schräg zu der ersten und/oder der zweiten Hauptfläche ausgebildet sein.

Insbesondere bilden die Flanken der Stufe jeweils mit einem zu der Ebene senkrechten Lot einen Winkel zwischen

einschließlich 20° und 80°, etwa zwischen 20° und 70° oder zwischen einschließlich 30° und 60°. Mit einer Stufe auf der Seitenfläche kann die Mehrschichtstruktur vereinfacht auf den Halbleiterkörper aufgebracht werden.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist der Träger zumindest einen Durchkontakt zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers auf. Der Durchkontakt erstreckt sich in der vertikalen Richtung insbesondere durch den Formkörper hindurch. Dabei kann der Durchkontakt in lateralen Richtungen von dem Formkörper vollumfänglich umgeben sein. Der Träger kann eine Mehrzahl von solchen

Durchkontakten aufweisen. Zum Beispiel weist der Träger einen ersten Durchkontakt und einen von dem ersten Durchkontakt elektrisch isolierten zweiten Durchkontakt auf, wobei der erste Durchkontakt und der zweite Durchkontakt verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements zugeordnet sind. Die Durchkontakte sind bevorzugt derart ausgebildet, dass sie etwa an einer Rückseite des Formkörpers beziehungsweise des Trägers elektrisch kontaktierbar sind. Auf dessen Rückseite kann das Bauelement Kontaktschichten aufweisen, die jeweils mit einem der Durchkontakte elektrisch leitend verbunden sind. Über die Kontaktschichten können die Durchkontakte etwa mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden werden. Die Vorderseite und/oder die Rückseite des Trägers können jeweils zumindest bereichsweise durch Oberflächen des Formkörpers und bereichsweise durch Oberflächen der

Durchkontakte gebildet sein.

Das Bauelement ist bevorzugt durch die Ausgestaltung des Trägers derart eingerichtet, dass dieses über dessen

Rückseite extern elektrisch kontaktierbar und

oberflächenmontierbar ist. In Draufsicht können die

Kontaktschichten einen Großteil der Rückseite des

Bauelements, etwa mindestens 50 %, bevorzugt mindestens 70 % oder mindestens 80 % der Rückseite des Bauelements bedecken. Die Rückseite des Bauelements kann somit bereichsweise durch Oberflächen der Kontaktschichten ausgebildet sein, wobei die Rückseite mit den Oberflächen der Kontaktschichten als

Montagefläche, insbesondere als lötfähige Montagefläche, ausgebildet sein kann.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses eine Spiegelschicht auf einer dem Träger zugewandten Hauptfläche des Halbleiterkörpers auf. Insbesondere ragt die Spiegelschicht seitlich in der lateralen Richtung über die Hauptfläche und/oder über die aktive Schicht hinaus. In

Draufsicht kann die Spiegelschicht einen Großteil, etwa mindestens 70 %, insbesondere mindestens 80 %, bevorzugt mindestens 90 % der zweiten Hauptfläche und/oder der aktiven Schicht bedecken. Die Spiegelschicht kann dabei als

Bestandteil einer Verdrahtungsstruktur des Bauelements ausgebildet sein. Die Verdrahtungsstruktur ist in der

vertikalen Richtung insbesondere zwischen dem

Halbleiterkörper und dem Träger angeordnet. Die

Verdrahtungsstruktur kann Teilschichten aufweisen, die etwa direkt mit verschiedenen Halbleiterschichten des

Halbleiterkörpers elektrisch leitend verbunden sind. Zum Beispiel weist die Verdrahtungsstruktur eine Anschlussschicht auf, über die eine Halbleiterschicht des Halbleiterkörpers mit einem Durchkontakt elektrisch leitend verbunden ist. Die Verdrahtungsstruktur kann außerdem eine Durchkontaktierung aufweisen, über die eine weitere Halbleiterschicht des

Halbleiterkörpers mit einem weiteren Durchkontakt des Trägers etwa elektrisch leitend verbunden ist. Es ist auch möglich, dass die Spiegelschicht lediglich im Bereich der

Durchkontaktierung und/oder der Anschlussschicht ausgebildet ist, sodass die Spiegelschicht nicht zusammenhängende

Teilbereiche aufweist. Die Spiegelschicht kann einen

Teilbereich aufweisen, der etwa rahmenförmig ausgebildet ist und etwa die Durchkontaktierung und/oder die Anschlussschicht umschließt. In diesem Fall kann die Spiegelschicht weniger als 70 % oder weniger als 50 % der zweiten Hauptfläche und/oder der aktiven Schicht bedecken.

Die Durchkontaktierung der Verdrahtungsstruktur kann sich in der vertikalen Richtung von der zweiten Hauptfläche des

Halbleiterkörpers durch die zweite Halbleiterschicht und die aktive Schicht hindurch zu der ersten Halbleiterschicht erstrecken. Die Durchkontaktierung kann dabei im direkten elektrischen Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht stehen. Es ist auch möglich, dass die Verdrahtungsstruktur zur Stromaufweitung in der ersten Halbleiterschicht eine Mehrzahl von solchen Durchkontaktierungen aufweist. Die zwischen dem Halbleiterkörper und dem Träger angeordnete Spiegelschicht kann elektrisch leitfähig ausgebildet sein. Zum Beispiel ist die Spiegelschicht mit der Anschlussschicht oder mit der Durchkontaktierung elektrisch leitend verbunden. In

Draufsicht können die Spiegelschicht zusammen mit der

Anschlussschicht beziehungsweise mit den Anschlussschichten die zweite Hauptfläche und/oder die aktive Schicht

vollständig bedecken. Die im Betrieb des Bauelements

emittierte Strahlung, die durch die zweite Hauptfläche des Halbleiterkörpers hindurchtritt, kann an der Spiegelschicht beziehungsweise an der Anschlussschicht in Richtung der ersten Hauptfläche des Halbleiterkörpers beziehungsweise in Richtung der Strahlungsaustrittsfläche des Bauelements zurückreflektiert werden, wodurch die Effizienz des

Bauelements erhöht ist. Gleichzeitig kann verhindert werden, dass etwa kurzwellige elektromagnetische Strahlung über die zweite Hauptfläche des Halbleiterkörpers zum Formkörper des Trägers gelangt und den Formkörper beschädigt.

In mindestens einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen wird ein Verbund, etwa ein Waferverbund, mit einem Aufwachssubstrat und einem auf dem Aufwachssubstrat angeordneten Halbleiterverbund bereitgestellt. Der Halbleiterverbund kann durch ein

Beschichtungsverfahren, bevorzugt durch ein Epitaxie- Verfahren, auf das Aufwachssubstrat aufgebracht werden. Zur Zertrennung des Halbleiterverbunds in eine Mehrzahl von

Halbleiterkörpern kann eine Mehrzahl von Trenngräben in dem Halbleiterverbund ausgebildet werden. Die Trenngräben können sich in der vertikalen Richtung durch eine Halbleiterschicht, etwa durch die zweite Halbleiterschicht, und durch die aktive Schicht hindurch ausgebildet sein. Die Trenngräben können dabei jeweils eine Bodenfläche aufweisen, die etwa durch eine Oberfläche einer weiteren Halbleiterschicht, etwa der ersten Halbleiterschicht des Halbleiterkörpers, gebildet ist. In diesem Fall können die Halbleiterkörper etwa durch die erste Halbleiterschicht des Halbleiterverbunds miteinander

mechanisch verbunden sein. Es ist möglich, dass die

Trenngräben in der vertikalen Richtung durch den

Halbleiterverbund hindurch zum Aufwachssubstrat erzeugt werden.

Es wird ein Mehrschichtverbund zumindest in Bereichen der Trenngräben ausgebildet. Der Mehrschichtverbund kann dabei Innenwände der Trenngräben beziehungsweise Seitenflächen der Halbleiterkörper teilweise oder vollständig bedecken. Ein elektrisch isolierender Formkörperverbund wird etwa auf den Halbleiterkörpern und in den Bereichen der Trenngräben ausgebildet, etwa mittels eines Gießverfahrens. In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird das Aufwachssubstrat von dem Halbleiterverbund beziehungsweise von den

Halbleiterkörpern entfernt. Der Verbund wird anschließend entlang der Trenngräben in eine Mehrzahl von Bauelementen vereinzelt, sodass die Bauelemente jeweils einen Träger mit einem Formkörper als Teil des Formkörperverbunds, einen

Halbleiterkörper mit einer im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung eingerichteten aktiven Schicht und eine Mehrschichtstruktur als Teil des Mehrschichtverbunds aufweisen. Das hier beschriebene Verfahren ist für die Herstellung eines oder einer Mehrzahl der hier beschriebenen Bauelemente besonders geeignet. Die im Zusammenhang mit dem Bauelement beschriebenen Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Ausbilden der Trenngräben in dem Halbleiterverbund zumindest zweistufig, sodass die Trenngräben jeweils eine Innenwand mit einer Stufe aufweisen. Die Stufe enthält bevorzugt eine sich in lateralen Richtungen erstreckende Ebene, wobei die Ebene etwa durch einen ersten Schritt vor einem zweiten Schritt ausgebildet wird. In Anwesenheit der Stufe kann der Mehrschichtverbund in Bereichen der

Trenngräben vereinfacht ausgebildet werden. Alternativ ist es auch möglich, die Trenngräben lediglich in einem einzigen Verfahrensschritt derart auszubilden, dass die Trenngräben zum Aufwachssubstrat senkrechte oder schräge Innenwände aufweisen .

Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird eine Opferschicht zumindest im Bereich eines oder einer

Mehrzahl von Trenngräben auf Seitenflächen des

Halbleiterkörpers aufgebracht. Die Opferschicht kann dabei an den Halbleiterkörper angrenzen. Insbesondere wird die

Opferschicht derart ausgebildet, dass diese in lateraler Richtung lediglich eine Halbleiterschicht des

Halbleiterkörpers, etwa die erste Halbleiterschicht,

bereichsweise bedeckt. Die Opferschicht ist insbesondere frei von einer lateralen Überlappung mit der aktiven Schicht.

Insbesondere wird die Opferschicht vor der Grenzschicht ausgebildet. Die Grenzschicht kann in einem nachfolgenden Verfahrensschritt auf die Opferschicht aufgebracht werden und dabei etwa die zweite Halbleiterschicht und die aktive

Schicht lateral vollständig bedecken und die erste Halbleiterschicht und/oder die Opferschicht zumindest

bereichsweise lateral bedecken.

Nach dem Entfernen des Aufwachssubstrats kann die

Opferschicht zur Ausbildung des Zwischenraums teilweise oder vollständig, zum Beispiel durch Unterätzung, entfernt werden. Der Zwischenraum kann dabei als Luftspalt ausgebildet werden. Es ist möglich, dass eine Schicht, etwa eine Konverterschicht oder eine Abschlussschicht, auf den Halbleiterkörper

aufgebracht wird, sodass der Zwischenraum durch diese Schicht insbesondere luftdicht abgeschlossen wird. Bevorzugt liegt die Konverterschicht vor dem Aufbringen auf den

Halbleiterkörper in Form einer Folie vor. Die Konverterfolie kann etwa auf den Halbleiterkörper auflaminiert werden. Der Zwischenraum kann durch die Konverterfolie insbesondere luftdicht abgeschlossen werden, ohne dabei von einem

Konvertermaterial oder von einem flüssigen Medium befüllt zu werden. Wird die Konverterschicht im Vakuum auf den

Halbleiterkörper aufgebracht, kann der Zwischenraum ein gasleerer Raum sein.

Die Konverterschicht wird bevorzugt nach dem Ausbilden des Zwischenraums auf den Halbleiterkörper aufgebracht.

Alternativ ist es möglich, den Zwischenraum erst nach dem Aufbringen der Konverterschicht auszubilden. Dies kann zum Beispiel nach der Vereinzelung des Verbunds in eine Mehrzahl von Bauelementen erfolgen, wobei die Opferschicht etwa nach der Vereinzelung von der Seitenfläche des Bauelements her zugänglich wird. In diesem Fall kann der Zwischenraum an der Seitenfläche des Bauelements eine Öffnung aufweisen. Diese Öffnung kann jedoch durch eine Abschlussschicht bedeckt werden, sodass etwa Feuchtigkeit oder Schadgase von dem

Zwischenraum ferngehalten werden. Weitere Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Bauelements sowie des Verfahrens ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den Figuren 1 bis 5E erläuterten Ausführungsbeispielen.

Es zeigen:

Figuren 1 bis 4 schematische Darstellungen verschiedener

Ausführungsbeispiele für ein Bauelement in Schnittansichten, und

Figuren 5A bis 5E schematische Darstellungen verschiedener

Verfahrensstadien mehrerer Ausführungsbeispielen zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen. Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur

Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt werden.

Figur 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel für ein Bauelement 100. Das Bauelement 100 weist einen Träger 1 und einen

Halbleiterkörper 2 auf. Der Halbleiterkörper 2 weist eine dem Träger 1 abgewandte erste Hauptfläche 201 und eine dem Träger

1 zugewandte zweite Hauptfläche 202 auf. Der Halbleiterkörper

2 weist eine etwa p-leitende erste Halbleiterschicht 21, eine zweite etwa n-leitende Halbleiterschicht 22 und eine zwischen den Halbleiterschichten angeordnete aktive Schicht 23 auf. Alternativ kann die erste Halbleiterschicht 21 n-leitend und die zweite Halbleiterschicht 22 p-leitend ausgebildet sein. Der Halbleiterkörper 2 kann aus einem I I I /V-Verbindungs- Halbleitermaterial gebildet sein. Ein I I I /V-Verbindungs- Halbleitermaterial weist ein Element aus der dritten

Hauptgruppe, wie etwa B, AI, Ga, In, und ein Element aus der fünften Hauptgruppe, wie etwa N, P, As, auf. Insbesondere umfasst der Begriff " I I I /V-Verbindungs-Halbleitermaterial " die Gruppe der binären, ternären oder quaternären

Verbindungen, die wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe und wenigstens ein Element aus der fünften

Hauptgruppe enthalten, beispielsweise Nitrid- und Phosphid- Verbindungshalbleiter . Eine solche binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung kann zudem zum Beispiel ein oder mehrere Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile

aufweisen. Abweichend davon kann der Halbleiterkörper 2 aus einem II/VI-Verbindungs-Halbleitermaterial gebildet sein.

Das Bauelement 100 weist eine Strahlungsaustrittsfläche 101 und eine der Strahlungsaustrittsfläche abgewandte Rückseite 102 auf. Die Strahlungsaustrittsfläche 101 ist gemäß Figur 1 durch eine Oberfläche einer Konverterschicht 7 gebildet. Die Konverterschicht 7 kann ein Konvertermaterial enthalten, welches dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung einer ersten Peak-Wellenlänge in elektromagnetische Strahlung einer zweiten Peak-Wellenlänge umzuwandeln. Insbesondere emittiert die aktive Schicht 23 im Betrieb des Bauelements 100 eine elektromagnetische Strahlung mit der ersten Peak-Wellenlänge, wobei die erste Peak-Wellenlänge kleiner ist als die zweite Peak-Wellenlänge der von der Konverterschicht 7 umgewandelten Strahlung. Das Konvertermaterial kann in einem

Matrixmaterial, etwa im Silikon, eingebettet sein. Abweichend von Figur 1 kann die Strahlungsaustrittsfläche 101

strukturiert sein oder durch eine Oberfläche der ersten

Halbleiterschicht 21, etwa durch die erste Hauptfläche 201 gebildet sein. Es ist auch möglich, dass eine

Abschlusspassivierung zwischen der Konverterschicht 7 und dem Halbleiterkörper 2 angeordnet ist. Auch kann das Bauelement 100 frei von der Konverterschicht 7 und/oder frei von der Abschlusspassivierung sein.

Der Träger 1 weist einen Formkörper 5 auf. Der Formkörper 5 ist insbesondere ein Moldkörper. Insbesondere ist der

Formkörper 5 ein zusammenhängender, insbesondere einstückig ausgebildeter Moldkörper. Der Formkörper 5 kann dabei in einem einzigen Verfahrensschritt ausgebildet sein, etwa durch ein Gießverfahren. Dabei ist es möglich, dass zunächst ein Formkörperverbund 50 auf einem Halbleiterverbund 20

beziehungsweise auf eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern 2 ausgebildet wird. Nach einem Vereinzelungsschritt kann eine Mehrzahl von Bauelementen 100 hergestellt werden, die jeweils einen etwa zusammenhängenden und einstückig ausgebildeten Formkörper 5 aufweisen, wobei der Formkörper 5 des jeweiligen Bauelements 100 bei der Vereinzelung aus dem

Formkörperverbund 50 hervorgeht.

Zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers 2 weist der Träger 1 einen ersten Durchkontakt 41 sowie einen zweiten Durchkontakt 42 auf. Der erste Durchkontakt 41 und der zweite Durchkontakt 42 erstrecken sich jeweils in der vertikalen

Richtung durch den Formkörper 5 hindurch. Der Träger 1 weist insbesondere eine dem Halbleiterkörper 2 zugewandte

Vorderseite 11 und eine dem Halbleiterkörper 2 abgewandte Rückseite 12 auf. Die Vorderseite 11 und die Rückseite 12 des Trägers 1 sind jeweils bereichsweise durch Oberflächen des Formkörpers 5 und bereichsweise durch Oberflächen der

Durchkontakte 41 und 42 gebildet. In der vertikalen Richtung erstrecken sich die Durchkontakte 41 und 42 somit etwa von der Rückseite 12 des Trägers 1 bis zur Vorderseite 11 des Trägers 1. Die Rückseite 102 des Bauelements ist zumindest bereichsweise durch die Rückseite 12 des Trägers 1 gebildet. Zum Beispiel sind die Durchkontakte 41 und 42 an der

Rückseite 102 des Bauelements 100 beziehungsweise an der Rückseite 12 des Trägers 1 elektrisch kontaktierbar

ausgebildet. Das bedeutet, dass die Durchkontakte 41 und 42 an der Rückseite 102 etwa mittelbar oder unmittelbar mit einer externen elektrischen Spannungsquelle elektrisch kontaktiert werden können. In der Figur 1 sind die

Durchkontakte 41 und 42 jeweils von einer Kontaktschicht 410 oder 420 bedeckt, die insbesondere als Lötschicht oder

Schutzschicht ausgebildet ist. An der Rückseite 102 sind der erste Durchkontakt 41 und der zweite Durchkontakt 42 zum Beispiel jeweils von einer ersten Kontaktschicht 410

beziehungsweise von einer zweiten Kontaktschicht 420

vollständig bedeckt. Die Kontaktschicht 410 oder 420 kann zum Beispiel Au, Pd, Ag, Sn, Cu, Ni und/oder Pt enthalten.

Insbesondere ist die Kontaktschicht eine CuSn-, NiSn-,

CuNiSn-, TiAu-, TiPtAu-, NiAu-, TiAuSn-, TiPtAuSn-, NiAuSn- oder NiPdAu-Schicht . Auch kann die Kontaktschicht eine

SnAgCu-Schicht (SAC-Lotschicht) , AuSn-, CuAgNi-Schicht oder eine reine Ag-, Cu- oder Au-Schicht sein.

Zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers 2 weist das Bauelement 100 eine Verdrahtungsstruktur 8 auf. Die

Verdrahtungsstruktur 8 kann eine oder eine Mehrzahl von

Durchkontaktierungen 81 und zumindest eine Anschlussschicht 82 aufweisen. Insbesondere ist der erste Durchkontakt 41 über die Durchkontaktierung 81 mit der ersten Halbleiterschicht 21 elektrisch verbunden. Die Durchkontaktierung 81 erstreckt sich in der vertikalen Richtung insbesondere durch die zweite Halbleiterschicht 22 und die aktive Schicht 23 hindurch in die erste Halbleiterschicht 21. Der zweite Durchkontakt 42 ist etwa über die Anschlussschicht 82 mit der zweiten

Halbleiterschicht 22 elektrisch leitend verbunden.

Das Bauelement 100 weist eine Isolierungsstruktur 9 auf. Die Isolierungsstruktur 9 ist zumindest bereichsweise zwischen dem Halbleiterkörper 2 und dem Träger 1 angeordnet. Die

Isolierungsstruktur 9 weist dabei eine Passivierungsschicht 91 auf, die sich in der vertikalen Richtung bereichsweise in den Halbleiterkörper 2 hinein erstreckt, und die

Durchkontaktierung 81 in lateralen Richtungen von der zweiten Halbleiterschicht 22 und von der aktiven Schicht 23

elektrisch isoliert. In Figur 1 weist die Isolierungsstruktur 9 eine Isolationsschicht 92 mit einer Mehrzahl von Öffnungen zur teilweisen Freilegung der Anschlussschicht 82 oder der Durchkontaktierung 81 auf, wobei die Anschlussschicht 82 und die Durchkontaktierung 81 jeweils durch eine der Öffnungen mit einem der Durchkontakte 41 und 42 elektrisch verbunden sind. Die Isolationsschicht 92 grenzt etwa an den

Halbleiterkörper 2 an. Die Isolationsschicht 92 und die

Passivierungsschicht 91 können aneinander angrenzen oder zusammenhängend und insbesondere einstückig ausgebildet sein. Der Träger 1 gemäß Figur 1 weist Seitenflächen 10 auf, die ausschließlich durch Oberflächen des Formkörpers 5 gebildet sein können. Das Bauelement 100 weist Seitenflächen 110 auf, die teilweise durch Seitenflächen 10 des Trägers 1 gebildet sind. Der Formkörper 5 ist derart ausgebildet, dass dieser in der vertikalen Richtung über die zweite Halbleiterschicht 22 und die aktive Schicht 23 hinausragt. Das Bauelement 100 weist eine Mehrschichtstruktur 3 auf. In lateralen Richtungen ist der Halbleiterkörper 2 von der Mehrschichtstruktur 3 insbesondere vollumfänglich umgeben. Der Halbleiterkörper 2 weist eine Seitenfläche 203 auf, die in der lateralen Richtung von der Mehrschichtstruktur 3 insbesondere vollständig bedeckt ist. Bevorzugt sind alle Seitenflächen 203 des Halbleiterkörpers 2 von der

Mehrschichtstruktur 3 teilweise oder vollständig bedeckt. Die Mehrschichtstruktur 3 ist dazu eingerichtet, einerseits die Totalreflexion an Seitenflächen 203 des Halbleiterkörpers 2 zu begünstigen beziehungsweise zu fördern und andererseits einen Durchgang der im Betrieb des Bauelements erzeugten elektromagnetischen Strahlung über die Seitenflächen 203 in den Formkörper 5 zu unterbinden.

Die Mehrschichtstruktur 3 weist eine nicht-metallische

Grenzschicht 32 auf. Die Grenzschicht 32 kann an die

Seitenflächen 203 des Halbleiterkörpers 2 angrenzen. Es ist auch denkbar, dass zwischen der Grenzschicht 32 und dem

Halbleiterkörper 2 eine dünne Haftschicht angeordnet ist. Die Haftschicht kann eine Schichtdicke etwa von höchstens 50 nm, zum Beispiel höchstens 30 nm oder höchstens 10 nm oder höchstens 3 nm aufweisen. Zur Begünstigung der Totalreflexion an der Seitenfläche 203 des Halbleiterkörpers 2 ist ein

Material der Grenzschicht 32 derart ausgewählt, dass die

Grenzschicht 32 im Vergleich zu dem Halbleiterkörper 2 einen kleineren Brechungsindex aufweist. Bevorzugt ist der

Brechungsindex der Grenzschicht zwischen einschließlich 1 und 2, etwa zwischen einschließlich 1 und 1,6 oder zwischen einschließlich 1 und 1,4. Zur Ausbildung der Grenzschicht 32 ist die Seitenfläche 203 des Halbleiterkörpers beispielsweise mit einem transparenten Dielektrikum, etwa mit Si02,

beschichtet. Zur Unterdrückung der evaneszenten Welle kann die Grenzschicht 32 eine Schichtdicke von zirka 400 nm aufweisen. Es ist dabei möglich, dass die Haftschicht mit einer Schichtdicke von etwa 10 nm und mit einem im Vergleich zu der Grenzschicht höheren Brechungsindex zwischen dem

Halbleiterkörper 2 und der Grenzschicht 32 angeordnet ist, ohne dass der Effekt hinsichtlich der Unterdrückung der evaneszenten Welle verloren geht. Die dünne Haftschicht kann zum Beispiel eine SiN-Schicht, etwa eine Si3N4-Schicht , sein. Gemäß Figur 1 weist die Seitenfläche 203 des

Halbleiterkörpers eine Stufe auf. Die Stufe weist eine sich in lateralen Richtungen erstreckende Ebene 230 auf. Die Ebene 230 ist ausschließlich durch eine Oberfläche der ersten

Halbleiterschicht 21 gebildet. Die Stufe ist des Weiteren durch eine erste Teilfläche 210 und eine zweite Teilfläche 220 der Seitenfläche 203 gebildet. Die erste Teilfläche 210 ist ebenfalls ausschließlich durch eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 21 gebildet. Die zweite Teilfläche 220 ist bereichsweise durch eine Oberfläche der ersten

Halbleiterschicht 21 und bereichsweise durch eine Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht 22 gebildet. Die Ebene 230 der Seitenfläche 203 verbindet die erste Teilfläche 210 mit der zweiten Teilfläche 220 und bildet somit zusammen mit den Teilflächen 210 und 220 die Stufe der Seitenfläche 203. In der Figur 1 verläuft die Ebene 230 im Wesentlichen parallel zu der zweiten Hauptfläche 202 des Halbleiterkörpers 2. Die Teilflächen 210 und 220 verlaufen jeweils schräg zu der zweiten Hauptfläche 202. Aufgrund der Stufe kann die

Mehrschichtstruktur vereinfacht auf die Seitenfläche 203 aufgebracht werden.

Die Mehrschichtstruktur 3 weist eine dem Formkörper 5

zugewandte metallische Schicht 30 auf. Insbesondere kann die metallische Schicht an den Formkörper 5 angrenzen. Dabei ist es möglich, dass eine dünne Haftvermittlerschicht zwischen der metallischen Schicht 30 und dem Formkörper 5 angeordnet ist. Die metallische Schicht 30 kann ein Metall enthalten oder aus einem oder mehreren Metallen bestehen. Das Material der metallischen Schicht 30 kann derart gewählt werden, dass die metallische Schicht insgesamt strahlungsreflektierend, bevorzugt hochreflektierend ausgebildet ist. Zum Beispiel weist die metallische Schicht 30 ein Metall wie Silber, Aluminium oder Gold auf. Weitere reflektierende Materialien wie Titan, Platin, Tantal, Nickel, Kupfer oder Chrom sind ebenfalls geeignet. Es ist auch möglich, dass die metallische Schicht 30 strahlungsabsorbierend ausgebildet ist. Die metallische Schicht 30 ist dazu eingerichtet, ein Auftreffen der im Betrieb des Bauelements erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf den Formkörper 5 zu verhindern. Dabei kann die metallische Schicht eine Schichtdicke von mindestens 100 nm, etwa mindestens 300 nm oder mindestens 500 nm aufweisen. Die metallische Schicht 30 kann etwa mittels einer Haftschicht oder mittels einer Startschicht (englisch: seed layer) durch ein galvanisches Verfahren auf die Seitenfläche 203 des Halbleiterkörpers 2 aufgebracht werden. Dabei kann die metallische Schicht 30 etwa die Stufe der Seitenfläche 203 nachbilden .

Der Formkörper 5 wird bevorzugt durch ein Gießverfahren auf die metallische Schicht 30 aufgebracht. Unter einem

Gießverfahren wird allgemein ein Verfahren verstanden, mit dem eine Formmasse gemäß einer vorgegebenen Form bevorzugt unter Druckeinwirkung ausgestaltet und erforderlichenfalls ausgehärtet werden kann. Insbesondere umfasst der Begriff „Gießverfahren" Gießen (molding) , Folien assistiertes Gießen (film assisted molding), Spritzgießen (injection molding), Spritzpressen (transfer molding) und Formpressen (compression molding) . Der Formkörper 5 kann dabei eine dem

Halbleiterkörper 2 zugewandte Seitenfläche aufweisen, die etwa einer Kontur der metallischen Schicht 30 beziehungsweise der Seitenfläche 203 mit der Stufe nachbilden kann. Die dem Halbleiterkörper 2 zugewandte Seitenfläche des Formkörpers 5 bildet insbesondere bereichsweise die Vorderseite 11 des Trägers 1. Diese Seitenfläche des Formkörpers 5 kann dabei von der Mehrschichtstruktur 3, insbesondere von der

metallischen Schicht 30, vollständig bedeckt sein.

Gemäß Figur 1 weist die Mehrschichtstruktur 3 einen

dielektrischen Spiegel 31 auf. Der dielektrische Spiegel 31 kann als dielektrischer Schichtenstapel aus einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten verschiedener Brechungsindizes gebildet sein. In der lateralen Richtung ist der als

dielektrischer Spiegel ausgestaltete Schichtenstapel 31 zwischen der metallischen Schicht 30 und der Grenzschicht 32 angeordnet. Der dielektrische Spiegel 31 kann eine Mehrzahl von dielektrischen Schichten verschiedener Materialien, etwa eine Schichtenfolge aus Titandioxid und Siliziumdioxid aufweisen. Die Titanoxid- und Siliziumoxid-Schichten können abwechselnd angeordnet sein. Der dielektrische Spiegel 31 kann jedoch optional sein, zum Beispiel wenn die metallische Schicht 30 reflektierend oder hochreflektierend ausgebildet ist .

Das in der Figur 2 dargestellte Ausführungsbeispiel für ein Bauelement 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist das Bauelement 100 einen Zwischenraum 33 auf. Der

Zwischenraum 33 ist in der lateralen Richtung zwischen dem Halbleiterkörper 2 und der Grenzschicht 32 angeordnet. In der vertikalen Richtung erstreckt sich der Zwischenraum 33 etwa von der ersten Hauptfläche 201 etwa bis zur Ebene 230. Der Zwischenraum 33 grenzt insbesondere an die erste Teilfläche 210 sowie an die Ebene 230 der Stufe der Seitenfläche 203 des Halbleiterkörpers 2 an . In der Figur 2 bedeckt der

Zwischenraum 33 die erste Teilfläche 210 und die Ebene 230, wobei die zweite Teilfläche 220 der Seitenfläche 203

zumindest bereichsweise frei von dem Zwischenraum 33 ist. Der Zwischenraum 33 ist insbesondere durch Unterätzung einer Opferschicht ausgebildet. Der Zwischenraum kann 33 somit bereichsweise Überreste der Opferschicht enthalten. Bevorzugt ist die Opferschicht aus einem selektiv ätzbaren Material, etwa aus Si02 oder ZnO ausgebildet. Besonders bevorzugt ist die Opferschicht aus einem leicht ätzbaren oder leicht auflösbaren Material ausgebildet. Zum Beispiel ist die

Opferschicht eine Lackschicht, etwa eine photostrukturierbare Lackschicht .

Die Grenzschicht 32 kann sowohl an den Halbleiterkörper 2 als auch an den Zwischenraum 33 angrenzen. Insbesondere bedeckt Grenzschicht 32 die zweite Teilfläche 220 vollständig. Die Grenzschicht 32 ist bevorzugt elektrisch isolierend

ausgebildet, sodass eine elektrische Isolierung insbesondere im Bereich der aktiven Schicht 23, also im Bereich eines pn- Übergangs sichergestellt ist.

Der in der Figur 2 dargestellte Zwischenraum 33 ist

insbesondere als Luftspalt ausgebildet. Die Seitenfläche 110 des Bauelements 100 kann eine Öffnung zu dem Zwischenraum 33 aufweisen. In der vertikalen Richtung erstreckt sich der

Zwischenraum von der Konverterschicht 7 entlang der ersten Teilfläche 210 bis unterhalb der Ebene 230, wobei die Ebene 230 den Zwischenraum 33 in Draufsicht teilweise bedeckt. Im weiteren Unterschied zu Figur 1 weist die

Verdrahtungsstruktur 8 eine Spiegelschicht 80 auf. Die

Spiegelschicht 80 ist in der vertikalen Richtung zwischen dem Halbleiterkörper 2 und dem Träger 1 angeordnet. Insbesondere ist die Spiegelschicht 80 aus einem elektrisch leitfähigen und hoch reflektierenden Metall ausgebildet. Gemäß Figur 2 ist die Spiegelschicht 80 mit der Durchkontaktierung 81 und dem ersten Durchkontakt 41 elektrisch leitend verbunden. Die Spiegelschicht 80 ist dabei durch die Isolierungsstruktur 9, insbesondere durch die Isolationsschicht 92 und eine

Zwischenisolationsschicht 93 von dem zweiten Durchkontakt 42 und der Anschlussschicht 82 elektrisch isoliert. Es ist jedoch auch denkbar, dass die Spiegelschicht 80 im

elektrischen Kontakt mit dem zweiten Durchkontakt 42 steht und von dem ersten Durchkontakt 41 sowie von der

Durchkontaktierung 81 elektrisch isoliert ist.

In der lateralen Richtung kann die Spiegelschicht 80 seitlich über die zweite Hauptfläche 202 und über die aktive Schicht 23 des Halbleiterkörpers hinausragen. Es ist jedoch auch möglich, dass die aktive Schicht 23 die Spiegelschicht 80 vollständig bedeckt. In Draufsicht kann die Spiegelschicht 80 mindestens 70%, mindestens 80 %, bevorzugt mindestens 90 % einer Gesamtfläche der zweiten Hauptfläche 202 und/oder der aktiven Schicht 23 bedecken. Zusammen mit der

Anschlussschicht 82, die ebenfalls Strahlungsreflektierend ausgebildet sein kann, kann die Spiegelschicht 80 die zweite Hauptfläche 202 und/oder die aktive Schicht 23 vollständig bedecken. Es ist auch möglich, dass die Spiegelschicht einen Reflexionsgrad von weniger als 50 % aufweist und dabei als eine Verstärkungsschicht mit einer Schichtdicke von

mindestens 5 ym aufweist. Auch ist es möglich, dass die

Spiegelschicht 80 nicht zusammenhängend ausgebildet ist, eine Mehrzahl von räumlich beabstandeten Teilbereichen aufweist und weniger als 70% oder weniger als 50 % der Gesamtfläche der zweiten Hauptfläche 202 und/oder der aktiven Schicht 23 bedeckt .

Das in der Figur 3 dargestellte Ausführungsbeispiel für ein Bauelement 100 entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 2 dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist der Zwischenraum 33 durch die Konverterschicht 7 etwa

luftdicht abgeschlossen oder derart abgeschlossen, dass

Strahlungsabsorbierende Fremdpartikel nicht in den

Zwischenraum eindringen können. Die Seitenfläche 110 des Bauelements 100 ist somit frei von einer Öffnung zu dem

Zwischenraum 33. Durch einen Verschluss des Zwischenraums 33 kann verhindert werden, dass etwa Schadgase oder Feuchtigkeit oder Strahlungsabsorbierende Partikel in den Zwischenraum 33 eindringen und den Halbleiterkörper 2 eventuell schädigen.

Das in der Figur 4 dargestellte Ausführungsbeispiel

entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 3 beschriebenen Ausführungsbeispiel. Anders als in der Figur 3, bei der sich die metallische Schicht 30 bis zur Seitenfläche 110 des

Bauelements 100 erstreckt, ist die Seitenfläche 110 des

Bauelements 100 in der Figur 4 frei von einer Oberfläche der metallischen Schicht 30. Insbesondere kann ein lateraler

Abstand zwischen der Seitenfläche 110 des Bauelements 100 und der metallischen Schicht 30 mindestens 3 ym, etwa mindestens 5 ym oder mindestens 10 ym betragen. Bei einer derartigen Ausgestaltung der metallischen Schicht 30 wird diese etwa bei der Vereinzelung des Bauelements 100 nicht durchtrennt, wodurch der Vereinzelungsprozess vereinfacht wird. Abweichend von der Figur 4 ist es denkbar, dass die metallische Schicht 30 aufgrund der Stufe 210, 220 und 230 derart ausgebildet werden, dass diese eine Kontur der Stufe nachahmt, wobei sich die metallische Schicht 30, anders als in der Figur 4

dargestellt, in der vertikalen Richtung bis zu einem der Konverterschicht 7 zugewandten und waagrecht verlaufenden Teilbereich der Grenzschicht 32 oder des dielektrischen

Schichtenstapels 31 erstrecken kann. Abweichend von der Figur 4 ist es auch möglich, dass die Seitenfläche 110 des

Bauelements frei von der Mehrschichtstruktur 3 ist. In diesem Fall kann sich der Formkörper 5 bis zu der Konverterschicht 7 erstrecken.

Abgesehen von den Figuren 1 bis 4 ist es auch möglich, dass die Grenzschicht 32 der Mehrschichtstruktur 3 mit der

Isolierungsstruktur 9 kombiniert werden kann. Zum Beispiel können die Grenzschicht 32 und die Isolationsschicht 92 der Isolierungsstruktur 9 zusammenhängend oder einstückig

ausgebildet sein. Das bedeutet, dass die Grenzschicht 32 und etwa die Isolationsschicht 92 in einem gemeinsamen

Verfahrensschritt hergestellt werden können. Auch ist es möglich, dass die Grenzschicht 32 und die Isolationsschicht 92 durch verschiedene Verfahrensschritte hergestellt werden, wobei die Grenzschicht 32 und die Isolationsschicht 92 zumindest bereichsweise aneinander angrenzen. Die

Grenzschicht 32 und die Isolationsschicht 92 können aus demselben Material ausgebildet sein. Auch kann die

metallische Schicht 30 etwa mit der Spiegelschicht 80 kombiniert werden. Zum Beispiel können die metallische

Schicht 30 und die Spiegelschicht 80 in einem gemeinsamen Verfahrensschritt, etwa mittels eines galvanischen

Beschichtungsverfahrens , auf den Halbleiterkörper 2

aufgebracht werden. Die metallische Schicht 30 und die

Spiegelschicht 80 können dabei aus demselben Material

ausgebildet sein. Insbesondere können die metallische Schicht 30 und die Spiegelschicht 80 zusammenhängend oder einstückig ausgebildet sein.

Es ist auch denkbar, dass die Spiegelschicht 80 eine

ausreichend große Schichtdicke aufweist, sodass die

Spiegelschicht 80 etwa als Verstärkungsschicht wirkt, welche das Bauelement 100 zusätzlich mechanisch stabilisiert. In Draufsicht bedeckt die Spiegelschicht 80 einen zwischen dem in der lateralen Richtung zwischen den Durchkontakten 41 und 42 angeordneten Bereich. Ist die Spiegelschicht 80 als

Verstärkungsschicht ausgebildet, kann dieser Bereich zwischen den Durchkontakten 41 und 42 mechanisch stabilisiert werden. Des Weiteren ist es auch möglich, dass das Bauelement 100 eine weitere Stabilisierungsschicht etwa mit einer

Mindestschichtdicke von zirka 5 ym aufweist, die etwa

zwischen dem Träger 1 und dem Halbleiterkörper 2 oder der Spiegelschicht 80 ausgebildet ist. In Draufsicht kann die Stabilisierungsschicht den zwischen den Durchkontakten 41 und 42 befindlichen Bereich überbrücken. Es ist auch denkbar, dass die metallische Schicht 30 mit der

Stabilisierungsschicht zumindest bereichsweise kombiniert werden kann.

Es werden in den Figuren 5A bis 5E verschiedene

Verfahrensstadien verschiedener Ausführungsbeispiele für ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen dargestellt .

Figur 5A zeigt einen Verbund 200 mit einem Aufwachssubstrat 70 und einem auf dem Aufwachssubstrat 70 angeordneten

Halbleiterverbund 20. Der Halbleiterverbund 20 kann durch Ausbildung einer Mehrzahl von Trenngräben 60 in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern 2 zertrennt werden. Die Trenngräben 60 können jeweils als zweistufige Ausnehmung ausgebildet werden. Die zweistufige Ausnehmung weist eine Innenwand auf, die eine Ebene 230 enthält, die insbesondere parallel zu der ersten Hauptfläche 201 und/oder der zweiten Hauptfläche 202 des Halbleiterverbunds 20 verläuft.

Die Ebene 230 bildet etwa eine Grenzfläche zwischen einem ersten Teilbereich und einem zweiten Teilbereich der

zweistufigen Ausnehmung. Der erste und der zweite Teilbereich der zweistufigen Ausnehmung können in zwei separaten

Verfahrensschritten erzeugt werden, etwa durch Ätzung.

Insbesondere weist der erste Teilbereich einen größeren

Querschnitt auf als der zweite Teilbereich. Der erste

Teilbereich kann so ausgebildet sein, dass dieser sich von der zweiten Hauptfläche 202 durch die zweite

Halbleiterschicht 22 und die aktive Schicht 23 in die erste Halbleiterschicht 21 erstreckt. Insbesondere weist der erste Teilbereich eine Bodenfläche auf, die ausschließlich durch eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 21 gebildet ist. Der zweite Teilbereich der zweistufigen Ausnehmung kann an der Bodenfläche des ersten Teilbereichs etwa durch Ätzung erzeugt werden, wobei ein Teil der Bodenfläche des ersten Teilbereiches nach der Erzeugung des zweiten Teilbereiches die Ebene 230 der zweistufigen Ausnehmung bildet. Der zweite Teilbereich der zweistufigen Ausnehmung kann sich in der vertikalen Richtung von der Ebene 230 bis zum

Aufwachssubstrat 70 oder bis kurz davor erstrecken. Die möglicherweise verbleibende erste Halbleiterschicht 21 kann etwa bei der Entfernung des Aufwachssubstrats 70 oder bei der Aufrauung der ersten Hauptfläche 201 komplett durchtrennt werden. Das Aufwachssubstrat 70 kann dabei mittels eines chemischen oder eines mechanischen, eines thermischen Verfahrens oder mittels eines Laserabhebeverfahrens teilweise oder vollständig von dem Halbleiterkörper 2 entfernt werden.

Ein Mehrschichtverbund 300 kann zumindest in den Bereichen der Trenngräben 60 ausgebildet werden. Insbesondere kann der Mehrschichtverbund 300 Innenwände und/oder Bodenflächen der Trenngräben 60 vollständig bedecken. Sind die Trenngräben 60 jeweils als zweistufige Ausnehmung mit der Ebene 230

ausgebildet, kann der Mehrschichtverbund 300 vereinfacht auf die Innenwände der Trenngräben 60 aufgebracht werden.

Es werden eine Mehrzahl von Durchkontakten 41 und 42 sowie eine Mehrzahl von Verdrahtungsstrukturen 8 mit einer Mehrzahl von Anschlussschichten 82 sowie Durchkontaktierungen 81 ausgebildet. Ein elektrisch isolierender Formkörperverbund 50 wird auf den Halbleiterkörpern 2 und in den Bereichen der Trenngräben 60 ausgebildet. Insbesondere werden die

Trenngräben 60 von dem Formkörperverbund 50 vollständig aufgefüllt. Auch können die zwischen den Durchkontakten 41 und 42 befindlichen Bereiche von dem Formkörperverbund 50 vollständig aufgefüllt werden.

Es wird in der Figur 5B das Aufwachssubstrat 70 entfernt. Die nach der Entfernung des Aufwachssubstrats 70 freigelegte erste Hauptfläche 201 kann strukturiert werden. Der

Halbleiterkörper 2 kann derart aufgeraut sein, dass dieser in der vertikalen Richtung von der Mehrschichtverbund 300 und/oder von dem Formkörperverbund 50 überragt wird. Insbesondere wird ein Zwischenraum 33 oder eine Mehrzahl von Zwischenräumen 33 nach dem Entfernen des Aufwachssubstrats 70, etwa während der Aufrauung des Halbleiterkörpers 2 erzeugt. Der Zwischenraum 33 beziehungsweise die Mehrzahl von Zwischenräumen 33 in der Figur 5B kann durch Entfernen einer Opferschicht, zum Beispiel einer Lackschicht, einer Si02- oder einer ZnO-Schicht, etwa im Bereich des Trenngrabens 60 beziehungsweise in den Bereichen der Trenngräben 60

ausgebildet sein. Die Opferschicht kann sich vor der

Entfernung in der vertikalen Richtung etwa von dem

Aufwachssubstrat 70 bis zur Ebene 230 erstrecken. An der Ebene 230 beziehungsweise auf der Ebene 230 kann die

Opferschicht etwa an die Grenzschicht 32 des

Mehrschichtverbunds 300 angrenzen. Damit kann sichergestellt werden, dass die aktive Schicht 23 in der lateralen Richtung etwa von der Grenzschicht 32 vollständig bedeckt wird.

Die Opferschicht kann, wie in der Figur 5C dargestellt, teilweise oder vollständig etwa durch Unterätzung entfernt werden. Dadurch wird der Zwischenraum 33 als Luftspalt gebildet. Mit anderen Worten entsteht nach dem Entfernen der Opferschicht ein Zwischenraum zwischen dem Halbleiterkörper 2 und etwa der Grenzschicht 32, wobei der Zwischenraum 33 mit Luft gefüllt sein kann. Nach der Entfernung der Opferschicht kann eine Konverterschicht 7, etwa in Form einer

Konverterschichtfolie, auf den Halbleiterkörper 2 aufgebracht werden (Figur 5D) . Der Zwischenraum 33 wird insbesondere durch die Ausbildung der Konverterschicht 7 auf dem

Halbleiterkörper 2 luftdicht abgeschlossen. Die Verwendung einer Konverterfolie ist besonders vorteilhaft, weil dadurch verhindert werden kann, dass der Zwischenraum 33 beim

Aufbringen der Konverterschicht 7 etwa mit einem flüssigen Medium oder mit einem Material mit einem Brechungsindex größer als 1 oder größer als 1,3 oder 1,4 verfüllt wird.

Der Verbund 200 wird anschließend entlang der Trenngräben 60 in eine Mehrzahl von Bauelementen 100 vereinzelt. Die nach der Vereinzelung entstehenden Bauelemente 100 aus dem in der Figur 5D dargestellten Verbund 200 entsprechen im

Wesentlichen dem in der Figur 3 dargestellten Bauelement 100. Im Unterschied hierzu sind in der Figur 5D die Spiegelschicht 80 und die Zwischenisolierungsschicht 93 nicht dargestellt. Abweichend von den Figuren 5C und 5D ist es auch möglich, dass die Opferschicht erst nach dem Aufbringen der

Konverterschicht 7 entfernt wird, etwa nach der Vereinzelung der Bauelemente 100, wenn die Opferschicht beispielsweise von der Seitenfläche 110 des Bauelements 100 her zugänglich wird.

Das in der Figur 5E dargestellte Ausführungsbeispiel

entspricht im Wesentlichen dem in der Figur 5D dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist der

Mehrschichtverbund 300 in Bereichen der Trenngräben 60 strukturiert ausgebildet. Insbesondere ist die Bodenfläche der Trenngräben 60 bereichsweise frei von dem

Mehrschichtverbund 300. Dies vereinfacht die Vereinzelung des Verbunds 200, da der Verbund 200 in Bereichen der Trenngräben 60 lediglich durch den Formkörperverbund 50 und

gegebenenfalls durch die Konverterschicht 7 durchtrennt werden muss. Abweichend von der Figur 5E ist es auch möglich, dass in den Bereichen der Trenngräben 60 lediglich die metallische Schicht 30 strukturiert ausgebildet ist, so wie sie etwa in der Figur 4 dargestellt ist, und die weiteren

Schichten des Mehrschichtverbunds 300, etwa die Grenzschicht 32 oder der dielektrische Schichtenstapel 31 zusammenhängend und unstrukturiert ausgebildet sind. Die Bodenfläche des Trenngrabens 60 kann in diesem Fall frei von einem dickeren Galvanikschicht sein, kann jedoch eine dünne Startschicht mit einer Schichtdicke kleiner als 1 ym aufweisen. Ein gemäß Figur 5E hergestelltes Bauelement kann einen Formkörper 5 aufweisen, der in der vertikalen Richtung über den gesamten Halbleiterkörper 2 überragt und insbesondere an die

Konverterschicht 7 angrenzt.

Mit Hilfe einer Mehrschichtstruktur auf einer Seitenfläche eines Halbleiterkörpers, wobei die Mehrschichtstruktur eine elektrisch isolierende, strahlungsdurchlässige und

niedrigbrechende Grenzschicht sowie eine bevorzugt

Strahlungsreflektierende metallische Schicht aufweist, kann einerseits die Totalreflexion an der Seitenfläche des

Halbleiterkörpers begünstigt werden und andererseits eine Reflexion der durch die Grenzschicht hindurchtretende

Strahlung erhöht werden, wodurch auch ein seitlicher Austritt der im Betrieb des Bauelements erzeugten elektromagnetischen Strahlung unterbunden wird.

Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2015 112 538.2, deren

Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Die Erfindung umfasst vielmehr jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Ansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Bezugs zeichenliste

100 Bauelement

101 Strahlungsdurchtrittsflache/

Strahlungsaustrittsfläche

102 Rückseite des Bauelements

110 Seitenfläche des Bauelements

1 Träger

10 Seitenfläche des Trägers

11 Vorderseite des Trägers

12 Rückseite des Trägers

2 Halbleiterkörper

20 Halbleiterverbund

200 Verbund/ Waferverbund

201 erste Hauptfläche des Halbleiterkörpers

202 zweite Hauptfläche des Halbleiterkörpers 21 erste Halbleiterschicht

22 zweite Halbleiterschicht

23 aktive Schicht

203 Seitenfläche des Halbleiterkörpers

210 erste Teilfläche der Seitenfläche

220 zweite Teilfläche der Seitenfläche

230 Ebene der Seitenfläche

3 Mehrschichtstruktur

300 Mehrschichtverbund

30 metallische Schicht

31 dielektrischer Schichtenstapel

32 Grenzschicht/ niedrigbrechende Schicht

33 Opferschicht/ Zwischenraum erster Durchkontakt

zweiter Durchkontakt

erste Kontaktschicht

zweite Kontaktschicht Formkörper

Formkörperverbund Trenngraben/ Mesagraben Konverterschicht

Substrat/ Aufwachssubstrat Verdrahtungsstruktur

Spiegelschicht/ Combospiegel Durchkontaktierung

Anschlussschicht Isolierungsstruktur

Passivierungsschicht

Isolationsschicht

Zwischenisolationsschicht