BESCHREIBUNG

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements . Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2016 122 532.0 deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Bei optoelektronischen Bauelementen, die weißes Licht abgeben und auf lichtemittierenden Halbleiterchips basieren, ist es wünschenswert, einen weißen Farbeindruck des Bauelements zu erzeugen. Dies kann durch die Einbettung in ein weißes Gehäuse verwirklicht werden. Das weiße Licht wird dabei durch Kon ^¬ version von blauem Licht in einem Konversionsleuchtstoff er- zeugt. Dieser Konversionsleuchtstoff kann nicht weiß ausge ^¬ führt werden, sondern hat eine leicht gelbliche Färbung. Ein solches Bauelement kann beispielsweise als Blitz für eine Handy-Kamera vorgesehen sein. Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein optoelektronisches

Bauelement zur Verfügung zu stellen, welches bessere optische Eigenschaften beziehungsweise ein besseres Aussehen aufweist. Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Herstellungs ^¬ verfahren für solch ein optoelektronisches Bauelement anzuge- ben.

Diese Aufgabe wird mit dem optoelektronischen Bauelement und dem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Patentansprüchen angegeben.

Ein optoelektronisches Bauelement weist einen lichtemittie ^¬ renden Halbleiterchip, ein Konversionselement und einen Kör- per auf. Das Konversionselement ist oberhalb einer lichtemit tierenden Seite des lichtemittierenden Halbleiterchips ange ^¬ ordnet. Vom lichtemittierenden Halbleiterchip emittiertes Licht kann durch das Konversionselement absorbiert und in Licht mit einer größeren Wellenlänge umgewandelt werden. Das Konversionselement ist in den Körper eingebettet. Auf einer dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandten Seite des Konversionselements ist eine Schicht des Körpers vorgesehen, wobei die Schicht des Körpers das Konversionselement bedeckt Die Schicht weist dabei eine Dicke von maximal 55 Mikrometer auf .

Dadurch, dass das Konversionselement auf der dem lichtemit ^¬ tierenden Halbleiterchip abgewandten Seite die Schicht des Körpers aufweist, ist der optische Eindruck des gesamten optoelektronischen Bauelements uniform und ein Betrachter er kennt keinen farblichen Unterschied zwischen Bereichen des optoelektronischen Bauelements, an denen das Konversionsele ^¬ ment verbaut ist, verglichen mit den restlichen Bereichen de optoelektronischen Bauelements. Durch die Schichtdicke von maximal 55 Mikrometer wird nur ein geringer Anteil des vom lichtemittierenden Halbleiterchip emittierten Lichts von der Schicht absorbiert, so dass der Hauptanteil des Lichts das optoelektronische Bauelement verlässt. Das Aussehen des opto elektronischen Bauelements wird so insgesamt verbessert.

In einer Ausführungsform bildet der Körper ein Gehäuse.

Dadurch wird eine besonders einfache Herstellung des opto ^¬ elektronischen Bauelements ermöglicht.

In einer Ausführungsform ist der Körper ein Spritzgusskörper Dadurch wird die Herstellung des optoelektronischen Bauelements ebenfalls vereinfacht.

In einer Ausführungsform weist der Spritzgusskörper ein Sili kon, ein Epoxid oder ein Hybrid auf, wobei ein Füllstoff in den Spritzgusskörper eingebettet ist. Insbesondere besteht der Körper aus dem Silikon, dem Epoxid oder dem Hybrid mit dem eingebetteten Füllstoff. Der Füllstoff kann dabei aus Partikeln bestehen, welche Licht, das auf das optoelektronische Bauelement fällt, streuen und so einen weißen Farbeindruck erzeugen können. Dadurch wird vorteilhafterweise ein weiß aussehendes optoelektronisches Bauelement erreicht.

In einer Ausführungsform ist das Silikon ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon. Diese beiden Silikonarten eignen sich besonders gut zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements .

In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Titandioxid- Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Siliziumdioxid-Partikel mit ei ^¬ nem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. Ebenso kann eine Kombination aus Titandioxid-Partikeln, Aluminiumoxid- Partikeln und Siliziumdioxid-Partikeln, bestehend aus zwei oder drei der genannten Partikelarten als Füllstoff vorgesehen sein. In einer Ausführungsform beträgt das Gewicht des Füllstoffs zwischen 10 Prozent und 90 Prozent des Gewichts des Spritz ^¬ gusskörpers. Je geringer das anteilige Gewicht des Füllstof ^¬ fes ist, desto geringer ist die Streuung des durch das opto ^¬ elektronische Bauelement emittierten Lichts innerhalb des Spritzgusskörpers. Andererseits ist ein gewisses Mindestmaß an Streuung notwendig, damit das von außen auf das optoelekt ^¬ ronische Bauelement fallende Licht ausreichend gestreut wird, um den weißen Farbeindruck zu erzeugen. Ein Gewichtsanteil des Füllstoffs am Spritzgusskörper zwischen 10 Prozent und 90 Prozent ist geeignet, beide Randbedingungen, also sowohl die ausreichende Streuung des von außen einfallenden Lichts als auch die Reduzierung der Streuung des vom optoelektronischen Bauelement emittierten Lichts zu erreichen. Je größer der Anteil des Füllstoffes am Spritzgusskörper ist, desto dünner kann die das Konversionselement bedeckende Schicht ausgeführt werden .

In einer Ausführungsform ist die Schicht, die das Konversi- onselement auf der dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandten Seite bedeckt, zwischen 15 und 55 Mikrometer dick. Eine solche Schichtdicke ist geeignet, sowohl ausreichend Streuung des von außen einfallenden Lichts als auch eine möglichst kleine Streuung des vom optoelektronischen Bauelement emittierten Lichts zu erreichen. Sollte der Körper als

Spritzgusskörper aus Silikon mit einem Füllstoff ausgeführt sein, ist bei einer 15 bis 25 Mikrometer dicken Schicht ein Füllstoff-Anteil von 90 Prozent vorteilhaft, während bei ei ^¬ ner 45 bis 55 Mikrometer dicken Schicht ein Füllstoff-Anteil von 15 Prozent vorteilhaft ist. Je dicker die Schicht ist, desto geringer sollte also der Anteil des Füllstoffs am Ge ^¬ wicht des Spritzgusskörpers sein.

In einem Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements werden die folgenden Schritte nacheinander ausge ^¬ führt. Zunächst wird ein lichtemittierender Halbleiterchip, welcher ein Konversionselement auf einer lichtemittierenden Seite aufweist, mit dem aufgebrachten Konversionselement in eine Spritzgussform eingebracht. Die Spritzgussform weist da- bei eine Folie zum Ausführen eines folienunterstützten

Spritzgussprozesses auf. Ferner können zusätzlich zum licht ^¬ emittierenden Halbleiterchip weitere Bestandteile, wie bei ^¬ spielsweise Leiterrahmenabschnitte, Vias, Bonddrähte und/oder andere elektronische Bauteile eingebracht werden. Anschlie- ßend wird die Spritzgussform derart geschlossen, dass zwischen der Folie und dem Konversionselement ein Spalt bleibt. Hieran anschließend wird der lichtemittierende Halbleiterchip mit einem Spritzgussmaterial zum Formen eines Spritzgusskörpers derart umspritzt, dass der Spalt zwischen dem Konversi- onselement und der Folie mit dem Spritzgussmaterial aufge ^¬ füllt wird. Abschließend wird das Spritzgusswerkzeug geöffnet und das Bauteil mit dem Spritzgusskörper und dem umspritzten lichtemittierenden Halbleiterchip entnommen. Durch dieses Verfahren wird eine einfache Prozessführung und folglich eine kostengünstige Herstellung des optoelektronischen Bauelements ermöglicht, da nur ein Spritzgussprozess innerhalb der Her ^¬ stellung des optoelektronischen Bauelements durchgeführt wird .

In einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt der Spalt zwischen der Folie und dem Konversionselement mindestens 15 Mikrometer und höchstens 55 Mikrometer. In einer Ausführungsform des Verfahrens weist das Spritzguss ^¬ material ein Silikon auf, wobei ein Füllstoff in das Silikon eingebettet ist. Dadurch entsteht ein optoelektronisches Bau ^¬ element, dessen Aussehen optimiert ist. Insbesondere kann dadurch ein weiß aussehendes optoelektronisches Bauelement erzeugt werden.

In einer Ausführungsform des Verfahrens ist das Silikon ein Vergusssilikon oder ein Spritzgusssilikon. Ein Vergusssilikon ist dabei zunächst flüssig, wird dann innerhalb der Spritz- gussform an die gewünschten Stellen um den lichtemittierenden Halbleiterchip und das Konversionselement herum gespritzt und anschließend ausgehärtet. Ein Spritzgusssilikon besteht aus zwei Komponenten, die jeweils fest sind. Durch Mischung der Komponenten verflüssigen diese und können anschließend an die gewünschten Stellen um den lichtemittierenden Halbleiterchip und das Konversionselement herum mittels Spritzgussprozess gebracht werden. Dort härtet das Silikon aufgrund des Aufbaus aus zwei Komponenten schnell aus. In einer Ausführungsform des Verfahrens weist der Füllstoff Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Parti ^¬ keln. In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Aluminiumoxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einer Ausführungsform weist der Füllstoff Siliziumdioxid- Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. Ebenso kann eine Kombination aus Titandioxid-Partikeln, Alumini- umoxid-Partikeln und Siliziumdioxid-Partikeln, bestehend aus zwei oder drei der genannten Partikelarten als Füllstoff vorgesehen sein. In einer Ausführungsform des Verfahrens beträgt das Gewicht des Füllstoffs zwischen 10 Prozent und 35 Prozent des Ge ^¬ wichts des Spritzgussmaterials. Je geringer das anteilige Ge ^¬ wicht des Füllstoffes ist, desto geringer ist die Streuung des durch das optoelektronische Bauelement emittierten Lichts innerhalb des Spritzgusskörpers. Andererseits ist ein gewis ^¬ ses Mindestmaß an Streuung notwendig, damit das von außen auf das optoelektronische Bauelement fallende Licht ausreichend gestreut wird, um den weißen Farbeindruck zu erzeugen. Ein Gewichtsanteil des Füllstoffs am Spritzgusskörper zwischen 10 Prozent und 35 Prozent ist geeignet, beide Randbedingungen, also sowohl die ausreichende Streuung des von außen einfal ^¬ lenden Lichts als auch die Reduzierung der Streuung des vom optoelektronischen Bauelement emittierten Lichts zu erreichen .

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbei- spiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung

Fig. 1 einen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bau- element;

Fig. 2 einen Querschnitt durch ein weiteres optoelektronisches Bauelement; Fig. 3 einen Querschnitt durch eine Schicht, bestehend aus einem Silikon mit einem Füllstoff; und einen Querschnitt durch eine Spritzgussform während der Herstellung eines optoelektronischen Bauelements .

Fig. 1 zeigt einen Querschnitt durch ein optoelektronisches Bauelement 100. Das optoelektronische Bauelement 100 weist einen lichtemittierenden Halbleiterchip 110 auf. Auf einer Unterseite des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 ist ei ^¬ ne erste Kontaktstelle 111 angeordnet. Eine der Unterseite gegenüberliegende Seite des Halbleiterchips 110 weist eine zweite Kontaktstelle 112 auf und stellt gleichzeitig eine lichtemittierende Seite 113 des lichtemittierenden Halb ^¬ leiterchips 110 dar. Auf der lichtemittierenden Seite 113 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 ist ein Konversions ^¬ element 120 angeordnet, welches vom lichtemittierenden Halb ^¬ leiterchip 110 emittiertes Licht in Licht mit einer größeren Wellenlänge konvertieren kann.

Der lichtemittierende Halbleiterchip 110 ist auf einem ersten Leiterrahmenanschnitt 141 angeordnet, derart, dass die erste Kontaktstelle 111 mit dem ersten Leiterrahmenabschnitt 141 in elektrischem Kontakt steht. Ein zweiter Leiterrahmenabschnitt 142 ist neben dem ersten Leiterrahmenabschnitt 141 so ange ^¬ ordnet, dass die Leiterrahmenabschnitte 141, 142 sich gegen- seitig nicht berühren. Ein Bonddraht 143 verbindet die zweite Kontaktstelle 112 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 mit dem zweiten Leiterrahmenabschnitt 142. Der lichtemittie ^¬ rende Halbleiterchip 110, das Konversionselement 120, die Leiterrahmenabschnitte 141, 142 und der Bonddraht 143 sind in einen Körper 130 eingebettet. Der Körper 130 weist dabei eine Schicht 131 auf, die eine dem lichtemittierenden Halbleiterchip 110 abgewandte Seite 121 des Konversionselements 120 be ^¬ deckt .

Da das Konversionselement 120 auf der dem lichtemittierenden Halbleiterchip 110 abgewandten Seite 121 die Schicht 131 des Körpers 130 aufweist, ist der optische Eindruck des gesamten optoelektronischen Bauelements 100 gleichmäßig und ein Be ^¬ trachter erkennt keinen farblichen Unterschied zwischen Be- reichen des optoelektronischen Bauelements 100, an denen das Konversionselement 120 verbaut ist, verglichen mit den rest ^¬ lichen Bereichen des optoelektronischen Bauelements 100. Die Schicht 131 ist dabei maximal 55 Mikrometer dick.

Der Körper kann eine weiße Farbe aufweisen. Durch die Schicht 131 ist das Konversionselement 120 vollständig in den Körper 130 eingebettet, so dass ein nicht weißes Konversionselement 120 den weißen Farbeindruck des optoelektronischen Bauele- ments 100 nicht beeinträchtigt.

Fig. 2 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 100, bei dem der lichtemittierende Halbleiterchip 110 als Flip-Chip ausgeführt ist. Der lichtemittierende Halbleiterchip 110 weist eine erste Kontaktierungsstelle 111 und eine zweite Kontaktierungsstelle 112 auf, die einer lichtemittierenden Seite 113 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 gegen ^¬ überliegen. Die erste Kontaktierungsstelle 111 steht in di- rektem Kontakt zu einem ersten Leiterrahmenabschnitt 141, während die zweite Kontaktierungsstelle 142 in direktem Kon ^¬ takt zu einem zweiten Leiterrahmenabschnitt 142 steht.

Auf der lichtemittierenden Seite 113 des lichtemittierenden Halbleiterchips 110 ist wiederum ein Konversionselement 130 angeordnet. Der lichtemittierende Halbleiterchip 110, das Konversionselement 120 und die Leiterrahmenabschnitte 141, 142 sind in einen Körper 130 eingebettet. Der Körper 130 weist dabei eine Schicht 131 auf, die eine dem lichtemittie- renden Halbleiterchip 110 abgewandte Seite 121 des Konversi ^¬ onselements 120 bedeckt. Die Schicht 131 ist ebenfalls maxi ^¬ mal 55 Mikrometer dick.

Durch die Schicht 131 wird wiederum ein gleichmäßiger Far- beindruck des optoelektronischen Bauelements 100 erzeugt.

Die Ausführungsbeispiele der Fig. 1 und 2 unterscheiden sich also nur nach der Art des verbauten lichtemittierenden Halbleiterchips 110, wobei das Aussehen der beiden optoelektroni- sehen Bauelemente 100 ähnlich ist, und insbesondere beide Ausführungsbeispiele einen uniformen Farbeindruck aufweisen.

In einem Ausführungsbeispiel bildet der Körper 130 ein Gehäu- se. In einem Ausführungsbeispiel ist der Körper 130 ein

Spritzgusskörper .

Fig. 3 zeigt einen Querschnitt durch eine Vergrößerung der Schicht 131 des Körpers 130, wobei der Körper 130 ein Spritz- gusskörper ist und ein Silikon 132 mit einem Füllstoff 133 aufweist. Der Füllstoff 133 ist dabei in das Silikon 132 ein ^¬ gebettet. Die mechanischen Eigenschaften des Körpers 130 werden durch das Silikon 132 bestimmt, während die optischen Eigenschaften des Körpers 130 durch den Füllstoff 133 bestimmt werden. Insbesondere kann der Füllstoff 133 eine weiße Farbe aufweisen, so dass das optoelektronische Bauelement 100 einen weißen Farbeindruck aufweist.

In einem Ausführungsbeispiel ist das Silikon 132 ein Verguss- silikon oder ein Spritzgusssilikon. In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Titandioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einem Ausführungsbei ^¬ spiel weist der Füllstoff 133 Aluminiumoxid-Partikel mit ei- nem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Siliziumdioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. Ebenso kann eine Kombination aus Titandioxid-Partikeln, Aluminiumoxid- Partikeln und Siliziumdioxid-Partikeln, bestehend aus zwei oder drei der genannten Partikelarten als Füllstoff 133 vorgesehen sein. Anstelle des Silikons 132 kann auch ein Epoxid oder ein Hyb ^¬ rid als Material für den Spritzgusskörper vorgesehen sein. Der Füllstoff 133, bestehend aus Titanoxid-, Aluminiumoxid und/oder Siliziumdioxid-Partikeln, ist dann ebenfalls in den Spritzgusskörper eingebettet. In einem Ausführungsbeispiel beträgt das anteilige Gewicht des Füllstoffs 133 am Körper 130 zwischen 10 und 90 Prozent. In einem Ausführungsbeispiel ist die Schicht 131 zwischen 15 und 55 Mikrometer dick. Dabei kann insbesondere ein Füll ^¬ stoffgehalt von 90 Prozent des Gewichts bei einer Schichtdi ^¬ cke von 15 Mikrometern oder ein Füllstoffgehalt von 10 Pro ^¬ zent des Gewichts bei einer Schichtdicke von 55 Mikrometern vorgesehen sein.

Fig. 4 zeigt einen Querschnitt durch eine Spritzgussform 151, 152 während eines Verfahrens zur Herstellung eines optoelekt ^¬ ronischen Bauelements. Ein lichtemittierender Halbleiterchip 110, der dem lichtemittierenden Halbleiterchip 110 der Fig. 2 entspricht, ist auf einem ersten Leiterrahmenabschnitt 141 und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt 142 analog zu Fig. 2 angeordnet. Auf einer lichtemittierenden Seite 113, die den Leiterrahmenabschnitten 141, 142 gegenüberliegt, ist ein Kon- versionselement 120 angeordnet. Der lichtemittierende Halb ^¬ leiterchip 110 mit dem Konversionselement 120 und den Leiter ^¬ rahmenabschnitten 141, 142 ist auf einer unteren Spritzgussform 151 angeordnet. Eine obere Spritzgussform 152 weist eine Folie 153 auf, wodurch ein folienunterstützter Spritzgusspro- zess ermöglicht wird. Dadurch kann ein Spritzgussmaterial leichter von der oberen Spritzgussform 152 gelöst werden. Außerdem weist die Folie 153 eine gewisse Flexibilität auf, so dass der Spritzgussprozess ebenfalls vereinfacht wird. Ein weiterer lichtemittierender Halbleiterchip 110 mit Konversionselement 120 und Leiterrahmenabschnitten 141, 142 ist ebenfalls in der Spritzgussform 151, 152 angeordnet.

Die obere Spritzgussform 152 wird auf die untere Spritzguss- form 151 beim Schließen der Spritzgussform 151, 152 derart zubewegt, dass ein Spalt 154 zwischen der Folie 153 und dem Konversionselement 120 bleibt. Nun können Freiräume 155 und die Spalte 154 innerhalb der Spritzgussform 151, 152, also alle nicht von den lichtemit ^¬ tierenden Halbleiterchips 110 mit Konversionselementen 120 und Leiterrahmenabschnitten 141, 142 belegten Stellen inner- halb der Spritzgussform 151, 152 mit einem Spritzgussmaterial zum Formen eines Spritzgusskörpers aufgefüllt werden. An ^¬ schließend kann die Spritzgussform 151, 152 wieder geöffnet werden und der Spritzgusskörper entnommen werden. Wenn nur ein lichtemittierender Halbleiterchip 110 in der Spritzguss- form 151, 152 angeordnet war, wird dabei schon das optoelekt ^¬ ronische Bauteil der Fig. 2 entnommen, bei mehreren lichtemittierenden Halbleiterchips 110 in der Spritzgussform 151, 152 können die optoelektronischen Bauteile 100 durch Vereinzelung erhalten werden.

Analog kann auch das optoelektronische Bauelement der Fig. 1 erzeugt werden.

In einem Ausführungsbeispiel ist der Spalt 154 zwischen 15 und 55 Mikrometer breit. Dadurch wird die Schicht 131 der optoelektronischen Bauelemente 100 der Fig. 1 und 2 15 bis 55 Mikrometer dick.

In einem Ausführungsbeispiel weist das Spritzgussmaterial ein Silikon 132 auf, in das ein Füllstoff 133 eingebettet ist. Insbesondere besteht das Spritzgussmaterial aus dem Silikon 132, in das der Füllstoff 133 eingebettet ist.

In einer Ausführungsform ist das Silikon 132 ein Vergusssili- kon oder ein Spritzgusssilikon. Ein Vergusssilikon ist dabei zunächst flüssig, wird dann innerhalb der Spritzgussform 151, 152 in die Freiräume 155 und Spalte 154 um den lichtemittie ^¬ renden Halbleiterchip 110 und das Konversionselement 120 her ^¬ um gespritzt und anschließend ausgehärtet. Ein Spritzgusssi- likon kann aus zwei Komponenten, die jeweils fest sind, be ^¬ stehen. Durch Mischung der Komponenten verflüssigen die Komponenten und können dann für das Spritzgussverfahren verwendet werden. Alternativ können die Komponenten flüssig sein. Das Spritzgusssilikon wird in die Freiräume 155 und Spalte 154 um den lichtemittierenden Halbleiterchip 110 und das Konversionselement 120 herum mittels Spritzgussprozess gebracht. Dort härtet das Silikon 132 aufgrund des Aufbaus aus zwei Komponenten schnell aus.

In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Titandi ^¬ oxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Alumini- umoxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10

Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. In einem Ausführungsbeispiel weist der Füllstoff 133 Silizi ^¬ umdioxid-Partikel mit einem Durchmesser zwischen 0,5 und 10 Mikrometer auf und besteht insbesondere aus diesen Partikeln. Ebenso kann eine Kombination aus Titandioxid-Partikeln, Aluminiumoxid-Partikeln und Siliziumdioxid-Partikeln, bestehend aus zwei oder drei der genannten Partikelarten als Füllstoff 133 vorgesehen sein. Obwohl die Erfindung im Detail durch die bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele einge ^¬ schränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.

BEZUGSZEICHENLISTE

100 Optoelektronisches Bauelement

110 lichtemittierender Halbleiterchip

111 erste Kontaktstelle

112 zweite Kontaktstelle

113 lichtemittierende Seite

120 Konversionselement

121 dem lichtemittierenden Halbleiterchip abgewandte Seite 130 Körper

131 Schicht

132 Silikon

133 Füllstoff

141 erster Leiterrahmenabschnitt

142 zweiter Leiterrahmenabschnitt

143 Bonddraht

151 untere Spritzgussform

152 obere Spritzgussform

153 Folie

154 Spalt

155 Freiraum