Optoelektronisches Halbleiterbauelement Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement

angegeben .

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben, welches alterungsstabil ist.

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das

optoelektronische Halbleiterbauelement zumindest einen

Strahlungsemittierenden Halbleiterchip, der eine

Strahlungsauskoppelfläche aufweist, durch die zumindest ein Teil der im Halbleiterchip erzeugten elektromagnetischen Strahlung den Halbleiterchip verlässt. Bei dem

Strahlungsemittierenden Halbleiterchip kann es sich

beispielsweise um einen Lumineszenzdiodenchip handeln. Bei dem Lumineszenzdiodenchip kann es sich um einen Leucht- oder Laserdiodenchip handeln, der Strahlung im Bereich von

ultraviolettem bis infrarotem Licht emittiert. Vorzugsweise emittiert der Lumineszenzdiodenchip Licht im sichtbaren oder ultravioletten Bereich des Spektrums der elektromagnetischen Strahlung .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das

optoelektronische Halbleiterbauelement zumindest einen zumindest stellenweise dem Halbleiterchip an seiner

Strahlungsauskoppel fläche nachgeordneten

strahlungsdurchlässigen Körper, der mit dem Halbleiterchip in zumindest mittelbarem Kontakt steht. Das heißt, dass der strahlungsdurchlässige Körper den Halbleiterchip derart nachgeordnet ist, dass zumindest ein Teil der im Betrieb des Halbleiterchips erzeugten elektromagnetischen Strahlung in den strahlungsdurchlässigen Körper gelangt.

"Strahlungsdurchlässig" heißt in diesem Zusammenhang, dass der Körper für von dem strahlungsemittierenden Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung zumindest zu 70 %, bevorzugt zu mehr als 85 %, durchlässig ist. "Mittelbarer Kontakt" heißt, dass zwischen dem strahlungsdurchlässigen Körper und dem Halbleiterchip, beispielsweise seiner

Strahlungsauskoppelfläche, eine oder mehrere Schichten angeordnet sein können. Die Schichten beabstanden dann den strahlungsdurchlässigen Körper von dem Halbleiterchip

zumindest stellenweise. Mit anderen Worten steht in diesem Fall der strahlungsdurchlässige Körper mit dem Halbleiterchip zumindest stellenweise lediglich über diese Schichten in Kontakt. "Zumindest" bedeutet in Zusammenhang mit

"mittelbaren Kontakt", dass der strahlungsdurchlässige Körper mit dem Halbleiterchip, beispielsweise an der

Strahlungsauskoppelfläche, zumindest stellenweise auch in unmittelbaren Kontakt stehen kann. In diesem Fall grenzen der strahlungsdurchlässige Körper und der Halbleiterchip direkt aneinander, wobei sich an diesen Stellen weder ein Spalt noch eine Unterbrechung ausbildet.

Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist der

strahlungsdurchlässige Körper mit zumindest einem Polymer gebildet oder enthält zumindest einen Polymer, wobei jeweils ein Monomer des Polymers mit zumindest einem Silazan gebildet ist. Das heißt, dass das Silazan von zumindest einem Monomer des Polymers ein chemischer Grundbaustein und nicht nur ein optionaler, substituierbarer chemischer Zusatzbaustein des Monomers ist. Beispielsweise ist Silazan zur Ausbildung eines Polymers in jedem Monomer des Polymers enthalten. Für den Fall, dass das Polymer ein Copolymer ist, können auch nur ein oder mehrere Monomere einer Monomerart des Polymers mit zumindest einem Silazan gebildet sein. Mit anderen Worten dient das Silazan zur Ausbildung von Polymerisationsketten, welche das Material des strahlungsdurchlässigen Körpers bilden .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form umfasst das

optoelektronische Halbleiterbauelement zumindest einen strahlungsdurchlässigen Halbleiterchip, der eine

Strahlungsauskoppelfläche aufweist, durch die zumindest ein Teil der im Halbleiterchip erzeugten elektromagnetischen Strahlung den Halbleiterchip verlässt. Weiter umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement zumindest einen zumindest stellenweise dem Halbleiterchip an seiner

Strahlungsauskoppel fläche nachgeordneten

strahlungsdurchlässigen Körper, der mit dem Halbleiterchip in zumindest mittelbarem Kontakt steht. Dabei ist der

strahlungsdurchlässige Körper mit zumindest einem Polymer gebildet oder enthält zumindest einen Polymer, wobei jeweils ein Monomer des Polymers mit zumindest einem Silazan gebildet ist .

Das hier beschriebene optoelektronische Halbleiterbauelement beruht dabei unter anderem auf der Erkenntnis, dass ein strahlungsdurchlässiger Körper, welcher einen Halbleiterchip eines Halbleiterbauelements umformt, beispielsweise bereits nach kurzer Betriebsdauer des Halbleiterbauelements Schäden aufweisen kann. Insbesondere kann der strahlungsdurchlässige Körper in der Nähe des Halbleiterchips durch die dort

entstehende thermische Erhitzung und/oder auf den

strahlungsdurchlässigen Körper einwirkende elektromagnetische Strahlung Schäden aufweisen. Beispielsweise bewirkt von dem Halbleiterchip emittiertes blaues Licht Verfärbungen und/oder Risse in einem solchen strahlungsdurchlässigen Körper.

Derartige Schädigungen am strahlungsdurchlässigen Körper können zu einer Verkürzung der Lebensdauer nicht nur des strahlungsdurchlässigen Körpers selbst, sondern des gesamten Halbleiterbauelements führen. Mit anderen Worten ist ein derartiges Halbleiterbauelement wenig alterungsstabil.

Um nun ein optoelektronisches Halbleiterbauelement anzugeben, bei dem derartige Schäden an dem strahlungsdurchlässigen Körper vermieden werden und welches daher alterungsstabil ist, macht das hier beschriebene optoelektronische

Halbleiterbauelement unter anderem von der Idee Gebrauch, dass der strahlungsdurchlässige Körper mit zumindest einem Polymer gebildet ist oder zumindest einen Polymer enthält, wobei jeweils ein Monomer des Polymers mit zumindest einem Silazan gebildet ist. Insbesondere weisen Silazane sowohl eine hohe thermische Stabilität als auch eine hohe Stabilität unter Einwirkung von elektromagnetischer Strahlung,

beispielsweise bei Einwirkung von blauem Licht auf. Mit anderen Worten werden bei einem mit einem derartigen Material gebildeten strahlungsdurchlässigen Körper die oben

beschriebenen Schädigungen während des Betriebs des

Halbleiterbauelements vermieden. Dies führt zu einem

optoelektronischen Halbleiterbauelement mit einer hohen

Alterungsstabilität .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist das Polymer mit zumindest einem Polysilazan gebildet oder weist zumindest ei Polysilazan auf. Zum Beispiel besteht das Polymer vollständi aus zumindest einem Polysilazan. Zum Beispiel kann ein mit dem hier beschriebenen Polymer gebildetes Material des strahlungsdurchlässigen Körpers, welches zunächst zum

Aufbringen in flüssiger oder zähflüssiger Form vorliegt, besonders einfach auf Außenflächen des Halbleiterchips aufgetragen und anschließend zum Beispiel bei einer

Zimmertemperatur, also bei etwa 20 °C, zum

strahlungsdurchlässigen Körper ausgehärtet werden.

Insbesondere kann das Material des strahlungsdurchlässigen Körpers bereits in einem Temperaturbereich von wenigstens Zimmertemperatur und höchstens 220 °C zum

strahlungsdurchlässigen Körper aushärten. Mit anderen Worten kann zum Aushärten des Materials auf ein aufwendiges

Aufheizen des Materials selbst und/oder des Halbleiterchips verzichtet werden. Eine strukturelle Schädigung des Material des strahlungsdurchlässigen Körpers und des Halbleiterchips während des Aushärtens kann daher bei derart niedrigen

Aushärttemperaturen vermieden werden.

Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist in den

strahlungsdurchlässigen Körper zumindest ein

Lumineszenzkonversionsmaterial eingebracht, das zur

Absorption von elektromagnetischer Strahlung eines

Wellenlängenbereichs und zur Reemission der absorbierten elektromagnetischen Strahlung in einem anderen

Wellenlängenbereich mit größeren Wellenlängen als die absorbierte Strahlung geeignet ist. Beispielsweise wandelt das Lumineszenzkonversionsmaterial von dem Halbleiterchip emittiertes und in den strahlungsdurchlässigen Körper eintretendes blaues Licht teilweise in gelbes Licht um, das sich dann zusammen mit dem blauen Licht zu weißem Licht vermischen kann.

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist der

strahlungsdurchlässige Körper Spuren eines Materialabtrags auf. Das heißt, dass der strahlungsdurchlässige Körper nach dem Aufbringen und dem anschließenden Aushärten beispielsweise physikalisch und/oder mechanisch

nachbearbeitet und dadurch der Materialabtrag erzeugt ist. Mit anderen Worten, lässt sich der hier beschriebene

strahlungsdurchlässige Körper auch erst nach dem

vollständigen Aushärten mechanisch, beispielsweise durch Schleifen und/oder Polieren, nachbearbeiten, ohne dass beispielweise eine klebrige Außenfläche des

strahlungsdurchlässigen Körpers ein derartiges Nachbearbeiten zumindest erschwert oder ganz verhindert. Dies führt zu einem besonders individuell und flexibel einsetzbaren

optoelektronischen Halbleiterbauelement, da der

strahlungsdurchlässige Körper auch erst nach dem Aufbringen und anschließendem Aushärten den individuellen Bedürfnissen des Benutzers angepasst werden kann.

Gemäß zumindest einer Aus führungs form enthält der

strahlungsdurchlässige Körper zumindest ein Lösungsmittel und/oder zumindest ein Thixotropierungsmittel . Zum Beispiel liegt ein Material des strahlungsdurchlässigen Körpers, bevor dieses zum strahlungsdurchlässigen Körper selbst aushärten kann, in flüssiger oder zähflüssiger Form vor. Durch die Zugabe eines Lösungsmittels in das Material kann je nach Konzentration des Lösungsmittels im Material beispielsweise eine Viskosität des Materials des strahlungsdurchlässigen Körpers vorgebbar eingestellt werden. Dabei kann die Zugabe eines Lösungsmittels zu einer Steigerung in der Viskosität des Materials, das heißt zu einer Verflüssigung, des

Materials des strahlungsdurchlässigen Körpers führen, wohingegen die Zugabe des Thixotropierungsmittels zum

Material des strahlungsdurchlässigen Körpers zu einem

Material führen kann, welches vor dem Aufbringen in

zähflüssiger Form, beispielsweise pastenartig, ist. Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist der

strahlungsdurchlässige Körper ein Formkörper, der den

Halbleiterchip zumindest stellenweise formschlüssig umhüllt. In diesem Fall kann der Formkörper mittels beispielsweise Vergießen oder Molding des Halbleiterchips erzeugt sein. Insbesondere grenzen dann der Halbleiterchip und der

strahlungsdurchlässige Körper direkt aneinander.

Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist der

strahlungsdurchlässige Körper ein Plättchen oder eine Folie, wobei zwischen dem strahlungsdurchlässigen Körper und der Strahlungsauskoppelfläche zumindest eine

strahlungsdurchlässige Anhaftschicht angeordnet ist. Ist der strahlungsdurchlässige Körper ein Plättchen, ist dieses vorzugsweise selbsttragend ausgebildet. In diesem Fall kann der strahlungsdurchlässige Körper beispielsweise mittels eines Pick-and-Place-Verfahrens auf einer dem Halbleiterchip abgewandten Außenfläche der Anhaftschicht aufgebracht sein. Handelt es sich bei dem strahlungsdurchlässigen Körper um eine Folie, kann in diesem Fall der strahlungsdurchlässige Körper flexibel sein und beispielsweise auf die dem

Halbleiterchip abgewandte Außenfläche der Anhaftschicht mittels Laminieren aufgebracht sein. Die Anhaftschicht ermöglicht eine mechanisch feste Verbindung zwischen dem Halbleiterchip und dem strahlungsdurchlässigen Körper. Mit anderen Worten können mittels der Anhaftschicht der

strahlungsdurchlässige Körper und der Halbleiterchip

zusammenhängend ausgebildet sein und eine Einheit bilden. Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist die

strahlungsdurchlässige Anhaftschicht mit zumindest einem Polysilazan gebildet, weist zumindest ein Polysilazan auf oder besteht aus zumindest einem Polysilazan. Für den Fall, dass die Anhaftschicht aus zumindest einem Polysilazan besteht, ist diese frei von Fremdpartikeln. "Frei von

Fremdpartikeln" heißt, dass im Rahmen einer

Fertigungstoleranz in die Anhaftschicht nicht vorgebbar

Partikel eines Fremdstoffes eingebracht sind. In diesem Fall weist die Anhaftschicht weder das hier beschriebene

Lumineszenzkonversionsmaterial noch beispielsweise andere Fremdpartikel auf. Wie bereits oben beschrieben wird durch die Anhaftschicht eine mechanisch feste Verbindung zwischen dem strahlungsdurchlässigen Körper und dem Halbleiterchip ausgebildet. Ist nun die Anhaftschicht mit Polysilazan gebildet, weist ein Polysilazan auf oder besteht aus

Polysilazan, so ist die ausgebildete mechanische Verbindung hinsichtlich der Lichtstreuung und thermischen Stabilität besonders vorteilhaft ausgebildet. Zum Beispiel wird durch die Verwendung von Polysilazan für die Anhaftschicht und dem strahlungsdurchlässigen Körper ein Material mit gleichem Brechungsindex verwendet, sodass das emittierte Licht des Halbleiterchips keinen unterschiedlichen Brechungsindices unterworfen ist. Des Weiteren bilden Polymere bestehend aus dem gleichen Ausgangsmaterial thermisch besonders stabile Verbindungen aus .

Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist der

strahlungsdurchlässige Körper verbindungsmittelfrei zumindest auf die Strahlungsauskoppelfläche des Halbleiterchips mittels Siebdruck und/oder Sprühen aufgebracht.

"Verbindungsmittelfrei" heißt, dass der

strahlungsdurchlässige Körper keiner Befestigungsmittel, beispielsweise einer zusätzlichen Anhaftschicht oder einem

Klebstoff, zur Befestigung auf dem Halbleiterchip bedarf. Zum Beispiel bedeckt der strahlungsdurchlässige Körper neben der Strahlungsauskoppelfläche weitere freiliegende Außenflächen des Halbleiterchips. In diesem Fall kann der

strahlungsdurchlässige Körper auch als eine Versiegelung für den Halbleiterchip dienen. Zudem ist denkbar, dass neben dem Aufbringen mittels Siebdruck und/oder Sprühens der

strahlungsdurchlässige Körper mittels Rollen oder

Aufschleuderns auf den Halbleiterchip aufgebracht ist.

Gemäß zumindest einer Aus führungs form weist der

strahlungsdurchlässige Körper und/oder die Anhaftschicht eine Schichtdicke von wenigstens 5 μπι und höchstens 50 μπι auf. "Schichtdicke" ist dabei eine Dicke des

strahlungsdurchlässigen Körpers und/oder der Anhaftschicht in einer Richtung senkrecht zu der Strahlungsauskoppelfläche und/oder zu weiteren Außenflächen des Halbleiterchips. Durch einen derartigen Dickenbereich des strahlungsdurchlässigen Körpers und/oder der Anhaftschicht kann ein

optoelektronisches Halbleiterbauelement erreicht werden, welches eine geringe Ausdehnung in vertikaler Richtung, das heißt in einer Richtung senkrecht zur

Haupterstreckungsrichtung des optoelektronischen

Halbleiterbauelements, aufweist. Mit anderen Worten ist ein derartiges optoelektronisches Halbleiterbauelement flach und kompakt im Aufbau. Im Folgenden wird das hier beschriebene optoelektronische

Halbleiterbauelement anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert.

Die Figuren 1A bis IC zeigen in schematischen Seitenansichten

Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauelements . In den Ausführungsbeispielen und den Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Elemente sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne

Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß

dargestellt sein.

In der Figur 1A ist anhand einer schematischen Seitenansicht ein hier beschriebenes optoelektronisches

Halbleiterbauelement 100 dargestellt. Das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 umfasst einen

Strahlungsemittierenden Halbleiterchip 2, der eine

Strahlungsauskoppelfläche 22 aufweist, durch die zumindest ein Teil der im Halbleiterchip 2 erzeugten

elektromagnetischen Strahlung den Halbleiterchip 2 verlässt. Weiter umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 einen Träger 1, der eine Montagefläche 11 aufweist. Bei dem Träger 1 kann es sich um einen Trägerrahmen (zu engl, auch Leadframe) handeln. Der Trägerrahmen kann dann mit zwei metallischen Trägerstreifen gebildet sein, die als

elektrische Kontaktflächen für den Halbleiterchip 2 dienen. Dabei ist der Halbleiterchip 2 auf der Montagefläche 11 angeordnet und dort elektrisch mit dem Träger 1 kontaktiert. Weiter umfasst das optoelektronische Halbleiterbauelement 100 einen strahlungsdurchlässigen Körper 3, der in der Figur 1A als ein Formkörper 31 ausgeführt ist. Das heißt, dass der strahlungsdurchlässige Körper 3 mittels Vergießens des

Halbleiterchips 2 sowohl auf dem Träger 1 als auch dem

Halbleiterchip 2 aufgebracht ist. Dabei steht der

strahlungsdurchlässige Körper 3 in unmittelbaren Kontakt mit dem Halbleiterchip 3 und dem Träger 1. Der

strahlungsdurchlässige Körper 3 umhüllt daher den

Halbleiterchip 2 formschlüssig und steht stellenweise mit der Montagefläche 11 des Trägers 1 in direktem Kontakt. Dabei ist, wie ebenso der Figur 1A entnehmbar, der

strahlungsdurchlässige Körper 3 stellenweise dem

Halbleiterchip 2 an seiner Strahlungsauskoppelfläche 22 nachgeordnet und steht mit der Strahlungsauskoppelfläche 22 in direktem Kontakt.

Der strahlungsdurchlässige Körper 3 ist mit zumindest einem Polymer gebildet oder enthält zumindest ein Polymer, wobei jeweils ein Monomer des Polymers mit zumindest einem Silazan gebildet ist. Insbesondere kann es sich bei dem Polymer um ein Polysilazan handeln. Weiter ist in dem

strahlungsdurchlässigen Körper 3 ein

Lumineszenzkonversionsmaterial 4 eingebracht, welches vom Halbleiterchip 2 emittiertes blaues Licht teilweise in gelbes Licht umwandelt, wobei sich das blaue und das gelbe Licht zum Beispiel an einer dem Träger 1 abgewandten Außenfläche 36 des strahlungsdurchlässigen Körpers 3 zu weißem Licht vermischen kann. Weiter ist die Außenfläche 36 des

strahlungsdurchlässigen Körpers 3 in Bezug auf den

Halbleiterchip 2 konvex ausgeformt. Dazu ist der

strahlungsdurchlässige Körper 3 nach dem Aushärten mechanisch nachbearbeitet, wobei durch das Nachbearbeiten die

Außenfläche 36 Spuren 35 eines Materialabtrags aufweist. Mit anderen Worten sind die Spuren 35 durch Abtragung, zum

Beispiel Materialabrieb, des Materials des

strahlungsdurchlässigen Körpers 3 in seiner Außenfläche 36 erzeugt . In der Figur 1B ist in einer schematischen Seitenansicht ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

optoelektronischen Halbleiterbauelements 100 gezeigt. Im Unterschied zu dem in der Figur 1A gezeigten Ausführungsbeispiel handelt es sich nun bei dem

strahlungsdurchlässigen Körper 3 um ein Plättchen 32 oder um eine Folie 33, wobei zwischen dem strahlungsdurchlässigen Körper 3 und der Strahlungsauskoppelfläche 22 des

Halbleiterchips 2 eine strahlungsdurchlässige Anhaftschicht 5 angeordnet ist. Insbesondere kann die Anhaftschicht 5 mit zumindest einem Polysilazan gebildet sein, ein Polysilazan aufweisen oder aus einem Polysilazan bestehen. Dabei ist die strahlungsdurchlässige Anhaftschicht 5 direkt auf die

Strahlungsauskoppelfläche 22 des Halbleiterchips 2

aufgebracht und steht damit in direktem Kontakt mit diesem. Auf eine dem Halbleiterchip 2 abgewandte Außenfläche der strahlungsdurchlässigen Anhaftschicht 5 ist der

strahlungsdurchlässige Körper 3 beispielsweise mittels eines Plug-and-Place-Verfahrens angeordnet. Die Anhaftschicht 5 ermöglicht eine mechanisch feste Verbindung zwischen

Halbleiterchip 2 und dem strahlungsdurchlässigen Körper 3. Mit anderen Worten ist in dem Ausführungsbeispiel gemäß der Figur 1B der strahlungsdurchlässige Körper 3 über die

strahlungsdurchlässige Anhaftschicht 5 mit dem

Strahlungsemittierenden Halbleiterchip 2 in mittelbarem

Kontakt .

In der Figur IC ist in einer schematischen Seitenansicht ein weiteres Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen

optoelektronischen Halbleiterbauelements 100 gezeigt. Dabei ist im Gegensatz zu der Figur 1B der strahlungsdurchlässige Körper 3 verbindungsmittelfrei auf die

Strahlungsauskoppelfläche 22 des Halbleiterchips 2

aufgebracht und steht mit der Strahlungsauskoppelfläche 22 in unmittelbaren Kontakt. Beispielsweise geschieht das

Aufbringen mittels Siebdruck und/oder Sprühen des Materials des strahlungsdurchlässigen Körpers 3 auf die Strahlungsauskoppelfläche 22. Dabei weist der

strahlungsdurchlässige Körper 3 in dem Ausführungsbeispiel gemäß der Figur IC eine Schichtdicke Dl von wenigstens 5 μπι und höchstens 50 μπι auf.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die

Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von

Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den

Patentansprüchen oder den Ausführungsbeispielen angegeben ist . Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2011 100 728.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.