以下において、図を参照して、本発明の� ��施形態につき詳細に説明する。なお、各図� ��、発明が理解できる程度に、構成要素の形� ��、大きさ及び配置が概略的に示されている� ��過ぎない。本発明は以下の記述によって限� ��されるものではなく、各構成要素は本発明� ��要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可� ��である。また以下の説明に用いる各図にお� ��て、同様の構成要素については同一の符号� ��付して示し、重複する説明を省略する場合� ��ある。

 本発明の有機EL素子は、基板と、前記基� �の面の少なくとも一部の領域上に設けられ� �第1電極層と、前記第1電極層の面の少なくと も一部の領域上に設けられた有機下地層と、 前記有機下地層上に設けられ、前記有機下地 層がその上に複数の画素領域を有するように 配置されたバンクと、前記有機下地層上であ って前記画素領域内に設けられた有機発光層 と、前記有機発光層上に設けられた第2電極� �とを備える。

1.基板
 本発明に用いる基板としては、有機EL素子� �用いられる各種の基板を採用することがで� �る。有機EL素子の層の構成に関する記載にお いては、特に断らない限り「上」「下」及び 「水平」方向は、基板を水平に置き、その上 方に発光層及び他の層を設けた場合の位置関 係を示す。

2.電極層
 本発明の有機EL素子は、電極として、基板� �に設けられる第1電極層、及び有機下地層及� ��発光層の上に設けられる第2電極層を含む。 これらの一方を陽極、他方を陰極とする。第 1電極層を陽極とすることが多いがこれに限� �れず第2電極層を陽極とすることもできる。

 電極層の具体的な形状は、特に限定され� ��、セグメント表示素子、ドットマトリック� ��表示素子などに適した各種の形状とするこ� ��ができる。好ましくは、アクティブマトリ� ��クス表示素子又はパッシブマトリックス表� ��素子などのドットマトリックス表示素子を� ��成する形状とすることができる。第1電極層 は、基板の面の全面に設けられていてもよい が、通常、多数の画素を構成するためのパタ ーンに従い、基板の面上の一部の領域上に設 けられる。

 パッシブマトリクスを構成する電極層の� ��状の一例の概略を、図5に示す。図5は、本� �の有機EL素子の一例における基板及びパッシ ブマトリクス型電極の位置関係を示す斜視図 である。この例においては、基板111の面上に 、第1電極層121を互いに平行な線状に設け、� �れに交差する態様で、第2電極層122を設けて� ��る。各電極に接続して、電圧を印加して表� ��装置を駆動するための回路(不図示)を設け� �ことができる。第1電極層121及び第2電極層122 の交点のそれぞれにおいて、後述するバンク により規定される画素領域(図5において不図� ��)を設けることができる。

3.有機下地層
 本発明の有機EL素子において、有機下地層� �、前記第1電極層の面の少なくとも一部の領� ��上に設けられる。
 有機下地層が第1電極層の「少なくとも一部 の領域上」に設けられるとは、第1電極層の� �側の面上の少なくとも一部の領域に有機下� �層が存在している領域があることをいう。� �って、第1電極層の上面の全てを有機下地層� ��覆っていてもよく、第1電極層の上面の一部 のみを有機下地層が覆っていてもよい。ただ し、通常、第1電極層のうち、後述する画素� �域に属する部分は、その全面を有機下地層� �覆うよう構成される。また、基板の面上の� �前記第1電極層で覆われていない部分につい� ��は、有機下地層で覆われていてもよく、覆� ��れていなくてもよい。

 有機下地層は、1枚の基板の面上の一部又 は全部の領域を、1つの領域からなる有機下� �層のみが占めている状態でもよく、また1枚� ��基板の面が複数の領域に区分され、それぞ� ��の区分された領域を、有機下地層の複数の� ��えば島状の部分領域が占める、即ち有機下� ��層が互いに分離された複数の部分領域を含� ��で設けられている状態でもよいことをいう� ��

 本発明の好ましい態様においては、有機� ��地層は、基板上の複数の画素領域を包含す� ��領域全面を覆うよう、より好ましくは基板� ��の全ての画素領域を包含する領域全面を覆� ��よう設けられる。このような態様で有機下� ��層を設けることにより、均一な有機下地層� ��、スピンコート法などの簡便な方法で形成� ��ることができる。

 このような有機下地層の構造を、再び図5 を参照して説明すると、有機下地層(不図示)� ��、電極121及び122の交点で示される画素領域� ��てを含む領域111Cにおいて、基板111の表面上 の第1電極層121、及び基板111の表面上の第1電� ��層が形成されていない部分の両方にわたっ� ��、一体となった層として設けられることが� ��ましい。

 さらに、このような有機下地層の構造を� ��図3を参照して説明する。図3は、図5と同様� ��パッシブマトリクス型の電極を有する本発� ��の有機EL素子の一例の一部の構成を示す断� �図である。この例において、基板111上の上� �は複数の第1電極層121が設けられ、第1電極層 121、及びその間隙の第1電極層121で覆われて� �ない基板111表面の両方にわたり、有機下地� �141が一体となった層として連続的に形成さ� �ている。このような構成とすることにより� �第1電極層の上に、第1電極層上において均一 な厚さを有し、且つ画素領域間における厚さ のばらつきの少ない有機下地層を、スピンコ ート法などの簡便な手法で容易に設けること ができる。

 図3に示す通り、本発明の有機EL素子は、積� ��構造を有しない1層の有機下地層のみからな ってもよい。
 しかしながら、図6に示す通り、積層構造を 有する2層以上の有機下地層を有していても� �く、さらに3層以上の有機下地層を有してい� ��もよい。図6は、本発明の有機EL素子の別の� ��例の一部分の構成を示す断面図である。
 図6に示す例においては、有機EL素子は、基� ��111及び第1電極層121の両方を覆う第1の有機� �地層641A及びその上に積層された第2の有機下 地層641Bの2層を有している。有機下地層は、3 層以上の層として設けると、電極とバンクと の間隔が大きくなり、隣接する画素領域との クロストークを招くおそれがあるので、好ま しくは1層又は2層とすることができる。
 上で述べたように、基板の面が複数の領域� ��区分され、それぞれの領域をそれぞれ別の� ��機下地層(部分領域)が占め、複数の部分領� �を含む有機下地層が設けられている場合は� �その区分された部分領域のそれぞれにおい� �、1層の有機下地層又は2層以上の積層された 有機下地層を有することができる。

 本発明の有機EL素子における有機下地層は� �有機EL素子を構成するために必要な層であっ て第1電極層以外のいずれかの層の機能を有� �ることができる。通常は、有機EL素子におい て電極と発光層との間に形成される層の一部 の層又は全ての層とすることができる。
 例えば、第1電極層が陽極である場合、有機 下地層は、正孔注入層、インターレイヤー及 び正孔輸送層のうちの1層以上とすることが� �きる。より好ましい態様において、本発明� �有機EL素子は、有機下地層として正孔注入層 である1層のみを有するか、又は第1の有機下� ��層及びその上に積層された第2の有機下地層 を有し、第1の有機下地層を正孔注入層とし� �2の有機下地層をインターレイヤーとするこ� ��ができる。
 一方、第1電極層が陰極である場合、有機下 地層は、電子注入層、インターレイヤー及び 電子輸送層のうちの1層以上とすることがで� �る。より好ましい態様において、本発明の� �機EL素子は、有機下地層として電子注入層で ある1層のみを有するか、又は第1の有機下地� ��及びその上に積層された第2の有機下地層を 有し、第1の有機下地層を電子注入層とし第2� ��有機下地層をインターレイヤーとすること� ��できる。

 本発明において、有機下地層の抵抗率は、� ��ましくは1×10 ¹⁰ ωcm以上である。
ここで、有機下地層の抵抗率は、抵抗率計(� �えばダイアインスツルメンツ社製 ロレスタ GP MCP-T610型)により測定することができる。

 本発明において、有機下地層は、水に不� ��性の有機材料からなる。有機下地層が複数� ��層からなる場合、少なくとも最上のバンク� ��接する層が、好ましくは全ての層が、水に� ��溶性の有機材料からなる。本発明に用いら� ��る有機下地層は、水に不溶性の有機材料か� ��なるため、有機下地層上に水を含む溶液を� ��布した場合でも、当該層の膜厚が実質的に� ��少しない。水に不溶性の有機材料としては� ��水1gに溶解する量が0.1mg以下であることが好 ましく、0.01mg以下であることがより好ましく 、0.001mg以下であることがさらに好ましい。

 本発明においては、素子を構成する層の1 層以上を有機下地層としてバンクの下に設け ることにより、スピンコート法などの簡易な 成膜方法で形成しうるという利点を享受する と共に、有機下地層として水に不溶性の材料 を採用することにより、この後のバンクの形 成の工程においても有機下地層が損なわれず 、その結果として、良好な発光特性、ひいて は高品質な表示性能を得ることができる。

4.バンク
 本発明において、バンクは、有機下地層上� ��設けられ、有機下地層が複数の部分領域に� ��画されている場合には、有機下地層のそれ� ��れの上に複数の画素領域を規定する。ここ� ��、有機下地層の「それぞれの上に複数の」� ��素領域を規定するとは、基板上に設けられ� ��有機下地層が、互いに分離された複数の部� ��領域を有する場合は、それぞれの部分領域� ��に複数の画素領域が規定されることを意味� ��る。基板上に有機下地層が1つの領域のみと して存在する場合は、勿論その上に全ての画 素領域が規定される。このような構成とする ことにより、本発明の有機EL素子においては� ��隣接する複数の画素における有機下地層が� ��体に形成されることとなる。即ち、基板表� ��上の隣接する複数の画素、好ましくは基板� ��面上の全ての画素の存在する一領域におい� ��、有機下地層が別個の部分領域を有するの� ��はなく連続して一体となった層となる。

 上記構成を、再び図3の例を参照して説明 すると、バンク131Bは、電極121及び121が上下� �存在する矩形の領域132R内に画素領域が規定� ��れるよう、その周囲を囲んで、有機下地層1 41上に設けられる。即ち、バンクに周囲を囲� ��れ、バンクが存在しない領域132Rが画素領域 となり、有機下地層141の互いに分離された複 数の部分領域のうちの1つの上に、複数の画� �領域132Rが規定される。

5.有機発光層
 本発明において、有機発光層は、バンクに� ��って規定された画素領域内に設けられる。� ��して、このように設けられた有機発光層の� ��にさらに、上に述べた第2電極層を形成する ことにより有機EL素子を構成することができ� ��。図3の例を参照して説明すると、有機発光 層142は、バンク131Bで規定された画素領域132R� ��に充填される形で設けられ、第1電極層121の 上に、有機下地層141を介して積層されている 。この上に、第1電極層121と直交するように� �2電極層122を設けることにより、第1電極層及 び第2電極層の間に有機下地層及び発光層が� �層された有機EL素子を構成することができる 。

6.封止部材
 図5に示す通り、本発明の有機EL素子はさら� ��、前記各層を挟んで基板と反対側に、封止� ��ための部材を有することができる。図5は、 本発明の有機EL素子の一例における基板及び� ��極の位置関係を示す斜視図である。
 封止部材は、例えば、画素領域を含む領域1 11Cの周辺の領域111Sに設けられた接着層を介� �て、基板111と貼り合わせることにより、素� �を構成する各層を封止することができる。

7.その他の構成要素
 図4に示す通り、本発明の有機EL素子は、上� ��構成要素に加えて、さらに他の構成要素を� ��することができる。図4は、本発明の有機EL� ��子の別の一例の一部分の構成を示す断面図� ��ある。
 具体的には例えば、バンクにより規定され� ��画素領域内に、有機発光層に加えてさらに1 層以上の他の層を有していてもよい。本発明 の有機EL素子は、例えば第1電極層121と第2電� �層122との間の積層構造140を、有機下地層141� �び有機発光層142に加えて、さらに他の層143� �設けた3層で構成している。

 上記必須の構成要素及び任意の構成要素� ��よる本発明の有機EL素子の層の構成につい� �、以下により具体的に説明する。

 一般に、有機EL素子は、少なくとも1対の� ��極(陽極及び陰極)を有し、その間に少なく� �も有機発光層を有する。陽極と有機発光層� �の間には任意に正孔注入層を有することが� �き、さらに、有機発光層と正孔注入層(正孔� ��入層が存在する場合)又は陽極(正孔注入層� �存在しない場合)との間に任意にインターレ� ��ヤー、正孔輸送層のうちの1層以上を有する ことができる。一方、陰極と有機発光層との 間には任意に電子注入層を有することができ 、さらに、有機発光層と電子注入層(電子注� �層が存在する場合)又は陰極(電子注入層が存 在しない場合)との間に任意にインターレイ� �ー、電子輸送層のうちの1層以上を有するこ� ��ができる。即ち有機EL素子は下記の層構成a) を有することができ、又は、層構成a)から正� ��注入層、正孔輸送層、インターレイヤー、� ��子輸送層、電子注入層の1層以上を省略した 層構成を有することもできる。

 a)陽極-正孔注入層-(正孔輸送層及び/又は� ��ンターレイヤー)-発光層-(電子輸送層及び/� �はインターレイヤー)-電子注入層-陰極

 ここで、符号「-」は各層が隣接して積層 されていることを示す。「(正孔輸送層及び/� ��はインターレイヤー)」は、正孔輸送層のみ からなる層、インターレイヤーのみからなる 層、正孔輸送層-インターレイヤーの層構成� �インターレイヤー-正孔輸送層の層構成、又� ��その他の、正孔輸送層及びインターレイヤ� ��をそれぞれ一層以上含む任意の層構成を示� ��。「(電子輸送層及び/又はインターレイヤ� �)」は、電子輸送層のみからなる層、インタ� ��レイヤーのみからなる層、電子輸送層-イン ターレイヤーの層構成、インターレイヤー-� �子輸送層の層構成、又はその他の、電子輸� �層及びインターレイヤーをそれぞれ一層以� �含む任意の層構成を示す。以下の層構成の� �明においても同様である。

 さらに、有機EL素子は、一つの積層構造� �に2層の発光層を有することができる。この� ��合、有機EL素子は下記の層構成b)を有するこ とができ、又は、層構成b)から正孔注入層、� ��孔輸送層、インターレイヤー、電子輸送層� ��電子注入層の1層以上を省略した層構成を有 することもできる。

 b)陽極-正孔注入層-(正孔輸送層及び/又は� ��ンターレイヤー)-発光層-(電子輸送層及び/� �はインターレイヤー)-電子注入層-電極-正孔� ��入層-(正孔輸送層及び/又はインターレイヤ� ��)-発光層-(電子輸送層及び/又はインターレ� �ヤー)-電子注入層-陰極

 さらに、有機EL素子は、一つの積層構造� �に3層以上の発光層を有することができる。� ��の場合、有機EL素子は下記の層構成c)を有す ることができ、又は、層構成c)から正孔注入� ��、正孔輸送層、インターレイヤー、電子輸� ��層、電子注入層の1層以上を省略した層構成 を有することもできる。

 c)陽極-正孔注入層-(正孔輸送層及び/又はイ� ��ターレイヤー)-発光層-(電子輸送層及び/又� �インターレイヤー)-電子注入層-繰返し単位A- 繰返し単位A・・・-陰極
 ここで「繰返し単位A」は、電極-正孔注入� �-(正孔輸送層及び/又はインターレイヤー)-発 光層-(電子輸送層及び/又はインターレイヤー )-電子注入層の層構成の単位を示す。

 本発明の有機EL素子も、上記の一般的な� �機EL素子がとりうるものと同様の層構成とす ることができる。そして、第1電極層を陽極� �した場合は、陽極に近い側の1層以上、好ま� ��くは1層又は2層を、有機下地層とすること� �でき、それよりも陽極から遠い層を、バン� �により規定された画素領域内に設けること� �できる。一方、第1電極層を陰極とした場合� ��陰極に近い側の1層以上、好ましくは1層又� �2層を、有機下地層とすることができる。

 本発明の有機EL素子の層構成の好ましい� �体的としては、下記のものが挙げられる。� �記において、記号< >で囲まれた要素は� ��機下地層として設けられる層を示し、その� ��のもので且つ電極以外のものはバンクによ� ��規定された画素領域内に設けられる層を示� ��。

 d)陽極-<正孔注入層>-有機発光層-陰極
 e)陽極-<正孔輸送層>-有機発光層-陰極
 f)陽極-<インターレイヤー>-有機発光層- 陰極
 g)陽極-<正孔注入層-正孔輸送層>-有機発 光層-陰極
 h)陽極-<正孔注入層-インターレイヤー>- 有機発光層-陰極
 i)陽極-<正孔注入層>-正孔輸送層-インタ ーレイヤー-有機発光層-陰極
 j)陽極-<正孔輸送層>-インターレイヤー- 有機発光層-陰極
 k)陽極-<正孔注入層-正孔輸送層>-インタ ーレイヤー-有機発光層-陰極
 d ² )~k ² ) 上記d)~k)において、有機発光層と陰極との� ��に、さらに電子注入層を有するもの。
 d ³ )~k ³ ) 上記d)~k)において、有機発光層と陰極との� ��に、さらにインターレイヤー-電子輸送層を 有するもの。
 d ⁴ )~k ⁴ ) 上記d ² )~k ² )において、有機発光層と電子注入層との間� �、さらにインターレイヤー-電子輸送層を有� ��るもの。
 なお、上記の例示に示されるとおり、イン� ��ーレイヤーが存在する場合は、インターレ� ��ヤーは発光層に隣接することが好ましい。

 本発明の有機EL素子は、さらに電極との密� �性向上や電極からの電荷(即ち正孔又は電子) の注入の改善のために、電極に隣接して膜厚 2nm以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面 の密着性向上や混合の防止などのために電荷 輸送層(即ち正孔輸送層又は電子輸送層)又は� ��機発光層の界面に薄いバッファー層を挿入� ��てもよい。
 積層する層の順番や数、及び各層の厚さに� ��いては、発光効率や素子寿命を勘案して適� ��用いることができる。

 本発明の有機EL素子を、基板側から出光� �るボトムエミッション型の表示装置用の素� �として構成する場合、少なくとも有機発光� �よりも基板側の全ての層を、透明又は半透� �とすることができる。一方、基板と反対の� �側から出光するトップエミッション型の表� �装置用の素子として構成する場合は、少な� �とも有機発光層よりも第2電極層側の全ての� ��を、透明又は半透明とすることができる。

 例えば図3に示す有機EL素子がボトムエミ� ��ション型の表示装置用の素子である場合、� ��機発光層142よりも基板側の全ての層、即ち� ��機下地層141、第1電極層121及び基板111の全て が透明又は半透明となるよう素子を構成しう る。一方、図3に示す有機EL素子がトップエミ ッション型の表示装置用の素子である場合、 有機発光層142よりも第2電極層側の全ての層� �即ち第2電極層122及び封止部材(不図示)の全� �が透明又は半透明となるよう素子を構成し� �る。ここで透明又は半透明とは、発光層か� �光を放出する層までの可視光透過率が40%以� �であることが好ましい。紫外領域又は赤外� �域の発光が求められる素子の場合は、当該� �域において40%以上の透過率を有することが� �ましい。

 本発明の有機EL素子は、さらに必要に応� �て、カラーフィルター又は蛍光変換フィル� �ーなどのフィルター、画素の駆動に必要な� �線などの、表示素子を構成するための任意� �構成要素を有することができる。

8.各層を構成する材料
 次に、本発明の有機EL素子を構成する各層� �材料及び形成方法について、より具体的に� �明する。

<基板>
 本発明の有機EL素子を構成する基板は、電� �を形成し、有機物の層を形成する際に変化� �ないものであればよく、例えばガラス、プ� �スチック、高分子フィルム、シリコン基板� �これらを積層したものなどが用いられる。� �記基板としては、市販のものが入手可能で� �り、又は公知の方法により製造することが� �きる。

<陽極>
 本発明の有機EL素子の陽極としては、透明� �は半透明の電極を用いることが、陽極を通� �て発光する素子を構成しうるため好ましい� �かかる透明電極又は半透明電極としては、� �気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や� �属の薄膜を用いることができ、透過率が高� �ものが好適に利用でき、用いる有機層によ� �適宜、選択して用いる。具体的には、酸化� �ンジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれ� �の複合体であるインジウム・スズ酸化物(ITO) 、インジウム・亜鉛酸化物などからなる導電 性ガラスを用いて作成された膜(NESAなど)や、 金、白金、銀、銅などが用いられ、ITO、イン ジウム・亜鉛酸化物、酸化スズが好ましい。 作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリ ング法、イオンプレーティング法、メッキ法 などが挙げられる。また、該陽極として、ポ リアニリン又はその誘導体、ポリチオフェン 又はその誘導体などの有機の透明導電膜を用 いてもよい。
 陽極には、光を反射させる材料を用いても� ��く、該材料としては、仕事関数3.0eV以上の� �属、金属酸化物、金属硫化物が好ましい。

 陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度� ��を考慮して、適宜選択することができるが� ��例えば10nm~10μmであり、好ましくは20nm~1μmで あり、さらに好ましくは50nm~500nmである。

<正孔注入層>
 正孔注入層は、陽極と正孔輸送層との間、� ��は陽極と発光層との間に設けることができ� ��。
 本発明の有機EL素子において、正孔注入層� �形成する材料としては、フェニルアミン系� �スターバースト型アミン系、フタロシアニ� �系、酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化� �ングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニ� �ム、酸化アルミニウムなどの酸化物、アモ� �ファスカーボン、ポリアニリン又はその誘� �体、ポリフルオレン又はその誘導体、ポリ� �リールアミン又はその誘導体、ポリチオフ� �ン又はその誘導体などが挙げられる。

 正孔注入層の膜厚は、用いる材料によっ� ��最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適� ��な値となるように選択すればよいが、少な� ��ともピンホールが非発生となる厚さが必要� ��あり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高� ��なってしまうおそれがある。従って、該正� ��注入層の膜厚としては、例えば1nmから1μmで あり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好ま しくは5nm~200nmである。

 正孔注入層の成膜の方法に制限はないが� ��低分子正孔注入材料では、高分子バインダ� ��との混合溶液からの成膜による方法が例示� ��れる。また、高分子正孔注入材料では、溶� ��からの成膜による方法が例示される。

 溶液からの成膜に用いる溶媒としては、� ��孔注入材料を溶解させるものであれば特に� ��限はない。該溶媒として、クロロホルム、� ��化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系� ��媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系� ��媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化� ��素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン� ��どのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチ� ��、エチルセルソルブアセテートなどのエス� ��ル系溶媒が例示される。

 溶液からの成膜方法としては、溶液から� ��スピンコート法、キャスティング法、マイ� ��ログラビアコート法、グラビアコート法、� ��ーコート法、ロールコート法、ワイアーバ� ��コート法、ディップコート法、スリットコ� ��ト法、キヤピラリーコート法、スプレーコ� ��ト法、ノズルコート法などのコート法、グ� ��ビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ� ��刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、イ� ��クジェットプリント法などの印刷法といっ� ��塗布法を用いることができる。パターン形� ��が容易であるという点で、グラビア印刷法� ��スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフ� ��ット印刷法、反転印刷法、インクジェット� ��リント法などの印刷法が好ましい。

 混合する高分子バインダーとしては、電� ��輸送を極度に阻害しないものが好ましく、� ��た可視光に対する吸収が強くないものが好� ��に用いられる。該高分子バインダーとして� ��ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポ� ��メチルアクリレート、ポリメチルメタクリ� ��ート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポ� ��シロキサンなどが例示される。

 本発明において、正孔注入層を水に不溶� ��の有機下地層として設ける場合、ポリアニ� ��ン又はその誘導体、ポリフルオレン又はそ� ��誘導体、ポリアリールアミン又はその誘導� ��、ポリチオフェン又はその誘導体からなる� ��から連ばれる高分子化合物であって親水基� ��有さない高分子化合物を正孔注入層の材料� ��して用いることが好ましい。特に好ましい� ��孔注入層の材料としては、下記式(1)で表さ� ��る繰り返し単位を有する高分子化合物、下� ��式(2)で表される繰り返し単位を有する高分� ��化合物、下記式(1)で表される繰り返し単位� ��び下記式(2)で表される繰り返し単位を有す� ��高分子化合物があげられる。

[式(1)及び(2)中、R ¹ 、R ² 、R ³ 、R ⁴ 、R ⁵ 、R ⁶ 及びR ⁷ は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基 又はアリール基を表す。R ¹ とR ² とは互いに結合して環を形成していてもよい 。R ³ ~R ⁷ から選ばれる任意の2個の置換基が互いに結� �して環を形成していてもよい。]

 前記アルキル基は、炭素数が通常1~20であ り、直鎖状でも分岐状でもよく、シクロアル キル基でもよい。アルキル基の具体例として は、メチル基、エチル基、n-プロピル基、i-� �ロピル基、n-ブチル基、i-ブチル基、t-ブチ� �基、s-ブチル基、3-メチルブチル基、n-ペン� �ル基、n-ヘキシル基、2-エチルヘキシル基、n -ヘプチル基、n-オクチル基、n-ノニル基、n-� �シル基、n一ラウリル基などが挙げられる。

 前記アリール基は、炭素数が通常6~60であり 、置換基を有していてもよい。アリール基が 有している置換基としては、炭素数1~20の直� �状、分岐状のアルキル基又は炭素数1~20のシ� ��ロアルキル基があげられる。アリール基の� ��体例としては、フェニル基、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基(C ₁ ~C ₁₂ は、炭素数1~12であることを示
す。以下も同様である。)、1-ナフチル基、2-� ��フチル基などが挙げられ、炭素数6~20のアリ ール基が好ましく、C ₁ ~C ₁₂ アルキルフェニル基がより好ましい。

 R ¹ とR ² とは互いに結合して環を形成していてもよく 、R ³ ~R ⁷ から選ばれる任意の
2個の置換基が互いに結合して環を形成して� �てもよい。当該環としては、シクロブタン� �、シクロペンタン環、シクロヘキサン環、� �クロヘプタン環、シクロオクタン環、シク� �ノナン環、シクロデカン環、シクロヘキセ� �環、シクロヘキサジエン環、シクロオクタ� �リエン環などが挙げられる。

<正孔輸送層>
 正孔輸送層を構成する材料としては、ポリ� ��ニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポ� ��シラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは� ��鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン� ��導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン� ��導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジ� ��ミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘� ��体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、� ��リアリールアミン若しくはその誘導体、ポ� ��フルオレン若しくはその誘導体、ポリピロ� ��ル若しくはその誘導体、ポリ(p-フェニレン� ��ニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5-� ��エニレンビニレン)若しくはその誘導体など が例示される。

 正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが� ��低分子正孔輸送材料では、高分子バインダ� ��との混合溶液からの成膜による方法が例示� ��れる。また、高分子正孔輸送材料では、溶� ��からの成膜による方法が例示される。溶液� ��らの成膜に用いる溶媒は前述の正孔注入層� ��成膜に用いる溶媒と同様の溶媒が挙げられ� ��。溶液からの成膜方法としては、前述の正� ��注入層を溶液から成膜する方法と同様の成� ��方法が挙げられる。

 正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料� ��よって最適値が異なり、駆動電圧と発光効� ��が適度な値となるように選択すればよいが� ��少なくともピンホールが発生しないような� ��さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆� ��電圧が高くなるおそれがある。従って、該� ��孔輸送層の膜厚としては、例えば1nmから1μm であり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好 ましくは5nm~200nmである。

 本発明において、正孔輸送層を水に不溶� ��の有機下地層として設ける場合、ポリビニ� ��カルバゾール若しくはその誘導体、ポリシ� ��ン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖� ��芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導� ��、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリ� ��ルオレン若しくはその誘導体、ポリアリー� ��アミン若しくはその誘導体、ポリチオフェ� ��若しくはその誘導体、ポリピロール若しく� ��その誘導体、ポリ(p-フェニレンビニレン)若 しくはその誘導体、又はポリ(2,5-チエニレン� ��ニレン)若しくはその誘導体からなる群から 選ばれる高分子化合物であって親水基を有さ ない高分子化合物を正孔輸送層の材料として 用いることが好ましい。特に好ましい正孔輸 送層の材料としては、前記式(1)で表される繰 り返し単位を有する高分子化合物、前記式(2) で表される繰り返し単位を有する高分子化合 物、前記式(1)で表される繰り返し単位及び前 記式(2)で表される繰り返し単位を有する高分 子化合物があげられる。

<インターレイヤー>
 インターレイヤーを構成する材料としては� ��ポリアリールアミン又はその誘導体、ポリ� ��ルオレン又はその誘導体などが例示される� ��

 インターレイヤーの成膜の方法に制限は� ��いが、溶液からの成膜による方法が例示さ� ��る。溶液からの成膜に用いる溶媒は前述の� ��孔注入層の成膜に用いる溶媒と同様の溶媒� ��挙げられる。溶液からの成膜方法としては� ��前述の正孔注入層を溶液から成膜する方法� ��同様の成膜方法が挙げられる。

 インターレイヤーの膜厚としては、用い� ��材料によって最適値が異なり、駆動電圧と� ��光効率が適度な値となるように選択すれば� ��いが、少なくともピンホールが発生しない� ��うな厚さが必要であり、あまり厚いと、素� ��の駆動電圧が高くなるおそれがある。従っ� ��、該インターレイヤーの膜厚としては、例� ��ば1nmから1μmであり、好ましくは2nm~500nmであ り、さらに好ましくは5nm~20nmである。

 本発明において、インターレイヤーを水� ��不溶性の有機下地層として設ける場合、ポ� ��フルオレン又はその誘導体、ポリアリール� ��ミン又はその誘導体からなる群から選ばれ� ��高分子化合物であって親水基を有さない高� ��子化合物をインターレイヤーの材料として� ��いることが好ましい。特に好ましい正孔輸� ��層の材料としては、前記式(1)で表される繰� ��返し単位を有する高分子化合物、前記式(2)� ��表される繰り返し単位を有する高分子化合� ��、前記式(1)で表される繰り返し単位及び前� ��式(2)で表される繰り返し単位を有する高分� ��化合物があげられる。

 本発明に用いられる有機下地層は、水に� ��溶性の架橋高分子化合物からなることが好� ��しい。該架橋高分子化合物は、架橋基を有� ��る高分子化合物を硬化させて製造してもよ� ��、高分子化合物と架橋剤との混合物を硬化� ��せて製造してもよい。

<バンク>
 バンクは、例えば感光性ポリイミドを材料� ��して用いて形成することができる。バンク� ��、下部電極を実質的に包囲するように形成� ��れる。バンクの厚みとしては、0.1~5μm程度� �よい。バンクの材料としては、加熱による� �化が少ない、即ち耐熱性に優れた有機材料� �用いるのが望ましく、ポリイミドの他に、� �クリル系(メタクリル系)やノボラック系の樹 脂材料を用いてもよい。これらの樹脂材料に は、パターニングを容易にするため、感光性 が付加されていることが望ましい。感光性を 有する有機材料を用いると、材料の塗布、プ リベーク、露光、現像、ポストベークという 一連のプロセスで、バンクを形成できる。露 光光としてはUV光のg、h、i線の混合光であっ� ��もよく、g、h、i線の単波長であってもよい� ��現像液としては、有機、無機アルカリの水� ��液を使用できる。

<発光層>
 発光層は、本発明においては有機発光層で� ��ることが好ましく、通常、主として蛍光又� ��りん光を発光する有機物(低分子化合物及び 高分子化合物)を有する。なお、さらにドー� �ント材料を含んでいてもよい。本発明にお� �て用いることができる発光層を形成する材� �としては、例えば以下のものが挙げられる� �

色素系材料
 色素系材料としては、例えば、シクロペン� ��ミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘� ��体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オ� ��サジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘� ��体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリ� ��アリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオ� ��ェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノ� ��誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェ� ��誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキ� ��ジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー� ��どが挙げられる。

金属錯体系材料
 金属錯体系材料としては、例えば、イリジ� ��ム錯体、白金錯体などの三重項励起状態か� ��の発光を有する金属錯体、アルミキノリノ� ��ル錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯� ��、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチ� ��ゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポ� ��フィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など� ��中心金属に、Al、Zn、Beなど、又はTb、Eu、Dy� ��どの希土類金属を有し、配位子にオキサジ� ��ゾール、チアジアゾール、フェニルピリジ� ��、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン� ��造などを有する金属錯体などを挙げること� ��できる。

高分子系材料
 高分子系材料としては、ポリパラフェニレ� ��ビニレン又はその誘導体、ポリチオフェン� ��はその誘導体、ポリパラフェニレン又はそ� ��誘導体、ポリシラン又はその誘導体、ポリ� ��セチレン又はその誘導体、ポリフルオレン� ��はその誘導体、ポリビニルカルバゾール又� ��その誘導体、上記色素系材料や金属錯体系� ��料を高分子化したものなどが挙げられる。
 上記発光性材料のうち、青色に発光する材� ��としては、ジスチリルアリーレン又はその� ��導体、オキサジアゾール又はその誘導体、� ��びそれらの重合体、ポリビニルカルバゾー� ��又はその誘導体、ポリパラフェニレン又は� ��の誘導体、ポリフルオレン又はその誘導体� ��どを挙げることができる。なかでも高分子� ��料のポリビニルカルバゾール又はその誘導� ��、ポリパラフェニレン又はその誘導体やポ� ��フルオレン又はその誘導体などが好ましい� ��
 また、緑色に発光する材料としては、キナ� ��リドン又はその誘導体、クマリン又はその� ��導体、及びそれらの重合体、ポリパラフェ� ��レンビニレン又はその誘導体、ポリフルオ� ��ン又はその誘導体などを挙げることができ� ��。なかでも高分子材料のポリパラフェニレ� ��ビニレン又はその誘導体、ポリフルオレン� ��はその誘導体などが好ましい。
 また、赤色に発光する材料としては、クマ� ��ン又はその誘導体、チオフェン環化合物、� ��びそれらの重合体、ポリパラフェニレンビ� ��レン又はその誘導体、ポリチオフェン又は� ��の誘導体、ポリフルオレン又はその誘導体� ��どを挙げることができる。なかでも高分子� ��料のポリパラフェニレンビニレン又はその� ��導体、ポリチオフェン又はその誘導体、ポ� ��フルオレン又はその誘導体などが好ましい� ��

ドーパント材料
 発光層中に発光効率の向上や発光波長を変� ��させるなどの目的で、ドーパントを添加す� ��ことができる。このようなドーパントとし� ��は、例えば、ペリレン又はその誘導体、ク� ��リン又はその誘導体、ルブレン又はその誘� ��体、キナクリドン又はその誘導体、スクア� ��ウム又はその誘導体、ポルフィリン又はそ� ��誘導体、スチリル系色素、テトラセン又は� ��の誘導体、ピラゾロン又はその誘導体、デ� ��シクレン、フェノキサゾンなどを挙げるこ� ��ができる。なお、このような発光層の厚さ� ��、通常約20~2000Å(2~200nm)である。

<発光層の成膜方法>
 有機物を含む発光層(有機発光層)の成膜方� �としては、発光材料を含む溶液を基体の上� �は上方に塗布する方法、真空蒸着法、転写� �などを用いることができる。溶液からの成� �に用いる溶媒の具体例としては、前述の溶� �から正孔輸送層を成膜する際に正孔輸送材� �を溶解させる溶媒と同様の溶媒があげられ� �。
 発光材料を含む溶液を基体の上又は上方に� ��布する方法としては、スピンコート法、キ� ��スティング法、マイクログラビアコート法� ��グラビアコート法、バーコート法、ロール� ��ート法、ワイアーバーコート法、ディップ� ��ート法、スリットコート法、キャピラリー� ��ート法、スプレーコート法、ノズルコート� ��などのコート法、グラビア印刷法、スクリ� ��ン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印� ��法、反転印刷法、インクジェットプリント� ��といった印刷法などの塗布法を用いること� ��できる。パターン形成や多色の色分けが容� ��であるという点で、グラビア印刷法、スク� ��ーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット� ��刷法、反転印刷法、インクジェットプリン� ��法などの印刷法が好ましい。また、昇華性� ��低分子化合物の場合は、真空蒸着法を用い� ��ことができる。さらには、レーザーによる� ��写や熱転写により、所望の領域のみに発光� ��を形成する方法も用いることができる。

<電子輸送層>
 電子輸送層を構成する材料としては、公知� ��ものが使用でき、オキサジアゾール誘導体� ��アントラキノジメタン若しくはその誘導体� ��ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフト� ��ノン若しくはその誘導体、アントラキノン� ��しくはその誘導体、テトラシアノアンスラ� ��ノジメタン若しくはその誘導体、フルオレ� ��ン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若� ��くはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、� ��は8-ヒドロキシキノリン若しくはその誘導� �の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘� �体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体� �ポリフルオレン若しくはその誘導体などが� �示される。

 これらのうち、オキサジアゾール若しく� ��その誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘� ��体、アントラキノン若しくはその誘導体、� ��は8-ヒドロキシキノリン若しくはその誘導� �の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘� �体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体� �ポリフルオレン若しくはその誘導体が好ま� �く、2-(4-ビフェニリル)-5-(4-t-ブチルフェニル )-1,3,4-オキサジアゾール、ベンゾキノン、ア� ��トラキノン、トリス(8-キノリノール)アルミ ニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

 電子輸送層の成膜法としては特に制限は� ��いが、低分子電子輸送材料では、粉末から� ��真空蒸着法、又は溶液若しくは溶融状態か� ��の成膜による方法が、高分子電子輸送材料� ��は溶液又は溶融状態からの成膜による方法� ��それぞれ例示される。溶液又は溶融状態か� ��の成膜時には、高分子バインダーを併用し� ��もよい。溶液から電子輸送層を成膜する方� ��としては、前述の溶液から正孔輸送層を成� ��する方法と同様の成膜法があげられる。

 電子輸送層の膜厚としては、用いる材料� ��よって最適値が異なり、駆動電圧と発光効� ��が適度な値となるように選択すればよいが� ��少なくともピンホールが発生しないような� ��さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆� ��電圧が高くなるおそれがある。従って、該� ��子輸送層の膜厚としては、例えば1nmから1μm であり、好ましくは2nm~500nmであり、さらに好 ましくは5nm~200nmである。

<電子注入層>
 電子注入層は、電子輸送層と陰極との間、� ��は発光層と陰極との間に設けられる。電子� ��入層としては、発光層の種類に応じて、ア� ��カリ金属やアルカリ土類金属、又は前記金� ��を1種類以上含む合金、又は前記金属の酸化 物、ハロゲン化物及び炭酸化物、又は前記物 質の混合物などが挙げられる。アルカリ金属 又はその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の 例としては、リチウム、ナトリウム、カリウ ム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、 フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナ トリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、 酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セ シウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなど が挙げられる。また、アルカリ土類金属又は その酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例と しては、マグネシウム、カルシウム、バリウ ム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フ ッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化 カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム 、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウ ム、炭酸マグネシウムなどが挙げられる。電 子注入層は、2層以上を積層したものであっ� �もよい。具体的には、LiF/Caなどが挙げられ� �。電子注入層は、蒸着法、スパッタリング� �、印刷法などにより形成される。電子注入� �の膜厚としては、1nm~1μm程度が好ましい。

<陰極材料>
 本発明の有機EL素子で用いる陰極の材料と� �ては、仕事関数の小さく発光層への電子注� �が容易な材料かつ/もしくは電気伝導度が高� ��材料かつ/もしくは可視光反射率の高い材料 が好ましい。金属では、アルカリ金属やアル カリ土類金属、遷移金属や第13族金属を用い� ��ことができる。例えば、リチウム、ナトリ� ��ム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベ� ��リウム、マグネシウム、カルシウム、スト� ��ンチウム、バリウム、アルミニウム、スカ� ��ジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム� ��インジウム、セリウム、サマリウム、ユー� ��ピウム、テルビウム、イッテルビウムなど� ��金属、又は上記金属のうち2つ以上の合金、 又はそれらのうち1つ以上と、金、銀、白金� �銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケ� �、タングステン、錫のうち1つ以上との合金� ��又はグラファイト若しくはグラファイト層� ��化合物などが用いられる。合金の例として� ��、マグネシウム-銀合金、マグネシウム-イ� �ジウム合金、マグネシウム-アルミニウム合� ��、インジウム-銀合金、リチウム-アルミニ� �ム合金、リチウム-マグネシウム合金、リチ� ��ム-インジウム合金、カルシウム-アルミニ� �ム合金などが挙げられる。また、陰極とし� �透明導電性電極を用いることができ、例え� �導電性金属酸化物や導電性有機物などを用� �ることができる。具体的には、導電性金属� �化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸� �スズ、及びそれらの複合体であるインジウ� �・スズ酸化物(ITO)やインジウム・亜鉛酸化物 (IZO)、導電性有機物としてポリアニリン又は� ��の誘導体、ポリチオフェン又はその誘導体� ��どの有機の透明導電膜を用いてもよい。な� ��、陰極を2層以上の積層構造としてもよい。 なお、電子注入層が陰極として用いられる場 合もある。

 陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考� ��して、適宜選択することができるが、例え� ��10nmから10μmであり、好ましくは20nm~1μmであ� ��、さらに好ましくは50nm~500nmである。

 陰極の作製方法としては、真空蒸着法、� ��パッタリング法、金属薄膜を圧着するラミ� ��ート法などが用いられる。

<絶縁層>
 本発明の有機EL素子が任意に有しうる、膜� �2nm以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機� �を有するものである。上記絶縁層の材料と� �ては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶� �材料などが挙げられる。膜厚2nm以下の絶縁� �を設けた有機EL素子としては、陰極に隣接し て膜厚2nm以下の絶縁層を設けたもの、陽極に 隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けたものが 挙げられる。

 本発明の有機EL素子は面状光源、セグメ� �ト表示装置、ドットマトリックス表示装置� �液晶表示装置のバックライトとして用いる� �とができる。

9.製造方法
 次に、本発明の有機EL素子の好ましい製造� �法の例を、図1~図3を参照して説明する。図1� ��、本発明の有機EL素子の製造方法の一例に� �ける製造工程を示す断面図である。図2は、� ��1に示す製造工程に続く製造工程を示す断面 図である。図3は、本発明の有機EL素子の一例 の一部分の構成を示す断面図である。
 まず、図1に示す通り、基板111を準備して、 基板111の面上に第1電極層121を設ける。第1電� ��層121は、所望のパターンに従って設けるこ� ��ができる。
 次に、第1電極層121の少なくとも一部、好ま しくは全部を覆うように有機下地層141を設け る。図1に示す例においては、有機下地層は1� ��のみからなるが、2層以上の有機下地層を設 ける場合は、ここで2層以上の積層を行なう� �とができる。有機下地層141は、所望のパタ� �ンに従って形成することも可能であるが、� �ピンコートなどの方法で基板111及び第1電極� ��121の上に、有機下地層材料の組成物の塗膜� ��連続した一枚の塗膜として設け、その後必� ��に応じて有機下地層を設けない部分(例えば 図5に示す周辺領域111S)の層を除去し、さらに 必要に応じて塗膜を硬化させることにより、 容易に設けることができる。

 続いて、有機下地層141の上に、バンクを形� ��するためのフォトレジスト層131Aを設ける。
 次に、図2に示す通り、フォトレジスト層131 Aのうちの画素領域を形成する領域の部分を� �フォトリソグラフィなどにより取り除き、� �素領域132Rを規定するバンク131Bを形成する。

 さらに、図3に示す通り、バンク131Bによ� �規定された画素領域132R内に、有機発光層142� ��設ける。有機発光層142は、有機発光層の材� ��組成物の塗膜を画素領域内に設け、必要に� ��じて硬化させることで形成することができ� ��。材料組成物の塗膜を画素領域内に設ける� ��法としては、インクジェット法を好ましく� ��げることができる。また、単色表示の表示� ��子を構成する場合は、有機発光層の材料組� ��物をスピンコート法などで一面に設けるこ� ��もできる。

 有機発光層142を設けた後、その上に、所� ��のパターンに従って第2電極層122を設けるこ とで、基板-第1電極層-有機下地層-有機発光� �-第2電極層を有する積層物が得られる。これ にさらに必要に応じて封止部材及び画素の駆 動に必要な配線などの任意の構成要素を加え ることにより、有機EL素子を得ることができ� ��。