以下、本発明を詳細に説明するが、本発� ��は以下の説明に限定されるものではなく、� ��の要旨の範囲内において種々に変更して実� ��することができる。

[I.基本構成]
 本発明の有機電界発光素子は、基板と、前� ��基板上に設けられた陽極及び陰極と、前記� ��陽極と陰極との間に配置された複数の有機� ��とを備える。
 そして、複数の有機層のうち2層が、重合性 化合物を重合して形成される層(これを「第1� ��層」という。)、及び、重合反応開始剤を含 有する層(これを「第2の層」という。)であっ て、これらが隣接して設けられることを特徴 としている。

 〔I-1.重合性化合物〕
 本発明において「重合性化合物」とは、重� ��性基を有する有機化合物である。ここで「� ��合性基」とは、近傍に位置する他の分子の� ��一又は異なる基と反応して、新規な化学結� ��を生成する基のことをいう。例えば、熱及� ��/又は活性エネルギー線の照射により、ある いは、増感剤などの他分子からエネルギーを 受け取ることにより、近傍に位置する他の分 子の同一又は異なる基と反応して新規な化学 結合を生成する基が挙げられる。

 重合性化合物は、その構造によって、繰� ��返し単位を有するものと有しないものとに� ��けられる。本発明に係る重合性化合物は前� ��重合性基を有する化合物であればよく、特� ��制限があるものではない。中でも、高純度� ��が容易な点で繰り返し単位を有さない重合� ��化合物が好ましく、また、成膜性に優れる� ��で繰り返し単位を有する重合性化合物が好� ��しい。したがって、重合性化合物は、重合� ��基を有するモノマー(単量体)、並びにこれ� �のモノマーが重合してなるオリゴマー及び� �リマーのいずれであってもよい。なお、本� �細書では便宜上、「オリゴマー」とは重合� �が2から20程度の低重合体をいい、「ポリマ� �」とは重合度が20を超える高重合体をいうも のとする。

 重合性基としては、制限されるものではな� ��が、不飽和二重結合、環状エーテル、ベン� ��シクロブタン等を含む基が好ましい。
 中でも、重合性基としては、不溶化し易い� ��いう点から、下記重合性基群Tから選ばれる 基が好ましい。

・重合性基群T:

 上記式中、R ⁹¹ ~R ⁹⁵ は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を 表わす。
 Ar ⁹¹ は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基 又は置換基を有してもよい芳香族複素環基を 表わす。

 とりわけ、重合性基としては、電気化学� ��耐久性に優れるという点から、下記重合性� ��群T’から選ばれる基であることが好ましい 。

・重合性基群T’

 重合性化合物は、高純度化が容易な点、� ��び、性能のぶれを小さくできる点で、繰り� ��し単位を有さない重合性化合物であること� ��好ましい。また、成膜性が優れる点で、繰� ��返し単位を有する重合性化合物であること� ��好ましい。

 重合性化合物の具体例としては、トリアリ� ��ルアミン誘導体、カルバゾール誘導体、フ� ��オレン誘導体、2,4,6-トリフェニルピリジン� ��導体、C ₆₀ 誘導体、オリゴチオフェン誘導体、フタロシ アニン誘導体、ポルフィリン誘導体、縮合多 環芳香族誘導体、金属錯体誘導体等が挙げら れる。

 中でも、電気化学的安定性及び電荷輸送性� ��高いという理由から、下記式で表わされる� ��分構造と重合性基とを有する化合物が特に� ��ましい。

 特に好ましい重合性化合物のうち、繰り返� ��単位を有さないものの具体例としては、以� ��に示す構造の化合物が挙げられる。

 一方、特に好ましい重合性化合物のうち、� ��り返し単位を有するものの具体例としては� ��以下に示す構造の化合物が挙げられる。

 なお、重合性化合物は、何れか一種を単� ��で使用してもよく、二種以上を任意の比率� ��び組み合わせで併用してもよい。

 本発明に係る重合性化合物が繰り返し単位� ��有さない場合、重合性化合物の重量平均分� ��量は、通常300以上、好ましくは500以上、ま� ��、通常5000以下、好ましくは2500以下の範囲� �ある。繰り返し単位を有さない重合性化合� �の重量平均分子量が小さ過ぎると電荷輸送� �が低下する場合があり、大き過ぎると溶解� �が低下する場合がある。
 一方、本発明に係る重合性化合物が繰り返� ��単位を有する場合、重合性化合物の重量平� ��分子量は、通常500以上、好ましくは2000以上 、より好ましくは4000以上、また、通常2,000,00 0以下、好ましくは500,000以下、より好ましく� ��200,000以下の範囲である。繰り返し単位を有 する重合性化合物の重量平均分子量がこの下 限値を下回ると、重合性化合物の成膜性が低 下する可能性があり、また、重合性化合物の ガラス転移温度、融点および気化温度が低下 するため耐熱性が著しく損なわれる可能性が ある。また、重量平均分子量がこの上限値を 超えると、不純物の高分子量化によって重合 性化合物の精製が困難となる可能性がある。

 なお、この重量平均分子量はSEC(サイズ排 除クロマトグラフィー)測定により決定され� �。SEC測定では高分子量成分ほど溶出時間が� �く、低分子量成分ほど溶出時間が長くなる� �、分子量既知のポリスチレン(標準試料)の溶 出時間から算出した校正曲線を用いて、サン プルの溶出時間を分子量に換算することによ って、重量平均分子量及び数平均分子量が算 出される。

 〔I-2.重合反応開始剤〕
 本発明において「重合反応開始剤」とは、� ��又は光等の活性エネルギー線の照射により� ��解し、重合性化合物の重合反応の開始を促� ��する活性種のことをいう。重合反応開始剤� ��例を挙げると、カチオン、ラジカル、アニ� ��ン等を生成する化合物、光等の活性エネル� ��ー線の照射によって生成した励起エネルギ� ��を効率よく重合性化合物へと伝達する化合� ��などが挙げられる。

 重合反応開始剤としては、例えば、有機� ��酸化物、フェニルアルキルケトン、有機オ� ��ウム塩等が挙げられる。これらの中では、� ��機オニウム塩が好ましい。

 具体的に、有機過酸化物の例としては、� ��酸化アセチル、過酸化ベンゾイル、過酸化� ��ウロイル、過酸化t-ジブチル等が挙げられ� �。

 フェニルアルキルケトンの具体例として� ��、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ製 � �ルガキュア651、イルガキュア184、ダロキュ� �1173等が挙げられる。

 有機オニウム塩の例としては、有機ヨー� ��ニウム塩、有機スルホニウム塩等が挙げら� ��る。中でも、強い酸化力と高い溶解性とを� ��立する点から、下記式(I-1)~(I-3)で表わされ� �有機オニウム塩が特に好ましい。

 上記式(I-1)~(I-3)中、R ¹¹ 、R ²¹ 及びR ³¹ は、各々独立に、A ¹ ~A ³ と炭素原子で結合する有機基を表わす。R ¹² 、R ²² 、R ²³ 及びR ³² ~R ³⁴ は、各々独立に、任意の基を表わす。R ¹¹ ~R ³⁴ のうち隣接する2以上の基が、互いに結合し� �環を形成していてもよい。
 A ¹ ~A ³ は何れも周期表第3周期以降の元素であって� �A ¹ は長周期型周期表の第17族に属する元素を表� ��し、A ² は長周期型周期表の第16族に属する元素を表� ��し、A ³ は長周期型周期表の第15族に属する元素を表� ��す。
 Z ₁ ^n1- ~Z ₃ ^n3- は、各々独立に、対アニオンを表わす。
 n1~n3は、各々独立に、対アニオンのイオン� �を表わす。)

 上記式(I-1)~(I-3)中、R ¹¹ 、R ²¹ 及びR ³¹ は、各々独立に、A ¹ ~A ³ と炭素原子で結合する有機基を表わし、R ¹² 、R ²² 、R ²³ 及びR ³² ~R ³⁴ は、各々独立に、任意の置換基を表わす。R ¹¹ ~R ³⁴ のうち隣接する2以上の基が、互いに結合し� �環を形成していてもよい。

 R ¹¹ 、R ²¹ 及びR ³¹ としては、A ¹ ~A ³ との結合部分に炭素原子を有する有機基であ れば、本発明の趣旨に反しない限り、その種 類は特に制限されない。R ¹¹ 、R ²¹ 及びR ³¹ の分子量は、それぞれ、その置換基を含めた 値で、通常1000以下、好ましくは500以下の範� �である。R ¹¹ 、R ²¹ 及びR ³¹ の好ましい例としては、正電荷を非局在化さ せる点から、アルキル基、アルケニル基、ア ルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素 環基が挙げられる。中でも、正電荷を非局在 化させるとともに熱的に安定であることから 、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が好 ましい。

 芳香族炭化水素基としては、5又は6員環� �単環又は2~5縮合環由来の1価の基であり、正� ��荷を当該基上により非局在化させられる基� ��挙げられる。その具体例としては、ベンゼ� ��環、ナフタレン環、アントラセン環、フェ� ��ントレン環、ペリレン環、テトラセン環、� ��レン環、ベンズピレン環、クリセン環、ト� ��フェニレン環、アセナフテン環、フルオレ� ��環等の由来の一価の基が挙げられる。

 芳香族複素環基としては、5又は6員環の� �環又は2~4縮合環由来の1価の基であり、正電� ��を当該基上により非局在化させられる基が� ��げられる。その具体例としては、フラン環� ��ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチ� ��フェン環、ピロール環、ピラゾール環、ト� ��アゾール環、イミダゾール環、オキサジア� ��ール環、インドール環、カルバゾール環、� ��ロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環� ��ピロロピロール環、チエノピロール環、チ� ��ノチオフェン環、フロピロール環、フロフ� ��ン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサ� ��ール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾ� ��ミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、� ��リダジン環、ピリミジン環、トリアジン環� ��キノリン環、イソキノリン環、シノリン環� ��キノキサリン環、フェナントリジン環、ベ� ��ゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾ� ��ン環、キナゾリノン環、アズレン環等の由� ��の一価の基が挙げられる。

 アルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状� ��は環状のアルキル基であって、その炭素数� ��通常1以上、また、通常12以下、好ましくは6 以下のものが挙げられる。具体例としては、 メチル基、エチル基、n-プロピル基、2-プロ� �ル基、n-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチ� ��基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

 アルケニル基としては、炭素数が通常2以 上、通常12以下、好ましくは6以下のものが挙 げられる。具体例としては、ビニル基、アリ ル基、1-ブテニル基等が挙げられる。

 アルキニル基としては、炭素数が通常2以 上、通常12以下、好ましくは6以下のものが挙 げられる。具体例としては、エチニル基、プ ロパルギル基等が挙げられる。

 R ¹² 、R ²² 、R ²³ 及びR ³² ~R ³⁴ の種類は、本発明の趣旨に反しない限り特に 制限されない。R ¹² 、R ²² 、R ²³ 及びR ³² ~R ³⁴ の分子量は、それぞれ、その置換基を含めた 値で、通常1000以下、好ましくは500以下の範� �である。R ¹² 、R ²² 、R ²³ 及びR ³² ~R ³⁴ の例としては、アルキル基、アルケニル基、 アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複 素環基、アミノ基、アルコキシ基、アリーロ キシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基 、アリーロキシカルボニル基、アルキルカル ボニルオキシ基、アルキルチオ基、アリール チオ基、スルホニル基、アルキルスルホニル 基、アリールスルホニル基、シアノ基、水酸 基、チオール基、シリル基等が挙げられる。 中でも、R ¹¹ 、R ²¹ 及びR ³¹ と同様、電子受容性が大きい点から、A ¹ ~A ³ との結合部分に炭素原子を有する有機基が好 ましく、例としては、アルキル基、アルケニ ル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳 香族複素環基が好ましい。特に、電子受容性 が大きいとともに熱的に安定であることから 、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基が好 ましい。

 アルキル基、アルケニル基、アルキニル基� ��芳香族炭化水素基、芳香族複素環基として� ��、R ¹¹ 、R ²¹ 及びR ³¹ について先に説明したものと同様のものが挙 げられる。

 アミノ基としては、アルキルアミノ基、� ��リールアミノ基、アシルアミノ基等が挙げ� ��れる。

 アルキルアミノ基としては、炭素数が通� ��1以上、また、通常12以下、好ましくは6以下 のアルキル基を1つ以上有するアルキルアミ� �基が挙げられる。具体例としては、メチル� �ミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミ� �基、ジベンジルアミノ基等が挙げられる。

 アリールアミノ基としては、炭素数が通� ��3以上、好ましくは4以上、また、通常25以下 、好ましくは15以下の芳香族炭化水素基又は� ��香族複素環基を1つ以上有するアリールアミ ノ基が挙げられる。具体例としては、フェニ ルアミノ基、ジフェニルアミノ基、トリルア ミノ基、ピリジルアミノ基、チエニルアミノ 基等が挙げられる。

 アシルアミノ基としては、炭素数が通常2 以上、また、通常25以下、好ましくは15以下� �アシル基を1つ以上有するアシルアミノ基が� ��げられる。具体例としては、アセチルアミ� ��基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。

 アルコキシ基としては、炭素数が通常1以 上、また、通常12以下、好ましくは6以下のア ルコキシ基が挙げられる。具体例としては、 メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙 げられる。

 アリールオキシ基としては、炭素数が通� ��3以上、好ましくは4以上、また、通常25以下 、好ましくは15以下の芳香族炭化水素基又は� ��香族複素環基を有するアリールオキシ基が� ��げられる。具体例としては、フェニルオキ� ��基、ナフチルオキシ基、ピリジルオキシ基� ��チエニルオキシ基等が挙げられる。

 アシル基としては、炭素数が通常1以上、 また、通常25以下、好ましくは15以下のアシ� �基が挙げられる。具体例としては、ホルミ� �基、アセチル基、ベンゾイル基等が挙げら� �る。

 アルコキシカルボニル基としては、炭素� ��が通常2以上、また、通常10以下、好ましく� ��7以下のアルコキシカルボニル基が挙げられ る。具体例としては、メトキシカルボニル基 、エトキシカルボニル基等が挙げられる。

 アリールオキシカルボニル基としては、� ��素数が通常3以上、好ましくは4以上、また� �通常25以下、好ましくは15以下の芳香族炭化� ��素基又は芳香族複素環基を有するものが挙� ��られる。具体例としては、フェノキシカル� ��ニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が� ��げられる。

 アルキルカルボニルオキシ基としては、� ��素数が通常2以上、また、通常10以下、好ま� ��くは7以下のアルキルカルボニルオキシ基が 挙げられる。具体例としては、アセトキシ基 、トリフルオロアセトキシ基等が挙げられる 。

 アルキルチオ基としては、炭素数が通常1 以上、また、通常12以下、好ましくは6以下の アルキルチオ基が挙げられる。具体例として は、メチルチオ基、エチルチオ基等が挙げら れる。

 アリールチオ基としては、炭素数が通常3 以上、好ましくは4以上、また、通常25以下、 好ましくは14以下のアリールチオ基が挙げら� ��る。具体例としては、フェニルチオ基、ナ� ��チルチオ基、ピリジルチオ基等が挙げられ� ��。

 アルキルスルホニル基及びアリールスル� ��ニル基の具体例としては、メシル基、トシ� ��基等が挙げられる。

 スルホニルオキシ基の具体例としては、� ��シルオキシ基、トシルオキシ基等が挙げら� ��る。

 シリル基の具体例としては、トリメチル� ��リル基、トリフェニルシリル基など挙げら� ��る。

 以上、R ¹¹ 、R ²¹ 、R ³¹ 、R ¹² 、R ²² 、R ²³ 、及びR ³² ~R ³⁴ として例示した基は、本発明の趣旨に反しな い限りにおいて、更に他の置換基によって置 換されていてもよい。置換基の種類は特に制 限されないが、例としては、上記R ¹¹ 、R ²¹ 、R ³¹ 、R ¹² 、R ²² 、R ²³ 、及びR ³² ~R ³⁴ としてそれぞれ例示した基の他、ハロゲン原 子、シアノ基、チオシアノ基、ニトロ基等が 挙げられる。中でも、耐熱性及び電子受容性 の妨げにならない観点から、アルキル基、ア ルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、 アリールオキシ基、芳香族炭化水素基、芳香 族複素環基が好ましい。

 式(I-1)~(I-3)中、A ¹ ~A ³ は、何れも周期表第3周期以降(第3~第6周期)の 元素であって、A ¹ は、長周期型周期表の第17族に属する元素を� ��わし、A ² は、第16族に属する元素を表わし、A ³ は、第15族に属する元素を表わす。

 中でも、電子受容性及び入手容易性の観点� ��ら、周期表の第5周期以前(第3~第5周期)の元� ��が好ましい。即ち、A ¹ としてはヨウ素原子、臭素原子、塩素原子の うち何れかが好ましく、A ² としてはテルル原子、セレン原子、硫黄原子 のうち何れかが好ましく、A ³ としてはアンチモン原子、ヒ素原子、リン原 子のうち何れかが好ましい。

 特に、電子受容性、化合物の安定性の面か� ��、式(I-1)におけるA ¹ が臭素原子又はヨウ素原子である化合物、又 は、式(I-2)におけるA ² がセレン原子又は硫黄原子である化合物が好 ましく、中でも、式(I-1)におけるA ¹ がヨウ素原子である化合物が特に好ましい。

 式(I-1)~(I-3)中、Z ₁ ^n1- ~Z ₃ ^n3- は、各々独立に、対アニオンを表わす。対ア ニオンの種類は特に制限されず、単原子イオ ンであっても錯イオンであってもよい。但し 、対アニオンのサイズが大きいほど負電荷が 非局在化し、それに伴い正電荷も非局在化し て電子受容能が大きくなるため、単原子イオ ンよりも錯イオンの方が好ましい。

 n1~n3は、各々独立に、対アニオンZ ₁ ^n1- ~Z ₃ ^n3- のイオン価に相当する任意の正の整数である 。n1~n3の値は特に制限されないが、何れも1又 は2であることが好ましく、1であることが特� ��好ましい。

 Z ₁ ^n1- ~Z ₃ ^n3- の具体例としては、水酸化物イオン、フッ化 物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨ ウ化物イオン、シアン化物イオン、硝酸イオ ン、亜硝酸イオン、硫酸イオン、亜硫酸イオ ン、過塩素酸イオン、過臭素酸イオン、過ヨ ウ素酸イオン、塩素酸イオン、亜塩素酸イオ ン、次亜塩素酸イオン、リン酸イオン、亜リ ン酸イオン、次亜リン酸イオン、ホウ酸イオ ン、イソシアン酸イオン、水硫化物イオン、 テトラフルオロホウ酸イオン、ヘキサフルオ ロリン酸イオン、ヘキサクロロアンチモン酸 イオン;酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオ� �、安息香酸イオン等のカルボン酸イオン;メ� ��ンスルホン酸イオン、トリフルオロメタン� ��ルホン酸イオン等のスルホン酸イオン;メト キシイオン、t-ブトキシイオン等のアルコキ� ��イオンなどが挙げられる。

 特に、対アニオンZ ₁ ^n1- ~Z ₃ ^n3- としては、化合物の安定性、溶剤への溶解性 の点で、下記式(I-4)~(I-6)で表わされる錯イオ� ��が好ましく、サイズが大きいという点で、� ��電荷が非局在化し、それに伴い正電荷も非� ��在化して電子受容能が大きくなるため、下� ��式(I-6)で表わされる錯イオンが更に好まし� �。

 式(I-4)及び(I-6)中、E ¹ 及びE ³ は、各々独立に、長周期型周期表の第13族に� ��する元素を表わす。中でもホウ素原子、ア� ��ミニウム原子、ガリウム原子が好ましく、� ��合物の安定性、合成及び精製のし易さの点� ��ら、ホウ素原子が好ましい。

 式(I-5)中、E ² は、長周期型周期表の第15族に属する元素を� ��わす。中でもリン原子、ヒ素原子、アンチ� ��ン原子が好ましく、化合物の安定性、合成� ��び精製のし易さ、毒性の点から、リン原子� ��好ましい。

 式(I-4)及び(I-5)中、Xは、フッ素原子、塩� �原子、臭素原子などのハロゲン原子を表わ� �、化合物の安定性、合成及び精製のし易さ� �点からフッ素原子、塩素原子であることが� �ましく、フッ素原子であることが特に好ま� �い。

 式(I-6)中、Ar ⁶¹ ~Ar ⁶⁴ は、各々独立に、芳香族炭化水素基又は芳香 族複素環基を表わす。芳香族炭化水素基、芳 香族複素環基の例示としては、R ¹¹ 、R ²¹ 及びR ³¹ について先に例示したものと同様の、5又は6� ��環の単環又は2~4縮合環由来の1価の基が挙げ られる。中でも、化合物の安定性、耐熱性の 点から、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジ ン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジ ン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノ リン環等に由来の1価の基が好ましい。

 Ar ⁶¹ ~Ar ⁶⁴ として例示した芳香族炭化水素基、芳香族複 素環基は、本発明の趣旨に反しない限りにお いて、更に別の置換基によって置換されてい てもよい。置換基の種類は特に制限されず、 任意の置換基が適用可能であるが、電子吸引 性の基であることが好ましい。

 Ar ⁶¹ ~Ar ⁶⁴ が有してもよい置換基として好ましい電子吸 引性の基を例示するならば、フッ素原子、塩 素原子、臭素原子等のハロゲン原子;シアノ� �;チオシアノ基;ニトロ基;メシル基等のアル� �ルスルホニル基;トシル基等のアリールスル� ��ニル基;ホルミル基、アセチル基、ベンゾイ ル基等の、炭素数が通常1以上、通常12以下、 好ましくは6以下のアシル基;メトキシカルボ� ��ル基、エトキシカルボニル基等の、炭素数� ��通常2以上、通常10以下、好ましくは7以下の アルコキシカルボニル基;フェノキシカルボ� �ル基、ピリジルオキシカルボニル基等の、� �素数が通常3以上、好ましくは4以上、通常25� ��下、好ましくは15以下の芳香族炭化水素基� �は芳香族複素環基を有するアリールオキシ� �ルボニル基;アミノカルボニル基;アミノスル ホニル基;トリフルオロメチル基、ペンタフ� �オロエチル基等の、炭素数が通常1以上、通� ��10以下、好ましくは6以下の直鎖状、分岐鎖� ��又は環状のアルキル基にフッ素原子、塩素� ��子などのハロゲン原子が置換したハロアル� ��ル基、などが挙げられる。

 中でも、Ar ⁶¹ ~Ar ⁶⁴ のうち少なくとも1つの基が、フッ素原子又� �塩素原子を置換基として1つ又は2つ以上有す ることがより好ましい。特に、負電荷を効率 よく非局在化する点、及び、適度な昇華性を 有する点から、Ar ⁶¹ ~Ar ⁶⁴ の水素原子がすべてフッ素原子で置換された パーフルオロアリール基であることが特に好 ましい。パーフルオロアリール基の具体例と しては、ペンタフルオロフェニル基、ヘプタ フルオロ-2-ナフチル基、テトラフルオロ-4-ピ リジル基等が挙げられる。

 式(I-4)~(I-6)で表わされる錯イオンの分子� �は、通常100以上、好ましくは300以上、更に� �ましくは400以上、また、通常5000以下、好ま� ��くは3000以下、更に好ましくは2000以下の範� �である。該化合物の分子量が小さ過ぎると� �正電荷及び負電荷の非局在化が不十分なた� �、電子受容能が低下する場合があり、また� �該化合物の分子量が大き過ぎると、該化合� �自体が電荷輸送の妨げとなる場合がある。

 以下に式(I-4)~(I-6)で表わされる錯イオン� �具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定� �れるものではない。

 なお、重合反応開始剤は、何れか一種を� ��独で使用してもよく、二種以上を任意の比� ��及び組み合わせで併用してもよい。

 重合反応開始剤の分子量は、通常100以上� ��好ましくは200以上、また、通常10000以下、� �ましくは3000以下の範囲である。重合反応開� ��剤の分子量が小さ過ぎると塗膜形成時の揮� ��性が高過ぎる場合があり、大き過ぎると溶� ��への溶解性が低くなる場合がある。

 〔I-3.有機層〕
 本発明において「有機層」とは、有機化合� ��を含有する層をいう。
 本発明の有機電界発光素子において、有機� ��とは、陽極及び陰極の間に配置される各層� ��いう。
 本発明の有機電界発光素子における有機層� ��例としては、正孔注入層、正孔輸送層、発� ��層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層� ��が挙げられる。

 これらの有機層のうち、重合性化合物を重� ��して形成される層(第1の層。重合層に相当� �る)、及び、重合反応開始剤を含有する層(第 2の層)に相当する層は、隣接して構成される� ��層であれば、制限されるものではなく、何� ��の層であってもよい。
 これらの有機層のうち隣接する二層を第1の 層及び第2の層として形成することにより、� �電流通電時の駆動電圧の上昇や通電時の輝� �の低下が少なく、駆動寿命に優れた有機電� �発光素子を得ることができる。

 第1の層には重合反応開始剤を含まないこ とが好ましい。前記の本発明の利点をより安 定して得るようにするためである。なお、第 1の層の形成に用いる組成物が重合反応開始� �を含んでいない場合、第1の層も重合反応開� ��剤を含んでいないものとする(後述する正孔 輸送層用組成物成膜工程を参照。)

 但し、重合反応開始剤が発光層に与える� ��響を低減し、上述した定電流通電時の駆動� ��圧の上昇防止や通電時の輝度の低下防止、� ��動寿命の延長等の効果を顕著に得る観点か� ��は、第2の層は、発光層からできるだけ離れ た位置に存在することが好ましい。

 具体的には、図2に模式的に示すように、第 2の層3が第1の層4を挟んで発光層5と反対側に� ��在すること、即ち、発光層5、第1の層4、第2 の層3がこの順に配置されることが好ましい� �この場合、発光層5と第1の層4とは隣接して� �てもよいが、発光層5と第1の層4との間に、� �意の一又は二以上の層(図示せず)が介在して いてもよい。
 特に、第1の層4が正孔輸送層であり、第2の� ��3が正孔注入層であることが好ましい。

 ところで、このように第2の層3が第1の層( 重合層)4に対して発光層5とは反対側で隣接し ている層(以下、「隣接層」ということがあ� �)となっている場合、後述のように定義され� ��比QB/QAは、0.5未満であることが好ましく、0. 2以下であることがより好ましい。この上限� �を超えると、第1の層4を形成する際に進行す る重合反応、もしくは、第1の層の成膜時に� �なうベークによって第2の層3から第1の層4に� ��動してくる重合反応開始剤が有機電界発光� ��子の特性に大きな影響を与え、その影響を� ��視できなくなる可能性があるからである。� ��お、前記の比QB/QAの下限は、理想的には0で� ��る。

 ここで、QAとは、XPS法により算出した第2� ��層3の第1の層側表面部3sに含まれる重合反応 開始剤以外の成分の分子数に対する、XPS法に より算出した第2の層3の第1の層側表面部3sに� ��まれる重合反応開始剤の分子数の割合(%)の� ��とをいう。また、QBとは、XPS法により算出� �た第1の層4の発光層側表面4sに含まれる重合� ��応開始剤以外の成分の分子数に対する、XPS� ��により算出した第1の層4の発光層側表面部4s に含まれる重合反応開始剤の分子数の割合(%) のことをいう。したがって、前記の比QB/QAは� ��前記の割合QAに対する割合QBの比のことをい う。

 前記のQA及びQBは、以下の測定方法により測 定できる。
 [QA及びQBの測定方法]
 ・サンプルの用意
 QAの測定に用いるサンプルとしては、測定� �対象となる有機電界発光素子の隣接層を形� �するための材料(通常は組成物。湿式成膜法� ��形成する場合は塗布液ともいう)を用意し、 この材料を有機電界発光素子の製造方法と同 様にして(例えば、25mm×37.5mmのITO基板上に30nm� ��厚さで)成膜し、得られた層をQA測定用サン� ��ルとしてQAを測定する。
 また、QBの測定に用いるサンプルとしては� �測定の対象となる有機電界発光素子の重合� �を形成するための材料(通常は組成物。湿式� ��膜法で形成する場合は塗布液ともいう)を用 意し、この材料を有機電界発光素子の製造方 法と同様にして前記のQA測定用サンプルの上� ��(例えば、20nmの厚さで)成膜し、得られた層� ��QB測定用サンプルとしてQBを測定する。

 ・XPS法による測定
 XPS法による測定に際しては、例えばULVAC-PHI� ��製の走査型X線光電子分光装置QUANTUM2000を用� ��ることができる。X線源としてはモノクロメ ータを通したAlのKα線(エネルギー 1486.6eV)を� ��いることができる。QUANTUM2000では、X線の入� ��方向に対する検出器の方向が45°であるため 、試料表面からの光電子の取り出し角度は45� �となる。XPS測定試料ホルダーに取り付ける� �めに、試料基板の中央部は10mm四方程度に裁� ��する。試料を試料ホルダーにセットする際� ��試料ホルダーへは、帯電を軽減するために� ��1~2mmφの穴の開いたモリブデン製マスクで押 さえるようにセットする。測定領域は上記の 穴の中央部とし、300μm四方の領域について測 定を行う。

 解析にはULVAC-PHI社製multipak ver8.0を用い、 各元素の最も強いピークの面積を感度補正係 数で除することで各元素の原子数に比例した 量を求め、この値を用いてQA、およびQBを計� �する。QA、およびQBは、(各層表面部の重合反 応開始剤の分子数)/(各層表面部の重合反応開 始剤以外の成分の分子数)を示す。QA、及びQB� ��、各層表面をXPS法によって測定した場合に� ��ける、2種以上の原子に由来するピーク面積 から下記に例示する手法により算出すること ができる。ここで、算出に用いる原子の種類 としては、一つが少なくとも重合反応開始剤 に含まれる原子を選択し、他の一つが少なく とも重合反応開始剤以外の成分(母材)に含ま� ��る原子を選択することにより、通常の手法� ��よりQA、QBを算出可能である。また、ここで 重合反応開始剤以外の成分(母材)として繰り� ��し単位を有する化合物の場合は、繰り返し� ��位の分子量(繰り返し単位を複数含む場合は 、それらの平均分子量)を母材の分子量とし� �算出する。こうするほうが、各層表面部の� �合反応開始剤以外の成分の重合性基の数当� �りの、各層表面部の重合反応開始剤以外の� �分の分子数に対応した数値を表すことがで� �るからである。

 例えば、炭素とフッ素の最も強い光電子ピ� ��クの強度をそれぞれIC、IFとし、それぞれの 感度係数をSC、SFとすれば、炭素とフッ素の� �子数比Qは
  Q = (IC/SC)/(IF/SF)
と計算される。計算された原子数の比と、層 の中に含まれる重合反応開始剤および母材の 分子構造とから、当該層の表面における重合 反応開始剤と母材の分子数の比を求めること ができる。

 ・測定の具体例
 以下、XPS法による重合反応開始剤の測定の� ��として、下記化合物CBP及び化合物F4TCNQから� ��る膜を挙げて説明する。前記の要領でXPS法� ��より測定された炭素原子とフッ素原子との� ��ーク強度比が仮にC:F=12:1であれば、この膜� �表面に存在する化合物CBP及び化合物F4TCNQの� �は化合物F4TCNQ:化合物CBP=1:1ということになり 、この場合の化合物F4TCNQの存在比を100%と定� �する。仮にC:F=21:1であれば化合物F4TCNQ:化合� �CBP=1:2ということになり、化合物F4TCNQの存在� ��は50%ということになる。

 なお、第1の層は、重合性化合物由来の成 分(重合性化合物を重合させてなる化合物を� �い、例えば、重合性化合物を重合させてな� �重合体をいう)の他に、その他の成分を含有� ��ていてもよい。その他の成分の種類は制限� ��れず、通常は第1の層の機能に応じて適宜選 択される。なお、第1の層はその他の成分と� �て、何れか一種を単独で含有してもよく、� �種以上を任意の組み合わせ及び比率で含有� �ていてもよい。

 第1の層が重合性化合物由来の成分以外に その他の成分を含有する場合、第1の層にお� �るその他の成分の含有率は、第1の層の機能� ��よっても異なるが、一般的には、通常0.001� �量%以上、好ましくは0.01重量%以上、また、� �常50重量%以下、好ましくは10重量%以下の範� �である。その他の成分の含有率が少な過ぎ� �と、その他の成分の使用による効果が発現� �ない場合があり、多過ぎると、重合性化合� �由来の成分の機能を阻害する場合がある。

 また、第2の層も、重合反応開始剤に加え て、その他の成分を含有していてもよい。そ の他の成分の種類は制限されず、通常は第2� �層の機能に応じて適宜選択される。なお、� �2の層はその他の成分として、何れか一種を� ��独で含有してもよく、二種以上を任意の組� ��合わせ及び比率で含有していてもよい。

 第2の層における重合反応開始剤の含有率 は、第2の層の機能によっても異なるが、一� �的には、通常0.1重量%以上、好ましくは1重量 %以上、また、通常50重量%以下、好ましくは30 重量%以下の範囲である。重合反応開始剤の� �有率が少な過ぎると、第1の層の形成時にお� ��る重合反応が十分に進行しない場合があり� ��多過ぎると、第2の層の本来の機能を阻害す る場合がある。

 なお、本発明の有機電界発光素子を構成� ��る基板、陽極、陰極、及び各有機層(正孔注 入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電 子輸送層、電子注入層等)の詳細については� �述する。

 〔I-4.本発明の効果が得られる理由〕
 本発明の有機電界発光素子が上述の効果を� ��する理由は定かではないが、以下のように� ��測される。

 上述の従来技術文献のうち、特許文献1で は、エポキシ樹脂の硬化剤として2級アミン� �用いており、非特許文献1では、オキセタン� ��の重合反応開始剤として有機ヨードニウム� ��を使用している。これらの文献に記載の方� ��により製造された有機電界発光素子は、有� ��層に硬化剤又は重合反応開始剤が残留して� ��り、特に発光層及び/又は発光層に隣接する 層に含有される硬化剤や重合反応開始剤、或 いはこれらの硬化剤や重合反応開始剤が通電 時に分解することによって発生した生成物が 、発光層の主成分たる化合物と反応すること により、有機電界発光を消光し、結果として 通電時の輝度安定性が低い、いわゆる駆動寿 命の短い素子となるものと考えられる。

 これに対して、本発明の有機電界発光素� ��では、重合反応開始剤が、重合性化合物を� ��合して形成される層(第1の層)ではなく、こ� ��に隣接する層(第2の層)に含有されている。� ��うした構成により、重合性化合物を重合し� ��形成される層に重合反応開始剤を含有させ� ��場合と類似した効果が得られる。その結果� ��定電流通電時の駆動電圧の上昇や通電時の� ��度の低下が少なく、駆動寿命に優れた有機� ��界発光素子が得られるものと推測される。

 また、本発明の有機電界発光素子の好ま� ��い構成においては、重合反応開始剤が発光� ��に近い層(第1の層、正孔輸送層)ではなく、� ��光層から離れた層(第2の層、正孔注入層)に� ��有されている。その結果、発光層への重合� ��応開始剤の溶解若しくは物質移動により、� ��機電界発光素子の特性や寿命に悪影響を及� ��す活性種(例えばラジカル種)等の発生を抑� �ることができ、その結果、上述した定電流� �電時の駆動電圧の上昇防止や通電時の輝度� �低下防止、駆動寿命の延長等の効果がより� �著に得られるものと推測される。

 〔I-5.有機デバイス〕
 なお、本発明の有機電界発光素子が有する� ��述の構成は、有機電界発光素子以外の有機� ��バイスにも適用することが可能である。

 本発明において「有機デバイス」とは、外� ��から供給されたエネルギーを、他のエネル� ��ー及び/又は有効な仕事に変換する機能を持 つ構造体であり、主たる機能を発現する部分 が有機物により構成されているものをいう。
 有機デバイスの例としては、有機電界発光� ��子、有機トランジスタ、有機太陽電池、有� ��発光トランジスタ、有機磁性デバイス、有� ��ダイオード、有機アクチュエーター(モータ ー等)、有機センサー(圧力、温度、湿度セン� ��ー等)等が挙げられる。

 以下、本発明の有機電界発光素子が有する� ��述の構成を適用した有機デバイス、即ち、� ��数の有機層を備えるとともに、複数の有機� ��のうち2層が、重合性化合物を重合して形成 される層(第1の層)、及び、重合反応開始剤を 含有する層(第2の層)であって、これらが隣接 して設けられた有機デバイスを、「本発明の 有機デバイス」という。
 なお、本発明の有機デバイスは通常、上述� ��た本発明の有機電界発光素子と同様に、前� ��複数の有機層の他に、基板と、基板上に設� ��られた陽極及び陰極とを備え、前記の陽極� ��陰極との間に前記複数の有機層が配置され� ��構成を有する。

 〔I-6.有機デバイスの製造方法〕
 本発明の有機デバイスを製造する方法は特� ��制限されないが、少なくとも以下の工程(1)~ (3)を備えた方法(これを以下「本発明の製造� �法」という。)により製造することが好まし� ��。
(1)重合反応開始剤を含有する組成物を成膜し て、第2の層を形成する工程(以下適宜「正孔� ��入層用組成物成膜工程」という。)。
(2)重合性化合物を含有する組成物を成膜して 、重合性化合物を含有する層を形成する工程 (以下適宜「正孔輸送層用組成物成膜工程」� �いう。)。
(3)重合性化合物を重合させて、第1の層を形� �する工程(以下適宜「重合工程」という。)。

 本発明の製造方法における、上記工程(1)~ (3)の詳細(例えば、(1)正孔注入層用組成物成� �工程における、重合反応開始剤を含有する� �成物の組成や成膜の手法、(2)正孔輸送層用� �成物成膜工程における、重合性化合物を含� �する組成物の組成や成膜の手法、(3)重合工� �における、重合性化合物の重合の手法等)は� ��限されず、任意である。

 また、本発明の製造方法は、上記工程(1)~(3) に加えて、一又は二以上のその他の工程を備 えていてもよい。その他の工程の実施時期は 任意である。
 本発明の製造方法における、上記工程(1)~(3) の詳細や、その他の工程の有無や詳細につい ては、製造対象となる本発明の有機デバイス に応じて適宜選択すればよい。

 本発明の製造方法を有機デバイスの製造� ��用いることにより、主たる機能を発現する� ��(第1の層及び/又は第2の層)の化学的安定性� �向上した有機デバイスを、容易に且つ効率� �に製造することが可能となる。

 但し、本発明の製造方法は、有機デバイ� ��の中でも特に、有機電界発光素子の製造に� ��いることが好ましく、具体的には、第1の層 が正孔輸送層であり、第2の層が正孔注入層� �あることが特に好ましい。これにより、定� �流通電時の駆動電圧の上昇や通電時の輝度� �低下が少なく、駆動寿命に優れた有機電界� �光素子を得ることが可能となる。

[II.実施形態]
 以下、本発明の有機デバイス及び本発明の� ��造方法の詳細について、有機電界発光素子� ��例にとって具体的に説明する。

 〔II-1.有機電界発光素子の構成〕
 図1は、本発明の一実施形態に係る有機電界 発光素子の層構成を模式的に示す断面図であ る。図1に示す有機電界発光素子100は、基板1� ��上に、陽極2、正孔注入層3、正孔輸送層4、� ��機発光層5、正孔阻止層6、電子注入層7及び� ��極8を、この順に積層することにより構成さ れる。
 本実施形態の場合、正孔輸送層4が、重合性 化合物を重合して形成される層(第1の層、重� ��層)に該当し、正孔注入層3が、重合反応開� �剤を含有する層(第2の層、隣接層)に該当す� �ことになる。

 〔II-2.基板〕
 基板1は、有機電界発光素子100の支持体とな るものである。
 基板1の材料は制限されないが、例としては 、石英、ガラス、金属、プラスチック等が挙 げられる。これらの材料は何れか一種を単独 で用いてもよく、二種以上を任意の組み合わ せ及び比率で併用してもよい。
 基板1の形状も制限されないが、例としては 、板、シート、フィルム、箔等、或いはこれ らの二種以上を組み合わせた形状等が挙げら れる。
 中でも、基板1としては、ガラス板や、ポリ エステル、ポリメタクリレート、ポリカーボ ネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の 板が好ましい。

 なお、基板1の材料として合成樹脂を使用 する場合には、ガスバリア性に留意すること が望ましい。基板1のガスバリア性が低過ぎ� �と、基板1を通過した外気により、有機電界� ��光素子100が劣化する場合がある。よって、� ��成樹脂からなる基板1の少なくとも片面に、 緻密なシリコーン酸化膜等を設けてガスバリ ア性を確保する、等の手法を講じることが好 ましい。

 基板1の厚さは制限されないが、通常1μm� �上、好ましくは50μm以上、また、通常50mm以� �、好ましくは3mm以下の範囲が望ましい。基� �1が薄過ぎると機械的強度が低くなる場合が� ��り、厚過ぎると素子の重量が増加し過ぎる� ��合がある。

 なお、基板1は単一の層からなる構成とし てもよいが、複数の層が積層された構成とし てもよい。後者の場合、複数の層は同一の材 料からなる層であってもよいが、異なる材料 からなる層であってもよい。

 〔II-3.陽極〕
 基板1の上には、陽極2が形成される。
 陽極2は、後述する有機発光層5側の層(正孔� ��入層3又は有機発光層5等)への正孔注入の役� ��を果たすものである。

 陽極2の材料は、導電性を有する材料であれ ば任意であるが、例としては、アルミニウム 、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の 金属、インジウム及び/又はスズの酸化物等� �金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属� �カーボンブラック、或いは、ポリ(3-メチル� �オフェン)、ポリピロール、ポリアニリン等� ��導電性高分子等が挙げられる。
 これらの陽極2の材料は、何れか一種を単独 で用いてもよく、二種以上を任意の組み合わ せ及び比率で併用してもよい。

 陽極2を形成する手法は制限されないが、 通常はスパッタリング法、真空蒸着法等が用 いられる。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化 銅等の金属ハロゲン化物の微粒子、カーボン ブラック等の炭素材料の微粒子、導電性金属 酸化物の微粒子、導電性高分子の微粉末等の 材料を用いる場合には、これらの材料を適当 なバインダー樹脂溶液に分散させ、基板1上� �塗布することにより、陽極2を形成すること� ��できる。

 更に、導電性高分子を材料として用いる� ��合は、電解重合により基板1上に直接、薄膜 を形成したり、基板1上に導電性高分子を塗� �したりする等の手法により、陽極2を形成す� ��こともできる(Applied Physics Letters,1992年,Vol.6 0,pp.2711参照)。

 陽極2の厚みは、陽極2に求められる透明性� �より異なる。
 陽極2に透明性が求められる場合は、陽極2� �よる可視光の透過率を、通常60%以上、好ま� �くは80%以上とすることが望ましい。この場� �、陽極2の厚みは、通常5nm以上、好ましくは1 0nm以上、また、通常1000nm以下、好ましくは500 nm以下の範囲が望ましい。陽極2が薄過ぎると 電気抵抗が大きくなる場合があり、厚過ぎる と透明性が低下する場合がある。

 一方、陽極2が不透明でよい場合、例えば 、陽極2が基板1を兼ねる場合、陽極2の厚さは 基板1と同様、通常1μm以上、好ましくは50μm� �上、また、通常50mm以下、好ましくは30mm以下 の範囲が望ましい。陽極2が薄過ぎると機械� �強度が低くなる場合があり、厚過ぎると素� �の重量が増加し過ぎる場合がある。

 なお、陽極2は単一の層からなる構成として もよいが、複数の層が積層された構成として もよい。後者の場合、複数の層は同一の材料 からなる層であってもよいが、異なる材料か らなる層であってもよい。
 更には、陽極2を上述の基板1と一体に形成� �、陽極2が基板1を兼ねる構成としてもよい。

 なお、陽極2の形成後、陽極2に付着した� �純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調� �して正孔注入性を向上させることを目的と� �て、陽極2表面に対して、紫外線(UV)処理、オ ゾン処理、プラズマ処理(例えば酸素プラズ� �処理、アルゴンプラズマ処理等)等の処理を� ��なうことが好ましい。

 〔II-4.正孔注入層〕
 陽極2の上には、正孔注入層3が形成される� �
 正孔注入層3は、陽極2から有機発光層5へ正� ��を輸送する層である。本実施形態において� ��、正孔注入層3は、重合反応開始剤を含有す る層(第2の層、隣接層)に該当する。

 正孔注入層3は、上述の重合反応開始剤を 含有するとともに、通常は電子受容性化合物 、正孔輸送剤等を含有する。

 正孔輸送剤(以下「正孔輸送性化合物」と 言う場合がある。)は、従来、有機EL素子にお ける正孔注入・輸送性の薄膜形成材料として 利用されてきた各種の化合物の中から、適宜 選択することが可能である。中でも、溶剤溶 解性の高いものが好ましい。

 なお、正孔輸送性化合物は、4.5eV以上5.5eV以 下のイオン化ポテンシャルを有する化合物で あることが好ましい。なお、イオン化ポテン シャルは、物質のHOMO(最高被占分子軌道)レベ ルにある電子を真空準位に放出するのに必要 なエネルギーで定義され、光電子分光法で直 接測定されるか、電気化学的に測定した酸化 電位を基準電極に対して補正しても求められ る。後者の方法の場合は、例えば、飽和甘コ ウ電極(SCE)を基準電極として用いたとき、下� ��式で表される(“Molecular Semiconductors”, Sprin ger-Verlag, 1985年, pp.98)。
    イオン化ポテンシャル = 酸化電位(vs.S CE)+4.3eV

 正孔輸送性化合物は、低分子化合物であ� ��ても高分子化合物であってもよいが、高分� ��化合物であることが好ましい。

 正孔輸送性化合物の例としては、芳香族� ��ミン化合物、フタロシアニン誘導体、ポル� ��ィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体等� ��挙げられる。中でも、非晶質性、溶剤への� ��解度、可視光の透過率の点から、芳香族ア� ��ン化合物が好ましい。

 芳香族アミン化合物の中でも、正孔輸送� ��化合物としては、特に芳香族三級アミン化� ��物が好ましい。なお、ここでいう芳香族三� ��アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造� ��有する化合物であって、芳香族三級アミン� ��来の基を有する化合物も含む。

 芳香族アミン化合物の種類は制限されず� ��低分子化合物であっても高分子化合物であ� ��てもよいが、表面平滑化効果の点から、重� ��平均分子量が1000以上、100万以下の高分子化 合物であることが好ましい。

 高分子の芳香族アミン化合物(以下「芳香 族アミン高分子化合物」と言う場合がある。 )の好ましい例としては、下記式(I)で表わさ� �る繰り返し単位を有する芳香族三級アミン� �分子化合物が挙げられる。

(式(I)中、Ar ¹ 及びAr ² は各々独立して、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基、又は、置換基を有してい てもよい芳香族複素環基を表わす。Ar ³ ~Ar ⁵ は各々独立して、置換基を有していてもよい 2価の芳香族炭化水素基、又は、置換基を有� �ていてもよい2価の芳香族複素環基を表わす� ��Xは、下記の連結基群X1の中から選ばれる連� ��基を表わす。)

・連結基群X1:

(式中、Ar ¹¹ ~Ar ²⁸ は各々独立して、置換基を有していてもよい 芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わ す。R ¹ 及びR ² は各々独立して、水素原子又は任意の置換基 を表わす。)

 前記式(I)において、Ar ¹ ~Ar ⁵ 及びAr ¹¹ ~Ar ²⁸ としては、任意の芳香族炭化水素環又は芳香 族複素環由来の、1価又は2価の基が適用可能� ��ある。即ち、Ar ¹ 、Ar ² 、Ar ¹⁶ 、Ar ²¹ 及びAr ²⁶ は、それぞれ1価の基が適用可能であり、Ar ³ ~Ar ⁵ 、Ar ¹¹ ~Ar ¹⁵ 、Ar ¹⁷ ~Ar ²⁰ 、Ar ²² ~Ar ²⁵ 、Ar ²⁷ 及びAr ²⁸ は、それぞれ2価の基が適用可能である。こ� �らは各々同一であっても、互いに異なって� �てもよい。また、任意の置換基を有してい� �もよい。

 前記の芳香族炭化水素環としては、例え� ��、5又は6員環の単環又は2~5縮合環が挙げら� �る。その具体例としては、ベンゼン環、ナ� �タレン環、アントラセン環、フェナントレ� �環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環� �ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニ� �ン環、アセナフテン環、フルオランテン環� �フルオレン環などが挙げられる。

 前記の芳香族複素環としては、例えば、5 又は6員環の単環又は2~4縮合環が挙げられる� �その具体例としては、フラン環、ベンゾフ� �ン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環� �ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール� �、オキサジアゾール環、インドール環、カ� �バゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロ� �ピラゾール環、ピロロピロール環、チエノ� �ロール環、チエノチオフェン環、フロピロ� �ル環、フロフラン環、チエノフラン環、ベ� �ゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾ� �ル環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環� �ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環� �トリアジン環、キノリン環、イソキノリン� �、シノリン環、キノキサリン環、フェナン� �リジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミ� �ン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、ア� �レン環などが挙げられる。

 また、Ar ³ ~Ar ⁵ 、Ar ¹¹ ~Ar ¹⁵ 、Ar ¹⁷ ~Ar ²⁰ 、Ar ²² ~Ar ²⁵ 、Ar ²⁷ 、Ar ²⁸ としては、上に例示した1種類又は2種類以上� ��芳香族炭化水素環及び/又は芳香族複素環由 来の2価の基を2つ以上連結して用いることも� ��きる。

 また、Ar ¹ ~Ar ⁵ 及びAr ¹¹ ~Ar ²⁸ の芳香族炭化水素環及び/又は芳香族複素環� �来の基は、本発明の趣旨に反しない限りに� �いて、更に置換基を有していてもよい。置� �基の分子量としては、通常400以下、中でも25 0以下程度が好ましい。置換基の種類は特に� �限されないが、例としては、下記の置換基� �Wから選ばれる1種又は2種以上が挙げられる� �なお、置換基は、1個が単独で置換していて� ��よく、2個以上が任意の組み合わせ及び比率 で置換していてもよい。

[置換基群W]
 メチル基、エチル基等の、炭素数が通常1以 上、通常10以下、好ましくは8以下のアルキル 基;ビニル基等の、炭素数が通常2以上、通常1 1以下、好ましくは5以下のアルケニル基;エチ ニル基等の、炭素数が通常2以上、通常11以下 、好ましくは5以下のアルキニル基;メトキシ� ��、エトキシ基等の、炭素数が通常1以上、通 常10以下、好ましくは6以下のアルコキシ基;� �ェノキシ基、ナフトキシ基、ピリジルオキ� �基等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以 上、通常25以下、好ましくは14以下のアリー� �オキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシ� ��ルボニル基等の、炭素数が通常2以上、通常 11以下、好ましくは7以下のアルコキシカルボ ニル基;ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ� �等の、炭素数が通常2以上、通常20以下、好� �しくは12以下のジアルキルアミノ基;ジフェ� �ルアミノ基、ジトリルアミノ基、N-カルバゾ リル基等の、炭素数が通常10以上、好ましく� ��12以上、通常30以下、好ましくは22以下のジ� ��リールアミノ基;フェニルメチルアミノ基等 の、炭素数が通常6以上、好ましくは7以上、� ��常25以下、好ましくは17以下のアリールアル キルアミノ基;アセチル基、ベンゾイル基等� �、炭素数が通常2以上、通常10以下、好まし� �は7以下のアシル基;フッ素原子、塩素原子等 のハロゲン原子;トリフルオロメチル基等の� �炭素数が通常1以上、通常8以下、好ましくは 4以下のハロアルキル基;メチルチオ基、エチ� ��チオ基等の、炭素数が通常1以上、通常10以� ��、好ましくは6以下のアルキルチオ基;フェ� �ルチオ基、ナフチルチオ基、ピリジルチオ� �等の、炭素数が通常4以上、好ましくは5以上 、通常25以下、好ましくは14以下のアリール� �オ基;トリメチルシリル基、トリフェニルシ� ��ル基等の、炭素数が通常2以上、好ましくは 3以上、通常33以下、好ましくは26以下のシリ� ��基;トリメチルシロキシ基、トリフェニルシ ロキシ基等の、炭素数が通常2以上、好まし� �は3以上、通常33以下、好ましくは26以下のシ ロキシ基;シアノ基;フェニル基、ナフチル基� ��の、炭素数が通常6以上、通常30以下、好ま� ��くは18以下の芳香族炭化水素環基;チエニル� ��、ピリジル基等の、炭素数が通常3以上、好 ましくは4以上、通常28以下、好ましくは17以� ��の芳香族複素環基。

 上述した基の中でも、Ar ¹ 及びAr ² としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、 正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナ フタレン環、フェナントレン環、チオフェン 環、ピリジン環由来の1価の基が好ましく、� �ェニル基、ナフチル基が更に好ましい。

 また、上述したものの中でも、Ar ³ ~Ar ⁵ としては、耐熱性、酸化還元電位を含めた正 孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフ タレン環、アントラセン環、フェナントレン 環由来の2価の基が好ましく、フェニレン基� �ビフェニレン基、ナフチレン基が更に好ま� �い。

 前記式(I)において、R ¹ 及びR ² としては、水素原子又は任意の置換基が適用 可能である。これらは互いに同一であっても よく、異なっていてもよい。置換基の種類は 、本発明の趣旨に反しない限り特に制限され ないが、適用可能な置換基を例示するならば 、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基 、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳 香族炭化水素基、芳香族複素環基が挙げられ る。これらの具体例としては、先に置換基群 Wにおいて例示した各基が挙げられる。

 正孔注入層の材料として用いられる芳香� ��三級アミン高分子化合物の重量平均分子量� ��本発明の効果を著しく損なわない限り任意� ��あるが、通常1000以上、好ましくは2000以上� �より好ましくは3000以上、また、通常50万以� �、好ましくは20万以下、より好ましくは10万� ��下である。

 正孔注入層3中の芳香族三級アミン高分子 化合物の割合は、本発明の効果を著しく損な わない限り任意であるが、正孔注入層3全体� �対する重量比の値で、通常10重量%以上、好� �しくは30重量%以上、また、通常99.9重量%以下 、好ましくは99重量%以下である。なお、2種� �上のポリマーを併用する場合には、これら� �合計の含有量が上記範囲に含まれるように� �ることが好ましい。

 一方、低分子の芳香族三級アミン化合物( 以下「芳香族三級アミン低分子化合物」と言 う場合がある。)のうち、正孔輸送性化合物� �して好ましい具体例としては、下記式(III)で 表わされるビナフチル系化合物が挙げられる 。

 式(III)中、Ar ⁵¹ ~Ar ⁵⁸ は各々独立に、置換基を有していてもよい芳 香族炭化水素基、又は置換基を有していても よい芳香族複素環基を表わす。Ar ⁵¹ とAr ⁵² 、Ar ⁵⁵ とAr ⁵⁶ は、各々結合して環を形成していてもよい。 Ar ⁵¹ ~Ar ⁵⁸ の具体例、好ましい例、有していてもよい置 換基の例及び好ましい置換基の例は、それぞ れ、Ar ¹ ~Ar ⁵ について先に例示したものと同様である。

 u及びvは、各々独立に、0以上、4以下の整数 を表わす。但し、u+v≧1である。特に好まし� �のは、u=1かつv=1である。
 Q ¹ 及びQ ² は各々独立に、直接結合又は2価の連結基を� �わす。

 式(III)中のナフタレン環は、-(Q ¹ NAr ⁵³ Ar ⁵⁷ (NAr ⁵¹ Ar ⁵² ))及び-(Q ² NAr ⁵⁴ Ar ⁵⁸ (NAr ⁵⁵ Ar ⁵⁶ ))に加えて、任意の置換基を有していてもよ� ��。また、これらの置換基-(Q ¹ NAr ⁵³ Ar ⁵⁷ (NAr ⁵¹ Ar ⁵² )及び-(Q ² NAr ⁵⁴ Ar ⁵⁸ (NAr ⁵⁵ Ar ⁵⁶ )は、ナフタレン環の何れの位置に置換して� �てもよいが、中でも、式(III)におけるナフタ レン環の、各々4-位、4’-位に置換したビナ� �チル系化合物がより好ましい。

 また、式(III)で表わされる化合物におけ� �ビナフチレン構造は、2,2’-位に置換基を有� ��ることが好ましい。2,2’-位に結合する置換 基としては、置換基を有していてもよいアル キル基、置換基を有していてもよいアルコキ シ基、置換基を有していてもよいアルケニル 基、置換基を有していてもよいアルコキシカ ルボニル基等が挙げられる。

 なお、式(III)で表わされる化合物におい� �、ビナフチレン構造は2,2’-位以外に任意の� ��換基を有していてもよく、該置換基として� ��、例えば、2,2’-位における置換基として前 掲した各基等が挙げられる。式(III)で表わさ� ��る化合物は、2-位及び2’-位に置換基を有す ることにより、2つのナフタレン環がねじれ� �配置になるため、溶解性が向上すると考え� �れる。

 式(III)で表わされるビナフチル系化合物� �分子量は、通常500以上、好ましくは700以上� �また、通常2000以下、好ましくは1200以下の範 囲である。

 以下に、本発明において正孔輸送性化合� ��として適用可能な、式(III)で表わされるビ� �フチル系化合物の好ましい具体例を挙げる� �、本発明で適用可能なビナフチル系化合物� �これらに限定されるものではない。

 その他、本発明における正孔輸送性化合� ��として適用可能な芳香族アミン化合物とし� ��は、有機EL素子における正孔注入・輸送性� �層形成材料として利用されてきた、従来公� �の化合物が挙げられる。例えば、1,1-ビス(4-� ��-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン等 の第3芳香族アミンユニットを連結した芳香� �ジアミン化合物(特開昭59-194393号公報);4,4’-� ��ス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェ� �ルで代表される2個以上の3級アミンを含み2� �以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した� �香族アミン(特開平5-234681号公報);トリフェニ ルベンゼンの誘導体でスターバースト構造を 有する芳香族トリアミン(米国特許第4923774号� ��細書);N,N’-ジフェニル-N,N’-ビス(3-メチル� �ェニル)ビフェニル-4,4’-ジアミン等の芳香� �ジアミン(米国特許第4764625号明細書);α,α,α� �,α’-テトラメチル-α,α’-ビス(4-ジ-p-トリル アミノフェニル)-p-キシレン(特開平3-269084号� �報);分子全体として立体的に非対称なトリフ ェニルアミン誘導体(特開平4-129271号公報);ピ� ��ニル基に芳香族ジアミノ基が複数個置換し� ��化合物(特開平4-175395号公報);エチレン基で3� ��芳香族アミンユニットを連結した芳香族ジ� ��ミン(特開平4-264189号公報);スチリル構造を� �する芳香族ジアミン(特開平4-290851号公報);チ オフェン基で芳香族3級アミンユニットを連� �したもの(特開平4-304466号公報);スターバース ト型芳香族トリアミン(特開平4-308688号公報);� ��ンジルフェニル化合物(特開平4-364153号公報) ;フルオレン基で3級アミンを連結したもの(特 開平5-25473号公報);トリアミン化合物(特開平5- 239455号公報);ビスジピリジルアミノビフェニ� ��(特開平5-320634号公報);N,N,N-トリフェニルア� �ン誘導体(特開平6-1972号公報);フェノキサジ� �構造を有する芳香族ジアミン(特開平7-138562� �公報);ジアミノフェニルフェナントリジン誘 導体(特開平7-252474号公報);ヒドラゾン化合物( 特開平2-311591号公報);シラザン化合物(米国特� ��第4950950号明細書);シラナミン誘導体(特開平 6-49079号公報);ホスファミン誘導体(特開平6-256 59号公報);キナクリドン化合物等が挙げられ� �。これらの芳香族アミン化合物は、必要に� �じて2種以上を混合して用いてもよい。

 また、本発明における正孔輸送性化合物� ��して適用可能な芳香族アミン化合物のその� ��の具体例としては、ジアリールアミノ基を� ��する8-ヒドロキシキノリン誘導体の金属錯� �が挙げられる。上記の金属錯体は、中心金� �がアルカリ金属、アルカリ土類金属、Sc、Y� �V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd、Al、Ga、In、 Si、Ge、Sn、Sm、Eu、Tbの何れかから選ばれ、配 位子である8-ヒドロキシキノリンはジアリー� ��アミノ基を置換基として1つ以上有するが、 ジアリールアミノ基以外に任意の置換基を有 することがある。

 また、本発明における正孔輸送性化合物� ��して適用可能なフタロシアニン誘導体又は� ��ルフィリン誘導体の好ましい具体例として� ��、ポルフィリン、5,10,15,20-テトラフェニル-2 1H,23H-ポルフィリン、5,10,15,20-テトラフェニル -21H,23H-ポルフィリンコバルト(II)、5,10,15,20-テ トラフェニル-21H,23H-ポルフィリン銅(II)、5,10, 15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィリン亜鉛 (II)、5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィ リンバナジウム(IV)オキシド、5,10,15,20-テトラ (4-ピリジル)-21H,23H-ポルフィリン、29H,31H-フタ ロシアニン銅(II)、フタロシアニン亜鉛(II)、� ��タロシアニンチタン、フタロシアニンオキ� ��ドマグネシウム、フタロシアニン鉛、フタ� ��シアニン銅(II)、4,4’,4’’,4’’’-テトラ� ��ザ-29H,31H-フタロシアニン等が挙げられる。

 また、本発明における正孔輸送性化合物� ��して適用可能なオリゴチオフェン誘導体の� ��ましい具体例としては、α-セキシチオフェ� ��等が挙げられる。

 なお、正孔輸送性化合物として適用可能� ��芳香族アミン化合物(上述した芳香族三級ア ミン高分子化合物及び式(III)で表わされるビ� ��フチル系化合物を除く。)、フタロシアニン 誘導体、ポルフィリン誘導体、及びオリゴチ オフェン誘導体の分子量は、通常200以上、好 ましくは400以上、より好ましくは600以上、ま た、通常5000以下、好ましくは3000以下、より� ��ましくは2000以下、更に好ましくは1700以下� �特に好ましくは1400以下の範囲である。分子� ��が小さ過ぎると耐熱性が低くなる傾向があ� ��一方で、正孔輸送性化合物の分子量が大き� ��ぎると合成及び精製が困難となる傾向があ� ��。

 正孔注入層3は、上述の各種の正孔輸送性 化合物(正孔輸送剤)のうち何れか一種を単独� ��含有していてもよく、二種以上を任意の組� ��合わせ及び比率で含有していてもよい。

 正孔注入層3における正孔輸送剤の含有率 は、通常0.1重量%以上、好ましくは1重量%以上 、また、通常99.9重量%以下、好ましくは90重� �%以下の範囲である。

 重合反応開始剤の詳細や具体例、好適な例� ��については上述した通りである。
 重合反応開始剤は、何れか一種を単独で用� ��てもよく、二種以上を任意の組み合わせ及� ��比率で併用してもよい。

 正孔注入層3における重合反応開始剤の含有 率は、通常0.1重量%以上、好ましくは1重量%以 上、また、通常50重量%以下、好ましくは30重� ��%以下の範囲である。重合反応開始剤の含有 率が少な過ぎると、隣接する層(通常は正孔� �送層4)の重合反応が十分に進行しない場合が あり、多過ぎると、正孔輸送性化合物の正孔 輸送能力を阻害する場合がある。
 また、正孔輸送剤に対する重合反応開始剤� ��比率は、通常0.01重量%以上、好ましくは0.1� �量%以上、また、通常100重量%以下、好ましく は60重量%以下の範囲が望ましい。

 電子受容性化合物の例としては、オニウ� ��塩、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン� ��金属、ルイス酸、有機酸、アリールアミン� ��ハロゲン化金属との塩、及び、アリールア� ��ンとルイス酸との塩等が挙げられる。これ� ��の電子受容性化合物は、正孔注入性材料と� ��合して用いられ、正孔注入性材料を酸化す� ��ことにより正孔注入層の導電率を向上させ� ��ことができる。

 オニウム塩の例としては、重合反応開始� ��の例として上述した各種の有機オニウム塩� ��挙げられる。

 トリアリールホウ素化合物の例としては� ��下記一般式(IV)で表わされるホウ素化合物が 挙げられる。下記一般式(IV)で表わされるホ� �素化合物は、ルイス酸であることが好まし� �。また、このホウ素化合物の電子親和力は� �通常4eV以上、好ましくは5eV以上である。

 一般式(IV)において、Ar ¹ ~Ar ³ は、各々独立に、置換基を有することがある フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビ フェニル基等の5又は6員環の単環、又はこれ� ��が2~3個縮合及び/又は直接結合してなる芳香 族炭化水素環基;或いは置換基を有していて� �よいチエニル基、ピリジル基、トリアジル� �、ピラジル基、キノキサリル基等の5員又は6 員環の単環、又はこれらが2~3個縮合及び/又� �直接結合してなる芳香族複素環基を表わす� �

 Ar ¹ ~Ar ³ が有していてもよい置換基の例としては、ハ ロゲン原子;アルキル基;アルケニル基;アルコ キシカルボニル基;アルコキシ基;アリールオ� ��シ基;アシル基;ハロアルキル基;シアノ基等� ��挙げられる。

 特に、Ar ¹ ~Ar ³ の少なくとも1つが、ハメット定数(σ _m 及び/又はσ _p )が正の値を示す置換基であることが好まし� �、Ar ¹ ~Ar ³ が、何れもハメット定数(σ _m 及び/又はσ _p )が正の値を示す置換基であることが特に好� �しい。このような、電子吸引性の置換基を� �することにより、これらの化合物の電子受� �性が向上する。また、Ar ¹ ~Ar ³ が何れも、ハロゲン原子で置換された芳香族 炭化水素基又は芳香族複素環基であることが 更に好ましい。

 一般式(IV)で表わされるホウ素化合物の好 ましい具体例としては、下記の式6-1~式6-17で� ��わされる化合物が挙げられる。但し、一般� ��(IV)で表わされるホウ素化合物は、下記の式 6-1~式6-17で表わされる化合物に限定されるも� ��ではない。

 中でも、以下に示す化合物が特に好まし� ��。

 上述の電子受容性化合物は、何れか一種� ��単独で用いてもよく、二種以上を任意の組� ��合わせ及び比率で併用してもよい。

 正孔輸送剤に対する電子受容性化合物の� ��率は、通常0.1重量%以上、好ましくは1重量%� ��上、また、通常100重量%以下、好ましくは60� ��量%以下の範囲が望ましい。

 なお、重合反応開始剤及び電子受容性化合� ��として、それぞれ別の異なる化合物を用い� ��もよいが、重合反応開始剤及び電子受容性� ��合物の機能を兼ね備えた化合物を用いても� ��い。
 重合反応開始剤及び電子受容性化合物の機� ��を兼ね備えた化合物を用いることにより、� ��合反応開始剤及び電子受容性化合物として� ��れぞれ別の異なる化合物を用いる場合と比� ��て、正孔輸送剤に対する重合反応開始剤及� ��電子受容性化合物の比率をより多くするこ� ��が可能となる。
 また、後述のように溶剤を用いて正孔注入� ��3を形成する場合でも、重合反応開始剤と電 子受容性化合物の双方について個別に溶解性 を検討する必要がなく、溶剤の選定が容易に なる。

 重合反応開始剤及び電子受容性化合物の機� ��を兼ね備えた化合物の例としては、有機オ� ��ウム塩等が挙げられる。なお、これらは何� ��か一種を単独で用いてもよく、二種以上を� ��意の組み合わせ及び比率で併用してもよい� ��
 また、重合反応開始剤及び電子受容性化合� ��の機能を兼ね備えた一種又は二種以上の化� ��物と、一種又は二種以上の重合反応開始剤� ��及び/又は、一種又は二種以上の電子受容性 化合物とを併用することも可能である。

 正孔注入層3は、正孔注入層3を構成する成� �(重合反応開始剤、電子受容性化合物、正孔� ��送剤等)を含有する組成物(以下適宜「正孔� �入層用組成物」という場合がある。)を成膜� ��ることにより形成される。
 即ち、正孔注入層3を形成する工程は、上述 の(1)正孔注入層用組成物成膜工程に該当する 。

 正孔注入層用組成物は、正孔注入層3の構 成成分である、重合反応開始剤、電子受容性 化合物及び正孔輸送剤を含有するとともに、 通常は溶剤を含有する。

 溶剤としては、正孔注入層用組成物中の� ��成分を良好に溶解でき、且つ、これらの成� ��と好ましからぬ化学反応を生じないもので� ��れば、その種類に制限はない。中でも、重� ��反応開始剤から生じるフリーキャリア(カチ オンラジカル)を失活させる可能性のある失� �物質又は失活物質を発生させるものを含ま� �い溶剤が好ましい。

 好ましい溶剤の例としては、エーテル系溶� ��及びエステル系溶剤が挙げられる。
 エーテル系溶剤の具体例としては、エチレ� ��グリコールジメチルエーテル、エチレング� ��コールジエチルエーテル、プロピレングリ� ��ール-1-モノメチルエーテルアセタート(Propyl eneglycol-1-monomethylether acetate:以下適宜「PGMEA」 と略する。)等の脂肪族エーテル;1,2-ジメトキ シベンゼン、1,3-ジメトキシベンゼン、アニ� �ール、フェネトール、2-メトキシトルエン、 3-メトキシトルエン、4-メトキシトルエン、2, 3-ジメチルアニソール、2,4-ジメチルアニソー ル等の芳香族エーテルなどが挙げられる。こ れらのエーテル系溶剤は何れか一種を単独で 用いてもよく、二種以上を任意の組み合わせ 及び比率で用いてもよい。

 エステル系溶剤の具体例としては、酢酸エ� ��ル、酢酸n-ブチル、乳酸エチル、乳酸n-ブチ ル等の脂肪族エステル;酢酸フェニル、プロ� �オン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香� �エチル、安息香酸プロピル、安息香酸n-ブチ ル等の芳香族エステルなどが挙げられる。こ れらのエステル系溶剤は、何れか一種を単独 で用いてもよく、二種以上を任意の組み合わ せ及び比率で用いてもよい。
 また、一種又は二種以上のエーテル系溶剤� ��、一種又は二種以上のエステル系溶剤とを� ��任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

 また、上述のエーテル系溶剤及びエステ� ��系溶剤以外に使用可能な溶剤としては、例� ��ば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳� ��族炭化水素系溶剤;N,N-ジメチルホルムアミ� �、N,N-ジメチルアセトアミド等のアミド系溶� ��;ジメチルスルホキシド等が挙げられる。こ れらは何れか一種を単独で用いてもよく、二 種以上を任意の組み合わせ及び比率で用いて もよい。また、これらの溶剤のうち一種又は 二種以上を、上述のエーテル系溶剤及びエス テル系溶剤のうち一種又は二種以上と組み合 わせて用いてもよい。特に、ベンゼン、トル エン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤は 、酸化剤とポリマーを溶解する能力が低いた め、エーテル系溶剤及びエステル系溶剤と混 合して用いることが好ましい。

 正孔注入層用組成物における溶剤の含有� ��は、通常1重量%以上、好ましくは70重量%以� �、また、通常99.999重量%以下、好ましくは99� �量%以下の範囲が望ましい。

 正孔注入層用組成物における正孔輸送剤� ��含有率は、通常0.001重量%以上、好ましくは0 .1重量%以上、また、通常99重量%以下、好まし くは20重量%以下の範囲が望ましい。

 正孔注入層用組成物における重合反応開� ��剤の含有率は、通常0.00001重量%以上、好ま� �くは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量%� �上、また、通常50重量%以下、好ましくは5重� ��%以下、より好ましくは1重量%以下の範囲が� ��ましい。

 正孔注入層用組成物における電子受容性� ��合物の含有率は、通常0.00001重量%以上、好� �しくは0.01重量%以上、より好ましくは0.1重量 %以上、また、通常50重量%以下、通常5重量%以 下、より好ましくは1重量%以下の範囲が望ま� ��い。

 更に、正孔注入層用組成物は、その他の� ��分を含有していてもよい。その他の成分の� ��としては、レベリング剤、消泡剤等が挙げ� ��れる。

 レベリング剤の例としては、シリコーン� ��界面活性剤、フッ素系界面活性剤等が挙げ� ��れる。レベリング剤は、何れか一種を単独� ��用いてもよく、二種以上を任意の組み合わ� ��及び比率で併用してもよい。

 正孔注入層用組成物中におけるレベリン� ��剤の含有率は、通常0.0001重量%以上、好まし くは0.001重量%以上、また、通常1重量%以下、� ��ましくは0.1重量%以下の範囲である。レベリ ング剤の含有率が少な過ぎるとレベリング不 良となる場合があり、多過ぎると膜の電気特 性を阻害する場合がある。

 消泡剤の例としては、シリコーンオイル� ��脂肪酸エステル、リン酸エステル等が挙げ� ��れる。消泡剤は、何れか一種を単独で用い� ��もよく、二種以上を任意の組み合わせ及び� ��率で併用してもよい。

 正孔注入層用組成物中における消泡剤の� ��有率は、通常0.0001重量%以上、好ましくは0.0 01重量%以上、また、通常1重量%以下、好まし� ��は0.1重量%以下の範囲である。消泡剤の含有 率が少な過ぎると消泡効果がなくなる場合が あり、多過ぎると膜の電気特性を阻害する場 合がある。

 上述の各成分を混合して正孔注入層用組成� ��を調製した後、これを上述の陽極2上に成膜 する。
 成膜の手法は制限されないが、通常は湿式� ��膜法が用いられる。湿式成膜法の種類は制� ��されないが、正孔注入層用組成物の成分や� ��地となる陽極2の性質等に応じて、スピンコ ート法、スプレー法等の塗布法や、インクジ ェット法、スクリーン法等の印刷法等を任意 に選択して用いることが可能である。

 湿式成膜法により成膜を行なった場合、成� ��後に乾燥処理等を行なう。
 乾燥処理の手法は特に制限されないが、例� ��しては自然乾燥、加熱乾燥、減圧乾燥等が� ��げられる。また、加熱乾燥と減圧乾燥とを� ��み合わせて実施してもよい。

 加熱乾燥を行なう場合、その手法の例とし� ��は、ホットプレート、オーブン、赤外線照� ��、電波照射等が挙げられる。
 加熱乾燥を行なう場合、加熱温度としては� ��通常は室温以上、好ましくは50℃以上、ま� �、通常300℃以下、好ましくは260℃以下の範� �が望ましい。なお、加熱乾燥時の温度は一� �でもよいが、変動してもよい。

 減圧乾燥を行なう場合、乾燥時の圧力とし� ��は、通常は常圧以下、好ましくは10kPa以下� �より好ましくは1kPa以下の範囲が望ましい。
 乾燥処理の時間は、通常1秒以上、好ましく は10秒以上、より好ましくは30秒以上、また� �通常100時間以下、好ましくは24時間以下、よ り好ましくは3時間以下の範囲が望ましい。

 正孔注入層3の厚さは制限されないが、通 常1nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常10 00nm以下、好ましくは500nm以下の範囲が望まし い。正孔注入層3が薄過ぎると正孔注入性が� �十分となる場合があり、厚過ぎると抵抗が� �くなる場合がある。

 なお、正孔注入層3は単一の層からなる構 成としてもよいが、複数の層が積層された構 成としてもよい。後者の場合、複数の層は同 一の材料からなる層であってもよいが、異な る材料からなる層であってもよい。

 〔II-5.正孔輸送層〕
 正孔注入層3の上には、正孔輸送層4が形成� �れる。
 正孔輸送層4は、陽極2、正孔注入層3の順に� ��入された正孔を有機発光層5に注入する機能 を有すると共に、発光層5から電子が陽極2側� ��注入されることによる発光効率の低下を抑� ��する機能を有する。本実施形態において、� ��孔輸送層4は、重合性化合物を重合して形成 される層(第1の層、重合層)に該当する。

 正孔輸送層4は、正孔輸送層4の原料となる� �合性化合物を含有する組成物(以下適宜「正� ��輸送層用組成物」という場合がある。)を成 膜し、更に、この重合性化合物を重合させる ことにより形成される。
 即ち、正孔輸送層4を形成する工程は、上述 の(2)正孔輸送層用組成物成膜工程及び(3)重合 工程に該当する。

 正孔輸送層用組成物は、正孔輸送層4の原 料成分である、重合性化合物を含有するとと もに、通常は溶剤を含有する。

 重合性化合物の詳細や具体例、好適な例等� ��ついては上述した通りである。
 重合性化合物は、何れか一種を単独で用い� ��もよく、二種以上を任意の組み合わせ及び� ��率で併用してもよい。

 溶剤としては、正孔輸送層用組成物中の各� ��分を良好に溶解でき、且つ、これらの成分� ��好ましからぬ化学反応を生じないものであ� ��ば、その種類に制限はない。例としては、� ��ルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘ� ��シルベンゼン等の芳香族化合物;1,2-ジクロ� �エタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼ ン等の含ハロゲン溶剤;エチレングリコール� �メチルエーテル、エチレングリコールジエ� �ルエーテル、プロピレングリコール-1-モノ� �チルエーテルアセタート(PGMEA)等の脂肪族エ� ��テル、1,2-ジメトキシベンゼン、1,3-ジメト� �シベンゼン、アニソール、フェネトール、2- メトキシトルエン、3-メトキシトルエン、4-� �トキシトルエン、2,3-ジメチルアニソール、2 ,4-ジメチルアニソール等の芳香族エーテル等 のエーテル系溶剤;酢酸エチル、酢酸n-ブチル 、乳酸エチル、乳酸n-ブチル等の脂肪族エス� ��ル;酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、 安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸 イソプロピル、安息香酸プロピル、安息香酸 n-ブチル等のエステル系溶剤等の有機溶剤等� ��挙げられる。中でもトルエン、キシレン、� ��チシレン、シクロヘキシルベンゼン等が好� ��しい。
 これらの溶剤は、何れか一種を単独で用い� ��もよく、二種以上を任意の組み合わせ及び� ��率で併用してもよい。

 正孔輸送層用組成物中における溶剤の含有� ��は、通常1重量%以上、好ましくは20重量%以� �、また、通常99.999重量%以下、好ましくは70� �量%以下の範囲が望ましい。
 正孔輸送層用組成物中における正孔輸送剤� ��含有率は、通常0.01重量%以上、好ましくは0. 05重量%以上、より好ましくは0.1重量%以上、� �た、通常50重量%以下、好ましくは20重量%以� �、より好ましくは10重量%以下の範囲が望ま� �い。

 更に、正孔輸送層用組成物は、その他の成� ��を含有していてもよい。
 その他の成分の例としては、電子受容性化� ��物や正孔輸送層4の溶解性を低下させ、正孔 輸送層4上へ他の層を塗布することを可能と� �る重合反応を促進するための添加物等が挙� �られる。
 重合反応を促進する添加物の例としては、� ��ルキルフェノン化合物、アシルホスフィン� ��キサイド化合物、メタロセン化合物、オキ� ��ムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム� ��などの重合反応開始剤や重合促進剤、縮合� ��環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリ� ��ルケトン化合物などの光増感剤等が挙げら� ��る。
 これらの添加物は、何れか一種を単独で用� ��てもよく、二種以上を任意の組み合わせ及� ��比率で併用してもよい。
 ただし、正孔輸送層を第1の層として有機電 界発光素子を作製する場合、定電流通電時の 駆動電圧の上昇や通電時の輝度の低下を防止 し、優れた駆動寿命を得る点から、正孔輸送 用組成物は重合反応開始剤を含まないことが 好ましい。

 上述の各成分を混合して正孔輸送層用組成� ��を調製した後、これを上述の正孔注入層3上 に成膜する。
 成膜の手法は制限されないが、通常は湿式� ��膜法が用いられる。湿式成膜法の種類は制� ��されないが、正孔輸送層用組成物の成分や� ��地となる正孔注入層3の性質等に応じて、ス ピンコート法、スプレー法等の塗布法や、イ ンクジェット法、スクリーン法等の印刷法等 を任意に選択して用いることが可能である。

 正孔輸送層用組成物を正孔注入層3上に成 膜した後、重合性化合物を重合させ、正孔輸 送層4を形成する。重合性化合物を重合させ� �ことにより、重合性化合物が重合反応を起� �し、反応後の膜(正孔輸送層4)の溶解性が低� �する。これによって、正孔輸送層4の上に引� ��続き有機発光層5を形成した場合にも、形成 された正孔輸送層4が有機発光層用組成物(後� ��)に溶解しないようになる。

 重合性化合物を重合させる手法としては� ��成膜された正孔輸送層用組成物(これを以下 「正孔輸送層用組成物膜」という。)を加熱� �る手法、正孔輸送層用組成物膜に活性エネ� �ギー線を照射する手法が挙げられる。

 加熱により重合を行なう場合、加熱の手法� ��制限されないが、例としてはホットプレー� ��、オーブン、赤外線照射、マイクロ波照射� ��が挙げられる。これらの手法は、何れか一� ��を単独で用いてもよく、二種以上を任意の� ��み合わせで併用してもよい。
 加熱温度は、通常は室温以上、好ましくは5 0℃以上、また、通常300℃以下、好ましくは26 0℃以下の範囲が望ましい。なお、加熱時に� �ける温度は一定であってもよいが、変動し� �もよい。
 加熱時間は通常1秒以上、好ましくは10秒以� ��、より好ましくは30秒以上、また、通常100� �間以下、好ましくは24時間以下、より好まし くは3時間以下の範囲が望ましい。

 一方、活性エネルギー線の照射により重合� ��行なう場合、活性エネルギー線としては、� ��外線、電子線(主として光励起により重合反 応開始剤を分解し重合反応を誘起する)、赤� �線、マイクロ波(主として加熱により重合反� ��開始剤を分解し、かつ重合反応速度を増加� ��せる)等が挙げられる。これらの活性エネル ギー線は、何れか一種を単独で用いてもよく 、二種以上を任意の組み合わせで併用しても よい。
 活性エネルギー線を照射する手法としては� ��超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロ� ��ンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤� ��光源を直接用いて照射する方法、あるいは� ��述の光源を内蔵するマスクアライナ、コン� ��ア型光照射装置を用いて照射する方法、マ� ��ネトロンにより発生させたマイクロ波を照� ��する装置、いわゆる電子レンジを用いて照� ��する方法等が挙げられる。

 活性エネルギー線の照射量は、正孔輸送層� ��組成物膜表面における積算エネルギー換算� ��、通常1mJ/cm ² 以上、好ましくは10mJ/cm ² 以上、また、通常100J/cm ² 以下、好ましくは30J/cm ² 以下の範囲が望ましい。
 活性エネルギー線の照射時間としては、上� ��の照射量となるように適宜設定すればよい� ��、通常0.1秒以上、好ましくは1秒以上、また 、通常10時間以下、好ましくは1時間以下の範 囲が望ましい。

 上述の加熱及び活性エネルギー線の照射は� ��正孔注入層3が含有する重合反応開始剤及び 正孔輸送層用組成物が含有する重合性化合物 の種類に応じて、適宜選択すればよい。
 なお、加熱又は活性エネルギー線の照射を� ��独で実施してもよく、加熱と活性エネルギ� ��線の照射とを組み合わせて実施してもよい� ��
 また、活性エネルギー線の照射を行なう場� ��には、一種の活性エネルギー線を単独で照� ��してもよく、二種以上の活性エネルギー線� ��同時に、或いは個別に照射してもよい。

 重合工程時の圧力は制限されないが、通常� ��常圧下或いは減圧下で行なわれる。
 重合工程時の雰囲気も制限されないが、通� ��は大気中、或いは窒素等の不活性雰囲気中� ��行なわれる。中でも、得られる正孔輸送層4 の内部に含有される水分及び/又は表面に吸� �する水分の量を低減するために、窒素ガス� �囲気等の水分を含まない雰囲気で行なうこ� �が好ましい。同様の目的で、加熱及び/又は� ��性エネルギー線の照射を組み合わせて複数� ��程により行なう場合には、少なくとも有機� ��光層5の形成直前の工程を窒素ガス雰囲気等 の水分を含まない雰囲気で行なうことが特に 好ましい。

 重合工程の実施後、残留溶剤低減のため、� ��に乾燥処理を行なってもよい。
 乾燥処理を行なう場合、その手法は制限さ� ��ないが、例としては自然乾燥、加熱乾燥、� ��圧乾燥等が挙げられる。また、加熱乾燥と� ��圧乾燥とを組み合わせて実施してもよい。
 加熱乾燥を行なう場合、その手法の例とし� ��は、ホットプレート、オーブン、赤外線照� ��、電波照射等が挙げられる。

 加熱乾燥を行なう場合、加熱温度としては� ��通常は室温以上、好ましくは50℃以上、ま� �、通常300℃以下、好ましくは260℃以下の範� �が望ましい。なお、加熱乾燥時の温度は一� �でもよいが、変動してもよい。
 減圧乾燥を行なう場合、乾燥時の圧力とし� ��は、通常は常圧以下、好ましくは10kPa以下� �より好ましくは1kPa以下の範囲が望ましい。
 乾燥処理の時間は、通常1秒以上、好ましく は10秒以上、より好ましくは30秒以上、また� �通常100時間以下、好ましくは24時間以下、よ り好ましくは3時間以下の範囲が望ましい。

 正孔輸送層4の厚さは制限されないが、通 常5nm以上、好ましくは10nm以上、また、通常10 00nm以下、好ましくは500nm以下の範囲が望まし い。正孔輸送層4が薄過ぎると素子の発光効� �が低下する場合があり、厚過ぎると素子電� �が高くなる場合がある。

 なお、正孔輸送層4は単一の層からなる構 成としてもよいが、複数の層が積層された構 成としてもよい。後者の場合、複数の層は同 一の材料からなる層であってもよいが、異な る材料からなる層であってもよい。

 〔II-6.有機発光層〕
 正孔輸送層4の上には、有機発光層5が形成� �れる。
 有機発光層5は、電界を与えられた電極間に おいて、陽極2から正孔注入層3及び正孔輸送� ��4を通じて注入された正孔と、陰極8から電� �注入層7、正孔阻止層6を通じて注入された電 子との再結合により励起されて、主たる発光 源となる層である。

 有機発光層5は、少なくとも、発光の性質 を有する材料(発光材料)を含有するとともに� ��好ましくは、正孔輸送の性質を有する材料( 正孔輸送性化合物)、或いは、電子輸送の性� �を有する材料(電子輸送性化合物)とを含有す る。更に、有機発光層5は、本発明の趣旨を� �脱しない範囲で、その他の成分を含有して� �てもよい。これらの材料としては、後述の� �うに湿式成膜法で有機発光層5を形成する観� ��から、何れも低分子系の材料を使用するこ� ��が好ましい。

 発光材料としては、任意の公知の材料を� ��用可能である。例えば、蛍光発光材料であ� ��てもよく、燐光発光材料であってもよいが� ��内部量子効率の観点から、好ましくは燐光� ��光材料である。

 なお、溶剤への溶解性を向上させる目的� ��、発光材料の分子の対称性や剛性を低下さ� ��たり、或いはアルキル基などの親油性置換� ��を導入したりすることも、好ましい。

 青色発光を与える蛍光色素としては、例� ��ば、ペリレン、ピレン、アントラセン、ク� ��リン、p-ビス(2-フェニルエテニル)ベンゼン� ��びそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍� ��色素としては、例えば、キナクリドン誘導� ��、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍� ��色素としては、例えば、ルブレン、ペリミ� ��ン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素と� ��ては、例えば、DCM(4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-( p-dimethylaminostyryl)-4H-pyran)系化合物、ベンゾピ� ��ン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオ� ��サンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテ� ��等が挙げられる。

 燐光発光材料としては、例えば、長周期� ��周期表(以下、特に断り書きの無い限り「周 期表」という場合には、長周期型周期表を指 すものとする。)第7~11族から選ばれる金属を� ��む有機金属錯体が挙げられる。

 燐光性有機金属錯体に含まれる、周期表� ��7~11族から選ばれる金属として、好ましくは 、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、 レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、 金等が挙げられる。これらの有機金属錯体と して、好ましくは下記式(VI)又は式(VII)で表わ される化合物が挙げられる。

            ML _(q-j) L″ _j     (VI)
(式(VI)中、Mは金属を表わし、qは上記金属の� �数を表わす。また、L及びL″は二座配位子を 表わす。jは0、1又は2の数を表わす。)

(式(VII)中、M ⁷ は金属を表わし、Tは炭素原子又は窒素原子� �表わす。R ⁹² ~R ⁹⁵ は、それぞれ独立に置換基を表わす。但し、 Tが窒素原子の場合は、R ⁹⁴ 及びR ⁹⁵ は無い。)

 以下、まず、式(VI)で表わされる化合物につ いて説明する。
 式(VI)中、Mは任意の金属を表わし、好まし� �ものの具体例としては、周期表第7~11族から� ��ばれる金属として前述した金属が挙げられ� ��。

 また、式(VI)中、二座配位子Lは、以下の部� �構造を有する配位子を示す。
 上記Lの部分構造において、環A1は、置換基� ��有していてもよい、芳香族炭化水素基又は� ��香族複素環基を表わす。

 該芳香族炭化水素基としては、5又は6員� �の単環又は2~5縮合環が挙げられる。具体例� �しては、ベンゼン環、ナフタレン環、アン� �ラセン環、フェナントレン環、ペリレン環� �テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環� �クリセン環、トリフェニレン環、アセナフ� �ン環、フルオランテン環、フルオレン環由� �の1価の基などが挙げられる。

 該芳香族複素環基としては、5又は6員環� �単環又は2~4縮合環が挙げられる。具体例と� �ては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフ� �ン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、� �ラゾール環、イミダゾール環、オキサジア� �ール環、インドール環、カルバゾール環、� �ロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環� �ピロロピロール環、チエノピロール環、チ� �ノチオフェン環、フロピロール環、フロフ� �ン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサ� �ール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾ� �ミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、� �リダジン環、ピリミジン環、トリアジン環� �キノリン環、イソキノリン環、シノリン環� �キノキサリン環、フェナントリジン環、ベ� �ゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾ� �ン環、キナゾリノン環、アズレン環由来の1� ��の基などが挙げられる。

 また、上記Lの部分構造において、環A2は� ��置換基を有していてもよい、含窒素芳香族� ��素環基を表わす。

 該含窒素芳香族複素環基としては、5又は 6員環の単環又は2~4縮合環由来の基が挙げら� �る。具体例としては、ピロール環、ピラゾ� �ル環、イミダゾール環、オキサジアゾール� �、インドール環、カルバゾール環、ピロロ� �ミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロ� �ピロール環、チエノピロール環、フロピロ� �ル環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサ� �ール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾ� �ミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、� �リダジン環、ピリミジン環、トリアジン環� �キノリン環、イソキノリン環、キノキサリ� �環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾ� �ル環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナ� �リノン環由来の1価の基などが挙げられる。

 環A1又は環A2がそれぞれ有していてもよい 置換基の例としては、ハロゲン原子;アルキ� �基;アルケニル基;アルコキシカルボニル基;� �ルコキシ基;アリールオキシ基;ジアルキルア ミノ基;ジアリールアミノ基;カルバゾリル基; アシル基;ハロアルキル基;シアノ基;芳香族炭 化水素基等が挙げられる。

 また、式(VI)中、二座配位子L″は、以下� �部分構造を有する配位子を示す。但し、以� �の式において、「Ph」はフェニル基を表わす 。

 中でも、L″としては、錯体の安定性の観 点から、以下に挙げる配位子が好ましい。

 式(VI)で表わされる化合物として、更に好 ましくは、下記式(VIa)、(VIb)、(VIc)で表わされ る化合物が挙げられる。

(式(VIa)中、M ⁴ は、Mと同様の金属を表わし、wは、上記金属� ��価数を表わし、環A1は、置換基を有してい� �もよい芳香族炭化水素基を表わし、環A2は、 置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素 環基を表わす。)

(式(VIb)中、M ⁵ は、Mと同様の金属を表わし、wは、上記金属� ��価数を表わし、環A1は、置換基を有してい� �もよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環� �を表わし、環A2は、置換基を有していてもよ い含窒素芳香族複素環基を表わす。)

(式(VIc)中、M ⁶ は、Mと同様の金属を表わし、wは、上記金属� ��価数を表わし、jは、0、1又は2を表わし、環 A1及び環A1″は、それぞれ独立に、置換基を� �していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香� �複素環基を表わし、環A2及び環A2″は、それ� ��れ独立に、置換基を有していてもよい含窒� ��芳香族複素環基を表わす。)

 上記式(VIa)~(VIc)において、環A1及び環A1″� ��好ましい例としては、フェニル基、ビフェ� ��ル基、ナフチル基、アントリル基、チエニ� ��基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾ� ��リル基、ピリジル基、キノリル基、イソキ� ��リル基、カルバゾリル基等が挙げられる。

 上記式(VIa)~(VIc)において、環A2及び環A2″� ��好ましい例としては、ピリジル基、ピリミ� ��ル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾ� ��アゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベン� ��イミダゾール基、キノリル基、イソキノリ� ��基、キノキサリル基、フェナントリジル基� ��が挙げられる。

 上記式(VIa)~(VIc)で表わされる化合物が有� �ていてもよい置換基としては、ハロゲン原� �;アルキル基;アルケニル基;アルコキシカル� �ニル基;アルコキシ基;アリールオキシ基;ジ� �ルキルアミノ基;ジアリールアミノ基;カルバ ゾリル基;アシル基;ハロアルキル基;シアノ基 等が挙げられる。

 なお、これら置換基は互いに連結して環� ��形成してもよい。具体例としては、環A1が� �する置換基と環A2が有する置換基とが結合す るか、又は、環A1″が有する置換基と環A2″� �有する置換基とが結合することにより、一� �の縮合環を形成してもよい。このような縮� �環としては、7,8-ベンゾキノリン基等が挙げ� ��れる。

 中でも、環A1、環A1″、環A2及び環A2″の� �換基として、より好ましくは、アルキル基� �アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ� �、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリ� �ルアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる� �

 また、式(VIa)~(VIc)におけるM ⁴ ~M ⁶ の好ましい例としては、ルテニウム、ロジウ ム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム 、イリジウム、白金又は金が挙げられる。

 上記式(VI)及び(VIa)~(VIc)で示される有機金� ��錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合� ��に限定されるものではない。

 上記式(VI)で表わされる有機金属錯体の中 でも、特に、配位子L及び/又はL″として2-ア� ��ールピリジン系配位子、即ち、2-アリール� �リジン、これに任意の置換基が結合したも� �、及び、これに任意の基が縮合してなるも� �を有する化合物が好ましい。

 また、国際特許公開第2005/019373号パンフ� �ットに記載の化合物も、発光材料として使� �することが可能である。

 次に、式(VII)で表わされる化合物について� �明する。
 式(VII)中、M ⁷ は金属を表わす。具体例としては、周期表第 7~11族から選ばれる金属として前述した金属� �挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウ� �、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、� �スミウム、イリジウム、白金又は金が挙げ� �れ、特に好ましくは、白金、パラジウム等� �2価の金属が挙げられる。

 また、式(VII)において、R ⁹² 及びR ⁹³ は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原 子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル 基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコ キシカルボニル基、カルボキシル基、アルコ キシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミ ノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオ キシ基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環 基を表わす。

 更に、Tが炭素原子の場合、R ⁹⁴ 及びR ⁹⁵ は、それぞれ独立に、R ⁹² 及びR ⁹³ と同様の例示物で表わされる置換基を表わす 。また、Tが窒素原子の場合は、R ⁹⁴ 及びR ⁹⁵ は無い。

 また、R ⁹² ~R ⁹⁵ は、更に置換基を有していてもよい。置換基 を有する場合、その種類に特に制限はなく、 任意の基を置換基とすることができる。
 更に、R ⁹² ~R ⁹⁵ のうち任意の2つ以上の基が互いに連結して� �を形成してもよい。
 また、同一分子中に存在するR ⁹² 同士、R ⁹³ 同士、R ⁹⁴ 同士及びR ⁹⁵ 同士は、同じでもよく、異なっていてもよい 。

 式(VII)で表わされる有機金属錯体の具体� �(T-1、T-10~T-15)を以下に示すが、下記の例示物 に限定されるものではない。また、以下の化 学式において、Meはメチル基を表わし、Etは� �チル基を表わす。

 発光材料として用いる化合物の分子量は� ��通常10000以下、好ましくは5000以下、より好� ��しくは4000以下、更に好ましくは3000以下、� �た、通常100以上、好ましくは200以上、より� �ましくは300以上、更に好ましくは400以上の� �囲である。分子量が低過ぎると、耐熱性が� �しく低下したり、ガス発生の原因となった� �、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり� �或いはマイグレーションなどによる有機電� �発光素子のモルフォロジー変化を招いたり� �る場合がある。分子量が高過ぎると、有機� �合物の精製が困難となったり、溶剤に溶解� �せる際に時間を要したりする場合がある。

 なお、有機発光層5は、上に説明した各種 の発光材料のうち、何れか一種を単独で含有 していてもよく、二種以上を任意の組み合わ せ及び比率で併有していてもよい。

 低分子系の正孔輸送性化合物の例として� ��、前述の正孔輸送層の正孔輸送性化合物と� ��て例示した各種の化合物の他、4,4’-ビス[N- (1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニルに� ��表される、2個以上の3級アミンを含み2個以� ��の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香� ��ジアミン(特開平5-234681号公報)、4,4’,4”-ト リス(1-ナフチルフェニルアミノ)トリフェニ� �アミン等のスターバースト構造を有する芳� �族アミン化合物(Journal of Luminescence, 1997年,� �Vol.72-74, pp.985)、トリフェニルアミンの四量� ��から成る芳香族アミン化合物(Chemical Communic ations, 1996年, pp.2175)、2,2’,7,7’-テトラキス- (ジフェニルアミノ)-9,9’-スピロビフルオレ� �等のスピロ化合物(Synthetic Metals, 1997年, Vol. 91, pp.209)等が挙げられる。

 低分子系の電子輸送性化合物の例として� ��、2,5-ビス(1-ナフチル)-1,3,4-オキサジアゾー� ��(BND)や、2,5-ビス(6’-(2’,2”-ビピリジル))-1, 1-ジメチル-3,4-ジフェニルシロール(PyPySPyPy)や 、バソフェナントロリン(BPhen)や、2,9-ジメチ� ��-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(BCP、� ��ソクプロイン)、2-(4-ビフェニリル)-5-(p-ター シャルブチルフェニル)-1,3,4-オキサジアゾー� ��(tBu-PBD)や、4,4’-ビス(9-カルバゾール)-ビフ� ��ニル(CBP)等がある。

 これら正孔輸送性化合物や電子輸送性化� ��物は発光層においてホスト材料として使用� ��れることが好ましいが、ホスト材料として� ��体的には以下のような化合物を使用するこ� ��ができる。

 有機発光層5の形成法としては、湿式成膜 法、真空蒸着法が挙げられるが、上述したよ うに、均質で欠陥がない薄膜を容易に得られ る点や、形成のための時間が短くて済む点、 更には、本発明の有機化合物による正孔輸送 層4の不溶化の効果を享受できる点から、低� �子系の材料を用いて湿式成膜法で有機発光� �5を形成することが好ましい。湿式成膜法に� ��り有機発光層5を形成する場合、上述の材料 を適切な溶剤に溶解させて有機発光層用組成 物(有機発光層5を構成する成分を含有する組� ��物。塗布溶液ともいう)を調製し、それを上 述の形成後の正孔輸送層4の上に塗布・成膜� �、乾燥して溶剤を除去することにより形成� �る。その形成方法としては、前記正孔輸送� �の形成方法と同様である。

 有機発光層5の厚さは制限されないが、通 常5nm以上、好ましくは20nm以上、また、通常10 00nm以下、好ましくは100nm以下の範囲が望まし い。有機発光層5が薄過ぎると発光効率が低� �したり、寿命が短くなる場合があり、厚過� �ると素子の電圧が高くなる場合がある。

 なお、有機発光層5は単一の層からなる構 成としてもよいが、複数の層が積層された構 成としてもよい。後者の場合、複数の層は同 一の材料からなる層であってもよいが、異な る材料からなる層であってもよい。

 〔II-7.正孔阻止層〕
 有機発光層5の上には、正孔阻止層6が形成� �れる。
 正孔阻止層6は、有機発光層5の上に、有機� �光層5の陰極8側の界面に接するように積層さ れるが、陽極2から移動してくる正孔が陰極8� ��到達するのを阻止する役割と、陰極8から注 入された電子を効率よく有機発光層5の方向� �輸送することができる化合物より形成され� �。

 正孔阻止層6を構成する材料(正孔阻止材� �)に求められる物性としては、電子移動度が� ��く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャ� ��プ(HOMO、LUMOの差)が大きいこと、励起三重項 準位(T1)が高いことが挙げられる。

 このような条件を満たす正孔阻止材料と� ��ては、例えば、ビス(2-メチル-8-キノリノラ� ��),(フェノラト)アルミニウム、ビス(2-メチル -8-キノリノラト),(トリフェニルシラノラト)� �ルミニウム等の混合配位子錯体、ビス(2-メ� �ル-8-キノラト)アルミニウム-μ-オキソ-ビス-( 2-メチル-8-キノリラト)アルミニウム二核金属 錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘 導体等のスチリル化合物(特開平11-242996号公� �)、3-(4-ビフェニルイル)-4-フェニル-5(4-tert-ブ チルフェニル)-1,2,4-トリアゾール等のトリア� ��ール誘導体(特開平7-41759号公報)、バソクプ� ��イン等のフェナントロリン誘導体(特開平10- 79297号公報)が挙げられる。更に、国際公開第 2005-022962号公報に記載の2,4,6位が置換された� �リジン環を少なくとも1個有する化合物も、� ��孔阻止材料として好ましい。

 正孔阻止材料の具体例としては、以下に� ��げる構造の化合物が挙げられる。

 これらの正孔阻止材料は、何れか一種を� ��独で用いてもよく、二種以上を任意の組み� ��わせ及び比率で併用してもよい。

 正孔阻止層6も、正孔注入層3や有機発光� �5と同様、湿式成膜法を用いて形成すること� ��できるが、通常は真空蒸着法により形成さ� ��る。真空蒸着法の手順の詳細は、後述の電� ��注入層7の場合と同様である。

 正孔阻止層6の厚さは制限されないが、通 常0.5nm以上、好ましくは1nm以上、また、通常1 00nm以下、好ましくは50nm以下の範囲が望まし� ��。正孔阻止層6が薄過ぎると正孔阻止能力不 足による発光効率の低下が生じる場合があり 、厚過ぎると素子の電圧が高くなる場合があ る。

 なお、正孔阻止層6は単一の層からなる構 成としてもよいが、複数の層が積層された構 成としてもよい。後者の場合、複数の層は同 一の材料からなる層であってもよいが、異な る材料からなる層であってもよい。

 〔II-8.電子注入層〕
 正孔阻止層6の上には、電子注入層7が形成� �れる。
 電子注入層7は、陰極8から注入された電子� �効率良く有機発光層5へ注入する役割を果た� ��。

 電子注入を効率よく行なうために、電子注� ��層7を形成する材料は、仕事関数の低い金属 が好ましい。例としては、ナトリウムやセシ ウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウ ムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。
 この場合、電子注入層7の厚さは、通常0.1nm� ��上、好ましくは0.5nm以上、また、通常5nm以� �、好ましくは2nm以下の範囲が望ましい。

 更に、後述するバソフェナントロリン等の� ��窒素複素環化合物や8-ヒドロキシキノリン� �アルミニウム錯体などの金属錯体に代表さ� �る有機電子輸送材料に、ナトリウム、カリ� �ム、セシウム、リチウム、ルビジウム等の� �ルカリ金属をドープする(特開平10-270171号公� ��、特開2002-100478号公報、特開2002-100482号公報 などに記載)ことにより、電子注入・輸送性� �向上し優れた膜質を両立させることが可能� �なるため好ましい。
 この場合、電子注入層7の厚さは、通常5nm以 上、好ましくは10nm以上、また、通常200nm以下 、好ましくは100nm以下の範囲が望ましい。

 これらの電子注入層7の材料は、何れか一 種を単独で用いてもよく、二種以上を任意の 組み合わせ及び比率で併用してもよい。

 電子注入層7は、湿式成膜法或いは真空蒸 着法により、正孔阻止層6上に積層すること� �より形成される。

 湿式成膜法の詳細は、上述の正孔注入層3及 び有機発光層5の場合と同様である。
 一方、真空蒸着法の場合には、真空容器内� ��設置されたるつぼ又は金属ボートに蒸着源� ��入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで10 ^-4 Pa程度にまで排気した後、るつぼ又は金属ボ� ��トを加熱して蒸発させ、るつぼ又は金属ボ� ��トと向き合って置かれた基板1上の正孔阻止 層6上に電子注入層7を形成する。

 電子注入層7としてのアルカリ金属の蒸着 は、クロム酸アルカリ金属と還元剤をニクロ ムに充填したアルカリ金属ディスペンサーを 用いて行なう。このディスペンサーを真空容 器内で加熱することにより、クロム酸アルカ リ金属が還元されてアルカリ金属が蒸発され る。

 有機電子輸送材料とアルカリ金属とを共蒸� ��する場合は、有機電子輸送材料を真空容器� ��に設置されたるつぼに入れ、真空容器内を� ��当な真空ポンプで10 ^-4 Pa程度にまで排気した後、各々のるつぼ及び� ��ィスペンサーを同時に加熱して蒸発させ、� ��つぼ及びディスペンサーと向き合って置か� ��た基板上に電子注入層7を形成する。
 このとき、通常は電子注入層7の膜厚方向に おいて均一に共蒸着されるが、膜厚方向にお いて濃度分布があっても構わない。

 なお、電子注入層7は単一の層からなる構 成としてもよいが、複数の層が積層された構 成としてもよい。後者の場合、複数の層は同 一の材料からなる層であってもよいが、異な る材料からなる層であってもよい。

 〔II-9.陰極〕
 電子注入層7の上には、陰極8が形成される� �
 陰極8は、有機発光層5側の層(電子注入層7又 は有機発光層5など)に電子を注入する役割を� ��たす。

 陰極8の材料としては、前記の陽極2に使用� �れる材料を用いることが可能であるが、効� �良く電子注入を行なうには、仕事関数の低� �金属が好ましい。仕事関数の低い金属の例� �しては、スズ、マグネシウム、インジウム� �カルシウム、アルミニウム、銀等、又はそ� �らの合金が挙げられる。合金の例としては� �マグネシウム-銀合金、マグネシウム-インジ ウム合金、アルミニウム-リチウム合金等が� �げられる。
 これらの陰極8の材料は、何れか一種を単独 で用いてもよく、二種以上を任意の組み合わ せ及び比率で併用してもよい。

 陰極8の厚さは制限されないが、通常は陽極 2と同様である。
 なお、陰極8は単一の層からなる構成として もよいが、複数の層が積層された構成として もよい。後者の場合、複数の層は同一の材料 からなる層であってもよいが、異なる材料か らなる層であってもよい。

 〔II-10.その他〕
 以上、本発明の有機デバイス及び本発明の� ��造方法の詳細について、図1に示す有機電界 発光素子100を例として説明したが、本発明の 有機デバイス及び本発明の製造方法の詳細は 、上記説明によって限定されるものではない 。

 例えば、本発明の有機デバイスが有機電界� ��光素子である場合、その構成は、図1に示す 有機電界発光素子100の構成に制限されるもの ではなく、有機電界発光素子100の構成に対し て任意の変更を加えたものであってもよい。
 変更の例としては、有機電界発光素子100が� ��する各層の積層順の変更や、一又は二以上� ��層の省略、一又は二以上の層の付加等が挙� ��られる。

 積層順の異なる構成の例としては、基板1 に対し他の各層を有機電界発光素子100とは逆 の順に積層した構成、即ち、基板1上に陰極8� ��電子注入層7、正孔阻止層6、有機発光層5、� ��孔輸送層4、正孔注入層3及び陽極2をこの順� ��積層した構成等が挙げられる。

 一部の層を省略した構成の例としては、� ��孔阻止層6を省略し、有機発光層5と電子注� �層7とを隣接して設けた構成等が挙げられる� ��

 別の層を付加した構成の例としては、正� ��注入の効率を更に向上させ、かつ、有機層� ��体の陽極2への付着力を改善させる目的で、 陽極2と正孔注入層3との間に陽極バッファ層� ��設けた構成や、低仕事関数金属から成る陰� ��を保護する目的で、陰極8の上に更に、仕事 関数が高く大気に対して安定な金属層(例え� �アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム� �金、白金等からなる層)を設けた構成等が挙� ��られる。

 また、本発明の有機デバイスは、有機電� ��発光素子に制限されず、その他の有機デバ� ��スであってもよい。その他の有機デバイス� ��例としては、上述したように、有機トラン� ��スタ、有機太陽電池、有機発光トランジス� ��、有機磁性デバイス、有機ダイオード、有� ��アクチュエーター(モーター等)、有機セン� �ー(圧力、温度、湿度センサー等)等が挙げら れる。何れの有機デバイスであっても、基板 上の陽極と陰極との間に配置された複数の有 機層のうち隣接する2層が、重合性化合物を� �合して形成される層(第1の層)、及び、重合� �応開始剤を含有する層(第2の層)として形成� �れていればよい。

 また、本発明の製造方法も、図1の有機電 界発光素子100について詳述した方法に制限さ れない。少なくとも、上述の(1)正孔注入層用 組成物成膜工程、(2)正孔輸送層用組成物成膜 工程、(3)重合工程を備えてさえいれば、その 他は製造対象となる本発明の有機デバイスの 構成に応じて、適宜変更を加えて実施するこ とが可能である。