【발명의 명칭】

유기 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자

【기술분야】

관련 출원 (들)과의 상호 인용

본 출원은 2017년 11월 10일자 한국 특허 출원 제 10-2017-

0149679호에 기초한 우선권의 이익을 주장하며， 해당 한국 특허 출원의 문헌에 개시된 모든 내용은 본 명세서의 일부로서 포함된다. 본 발명은 유기 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

【배경기술】

일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 넓은 시야각， 우수한 콘트라스트， 빠른 웅답 시간을 가지며， 휘도， 구동 전압 및 웅답 속도 특성이 우수하여 많은 연구가 진행되고 있다： 유기 발광 소자는 일반적으로 양극과 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 유기물 층을 포함하는 구조를 가진다. 상기 유기물 층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며， 예컨대 정공주입층， 정공수송층， 발광층， 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이， 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤 (exc i ton)이 형성되며， 이 액시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다. 상기와 같은 유기 발광 소자에 사용되는 유기물에 대하여 새로운 재료의 개발이 지속적으로 요구되고 있다.

【선행기술문헌】

【특허문헌】 (특허문헌 0001 ) 한국특허 공개번호 게 10-2000-0051826호

【발명의 내용】

【해결하려는 과제】

본 발명은 신규한 유기 금속 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자에 관한 것이다.

[과제의 해결 수단】

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.

상기 화학식 1에서，

X는 0， S , 丽, 또는 Se이고，

^은 -Si (R _a ) (R _b ) (R _c )이고，

여기서， R _a , ， 및 R _c 는 수소， 중수소， 또는 치환 또는 비치환된 d 10 알킬이고，

¾， R ₃ 및 ¾는 각각 독립적으로， 수소; 중수소; 할로겐; 시아노 아미노; 치환 또는 비치환된 d-60 알킬; 치환 또는 비치환된 d- ₆₀ 할로알킬 치환 또는 비치환된 d-60 알콕시 ; 치환 또는 비치환된 d-60 할로알콕시 치환 또는 비치환된 C ₃ - ₆₀ 사이클로알킬 ; 치환 또는 비치환된 C ₂ - ₆₀ 알케닐 치환 또는 비치환된 C ₆ - ₆₀ 아릴; 치환 또는 비치환된 C ₆ - ₆₀ 아릴옥시 ; 또는 치환 또는 비치환된 N , 0 및 S로 구성되는 군으로부터 선택되는 헤테로원자를 1개 이상 포함하는 C ₂ - ₆₀ 헤테로고리기이고，

a 및 b는 각각 0 및 1이거나， 1 및 0이고，

n은 1 또는 2이다. 또한, 본 발명은 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물층 중 1층 이상은 발광층이고， 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는， 유기 발광 소자를 제공한다.

【발명의 효과】

상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 유기물 층의 재료로서 사용될 수 있으며， 유기 발광 소자에서 효율의 향상， 낮은 구동전압 및 /또는 수명 특상을 향상시킬 수 있다. 특히， 상술한 화학식 1로 표시되는 화합물은 발광층의 재료로 사용할 수 있다.

【도면의 간단한 설명】

도 1은 기판 ( 1) , 양극 (2)， 발광층 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.

도 2는 기판 ( 1)， 양극 (2) , 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6)， 발광층 (7) , 전자수송층 (8) 및 음극 (4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다.

【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】

이하， 본 발명의 이해를 돕기 위하여 보다 상세히 설명한다.

본 명세서에서， 다른 치환기에 연결되는 결합을 의미한다. 본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기 이미드기; 아미노기; 포스핀옥사이드기; 알콕시기; 아릴옥사기 알킬티옥시기; 아릴티옥시기; 알킬술폭시기; 아릴술폭신기; 실릴기; 붕소기 알킬기; 사이클로알킬기; 알케닐기; 아릴기; 아르알킬기; 아르알케닐기; 알킬아릴기; 알킬아민기; 아랄킬아민기; 헤테로아릴아민기; 아릴아민기; 아릴포스핀기; 또는 N, 0 및 S 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1개 이상의 치환기로 치환 또는 비치환되거나， 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환 또는 비치환된 것을 의미한다. 예컨대ᅳ "2 이상의 치환기가 연결된 치환기 "는 비페닐기일 수 있다. 즉， 비페닐기는 아릴기일 수도 있고, 2개의 페닐기가 연결된 치환기로 해석될 수 있다. 본 명세서에서 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 1 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.

본 명세서에 있어서， 에스테르기는 에스테르기의 산소가 탄소수 1 내지 25의 직쇄， 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 25의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로， 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나，

본 명세서에 있어서， 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 1 내지 25인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서, 실릴기는 구체적으로 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기， 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나 이에 한정되 ^7' 않는다. 본 명세서에 있어서. 붕소기는 구체적으로 트리메틸붕소기, 트리에틸붕소기, t-부틸디메틸붕소기, 트리페닐붕소기， 페닐붕소기 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소,

요오드가 있다. 본 명세서에 있어서, 상기 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 알킬기의 탄소수는 1 내지 6이다. 알킬기의 구체적인 예로는 메틸, 에틸. 프로필, 11-프로필， 이소프로필. 부틸, n-부틸 이소부틸， tert-부틸， sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1_에틸-부틸. 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 핵실, n-핵실， 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, ₄ -메틸 -2-펜틸, 3, 3-디메틸부될ᅳ 2-에틸부틸， 헵틸, n-헵틸, 1-메틸핵실， 사이클로펜틸메틸,사이클로핵틸메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸 2—에틸핵실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2, 2-디메틸헵틸, 1-에틸—프로필, 1,1- 디메틸-프로필, 이소핵실， 2-메틸펜틸， 4-메틸핵실, 5-메틸핵실 등이 있으나， 이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 상기 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나， 2 내지 40인 것이 바람직하다. 일 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 2 내지 10이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 알케닐기의 탄소수는 ^' 2 내지 6이다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐， 이소프로페닐, 1-부테닐， 2-부테닐， 3-부테닐， 1-펜테닐， 2-펜테닐, 3-펜테닐， 3-메틸 -1-부테닐， 1 , 3—부타디에닐， 알릴, 1-페닐비닐— 1-일， 2-페닐비닐 -1-일， 2 , 2-디페닐비닐 -1-일， 2-페닐 -2- (나프틸 -1-일)비닐 -1-일， 2，2-비스 (디페닐 -1—일)비닐 -1-일， 스틸베닐기， 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서， 사이클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나， 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 일 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 30이다. 또 하나의 실시상태에 따르면, 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 20이다. 또 하나의 실시상태에 따르면， 상기 사이클로알킬기의 탄소수는 3 내지 6이다. 구체적으로 사이클로프로필， 사이클로부틸， 사이클로펜틸, 3-메틸사이클로펜틸， .2，3- 디메틸사이클로펜틸， 사이클로핵실， 3-메틸사이클로핵실， 4- 메틸사이클로핵실， 2，3-디메틸사이클로핵실, 3，4，5-트리메틸사이클로핵실， 4-tert-부틸사이클로핵실， 사이클로헵틸， 사이클로옥틸 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 본 명세서에 있어서, 아릴기는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 6 내지 60인 것이 바람직하며， 단환식 아릴기 또는 다환식 아릴기일 수 있다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 30이다. 일 실시상태에 따르면， 상기 아릴기의 탄소수는 6 내지 20이다. 상기 아릴기가 단환식 아릴기로는 페닐기， 바이페닐기， 터페닐기 등이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기， 페난트릴기， 파이레닐기， 페릴레닐기， 크라이세닐기， 플루오레닐기 등이 될 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 플루오레닐기는 치환될 수 있고， 치환기 2개가 서로 결합하여 스피로 구조를 형성할 수 있다. 상기 플루오레닐기가 치환되는 경우，

등이 될 수 있다. 다만， 이에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서， 헤테로고리기는 이종 원소로 0， N , Si 및 S 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로서， 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기， 퓨란기， 피롤기， 이미다졸기， 티아졸기， 옥사졸기， 옥사디아졸기， 트리아졸기， 피리딜기， 비피리딜기， 피리미딜기， 리아진기， 아크리딜기 , 피리다진기， 피라지닐기, 퀴놀리닐기， 퀴나졸린기， 퀴녹살리닐기， 프탈라지닐기， 피리도 피리미디닐기， 피리도 피라지닐기， 피라지노 피라지닐기， 이소퀴놀린기， 인돌기， 카바졸기， 벤조옥사졸기， 벤조이미다졸기 벤조티아졸기, 벤조카바졸기， 벤조티오펜기， 디벤조티오펜기 벤조퓨라닐기， 페난쓰를린기 (phenanthro l i ne) , 이소옥사졸릴기 티아디아졸릴기， 페노티아지닐기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있 ^' 어서， 아르알킬기， 아르알케닐기， 알킬아릴기， 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아르알킬기， 알킬아릴기， 알킬아민기 중 알킬기는 전술한 알킬기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴아민 중 헤테로아릴은 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 아르알케닐기 중 알케닐기는 전술한 알케닐기의 예시와 같다. 본 명세서에 있어서， 아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로아릴렌은 2가기인 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서, 탄화수소 고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 아릴기 또는 사이클로알킬기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 본 명세서에 있어서， 헤테로고리는 1가기가 아니고， 2개의 치환기가 결합하여 형성한 것을 제외하고는 전술한 헤테로고리기에 관한 설명이 적용될 수 있다. 상기 화학식 1에서， Ri의 치환 위치에 따라， 상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1， 1-2， 1-3， 1—4， 또는 1-5로 표시될 수 있다:

1-1 1-2

바람직하게는ᅳ Ri은 -Si(C¾) ₃ 이다. 바람직하게는， ¾는 수소， 메틸， CD ₃ , 에틸， 프로필, 이소프로필 사이클로프로필， 사이클로부틸， 사이클로펜틸， 또는 사이클로핵실미다. 바람직하게는， ¾는 수소， 메틸， CD ₃ , 에틸， 프로필， 이소프로필 사이클로프로필， 사이클로부틸， 사이클로펜틸， 또는 사이클로핵실이다. 바람직하게는， ¾는 수소이다. 또한， 바람직하게는， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 삼중항 에너지 레벨이 2.6 eV 이하이고， 보다 바람직하게는 2.45 eV 내지 2.6 eV이다. 또한， 바람직하게는， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 광발광 최대 파장이 500 nm 내지 550 nm이고， 보다 바람직하게는 520 nm 내지 535 nm이다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 대표적인 예는 다음과 같다:

_//: O Ζ2800 _8Ϊ0 2Μ12AV ₇

 _//: O Ζ2800 _8Ϊ0 2Μ12AV ₇

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_Ζ 28 _//: 00 _8Ϊ0 2Μ12 _/ O ¾9ε606ϊοεAV.

_//: O Ζ2800 _8Ϊ0 2Μ12AV ₇

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_//:8ϊ0 2Μ12 _/ O ¾9ε606ϊοίAV

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_ί 2 _//: 800 _8ϊ0 2Μ12 _/ O ¾9ε606ϊοίAV.

_//: Ζ2800 _8Ϊ0 2Μ12 OAV ₇

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Ζ£ 800/810Ζ^Ά/13ά ZZ9C60/6T0Z OAV _//: O Ζ2800 _8Ϊ0 2Μ12AV ₇

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_Ζ 28 _//: 00 _8Ϊ0 2Μ12 _/ O ¾9ε606ϊοεAV.

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ίε^800/810ΖΗΜ/Χ3<Ι ZZ9£60/610Z OAV

 _//: O Ζ2800 _8Ϊ0 2Μ12AV ₇

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Ζ£ 800/810Ζ^Ά/13ά ZZ9C60/6T0Z OAV _//: O Ζ2800 _8Ϊ0 2Μ12AV ₇

상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 반웅식 1과 같은 제 방법으로 제조할 수 있다.

[반웅식 1]

상기 제조 방법은 후술할 제조예에서 보다 구체화될 수 있다. 또한， 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 발광 소자를 제공한다. 일례로, 본 발명은 제 1 전극; 상기 제 1 전극과 대향하여 구비된 제 2 전극; 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물 층을 포함하는 유기 발광 소자로서， 상기 유기물층 중 1층 이상은 발광층이고， 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는， 유기 발광 소자를 제공한다. 본 발명의 유기 발광 소자의 유기물 층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나， 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대， 본 발명의 유기 발광 소자는 유기물 층으로서 정공주입층， 정공수송층， 발광층， 전자수송층， 전자주입층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 발광 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다. 또한， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는， 기판 상에 양극， 1층 이상의 유기물 층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조 (normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 또한， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 음극， 1층 이상의 유기물 층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조 ( inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다. 예컨대， 본 발명의 일실시예에 따른 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 2에 예시되어 있다. 도 1은 기판 ( 1 ) , 양극 (2)， 발광충 (3)， 음극 (4)으로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. 도 2는 기판 ( 1)， 양극 (2) , 정공주입층 (5)， 정공수송층 (6)， 발광층 (7)， 전자수송층 (8) 및 음극 (4)로 이루어진 유기 발광 소자의 예를 도시한 것이다. 이와 같은 구조에 있어서， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 상기 발광층에 포함될 수 있다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는， 상기 유기물 층 중 1층 이상이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다. 또한， 상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우， 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다. 예컨대， 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 기판 상에 제 1 전극， 유기물층 및 제 2 전극을 순차적으로 적층시켜 제조할 수 있다. 이때， 스퍼터링법 ( sput ter ing)이나 전자빔 증발법 ( e_beam evaporat i on)과 같은 PVD(phys i cal Vapor Depos i t i on)방법을 이용하여， 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고， 그 위에 정공 주입층， 정공 수송층， 발광층 및 전자 수송층을 포함하는 유기물 층을 형성한 후， 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시켜 제조할 수 있다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질부터 유기물층， 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다. 또한， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물 층으로 형성될 수 있다ᅳ 여기서， 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅， 딥코팅， 닥터 블레이딩， 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법， 를 코팅 등을 의미하지만， 이들만으로 한정되는 것은 아니다. 이와 같은 방법 외에도， 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층， 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 제조할 수 있다 (W0 2003/012890) . 다만， 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다. 일례로， 상기 제 1 전극은 양극이고， 상기 제 2 전극은 음극이거나， 또는 상기 제 1 전극은 음극이고， 상기 게 2 전극은 양극이다. 상기 양극 물질로는 통상 유기물 충으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬， 구리， 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물， 인듐 산화물， 인듐주석 산화물 ( IT0) , 인듐아연 산화물 ( IZ0)과 같은 금속 산화물 ; ΖηΟ:Α1 또는 SN0 ₂ : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3- 메틸티오펜)， 폴리 [3，4-(에틸렌-1，2-디옥시 )티오펜] (1¾1) 1)， 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 상기 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘， 칼슴， 나트륨， 칼륨， 티타늄， 인듐ᅳ 이트륨， 리륨， 가돌리늄， 알루미늄， 은， 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 Li /Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로， 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과， 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고， 발광층에서 생성된 여기자의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며， 또한， 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO highest occupi ed molecular orbi tal )가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물 층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린 (porphyr in) , 올리고티오펜， 아릴아민 계열의 유기물， 핵사니트릴핵사아자트리페닐렌 계열의 유기물， 퀴나크리본 (quinacr idone)계열의 유기물, 페릴렌 (perylene) 계열의 유기물， 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나， 이들에만 한정 되는 것은 아니다. 상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로， 정공 수송 물질로 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자， 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나， 이들에만 한정되는 것은 아니다. 상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체， 피렌 유도체， 나프탈렌 유도체， 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물， 플루오란텐 화합물 등이 있고， 헤테로환 함유 화합물로는 카바졸 유도체， 디벤조퓨란 유도체， 래더형 퓨란 화합물， 피리미딘 유도체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체， 스트릴아민 화합물， 붕소 착처 L 플루오란텐 화합물， 금속 착체 등이 있다. 특히， 본 발명에서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 도펀트로 사용한다. 상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지

5 전자를 수송하는 층으로， 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서， 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 A1 착물; Alq ₃ 를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본 -금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자 수송층은 종래기술에 따라 사용된 10 바와 같이 임의의 원하는 캐소드 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히， 적절한 캐소드 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버충이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘， 바륨， 칼슘， 이테르븀 및 사마륨이고， 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.

1 5 상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고， 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며， 발광층에서 생성된 여기자의 정공주입층에의 이동을 방지하고, 또한， 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논， 안트라퀴노다이메탄,

?0 다이페노퀴논， 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸， 옥사다이아졸， 트리아졸， 이미다졸， 페릴렌테트라카복실산， 프레오레닐리덴 메탄， 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 질소 함유 5원환 유도체 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다.

IS 상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬， 비스 (8— 하이드록시퀴놀리나토)아연， 비스 (8-하이드록시퀴놀리나토)구리， 비스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)망간， 트리스 (8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄， 트리스 (2-메틸 -8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄， 트리스 (8- 하이드록시퀴놀리나토)갈륨， 비스 ( 10-하이드록시벤조 [h]퀴놀리나토)베릴륨，

¾0 비스 ( 10-하이드록시벤조 [h]퀴놀리나토)아연, 비스 (2-메틸 -8- 퀴놀리나토)클로로갈륨， 비스 (2-메틸— 8-퀴놀리나토) ( 0-크레졸라토)갈륨 비스 (2-메틸— 8-퀴놀리나토) ( 1-나프를라토)알루미늄， 비스 (2-메틸 -8- 퀴놀리나토) (2-나프를라토)갈륨 등이 있으나， 이에 한정되지 않는다. 본 발명에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형， 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다. 또한， 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자의 제조는 이하 실시예에서 구체적으로 설명한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 본 발명의 범위가 이들에 의하여 한정되는 것은 아니다.

[제조예]

조예 1-1: 화합물 A1 및 B1의 제조

( 1) 화합물 A1의 제조

질소 분위기에서 등근 바닥 플라스크에 2-브로모피리딘 (50 g , 0.32 mol ) , 페닐보로닉산 (43 g, 0.35 mol )을 테트라하이드로퓨란에 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액 (250 ml )을 첨가하고， 테트라키스-

(트리페닐포스핀)팔라듐 (7.4 g , 6.4 隱 ol )을 넣은 후 12시간 동안 80 ^° C에서 가열 및 교반하였다. 반웅 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 클로로포름을 사용하여 녹인 후 물로 씻어주고 황산 마그네슘과 산성 백토를 넣고 교반 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이후 에틸 아세테이트:핵산 = 1:50 (V:V) 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 A1을 제조하였다 (41 g, 수율 82%) ,

(2) 화합물 1-la의 제조

등근 바닥 플라스크에 이리듬 클로라이드 (10 g, 33 隱 ol)과 화합물 AK11.4 g, 0.073 mol)을 2-에특시에탄올 (1000 ml) 및 증류수 (330 ml)에 넣고 24시간 동안 가열 및 교반하였다. 상온으로 온도를 낮추고 여과하여 에탄을 2L 로 씻어주어 고체 화합물 1-lb를 제조하였다 (9.7 g, 수을 55%).

(3) 화합물 B1의 제조

화합물 1-1M9.7 g, 9 隱 ol)와 메틸렌클로라이드 (500 ml)를 넣은 AgOTf(14.6 g, 18.9 mmol)를 메탄올 (250 ml)에 녹여 넣어준 뒤, 빛을 차단한 상태로 상온 교반하였다. 24시간 후， 필터하여 걸러진 여액의 용매를 제거하고 틀루엔으로 침전시켜 추가 정제 없이 화합물 B1을 얻었다 (수율 93%). ^'

1-1b

(1) 화합물 A2의 제조

2-브로모피리딘 대신 2-브로모 -5-메틸피리딘 (35.0 g, 0.20 mol)을 사용한 것을 제외하고 화합물 A1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 A2를 제조하였다 (28 g, 수율 8OT).

(2) 화합물 1— lb의 제조

화합물 A1 대신 화합물 A2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1-la를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-lb를 제조하였다 (10 g, 수율 57%).

(3) 화합물 B2의 제조

화합물 1-la 대신 화합물 1-lb를 사용한 것을 제외하고 화합물 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B2를 제조하였다 (수율 92%).

(1) 화합물 1-lc의 제조

질소 분위기에서 등근 바닥 플라스크에 2，5ᅳ브로모피리딘 (55 g, 0.23 mol), 페닐보로닉산 (31 g, 0.25 mol)을 아세토나이트릴 (200 ml)과 메탄올 (200 ml)에 녹인 후 2M 탄산칼륨수용액 (150 ml)을 첨가하고, 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (7.4 g, 6.4 隱 ol)을 넣은 후 18시간 동안 50°C에서 가열 및 교반하였다. 반응 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 클로로포름을 사용하여 녹인 후 물로 씻어주고 황산 마그네슘과 산성 백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이후 핵산:메틸렌클로라이드 = 1:100 (v:v) 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 1-lc를 제조하였다 (41 g, 수율 76%) . (2) 화합물 1-ld의 제조

질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 5-브로보 -2-페닐피리딘 (41 g, 0.17 mol)을 다이에틸이써 (diethylether)에 녹인 후 -78 ^° C에서 2.5 M n- BuLi(12 g, 0.18 mol)를 첨가한 후 1시간 동안 교반하였다. _78 ^° C에서 트리에틸 보레이트 (37 g, 0.25 mol)를 넣은 후 상온에서 4시간 동안 교반하였다. 2M 하이드로클로라이드 수용액 (100 ml)을 첨가하고 30분 동안 교반한 후 20% 소듐하이드록사이드 수용액 (100 ml)으로 중화하였다. 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 핵산:메틸렌 클로라이드 = 1:100 (V:V) 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리하여 화합물 1-ld를 제조하였다 (15 g, 수율 45%).

(3) 화합물 A3의 제조

질소 분위기에서 등근 바닥 플라스크에 (6-페닐피리딘 -3- 일)보로닉산 (15 g, 0.076 mol), 아이오도메테인 -d3( iodomethane-d3) (24.6 g, 0.17 mol)을 테트라하이드로퓨란 (150 ml)과 메탄을 (70 ml)에 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (100 ml)을 첨가하고, 테트라키스-

(트리페닐포스핀)팔라듐 (2.6 g, 2.3 隱 ol)을 넣은 후 40 ^° C에서 16시간 동안 가열 및 교반하였다. 클로로포름을 사용하여 녹인 후 물로 씻어주고 황산 마그네슘과 산성 백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이후 핵산:에틸아세테이트 = 1:50 (V:V) 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리하여 화합물 A3를 제조하였다 (6.9 g, 수율 53%).

(4) 화합물 1-le의 제조

화합물 A1 대신 화합물 A3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1-la를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-le를 제조하였다 (4 g, 수율 60%).

(5) 화합물 B3의 제조

화합물 1-la 대신 화합물 1-le를 사용한 것을 제외하고 화합물 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B3를 제조하였다 (수율 96¾ . 조예 1-4: 화합물 A4 및 B4의 제조

(1) 화합물 A4의 제조

아이오도메테인 -d3 대신 아이오도사이클로프로페인 (iodocyclopropane)을 사용한 것을 제외하고 화합물 A3를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 A4를 제조하였다 (14 g, 수율 78%).

(2) 화합물 1-lf의 제조

화합물 A1 대신 화합물 A4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1-la를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-lf를 제조하였다 (8 g, 수율 63%) .

(3) 화합물 B4의 제조

화합물 1-la 대신 화합물 1-lf를 사용한 것을 제외하고 화합물 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B4를 제조하였다 (수율 91%). 제조예 1-5: 화합물 A5 및 B5의 제조

(1) 화합물 A5의 제조

아이오도메테인 -d3 대신 아이오도사이클로펜테인 (iodocyclopentane)을 사용한 것을 제외하고 화합물 A3를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상가 화합물 A5를 제조하였다 (23 g, 수율 69%) .

(2) 화합물 1-lg의 제조

화합물 A1 대신 화합물 A5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1-la를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-lg를 제조하였다 (12 g, 수율 52%).

(3) 화합물 B5의 제조

화합물 1-la 대신 화합물 1-lg를 사용한 것을 제외하고 화합물 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B5를 제조하였다 (수율 93%). 제조예 1-6: 화합물 A6 및 B6의 제조

(1) 화합물 A6의 제조

아이오도메테인 -d3 대신 아이오도사이클로핵세인 (iodocyclohexane)을 사용한 것을 제외하고 화합물 A3를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 A6를 제조하였다 (18 g, 수율 6«).

(2) 화합물 1-lh의 제조

화합물 A1 대신 화합물 A6를 사용한 것을 제외하고 화합물 l_la를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 1-lg를 제조하였다 (9.4 g, 수율 53%).

(3) 화합물 B5의 제조

화합물 1-la 대신 화합물 1-lh를 사용한 것을 제외하고 화합물 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 B6를 제조하였다 (수율 95%). -1: 화합물 C1 및 D1의 제조

(1) 화합물 C1의 제조 질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 2-브로모피리딘 (50 g, 0.32 mol), 4- (다이벤조퓨라닐)보로닉산 (71 g, 0.34 mol)을 테트라하이드로퓨란 (500 ml)과 메탄올 (methanol )(250 ml)에 녹인 후 2M 탄산칼륨 수용액 (250 ml)을 첨가하고, 테트라키스- (트리페닐포스핀)팔라듐 (7.4 g, 6.4 瞧 ol)을 넣은 후 8시간 동안 80 ^° C에서 가열 및 교반하였다. 반웅 종료 후 온도를 낮추고 수층을 분리한 뒤 유기층의 용매를 제거하였다. 클로로포름을 사용하여 녹인 후 물로 씻어주고 황산 마그네슘과 산성 백토를 넣고 교반 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이후 에틸아세테이트:핵산 = 1：50 (V:V) 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리한 화합물 C1을 제조하였다 (69 g, 수율 88%) .

(2) 화합물 2-la 제조

화합물 A1 대신 화합물 C1을 사용한 것을 제외하고 화합물 1-la를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2-la를 제조하였다 (21 g, 수율 48%) .

(3) 화합물 D1의 제조

화합물 1-la 대신 화합물 2-la를 사용한 것을 제외하고 화합물 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 D1을 제조하였다 (수율 93%). -2: 화합물 C2 및 D2의 제조

(1) 화합물 2-lb의 제조

4- (다이벤조퓨라닐)보로닉산 대신 (6-브로모다이벤조 [b,d]퓨란 -4- 일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 화합물 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2-lb를 제조하였다 (52 g, 수율 81%).

(2) 화합물 C2의 제조

질소 분위기에서 둥근 바닥 플라스크에 화합물 2-lb(20 g, 0.061 mol)를 테트라하이드로퓨란 (400 ml)에 녹인 후 -78 ^° C에서 2.5M n-BuLi(4.3 g, 0.67 mol)을 첨가한 후 1시간 동안 교반하였다. -78 ^° C에서 클로로트리메틸실레인 (chlorotrimethylsilane)(10.0 g, 0.10 mol)를 넣은 후 상온에서 10 시간 동안 교반하였다. 메틸렌클로라이드를 사용하여 유기층을 추출한 후 황산 마그네슘과 산성 백토를 넣고 교반한 후 여과하여 감압 농축시켰다. 이후 핵산:에틸아세테이트 = i _:5 o (v:V) 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리하여 화합물 C2를 제조하였다 (13 g, 수율 65%) . (3) 화합물 2-lc의 제조

화합물 A1 대신 화합물 C2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1-la를 제초하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2-lc를 제조하였다 (6 g, 수율 54%) . (4) 화합물 D2의 제조

화합물 1-la 대신 화합물 2-lc를 사용한 것을 제외하고 화합물 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 D2을 제조하였다 (수율 90%). 제조예 2-3: 화합물 C3 및 D3의 제조

(1) 화합물 2-ld의 제조

4- (다이벤조퓨라닐)보로닉산 대신 (7-브로모다이벤조 [b,d]퓨란 -4- 일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 화합물 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2-ld를 제조하였다 (60 g, 수율 84%).

(2) 화합물 C3의 제조

화합물 2-lb 대신 화합물 2-ld를 사용한 것을 제외하고 화합물 C2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C3을 제조하였다 (53 g, 수율 91%) .

(3) 화합물 2-le의 제조

화합물 A1 대신 화합물 C3을 사용한 것을 제외하고 화합물 1-la를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2-le를 제조하였다 (26 g, 수율 55%) .

(4) 화합물 D3의 제조

화합물 1-la 대신 화합물 2-le를 사용한 것을 제외하고 화합물 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 D3을 제조하였다 (수율 93%).

(1) 화합물 2-ld의 제조

4- (다이벤조퓨라닐)보로닉산 대신 (8-브로모다이벤조 [b,d]퓨란 -4- 일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 화합물 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2-lf를 제조하였다 (54 g, 수율 77%). (2) 화합물 C4의 제조

화합물 2-lb 대신 화합물 2-lf를 사용한 것을 제외하고 화합물 C2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 ^' C4를 제조하였다 (49 g, 수율 92%) .

(3) 화합물 2-lg의 제조

화합물 A1 대신 화합물 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1-la를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2-lg를 제조하였다 (28 g, 수율 54%) .

(4) 화합물 D4의 제조

화합물 1-la 대신 화합물 2-lg를 사용한 것을 제외하고 화합물 B1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 D4를 제조하였다 (수율 92%). 제조예 2-5: 화합물 C5 및 D5의 제조

(1) 화합물 2-lh의 제조

4- (다이벤조퓨라닐)보로닉산 대신 (9-브로모다이벤조 [b,d]퓨란 -4- 일)보로닉산을 사용한 것을 제외하고 화합물 C1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2-lh를 제조하였다 (66 g' 수율 82%).

(2) 화합물 C5의 제조

화합물 2-lb 대산 화합물 2-lh를 사용한 것을 제외하고 화합물 C2를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 C5를 제조하였다 (47 g, 수율 78%) .

(3) 화합물 2-li의 제조

화합물 A1 대신 화합물 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1-la를 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2-li를 제조하였다 (22 g, 수율 48%).

(4) 화합물 D5의 제조

화합물 1-la 대신 화합물 2-li를 사용한 것을 제외하고 화합물 B1을 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 D5를 제조하였다 (수율 90%).

[실시예]

질소 분위기에서 화합물 B 10.2 g, 14 隱 ol)과 화합물 C2(ll g, 35 匪 ol), 메탄올 (100 ml), 및 에탄올 (100 ml)을 넣고 80 ^° C에서 48시간 동안 가열 및 교반하였다. 반웅 종료 후 필터하고 에탄올로 씻어준 후 핵산: 에틸아세테이트 = 1:5 (V:V) 조건에서 컬럼크로마토그래피를 통해 분리하여 화합물 1을 제조하였다 (수율 37%).

MS: [M+H] ⁺ = 818.3

화합물 C2 대신 화합물 C3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 2를 제조하였다 (수율 49%).

MS: [M+H] ⁺ = 818.3 실 예 3: 화합물 3의 제조

화합물 C2 대신 화합물 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 3를 제조하였다 (수율 41%).

MS: [M+H] ⁺ = 818.3 실시예 4: 화합물 4의 제조

화합물 C2 대신 화합물 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 4를 제조하였다 (수율 38%).

MS: [M+H] ⁺ = 818.3 실 5: 화합물 5의 제조

B2 C2 화합물 B1 대신 화합물 B2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 5를 제조하였다 (수율 51%).

MS: [M+H] ⁺ = 846.3 실시예 6: 화합물 6의 제조 화합물 Bl과 화합물 C2 대신 각각 화합물 B2과 화합물 C2를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 6을 제조하였다 (수율 49%) .

MS : [M+H] ⁺ = 846.3 : 화합물 7의 제조

화합물 B1과 화합물 C2 대신 각각 화합물 B2과 화합물 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 7을 제조하였다 (수율 43%) .

MS : [M+H] ⁺ = 846.3 : 화합물 8의 제조

화합물 B1과 화합물 C2 대신 각각 화합물 B2과 화합물 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 8을 제조하였다 (수율 51%) .

MS : [M+H] ⁺ = 846.3 실시예 9： 화합물 9의 제조

B3 C2

화합물 Bl 대신 화합물 B3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 9를 제조하였다 (수율 45%).

MS: [M+H] ⁺ = 852.3 10: 화합물 10의 제조

화합물 B1과 화합물 C2 대신 각각 화합물 B3과 화합물 C3을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 10올 제조하였다 (수율 39%).

MS: [M+H] ⁺ = 852.3

화합물 B1과 화합물 C2 대신 각각 화합물 B3과 화합물 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 11을 제조하였다 (수율 45%).

MS: [M+H] ⁺ = 852.3 실시예 12: 화합물 12의 제조

화합물 Bl과 화합물 C2 대신 각각 화합물 B3과 화합물 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 12를 제조하였다 (수율 45%) .

MS: [M+H] ⁺ = 852.3

화합물 B1 대신 화합물 B4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 13을 제조하였다 (수율 41%).

MS: [M+H]+ = 898.3

화합물 B1과 화합물 C2 대신 각각 화합물 B4과 화합물 C3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 14를 제조하였다 (수율 41%).

MS: [M+H] ⁺ = 898.3 실시예 15: 화합물 15의 제조 화합물 Bl과 화합물 C2 대신 각각 화합물 B4과 화합물 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 15를 제조하였다 (수율 38%) .

MS : [M+H] ⁺ = 898.3

화합물 B1과 화합물 C2 대신 각각 화합물 B4과 화합물 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 16를 제조하였다 (수율 45%) .

MS : [M+H] ⁺ = 898.3 화합물 17의 제조

B5 C2 17

화합물 B1 대신 화합물 B5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 17을 제조하였다 (수율 43%) .

MS : [M+H] ⁺ = 954.4 실시예 18: 화합물 18의 제조

B5 C3

화합물 Bl과 화합물 C2 대신 각각 화합물 B5와 화합물 C3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 18을 제조하였다 (수율 40%) .

MS : [M+H] ⁺ = 954.4 실시예 19: 화합물 19의 제조

화합물 B1과 화합물 C2 대신 화합물 B5와 화합물 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 19를 제조하였다 (수율 41%) .

MS : [Μ+ΗΓ = 954.4 실시예 20: 화합물 20의 제조

화합물 Bl과 화합물 C2 대신 화합물 B5와 화합물 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 20을 제조하였다 (수율 44%) .

MS : [M+H] ⁺ = 954.4 실시예 21 : 화합물 21의 제조

화합물 B1 대신 화합물 B6를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 21을 제조하였다 (수율 39%) .

MS : [M+H] ⁺ = 982.4 실시예 22: 화합물 22의 제조

화합물 B1과 화합물 C2 대신 각각 화합물 B6와 화합물 C3를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 22을 제조하였다 (수율 48%) .

MS : [Μ+ΗΓ = 982.4 실 23: 화합물 23의 제조

화합물 B1과 화합물 C2 대신 각각 화합물 Β6와 화합물 C4를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 23을 제조하였다 (수율 46%) .

MS : [M+H] ⁺ = 982.4 실시예 24: 화 24의 제조

화합물 Bl과 화합물 C2 대신 각각 화합물 B6와 화합물 C5를 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 24를 제조하였다 (수율 46%) .

MS : [M+H] ⁺ = 982.4 실시예 25: 화합물 25의 제조

화합물 Bl과 화합물 C2 대신 각각 화합물 D2와 화합물 A1을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 제조하였다 (수율 39%) .

MS : [M+H] ⁺ = 980.3 실시예 26: 화합물 26의 제조

화합물 B1과 화합물 C2 대신 각각 화합물 D3와 화합물 A1을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 26을 제조하였다 (수율 42%).

MS: [M+H] ⁺ = 980.3 실시예 27: 화합물 27의 제조

화합물 B1과 화합물 C2 대신 각각 화합물 D4와 화합물 A1을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 27을 제조하였다 (수율 39%).

MS: [M+H] ⁺ = 980.3 실시예 .28: 화합물 28의 제조

화합물 B1과 화합물 C2 대신 각각 화합물 D5와 화합물 A1을 사용한 것을 제외하고 화합물 1을 제조하는 방법과 동일한 방법으로 상기 화합물 28을 제조하였다 (수율 35%).

MS: [M+H] ⁺ = 980.3

[실험예]

실험예 1

IT0( indium tin oxide)가 1,300A의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때， 세제로는 피셔사 (Fischer Co.) 제품을 사용하였으며， 증류수로는 밀리포어사 (Millipore Co.) 제품의 필터 (Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. IT0를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후， 이소프로필알콜， 아세톤， 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한， 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 상기와 같이 준비된 ΠΌ 투명 전극 위에 하기 HI-1 화합물을 50 A의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 하기 HT-1 화합물을 250 A의 두께로 열 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하고， HT-1 증착막 위에 하기 HT-2 화합물을 50 A 두께로 진공 증착하여 전자 저지층을 형성하였다. 이어서， 상기 HT-2 증착막 위에 호스트로서 하기 HI 화합물과 하기 H2 화합물, 및 앞서 제조한 화합물 1을 44 : 44 : 12의 중량비로 공증착하여 400 A 두께의 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 하기 ET-1 화합물을 250 A의 두께로 진공 증착하고， 추가로 하기 ET-2 화합물을 100A 두께로 2¾ 중량비의 Li과 공증착하여 전자 수송층 및 전자 주입층을 형성하였다. 상기 전자 주입층 위에 1000A 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.

ET-1 ET-2 상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 ~ 0.7 A/sec를 유지하였고， 알루미늄은 2 A/sec의 증착 속도를 유지하였으며， 증착시 진공도는 1X10— ⁷ ~ 5X10 ^"8 torr를 유지하였다. 실험예 2 내지 7

발광층 형성시 화합물 1 대신 하기 표 2에 기재된 화합물을 각각 사용하는 것을 제외하고는， 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 각각 제조하였다. 비교실험예 1 내지 4

발광층 형성시 도판트로서 화합물 1 대신 하기 표 2에 기재된 화합물을 사용하는 것을 제외하고는， 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 각각 제조하였다. 하기 표 1에서， Ir (ppy) ₃ , El , E2 및 E3 화합물은 하기와 같다.

상기 실험예 및 비교실험예에서 사용한 화합물 1， 9， 25 및 Ir (ppy) ₃ ,

El 내지 E3에 대하여, HOMO, LUM0, 및 (삼중항 에너지 레벨)을 측정하였으며， 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.

【표 1】

또한， 상기 실험예 및 비교실험예에서 제조한 유기 발광 소자에 전류를 인가하여， 광발광 최대 파장 ( λ max) , 전압, 효율， 색좌표， 및 수명을 측정하고， 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. T95는 휘도가 초기 휘도에서 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다 .

【표 2] 실험예 1 화합물 1 532 3.32 78 (0.429 , 0.560) 252 실험예 2 화합물 2 528 3.26 80 (0.420 , 0.544) 227 실험예 3 화합물 3 527 3.05 81 (0.386， 0.552) 210 실험예 4 화합물 4 528 3. 18 78 (0.421 , 0.530) 197 실험예 5 화합물 9 531 3.23 74 (0.445 , 0.520) 288 실험예 6 화합물 10 530 3.21 80 (0.433 , 0.512) 220 실험예 7 화합물 11 528 3.30 83 (0.379 , 0.542) 256 실험예 8 화합물 12 528 3.29 76 (0.398 , 0.517) 221 실험예 9 화합물 25 527 3.40 82 (0.415， 0.560) 218 비교실험예 1 508 3.52 66 120 비교실험예 2 E3 526 3.49 70 (0.411 , 0.568) 140 상기 표 2에 나타난 바와 같이， 본 발명의 화합물을 인광 도판트 물질로 사용한 경우， 화합물 Ir (ppy) ₃ 를 사용한 비교예에 비해 수명

측면에서 우수한 특성을 나타내는 것을 확인하였다. 이를 통해 실릴

치환기가 수명에 영향을 미치는 것을 확인할 수 있었다. 또한， 실험예 1， 5， 7 및 9의 경우 비교예 2와 비교하여 최대 200%까지 수명 특성이 증가하였다. 상기의 결과로부터 실릴 치환기의 유무 및 치환 위치에 따라 수명 차이가 현저함을 확인할 수 있다. o

【부호의 설명】

1： 기판 2： 이:그

ᄋ

3： 발광층 4 : ᄋ 그

百

5： 치8고^ 이츠

ᄋ ᄇ ᄋ 6： 겨고 소

7： "과츠

ᄋ 8 : 전자수송층