AM 0 LED (Active Matrix Organic Light Emitting Diode, 有源发 fc—:二极.管 显示器） 由于能满足显示器高分辨率与大尺寸的要求， 应用越来越广泛。

AMOLED能够发光是由薄膜晶体管（Thin Fiim Transistor, TFT)在饱和 状态寸产生驱动电流并驱动发光元件 OLED ( Organic Light Emitting Diode ， 有机发光二极管） 发光， OLED发光亮度和提供给 OLED器件的驱动电流的 大小成正比， 故为了实现最佳的显示效果， 需要较大的驱动电流， 而低温多 晶硅由于可以提供较高的电子迁移率， 故 AMOLED显示技术中较多的选择 低温多晶硅制作 TFT。

如图 1A所示为现有技术中阈值补偿 AMOLED的像素电路， 电路中包含 两个 TFT、 一个电容、 电源和 OLED, 两个 TFT分别为用作开关的 Ti和用 于像素驱动的 DTFT (驱动晶体管）， VDD为电源电压的高电平, VSS为电源 电压的低电平， 如图 IB所示为图 IA中像素电路的控制信号的时序图， 扫描 信号线上输出的电平为 VScan， 数据信号线上输出的电平为 Vdata， 当 VScan 电平为低电平时， T1导遥，数据信号线上的灰阶电压对电容 C充电，当 VScan 的电平为高电平^, Ti截止， 电容 C ffi来保存灰阶电压， 由于 VDD电压较 高 ， 因 此 DTFT 处于饱和状态 ， OLED 的 驱动 电流 为 ： ΐ = Κ(ν^ ~ ψ^ = Κ(νοο ^ν _ά31α ~ ψ _!ί ) ¹ , 其中， Vdata为数据电压， VDD为电源电 压， K 为一个与晶体管尺寸和载流子迁移率有关的常 数， Vth 为晶体管阈值 电压。 由上述 OLED驱动电流的公式可知， OLED驱动电流的大小和 Vth有 关， 而低温多晶硅工艺不成熟， 即便是 样的工艺参数， 制作出的 TFT 的 Vth也有较大差异， 使得阵列基板不同位置处 TFT的 Vth不同， 导致同一灰 阶电压下 OLED的驱动电流不一样， 因此采用如图 1A所示的像素电路， 会 使得阵列基板不同位置处的亮度有差异， 显示不均匀， 进而降低了阵列基板 的亮度均一性。

本发明的目的是提供一种像素电路及其驱动 方法、阵列基板和显示装置， 以解决现有的像素电路导致阵列基板亮度均一 性较差， 显示不均匀的问题。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明一方面提供了一种像素电路， 包括： 控制子电路、 补偿子电路、 驱动晶体管和发光器件；

控制子电路， 用于在扫描电压信号和充电信号控制下， 对所述补偿子电 路进行充电； 并用于在发光控制信号控制下， 控制所述驱动晶体管驱动所述 发光器件发光；

补偿子电路， 用于在所述控制子电路的控制下， 固定所述驱动晶体管栅 极电位， 并预先存储所述驱动晶体管的阈值电压， 以在所述驱动晶体管驱动 所述发光器件发光时补偿所述驱动晶体管的阈 值电压。

本发明中， 补偿子电路遥过固定驱动晶体管的栅极电位， 并预先存储驱 动晶体管的阈值电压， 能够较好的在驱动晶体管驱动发光器件发光时 ， 补偿 驱动晶体管的阈值电压， 最终使得驱动发光器件发光的驱动电流与驱动 晶体 管的阈值电压没有关系， 改善面板的显示均匀性。

较佳的， 所述补偿子电路包括第一电容和第二电容， 其中，

所述第一电容的第一端连接所述驱动晶体管的 栅极以及所述控制子电 路， 所述第一电容的第二端连接所述驱动晶体管的 源极； 所述第二电容的第 一端连接所述驱动晶体管的源极， 所述第二电容的第二端连接所述控制子电 路；

所述控制子电路控制所述第二电容充电， 使所述驱动晶体管的源极电位 上升至使所述驱动晶体管自动截止的电位， 并使所述第一电容预先存储使所 述驱动晶体管自动截止的阈值电压。

本发明中， 通过在驱动晶体管的源极连接第一电容和第二 电容， 控制第 二电容充电， 使驱动晶体管的源极电位上升至使其自动截止 的电位， 并使第 一电容预先存储阈值电压， 能够较好的使驱动晶体管的阈值电压保存到驱 动 晶体管的源极， 能够较好的补偿驱动晶体管的阈值电压。

较佳的， 所述控制子电路包括充电模块、 发光控制模块和电压源， 其中， 充电模块与所述电压源第一端、 所述驱动晶体管栅极以及所述第一电容的第 一端连接，所述发光控制模块与所述电压源第 二端以及所述驱动晶体管连接。

所述充电模块， 用于在扫描电压信号和充电信号控制下， 接收电压源信 号和用于固定所述驱动晶体管栅极电位的参考 电压信号， 以控制所述第二电 容充电， 使所述驱动晶体管的源极电位上升至使所述驱 动晶体管自动截止的 电位， 并使所述第一电容在所述驱动晶体管的源极电 位上升至使所述驱动晶 体管自动截止的电位日寸， 预先存储使所述驱动晶体管自动截止的阈值电 压； 还用于在扫描电压信号和充电信号控制下， 接收用于驱动所述发光器件发光 的数据电压信号， 以控制所述第一电容存储数据电压；

所述发光控制模块， 用于在发光控制信号控制下， 接收电压源信号， 控 制所述驱动晶体管驱动所述发光器件发光。

本发明中， 控制子电路包括充电模块和发光控制模块， 通过充电模块控 制补偿子电路的第一电容和第二电容充电， 通过发光控制模块控制驱动晶体 管驱动发光器件发光， 电路简单。

较佳的， 所述充电模块包括： 第一开关晶体管和用于输出所述充电信号 的第一门信号源、 第二开关晶体管和用于输出所述扫描电压信号 的第二门信 号源、 电压源、 数据信号源以及参考信号源， 其中，

所述第一开关晶体管栅极连接所述第一门信号 源， 漏极连接所述电压源 的第一端， 源极连接所述驱动晶体管的漏极；

所述电压源的第二端连接所述第二电容的第二 端；

所述第二开关晶体管栅极连接所述第二门信号 源， 漏极连接所述数据信 号源和参考信号源， 源极连接所述驱动晶体管的栅极以及所述第一 电容的第

-一 ¾ _G

本发明中充电模块包括： 第一开关晶体管和 ^于输出所述充电信号的第 一门信号源、第二开关晶体管和用于输出所述 扫描电压信号的第二门信号源、 电压源、 数据信号源以及参考信号源， 通过较为简单的电路结构， 实现对第 一电容和第二电容的充电。 较佳的， 所述发光控制模块包括第三开关晶体管和用于 输出发光控制信 号的第三门信号源， 其中，

所述第三开关晶体管的栅极连接所述第三门信 号源， 源极连接所述电压 源的第二端以及所述第二电容的第二端， 漏极连接所述驱动晶体管的源极以 及所述第二电容的第一端。

本发明中发光控制模块包括第三开关晶体管和 用于输出发光控制信号的 第三门信号源， 利用较为筒单的电路结构， 实现对控制所述驱动晶体管驱动 所述发光器件发光。

较佳的， 所述第一开关晶体管、 所述第二开关晶体管和所述第三开关晶 体管均为 P型薄膜晶体管或者均为 N型薄膜晶体管， 使得电路中的晶体管为 同一类型的晶体管， 制作工艺筒单。

较佳的， 所述第一开关晶体管和所述第≡开关晶体管为 相同类型的薄膜 晶体管， 且与所述第二开关晶体管的类型不同； 所述第二门信号源与所述第 三门信号源为同一门信号源， 能够减少控制信号的数量， 由同一控制信号控 制不同的开关晶体管。

较佳的， 所述数据信号源与所述参考信号源由同一信号 端子输出， 能够 利用同一信号源分时传递数据电压信号和参考 电压信号， 减少信号源的使用 数量。

本发明另一方面还提供了一种阵列基板， 该阵列基板包括： 上述像素电 路。

本发明再一方面还提供了一种显示装置，该显 示装置包括上述阵列基板。 本发明提供的阵列基板及显示装置， 包括控制子电路、 补偿子电路、 驱 动晶体管和发光器件， 补偿子电路遥过固定驱动晶体管的栅极电位， 并预先 存储驱动晶体管的阐值电压，能够较好的在驱 动晶体管驱动发光器件发光时， 补偿驱动晶体管的阈值电压， 最终使得驱动发光器件发光的驱动电流与驱动 晶体管的阈值电压没有关系， 改善面板的显示均匀性。

本发明还提供了一种像素电路驱动方法， 包括：

控制子电路在扫描电压信号和充电信号控制下 ，对补偿子电路进行充电， 使所述补偿子电路固定驱动晶体管栅极电位， 并预先存储所述驱动晶体管的 阈值电压；

所述控制子电路在发光控制信号控制下， 禾拥所述预先存储的阈值电压 补偿所述驱动晶体管的阈值电压， 并控制所述驱动晶体管驱动所述发光器件 发光。

本发明中控制子电路控制补偿子电路固定驱动 晶体管的栅极电位， 并预 先存储驱动晶体管的阈值电压， 能够较好的在驱动晶体管驱动发光器件发光 0寸， 补偿驱动晶体管的阈值电压， 最终使得驱动发光器件发光的驱动电流与 驱动晶体管的阈值电压没有关系， 改善面板的显示均匀性。

较佳的， 所述补偿子电路包括第一电容和第二电容， 使所述补偿子电路 固定所述驱动晶体管栅极电位， 并预先存储所述驱动晶体管的阈值电压， 具 体包括：

所述控制子电路向所述驱动晶体管栅极输入固 定栅极电位的参考电压， 控制与所述驱动晶体管源极连接的所述第二电 容充电， 使所述驱动晶体管的 源极电位上升至使所述驱动晶体管自动截止的 电位， 并使所述第一电容存储 所述驱动晶体管的阈值电压。

本发明中， 通过在驱动晶体管的源极连接第一电容和第二 电容， 控制第 二电容充电， 使驱动晶体管的源极电位上升至使其自动截止 的电位， 并使第 一电容预先存储阈值电压， 能够较好的使驱动晶体管的阈值电压保存到驱 动 晶体管的源极， 能够较好的补偿驱动晶体管的阐值电压。

图 1A为现有技术中像素电路结构示意图；

图 IB为现有技术中像素电路工作的时序图；

图 2A为本发明实施例提供的像素电路结构示意图� ��

图 2B为本发明实施例提供的像素电路另一结构示� ��图；

图 2C为本发明实施例提供的像素电路再一结构示� ��图；

图 3A为本发明实施例提供的像素电路具体结构示� ��图；

图 3B为图 3A中像素电路工作时序图；

图 4A-图 4C分别为图 3B不同阶段的等效电路图； 图 5为本发明实施例提供的又一像素电路具体结� �示意图

图 6为本发明实施例提供的阵列基板结构示意图� �

下面将结合本发明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行 清楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例， 并 不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有做 出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例 ， 都属于本发明保护的范围。

本发明所有实施例中采用的开关晶体管和驱动 晶体管均可以为薄 膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件， 由于这里采用的晶体管的 源极、 漏极是对称的， 所以其源极、 漏极是可以互换的。 在本发明实施 例中， 为区分晶体管除栅极之外的两极， 将其中一极称为源极， 另一极 称为漏极。

要理解到， 当元件 A与元件 B"连接"时， 它可能表示 A直接连接 B, 或介于 A和 B之间的元件可能也存在 （即表示 A和 B间接连接， 例如 A通 过元件 C连接 B)。 相比之下， 当元件 A称为"直接"连接 B时， 则表示没有 介于 A和 B其间的元件存在。 本发明实施例提供一种像素电路， 该像素电路包括控制子电路 1、 补偿 子电路 2、 驱动晶体管 DTFT和发光器件 3 , 如图 2A所示， 控制子电路 1用 于在扫描电压信号和充电信号控制下， 对补偿子电路 2进行充电； 并用于在 发光控制信号控制下， 控制驱动晶体管 DTFT驱动发光器件 3发光；

补偿子电路 2, 用于在控制子电路 I 的控制下， 固定驱动晶体管 DTFT 栅极电位，并预先存储驱动晶体管 DTFT的阈值电压， 以在驱动晶体管 DTFT 驱动发光器件 3发光时补偿驱动晶体管 DTFT的阈值电压。

具体的， 本发明实施例中在扫描电压信号和充电信号控 制下， 控制子电 路 1对补偿子电路 2进行充电， 并根据控制子电路 i对补偿子电路 2进行充 电过程中输入的不同电压信号， 固定驱动晶体管 DTFT栅极电位或者控制驱 动晶体管 DTFT输出驱动电流驱动发光器件 3发光， 例如可以在输入参考电 压信号时固定驱动晶体管 DTFT栅极电位， 并预先存储驱动晶体管 DTFT的 阈值电压， 在输入数据电压信号时， 控制驱动晶体管 DTFT输出驱动电流。

本发明实施例中发光器件例如可以是有机发光 二极管 OLED, 本发明实 施例图 2A中以有机发光二极管为例进行说明。

较佳的，本发明实施例中补偿子电路 2包括第一电容 C1和第二电容 C2， 第一电容 C!的第一端连接驱动晶体管 DTFT的栅极以及控制子电路 1， 第一 电容 C1的第二端连接驱动晶体管 DTFT的源极； 第二电容 C2的第一端连接 驱动晶体管 DTFT的源极， 第二电容 C2的第二端连接控制子电路 1。

具体的， 如图 2B所示， 第一电容 C1的第一端连接到驱动晶体管 DTFT 的栅极即节点 g 以及控制子电路 1， 第一电容 C1 的第二端连接驱动晶体管 DTFT的源极即节点 s, 第一电容 Ci设置在驱动晶体管 DTFT的栅极和源极 之间， 第二电容 C2的第一端连接驱动晶体管 DTFT的源极即节点 s, 第二电 容 C2的第二端连接控制子电路 1。发光器件 3与驱动晶体管 DTFT的漏极即 节点 d相连接， 当驱动晶体管漏极输出驱动电流时， 能够驱动发光器件 3发 兀。

进一步的， 控制子电路 1 控制第二电容 C2充电， 使驱动晶体管 DTFT 的源极电位上升至使驱动晶体管 DTFT 自动截止的电位， 并使第一电容 在驱动晶体管 DTFT的源极电位上升至使驱动晶体管 DTFT自动截止的电位 寸， 预先存储使所述驱动晶体管 DTFT自动截止的阈值电压。

具体的，本发明实施例中控制子电路 1控制第二电容 C2充电时，预先将 源极电位保存为使驱动晶体管自动截止的电位 ，第一电容 CI保存驱动晶体管 DTFT的阈值电压， 当驱动晶体管 DTFT驱动发光器件 3发光时， 通过第一 电容 C1预存的驱动晶体管 DTFT的阈值电压补偿驱动晶体管 DTFT的阈值电 压， 使得驱动发光器件发光的驱动电流与驱动晶体 管的阈值电压没有关系， 改善面板的显示均匀性。

较佳的， 本发明实施例中控制子电路 I包括充电模块 I I、 发光控制模块 12和电压源 13 , 其中， 充电模块 11与电压源 13连接， 并与驱动晶体管的栅 极以及第一电容 Ci的第一端连接，发光控制模块 12与电压源 13连接，并与 所述驱动晶体管 DTFT以及第二电容 C2连接， 本发明实施例中与充电模块 II连接的电压源！3、以及与发光控制模块 12连接的电压源 13为电压源的不 同输出端， 并且该不同输出端输出的电压具有设定的压差 ， 此压差可以驱动 发光器件即可， 如图 2C所示。

具体的， 充电模块 11用于在扫描电压信号和充电信号控制下， 接收电压 源 13的电压源信号和用于固定驱动晶体管 DTFT栅极电位的参考电压信号， 控制第二电容 C2充电，使驱动晶体管 DTFT的源极电位上升至使驱动晶体管 自动截止的电位，并使第一电容 C!在驱动晶体管 DTFT的源极电位上升至使 驱动晶体管 DTFT自动截止的电位时， 预先存储使驱动晶体管 DTFT自动截 止的阈值电压。

进一步的， 充电模块 11还用于在扫描电压信号和充电信号控制下， 接收 用于驱动发光器件 3发光的数据电压信号，以控制第一电容 Ci存储数据电压， 以控制驱动晶体管 DTFT输出驱动电流。

发光控制模块 13 , 用于在发光控制信号控制下， 接收电压源信号， 控制 驱动晶体管 DTFT驱动发光器件 3发光。

具体的，本发明实施例中控制子电路 1控制第二电容 C2充电时，预先将 源极电位保存为使驱动晶体管自动截止的电位 ，第一电容 Ci保存驱动晶体管 DTFT的阈值电压， 并使第一电容 Ci存储驱动发光器件发光的数据电压， 通 过第一电容 C1 预存的驱动晶体管 DTFT的阈值电压补偿驱动晶体管 DTFT 的阈值电压，并通过第一电容 Ci存储的数据电压驱动 DTFT的漏极输出驱动 电流， 驱动发光器件 3发光。

本发明实施例中图 2B、 图 2C中驱动晶体管 DTFT为 N型薄膜晶体管， 只是进行示意性说明， 本发明实施例中驱动晶体管 DTFT可以为 N型薄膜晶 体管， 也可以为 P型薄膜晶体管。

本发明实施例中， 像素电路包括控制子电路、 补偿子电路、 驱动晶体管 以及发光器件， 补偿子电路包括第一电容和第二电容， 控制子电路控制第二 电容与第一电容充电， 并通过第二电容充电时， 预先将源极电位保存为使驱 动晶体管自动截止的电位， 并通过第一电容保存驱动晶体管 DTFT的阈值电 压， 并对第一电容充电， 使第一电容存储驱动发光器件发光的数据电压 ， 驱 动 DTFT输出驱动电流驱动发光器件发光， 并通过第一电容预存的驱动晶体 管 DTFT的阈值电压补偿驱动晶体管 DTFT的阈值电压， 使得驱动发光器件 发光的驱动电流， 与驱动晶体管的阈值电压没有关系， 提高了阵列基板中图 像亮度的均匀性。

实施例二

本发明实施例二将结合实际应用对实施例一中 涉及的像素电路进行详细 说明， 当然并不引以为限。

本发明实施例二中控制子电路 1 的充电模块包括用于输出充电信号的第 一门信号源 S1 和第一开关晶体管 Tl、 用于输出扫描电压信号的第二门信号 源 S2和第二开关晶体管 Τ2、 参考信号源与数据信号源 D!。

具体的，本发明实施例中输出充电信号的第一 门信号源 S!控制第一开关 晶体管 T1的导通与截止， 输出扫描电压信号的第二门信号源 S2控制第二开 关晶体管 Τ2的导遥与截止。

迸一步的， 本发明实施例中电压源 13 包括电压源第一端和电压源第二 端， 电压源第一端和电压源第二端输出的电压之间 具有设定压差， 该设定的 压差足以驱动发光器件发光； 其中， 本发明实施例中电压源的第一端为电源 的高电平 VDD， 电压源的第二端为电源的低电平 VSS, 第一开关晶体管 T1 栅极连接第一门信号源 Sl， 漏极连接电压源的第一端即电压源的高电平 VDD, 源极连接驱动晶体管的漏极， 电压源的第二端即电压源的低电平 VSS 一端， 连接第二电容 C2的第二端， 对第二电容迸行充电， 如图 3A所示。

需要说明的是， 本发明实施例图 3A中， 第一开关晶体管 T1的漏极通过 发光器件 i与电压源第一端 VDD进行连接，只是进行示意性说明，其可以直 接与电压源第一端 VDD连接， 只要能够通过该第一开关晶体管 T1控制电压 源的第一端 VDD、 电压源的第二端 VSS、 发光器件 3、 驱动晶体管 DTFT以 及第二电容 C2所在支路导通即可， 这样可以对第二电容 C2充电， 使驱动晶 体管 DTFT的源极电位上升至使驱动晶体管 DTFT自动截止的电位， 通过第 二电容 C2充电获取驱动晶体管 DTFT的阈值电压。

第二开关晶体管 T2栅极连接 ^于输出扫描电压信号的第二门信号源 S2, 漏极连接数据信号源和参考信号源， 源极连接驱动晶体管 DTFT的栅极以及 第一电容 Ci的第一端， 如图 3A所示， 遥过第二门信号源 S2控制第二开关 晶体管 T2的导通与截止， 第二开关晶体管 Τ2导通时， 通过参考信号源向驱 动晶体管 DTFT的栅极输入固定栅极电位的参考电压， 或者通过数据信号源 向驱动晶体管 DTFT的栅极输入驱动发光器件发光的数据电压� �

具体的，第一电容 C1在参考信号源向驱动晶体管 DTFT栅极输入固定栅 极电位的参考电压、 使驱动晶体管的源极电位上升至使驱动晶体管 DTFT 自 动截止的电位时，预先存储驱动晶体管 DTFT的阈值电压；第一电容 C1在数 据信号源向驱动晶体管 DTFT栅极输入驱动发光器件 3发光的数据电压时， 存储驱动发光器件 3发光的数据电压。

迸一步优选的， 本发明实施例中发光控制模块包括第三开关晶 体管 T3 和用于输出发光控制信号的第三门信号源 S3， 如图 3A所示， 第三开关晶体 管 T3的栅极连接第 ΞΞ门信号源 S3， 源极连接电压源的第二端 VSS以及第二 电容 C2的第二端，漏极连接驱动晶体管 DTFT的源极以及第::：::电容的第一端， 该第三开关晶体管 T3的导通与截止，能够控制驱动晶体管 DTFT与电压源第 二端 VSS所在支路导通与否， 并与第一开关晶体管 T1一同控制驱动晶体管 DTFT与发光器件 3所在支路导通，驱动发光器件发光或对第二� �容 C2充电。

具体的， 当第 开关晶体管 T3导通时， 电压源第一端 VDD、 发光器件 3、 第一开关晶体管 Tl、 驱动晶体管 DTFT和电压源第二端 VSS所在支路导 通， 则在驱动晶体管 DTFT输出驱动电流时能够驱动发光器件 3发光； 当进 行像素电路数据写入时， 则该第三开关晶体管 T3截止， 则通过第一开关晶体 管 Ti能够控制电压源的第一端 VDD、 电压源的第二端 VSS、 发光器件 3、 驱动晶体管 DTFT以及第二电容 C2所在支路导通， 对第二电容 C2充电， 进一步， 参考信号源主要用于提供参考电压， 数据信号源 Di 主要用于 提供数据电压， 而参考电压与数据电压为分时传递输入， 故本发明实施例中 可优选将参考信号源与数据信号源 D1 设置为同一信号端子 （也可称为同一 信号源），利用同一信号端子分时对驱动晶体 管 DTFT的栅极输入参考电压或 者数据电压， 以减少信号源的数量， 简化电路结构。

本发明实施例以数据信号源 D1 为例迸行说明， 换言之， 本发明实施例 二提供的像素电路一共包括四个晶体管， 分别为作为开关的 Ti、 T2、 Τ3 以 及产生驱动电流并驱动发光器件发光的驱动晶 体管 DTFT， 两个电容 CI 和 CC22，， 三三个个门门信信号号源源 SSll、、 SS22和和 SS33，， 数数据据信信号号源源 DDl1 以以及及发发光光器器件件和和电电压压源源 ，， 如如图图 33 AA所所示示。。

需需要要说说明明的的是是，， 本本发发明明实实施施例例中中优优选选采采 用用数数据据信信号号源源 DD11 分分时时传传递递参参考考 电电压压与与数数据据电电压压，， 当当然然参参考考电电压压和和数数据据电电 压压也也可可采采用用不不同同的的信信号号 端端子子分分开开传传 递递，， 或或者者采采用用不不同同的的开开关关晶晶 体体管管控控制制，， 本本发发明明实实施施例例不不引引以以为为 限限。。

例例如如：： 采采用用不不同同的的开开关关晶晶体体管管 控控制制输输入入参参考考电电压压和和数数 据据电电压压可可以以为为以以下下 方方式式：： 第第二二开开关关晶晶体体管管 TT22用用于于输输入入数数据据电电压压，， 其其栅栅极极连连接接第第二二门门信信号号 源源 SS22 ((例例如如扫扫描描电电压压）），， 漏漏极极连连接接数数据据信信号号源源，， 源源极极连连接接驱驱动动晶晶体体管管 DDTTFFTT的的栅栅极极 以以及及第第一一电电容容 CC11的的第第一一端端；； 新新增增一一个个第第四四开开关关晶晶体体 管管 TT44 ((未未示示出出）） 用用于于输输 入入参参考考电电压压，， 其其栅栅极极连连接接第第四四门门信信号号 源源 SS44，， 漏漏极极连连接接参参考考信信号号源源，， 源源极极连连接接 驱驱动动晶晶体体管管 DDTTFFTT的的栅栅极极以以及及第第一一电电容� �� CCII 的的第第一一端端；； 其其中中。。 第第二二门门信信号号源源 SS22和和第第四四门门信信号号源源 SS44的的工工作作时时序序只只要要相相互互� �配合合，， 控控制制 TT22和和 TT44的的导导通通和和截截 止止，， 输输出出所所需需的的参参考考电电压压和和 数数据据电电压压即即可可，， 在在此此不不做做限限定定。。 本本发发明明实实施施例例提提 供供的的像像素素电电路路，， 只只包包括括 44个个晶晶体体管管、、 两两个个电电容容、、 一一个个发发光光器器件件、、 数数据据信信号号源源 DDll、、 以以及及信信号号控控制制线线和和电电压压 源源，， 数数据据信信号号源源 DDii分分时时将将参参考考电电压压与与数数� �据电电压压 输输入入至至驱驱动动晶晶体体管管的的栅栅 极极，， 并并通通过过开开关关晶晶体体管管的的导导 通通与与断断开开控控制制第第二二电电容容 预预 先先将将源源极极电电位位保保存存为为使使 驱驱动动晶晶体体管管自自动动截截止止的的 电电位位，， 第第一一电电容容预预先先存存储储驱驱动动 晶晶体体管管的的阈阈值值电电压压，， 第第一一电电容容存存储储的的数数据据电电 压压能能够够驱驱动动驱驱动动晶晶体体管管 输输出出驱驱动动 电电流流并并驱驱动动发发光光器器件件发发 光光，， 驱驱动动发发光光器器件件发发光光时时，， 通通过过第第一一电电容容预预存存的的驱驱 动动 晶晶体体管管 DDTTFFTT的的阈阈值值电电压压能能够够对对驱� ��动动晶晶体体管管 DDTTFFTT的的阈阈值值电电压压进进行行补补偿� ��，， 使使 得得驱驱动动发发光光器器件件发发光光的的 驱驱动动电电流流，， 与与驱驱动动晶晶体体管管的的阈阈值值电电 压压没没有有关关系系，， 提提高高

本发明实施例三提供一种实施例一或实施例二 涉及的像素电路的驱动方 法， 该方法中， 控制子电路 i在扫描电压信号和充电信号控制下， 对补偿子 电路 2进行充电， 使补偿子电路 2固定驱动晶体管 DTFT的栅极电位， 并预 先存储驱动晶体管 DTFT的阈值电压。

进一步的， 控制子电路 i在发光控制信号控制下， 利用补偿子电路 2预 先存储的上述阐值电压补偿驱动晶体管 DTFT的阈值电压， 并控制驱动晶体 管 DTFT驱动发光器件 3发光。

具体的， 补偿子电路 2包括第一电容 C1和第二电容 C2， 使补偿子电路 2固定驱动晶体管 DTFT的栅极电位， 并预先存储驱动晶体管 DTFT的阈值 电压， 采用如下实现方式： 控制子电路 1 向驱动晶体管 DTFT栅极输入固定 栅极电位的参考电压，控制与驱动晶体管 DTFT源极连接的第二电容 C2充电， 使驱动晶体管 DTFT的源极电位上升至使驱动晶体管 DTFT自动截止的电位， 并使第一电容 C!存储驱动晶体管 DTFT的阈值电压。

进一步的， 使第一电容 CI存储驱动晶体管 DTFT的阈值电压之后，还包 括： 控制子电路 1向驱动晶体管 DTFT的栅极输入驱动发光器件 3发光的数 据电压， 使第一电容 C1存储数据电压， 以驱动驱动晶体管 DTFT输出驱动电 流， 驱动发光器件 3发光。

进一步的， 控制子电路 I包括充电模块 11、 发光控制模块 12和电压源 13 , 充电模块 11包括第一门信号源 Si和第一开关晶体管 Ti、 第二门信号源 S2和第二开关晶体管 T2、 电压源、数据信号源以及参考信号源， 发光控制模 块 12包括第三开关晶体管 Τ3和用于输出发光控制信号的第三门信号源 S3 , 其中，

第一开关晶体管 Tl、 第二开关晶体管 Τ2和第三开关晶体管 Τ3均为 Ρ 型薄膜晶体管时， 数据信号源输出的数据电压不大于参考电压源 输出的参考 电压。

第一开关晶体管 Ti、 第二开关晶体管 T2和第三开关晶体管 T3均为 N 型薄膜晶体管 H寸， 数据信号源输出的数据电压不小于参考电压源 输出的参考 电压。

本发明实施例提供的像素电路驱动方法， 控制第二电容充电预先将源极 电位保存为使驱动晶体管自动截止的电位， 第一电容预先存储驱动晶体管的 阈值电压， 第一电容存储的数据电压能够驱动驱动晶体管 输出驱动电流并驱 动发光器件发光， 驱动发光器件发光时， 通过第一电容预存的驱动晶体管 DTFT的阈值电压能够对驱动晶体管 DTFT的阈值电压进行补偿， 使得驱动 发光器件发光的驱动电流， 与驱动晶体管的阈值电压没有关系， 提高了阵列 基板中图像亮度的均匀性。 实施例四

以下结合附图 3B的时序图， 对图 3A中的像素电路的驱动方法迸行详细 说明。

本发明实施例以像素电路中控制子电路包括三 个开关晶体管、 一个数据 信号源 D1以及三个门信号源为例进行说明， 图 3B的时序图为图 3A中四个 晶体管均为 N型薄膜晶体管的操作时序图， 对于 P型薄膜晶体管， 操作时序 中电平信号相反， 在此不再赘述。

第一阶段

第一门信号源 S1与第二门信号源 S2的电平为高电平，第三门信号源 S3 电平为低电平， 即第一门信号源 S1与第二门信号源 S2有效， 使第一开关晶 体管 T1与第二晶体管 T2导遥， 第三门信号源 S3无效， 使第 晶体管 T3断 开， 等效电路如图 4A所示。

在第一阶段中， 数据信号源 D1 传递的是参考电压 Vref, 本发明实施中 参考电压 Vref的大小应满足以下要求：

Vref-Vdata(min)； Vref-VSS>Vthd；

其中， Vthd为 DTFT的阈值电压， 同 H寸 Vdata(mir 为数据电压中的最低 灰阶电压值， 即本发明实施例中数据电压的灰阶电压 Vdata不小于 Vref, 该 参考电压可以使驱动晶体管 DTFT处于开启状态而不至于截止。

当然若 DTFT为 P型晶体管， 参考电压 Vref的大小应满足：

Vref ^:::: Vdata(max)，

即数据电压 Vdata应该不大于参考电压 Vref， 该参考电压可以使驱动晶 体管 DTFT处于开启状态而不至于截止。

迸一歩的， 本发明实施例中在第一阶段， 由于第一开关晶体管 T1导通 _， 第 开关晶体管 T3截止，可使得由电压源输出并流经驱动晶体� �� DTFT的电 流不断的对第二电容 C2充电， s 点的电位不断上升， 直到 s点的电位到达 VrefVthd, 使得驱动晶体管 DTFT自动截止。

迸一歩的， 由于第二开关晶体管 T2导通， 能够将数据信号源 D1传递的 参考电压输入到驱动晶体管 DTFT的栅极， 进而能够对第一电容充电， 此时 第一电容在 g点的电位为 Vref, 而 s点的电位为 VrefVtbd, 进而可知第一电 容两端的电压为 Vthd， 使得第一电容保存了驱动晶体管的阈值电压。

第二阶段

第二门信号源 S2输出的电平为高电平， 第一门信号源 S1与第三门信号 源 S3输出的电平为低电平， 此时只有第二门信号源 S2有效， 第一门信号源 SI与第三门信号源 S3无效， 第二开关晶体管 T2导通， 第一开关晶体管 T! 与第三开关晶体管 T3断开， 等效电路图如图 4B所示。

在第二阶段中， 数据信号源 D1传递的电压从参考电压跳变为数据电压， 数据电压大于等于参考电压，此时由于第一开 关晶体管 T1和第三开关晶体管 T3断开， s点处于悬空状态， 因此数据信号源 D1 上电压的跳变通过第一电 容 C!耦合到 s点， 因此 s点电位跳变为：

Vs::::Vref Vthd+ ( Vdata-Vref) *C1./(C1+C2);

此时第一电容 CI两端的电压为：

Vc I :: Vdata- Vs:::: Vdata- [ Vref~Vihd-f ( Vdata-Vref) *C 1 /(C 1 +C2)]

:: (Wata Vref)*C2/(C 1 +C2)+Vthd；

第≡阶段

第二门信号源 S2输出的电平为低电平， 第一门信号源 Si与第≡门信号 源 S3输出的电平为高电平， 此时第一门信号源 S1与第 门信号源 S3有效， 使得第一开关晶体管 T1 与所述第≡开关晶体管 T3导通， 第二门信号源 S2 无效， 使得第二开关晶体管 T2断开， 等效电路图如图 4C所示。

在第三阶段中， 由于第二开关晶体管 T2断开， 第一电容 C1连接驱动晶 体管 DTFT栅极的一端处于悬空状态， 因此在该阶段不论 s点电位怎么变化, 驱动晶体管 DTFT的栅源电压 Vgs都等于电容 C1两端的电压， 即

Vgs::::Vc 1 :: (Vdata- Vrei)*C2/(C 1+C2)+Vthd:

此时， 如果数据信号源 D1输出的数据电压为最低灰阶 Vdata(min)， 则此 寸的 Vdata等于 Vref, 因此：

Vgs Vc l ^:::: Vthd:

因此通过驱动晶体管 DTFT的饱和电流即发光器件的发光电流大小为� �

Ioled-kd(Vgs-Vthd ) ^A 2-k(Vtlid-Vtlid ) ^Λ 2- 0；

即， 当数据电压为最低灰阶电压时， 发光器件 3不发光。 当然， 若 DTFT为 P型薄膜晶体管， 则当数据电压为 Vd _a t _a (max)时， 发 光电流为 0， 发光器件 3不发光。

如果数据信号源 D1 输出的数据电压不是最低灰阶电压， 则 Vdata大于 Vref, 此日寸， 通过驱动晶体管 DTFT 的饱和电流即发光器件的发光电流大小 为：

loied M(Vgs- VtM) ^A 2=M[(Vdata- Vref)*C2,/(Cl+C2)+Vthd- VtM ] ^A 2

=M[(Vdata- Vrei〕*C2,/(C 1 +C2)] ^A 2

其中， M为与工艺和驱动设计有关的常数， Vthd为驱动晶体管 DTFT的 阈值电压。 由此可见电流大小只与数据电压、参考电压以 及第一电容 C1和第 二电容 C2的大小有关， 和驱动晶体管 DTFT的阈值电压没有关系， 换言之， 阵列基板中各个位置处的显示亮度不再与驱动 晶体管 DTFT 的阈值电压有 关， 只与数据电压、 参考电压以及第一电容 C1和第二电容 C2的大小有关， 使显示亮度更为均匀。

较佳的， 本发明实施例中第一开关晶体管 Ti、 第二开关晶体管 T2和第 三开关晶体管 T3 可以为同类型的薄膜晶体管， 也可为不同类型的薄膜晶体 管， 但是为了简化制作工艺， 本发明实施例中优选第一开关晶体管 Tl、 第二 开关晶体管 Τ2和第三开关晶体管 Τ3均为 Ρ型薄膜晶体管或者均为 Ν型薄膜 晶体管。

若第一开关晶体管 Ti、第二开关晶体管 T2和第三开关晶体管 T3均为 P 型薄膜晶体管， 则数据电压 Vdata不大于参考电压 Vref; 若第一开关晶体管 T 第≡开关晶体管 T2和第≡开关晶体管 T3均为 N型薄膜晶体管， 则数据 电压 Vdata不小于参考电压 Vref

迸一歩的，本发明实施例中可将第二开关晶体 管 T2为与第三开关晶体管 T3不同类型的薄膜晶体管， 此时第一开关晶体管 TI 的类型可以根据需要而 设定，例如可以与第二开关晶体管 T2的类型相同或不同，只需要配以相应的 第一门信号源 Si时序， 配合第二开关晶体管 T2和第三开关晶体管 T3 , 实现 上述功能即可， 在此不做限定。

进一步的， 第一开关晶体管 T1和第 开关晶体管 T3设置为相同类型的 薄膜晶体管， 第二开关晶体管 T2为与第一开关晶体管 T1和第三开关晶体管 T3不同类型的薄膜晶体管， 如图 5所示。

进一步的， 由图 3Β中， 第二门信号源 S2与第三门信号源 S3在不同的 阶段具有相反的电平，故本发明实施例中可优 选将第二开关晶体管 Τ2与第三 开关晶体管 Τ3设置为类型相反的晶体管， 迸而可将第三门信号源 S3与第二 门信号源 S2设置为同一门信号源， 简化电路设计， 如图 5所示。

本发明实施例提供的像素电路以及驱动方法， 通过数据信号源 D1 分时 输入参考电压和数据电压， 并通过对第二电容充电获取驱动晶体管 DTFT的 阈值电压， 并将驱动晶体管的阈值电压保存到第一电容， 通过第一电容预存 的驱动晶体管 DTFT的阈值电压补偿驱动晶体管 DTFT的阈值电压， 使得驱 动电流的大小， 不再与驱动晶体管 DTFT的阈值电压有关， 只与数据电压、 参考电压以及第一电容 C1和第二电容 C2的大小有关，使显示亮度更为均匀。 本发明实施例五提供了一种阵列基板， 如图 6所示， 该阵列基板包括本 发明上述实施例提供的像素电路 50。

具体的， 如图 6所示， 本发明实施例提供的阵列基板包括：

多条沿行方向分布的栅线， 如图 6中所示的：

Sl-1 Sl-2 Sl~3 I S2-1 S2~2 S2-3,....., Sii-1 Sn~2 Sn-3:

多条沿列方向分布的数据线， 如图 6中所示的 Dl、 D2、 ....... Dm; n, m为正整数；

一组栅线和一条数据线限定一个像素单元 10, 例如， 一个像素单元 10 包括 3条栅线 （例如 Si 1 S1- 2 S1- 3) 和 i条数据线 （例如 Di)， 由多条上述 栅线和多条上述数据线限定构成若千个呈矩阵 排列的像素单元；

上述至少一像素单元中包括本发明上述实施例 提供的像素电路 50;其中， 所述像素单元的栅线数量对应于像素电路 50 所需的开关晶体管门信号源数

―目

里。

优选的， 上述每一个像素单元中包括本发明上述实施例 提供的像素电路 50, 位于同一行的像素电路 50的控制子电路， 其各自具有相同门信号源的开 关晶体管的栅极与同一条栅线相连，位于同一 列的像素电路 50的控制子电路 与同一条数据线相连。 上述阵列基板中的多个像素电路通过电源线连 接至电压源， 该电压源能 够输出可以驱动发光器件所需的电压； 例如： 电压源的第一端输出直流高电 平 VDD和电压源的第二端输出直流低电平 VSS。

较佳的， 本发明实施例中， 以一个像素单元 10为例， 像素单元中的控制 子电路的第二门信号源 S2，通过该像素单元的第二栅线 S1- 2与第二开关晶体 管 T2的栅极连接；

迸一步的， 本发明实施例中控制子电路的第一门信号源 Sl， 第三门信号 源 S3可以通过设置 ^加的信号线 (第一栅线 SI 1 ,第三栅线 S1 3)分别与第一 开关晶体管 T1的栅极连接以及与第三开关晶体管 T3的栅极连接； 也可以根 据实际需要和开关晶体管的类型设置，例如： 第二开关晶体管 T2与第三开关 晶体管 T3设置为类型相反的晶体管， 进而可将第三门信号源 S3与第二门信 号源 S2设置为同一门信号源， 即同一像素单元中， 控制子电路的第二门信号 源 S2和第三门信号源 S3的栅极可连接在同一栅线上。

进一步的， 数据信号源 D1 与参考信号源通过数据线与第二开关晶体管 T2的漏极连接。

本发明实施例提供的阵列基板， 像素电路包括控制子电路、补偿子电路、 驱动晶体管以及发光器件， 补偿子电路包括第一电容和第二电容， 控制子电 路能够控制第二电容与第一电容充电， 并使第一电容分时存储所述驱动晶体 管的阈值电压以及驱动所述发光器件发光的数 据电压， 遥过第一电容预存的 驱动晶体管的阈值电压能够对驱动晶体管驱动 发光器件发光时的阈值电压进 行补偿， 最终使得驱动发光器件发光的驱动电流与驱动 晶体管的阈值电压没 有关系， 提高了阵列基板中图像亮度的均匀性。

实施例六

本发明实施例六还提供了一种显示装置，包括 实施例五涉及的阵列基板， 其他结构与现有结构相同， 在此不再赘述。

需要说明的是， 本发明实施例提供的显示装置可以为有机电致 发光显示 OLED面板、 OLED显示器、 OLED电视或电子纸等显示装置。

本发明实施例提供的显示装置， 阵列基板的像素电路包括控制子电路、 补偿子电路、 驱动晶体管以及发光器件， 补偿子电路包括第一电容和第二电 容， 控制子电路能够控制第二电容与第一电容充电 ， 并使第一电容分 ø寸存储 所述驱动晶体管的阈值电压以及驱动所述发光 器件发光的数据电压， 通过第 一电容预存的驱动晶体管的阈值电压能够对驱 动晶体管驱动发光器件发光时 的阈值电压进行补偿， 最终使得驱动发光器件发光的驱动电流与驱动 晶体管 的阈值电压没有关系， 提高了阵列基板中图像亮度的均匀性。

显然， 本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动 和变型而不脱离本 发明的精神和范围。 这样， 倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利 要 求及其等同技术的范围之内， 则本发明也意图包含这些改动和变型在内。