以下、本発明の実施形態を図面を用いて� ��明する。

 図1は、本発明の一実施形態におけるプラ ズマディスプレイパネル(以下、PDPとも称す� �)の要部を示している。図中の矢印D1は、第1� ��向D1を示し、矢印D2は、第1方向D1に画像表示 面に平行な面内で直交する第2方向D2を示して いる。PDP10は、画像表示面を構成する前面基� ��部12(第1パネル)と、前面基板部12に対向する 背面基板部14(第2パネル)とにより構成されて� ��る。前面基板部12と背面基板部14の間(より� �細には、背面基板部14における蛍光体PH(PHr、 PHg、PHb)が塗布された凹部CC)に放電空間DSが形 成される。

 前面基板部12は、ガラス基材FS(第1基板)の ガラス基材RS(第2基板)に対向する面上(図では 下側)に第1方向D1に延在して設けられ、互い� �間隔を置いて配置された複数のXバス電極Xb� �よびYバス電極Ybを有している。また、Xバス� ��極Xbには、Xバス電極XbからYバス電極Ybに向� �て第2方向D2に延在するX透明電極Xtが接続さ� �ている。Yバス電極Ybには、Yバス電極YbからX� ��ス電極Xbに向けて第2方向D2に延在するY透明� ��極Ytが接続されている。図の例では、X透明� ��極XtおよびY透明電極Ytは、第2方向D2に沿っ� �対向している。なお、透明電極Xt、Ytは、第1 方向D1に沿って対向するように設けられても� ��いし、第1方向D1(あるいは、第2方向D2)に対� �て斜めの方向に沿って対向するように設け� �れてもよい。

 例えば、Xバス電極XbおよびYバス電極Ybは� ��金属材料等で形成された不透明な電極であ� ��、X透明電極XtおよびY透明電極Ytは、ITO膜等� ��形成された可視光を透過する透明電極であ� ��。そして、X電極XE(表示電極)は、Xバス電極X bおよびX透明電極Xtにより構成され、Y電極YE(� ��示電極)は、Yバス電極YbおよびY透明電極Ytに より構成され、X電極XEと対をなしている。そ して、互いに対をなすX電極XEおよびY電極YE間 (より具体的には、X透明電極XtおよびY透明電� ��Yt間)で繰り返して放電(サステイン放電)を� �生させる。

 なお、透明電極XtおよびYtは、それぞれが 接続されるバス電極XbおよびYbとガラス基材FS との間に全面に配置されてもよい。また、バ ス電極XbおよびYbと同じ材料(金属材料等)で、 バス電極XbおよびYbと一体の電極が透明電極Xt およびYtの代わりに形成されてもよい。

 電極Xb、Xt、Yb、Ytは、誘電体層DLに覆われ ている。例えば、誘電体層DLは、CVD法により� ��成された二酸化シリコン膜等の絶縁膜であ� ��。そして、誘電体層DL上(図では下側)には、 バス電極Xb、Ybの直交方向(第2方向D2)に延在す る複数のアドレス電極AEが設けられている。� ��のように、前面基板部12は、第1方向D1に延� �する複数の電極XE、YE(表示電極)および第2方� ��D2に延在する複数のアドレス電極AEが設けら れたガラス基材FSを有している。

 アドレス電極AEおよび誘電体層DLは、保護 層PLに覆われている。例えば、保護層PLは、� �電を容易に発生させるために、陽イオンの� �突による2次電子の放出特性の高いMgO膜で形� ��される。

 背面基板部14は、放電空間DSを介してガラ ス基材FSに対向するガラス基材RS(第2基板)を� �している。そして、ガラス基材RS上(ガラス� �材RSのガラス基材FS側)には、第1方向D1と交差 する第2方向D2に延在する複数の隔壁(バリア� �ブ)BR(第1隔壁)が、第1方向D1に沿って配列さ� �ている。すなわち、放電空間DSを介して前面 基板部12に対向する背面基板部14は、ガラス� �材RS上に互いに平行に形成され、バス電極Xb� ��Ybに直交する方向(第2方向D2)に延在する複数 の隔壁BRを有している。例えば、この実施形� ��では、隔壁BRは、ガラス基材RSと一体に形成 されている。この場合、凹部CCの底部よりガ� ��ス基材FS側に位置する部分のガラス基材RSを 隔壁BRと称する。

 ガラス基材RSと一体に設けられた隔壁BRに より、背面基板部14の前面基板部12に対向す� �面側に、凹部CCが形成される。すなわち、互 いに隣接する隔壁BR間に、前面基板部12側に� �口した凹部CCが設けられる。なお、後述する 図2に示すように、凹部CCの第1方向D1に沿う幅 は、開口部から底部に向かうにつれて狭く形 成されている。また、第2方向D2から見た場合 、凹部CCの底部は、円弧状に形成されている� ��なお、第2方向D2から見た場合、凹部CCの底� �は、直線状に形成されてもよい。

 また、隔壁BRにより、セルの側壁が構成� �れる。そして、隔壁BRの側面と、互いに隣接 する隔壁BRの間のガラス基材RS上とには、紫� �線により励起されて赤(R)、緑(G)、青(B)の可� �光を発生する蛍光体PHr、PHg、PHbが、それぞ� �塗布されている。すなわち、互いに異なる� �の光を発生する複数の種類の蛍光体PHr、PHg� �PHbは、凹部CC内の表面にそれぞれ設けられる 。以下、可視光の色毎に区別しない場合等、 蛍光体PHr、PHg、PHbを、蛍光体PHとも称する。

 PDP10の1つの画素は、赤、緑および青の光� ��発生する3つのセルにより構成される。ここ で、1つのセル(一色の画素)は、例えば、バス 電極Xb、Ybと隔壁BRとで囲われる領域に形成さ れる。このように、PDP10は、カラー画像を表� ��するためにセルをマトリックス状に配置し� ��かつ互いに異なる色の光を発生する複数種� ��セルを交互に配列して構成されている。特� ��図示していないが、バス電極Xb、Ybに沿って 形成されたセルにより、表示ラインが構成さ れる。

 PDP10は、前面基板部12および背面基板部14� ��、保護層PLと隔壁BRが互いに接するように貼 り合わせ、Ne、Xe等の放電ガスを放電空間DSに 封入することで構成される。

 図2は、図1に示したPDP10の第1方向D1に沿う 断面を示している。なお、図2は、X透明電極X tおよびY透明電極Ytが互いに対向する位置で� �断面(互いに対をなすバス電極Xbおよびバス� �極Yb間での断面)を示している。図中の矢印D1 の意味は、上述した図1と同じである。また� �図中の網掛け部分は、透明電極Xt、Yt間で発� ��するサステイン放電SDを示している。

 この実施形態では、凹部CCの深さDPは、凹 部CCの開口部の第1方向D1に沿う幅W10より大き� ��。このように、この実施形態では、凹部CC� �深さDPを深くすることにより、放電効率を向 上できる。また、凹部CCの第1方向D1に沿う幅� ��、上述したように、開口部から底部に向か� ��につれて狭く形成されている。例えば、凹� ��CCの開口部の第1方向D1に沿う幅W10は、凹部CC の半分の深さ(1/2・DP)の第1方向D1に沿う幅W20� �り大きく、幅W20は、凹部CCの4分の3の深さ(3/4 ・DP)の第1方向D1に沿う幅W30より大きい。

 このように、この実施形態では、凹部CC� �第1方向D1に沿う幅は、少なくとも凹部CCの深 さDPの半分の位置(1/2・DP)から底部までの範囲 では、ガラス基材FS側からガラス基材RS側に� �かうにつれて狭く形成されている。これに� �り、この実施形態では、例えば、距離DT1と� �離DT2との差を小さくでき、サステイン放電SD を放電空間DS全体に広げることができる。こ� ��で、例えば、距離DT1は、透明電極Xt、Yt間か ら近い位置に設けられた蛍光体PHの表面とサ� ��テイン放電SDの発生領域(放電位置)との距離 であり、距離DT2は、透明電極Xt、Yt間から遠� �位置に設けられた蛍光体PHの表面とサステイ ン放電SDの発生領域との距離である。

 この実施形態では、距離DT1と距離DT2との� ��を小さくできるため、透明電極Xt、Yt間から 遠い位置に設けられた蛍光体PHから効率よく� ��視光VLを発生させることができ、PDP10の発光 効率を向上できる。また、この実施形態では 、サステイン放電SDを放電空間DS全体に広げ� �ことができるため、特定の位置(例えば、透� ��電極Xt、Yt間から近い位置)の蛍光体PHのみが 劣化することを防止でき、蛍光体PH全体の寿� ��を長くできる。すなわち、この実施形態で� ��、蛍光体PHの劣化を抑制しつつ、PDPの発光� �率を向上できる。

 また、この実施形態では、凹部CCの第1方� ��D1に沿う幅がガラス基材FS側からガラス基材 RS側に向かうにつれて狭く形成されているた� ��、ガラス基材FSに平行な方向に発せられる� �視光VL(表示に寄与しない可視光)を減らすこ� ��ができる。すなわち、この実施形態では、� ��ラス基材FS側に可視光VLを発する蛍光体PHの� ��(表面積)を増やすことができ、ガラス基材FS に到達する可視光VLの量を増加させることが� ��きる。これにより、PDP10の発光効率を向上� �き、PDP10に表示される画像の輝度を高くでき る。

 図3は、図2に示した凹部CCの製造方法の一 例を示している。なお、図3は、凹部CCが形成 されるまでの背面基板部14(ガラス基材RSおよ� ��隔壁BR)の第1方向D1に沿う断面を示している� ��図中の矢印D1の意味は、上述した図1と同じ� ��ある。

 まず、隔壁BRの頂部のパターンを有する� �ォトレジストR10がガラス基材RS上に形成され る(図3(a))。すなわち、凹部CCの開口部が形成� ��れる領域を除いた部分のガラス基材RS上に� �ォトレジストR10が設けられる。次に、サン� �ブラスト装置のノズルガンN10からガラス基� �RSに向かって研磨材G10が噴射される。(図3(b)) 。サンドブラストにより、研磨材G10が吹き付 けられた部分(例えば、フォトレジストR10で� �われていない部分)のガラス基材RSが除去さ� �る(図3(c))。なお、後述する図4に示すように� ��ノズルガンN10の噴射圧力や研磨材G10の粒径� ��のサンドブラストの条件を調整することに� ��り、凹部CCの深さDPや幅W10、W20、W30等を調整 できる。最後に、フォトレジストR10が除去さ れ、隔壁BRおよび凹部CCが形成される。(図3(d) )。

 図4は、図3に示した製造方法のサンドブ� �ストの条件と凹部CCの形状との関係の一例を 示している。なお、図中の幅W10、W20、W30およ び深さDPは、凹部CCの開口部の幅W10に対する� �対値を示している。サンドブラストの条件c1 では、ノズルガンN10の噴射圧力PRが0.15MPaであ り、研磨材粒径S10(研磨材G10の粒径S10)が3~5μm� ��あり、加工時間(噴射時間)T10が1時間である� ��条件c2では、噴射圧力PRが0.3MPaであり、研磨 材粒径S10が3~5μmであり、加工時間T10が1時間� �ある。条件c3では、噴射圧力PRが0.15MPaであり 、研磨材粒径S10が2~4μmであり、加工時間T10が 1時間である。

 条件c1では、凹部CCの半分の深さ(1/2・DP)� �幅W20は、凹部CCの開口部の幅W10の0.75倍程度� �形成され、凹部CCの4分の3の深さ(3/4・DP)の幅 W30は、凹部CCの開口部の幅W10の0.6倍程度に形� ��される。また、凹部CCの深さDPは、凹部CCの� ��口部の幅W10の1.3倍程度に形成される。例え� ��、凹部CCの開口部の幅W10が200μmの場合、幅W2 0は、150μm程度であり、幅W30は、120μm程度で� �り、深さDPは、260μm程度である。

 条件c2では、幅W20は、幅W10の0.7倍程度に� �成され、幅W30は、幅W10の0.55倍程度に形成さ� ��、深さDPは、幅W10の1.9倍程度に形成される� �例えば、幅W10が200μmの場合、幅W20は、140μm� �度であり、幅W30は、110μm程度であり、深さDP は、380μm程度である。このように、噴射圧力 PRが大きい条件c2では、凹部CCの深さDPは、条� ��c1に比べて大きく形成される。すなわち、� �射圧力PRを大きくすることにより、凹部CCの� ��さDPを深くできる。なお、この実施形態で� �、上述したように、凹部CCの第1方向D1に沿う 幅が開口部から底部に向かうにつれて狭く形 成されているため、深い凹部CC(および、高い 隔壁BR)を容易に形成できる。したがって、こ の実施形態では、凹部CCの深さDPを深くする� �とにより、放電空間DSを容易に大きくできる 。

 条件c3では、幅W20は、幅W10の0.95倍程度に� ��成され、幅W30は、幅W10の0.7倍程度に形成さ� ��、深さDPは、幅W10の1.25倍程度に形成される� ��例えば、幅W10が200μmの場合、幅W20は、190μm� ��度であり、幅W30は、140μm程度であり、深さD Pは、250μm程度である。このように、研磨材� �径S10が小さい条件c3では、凹部CCの開口部の� ��W10と凹部CCの半分の深さ(1/2・DP)の幅W20との� ��は、条件c1に比べて小さく形成される。す� �わち、研磨材粒径S10を小さくすることによ� �、凹部CCの開口部から凹部CCの半分の深さ(1/2 ・DP)までの範囲で、第1方向D1に沿う幅の変化 量(例えば、幅W10と幅W20との差)を小さくでき� ��。

 図5は、図1に示したPDP10を用いて構成され たプラズマディスプレイ装置の一例を示して いる。プラズマディスプレイ装置(以下、PDP� �置とも称する)は、PDP10、PDP10の画像表示面16� ��(光の出力側)に設けられる光学フィルタ20、 PDP10の画像表示面16側に配置された前筐体30、 PDP10の背面18側に配置された後筐体40およびベ ースシャーシ50、ベースシャーシ50の後筐体40 側に取り付けられ、PDP10を駆動するための回� ��部60、およびPDP10をベースシャーシ50に貼り� ��けるための両面接着シート70を有している� �回路部60は、複数の部品で構成されるため、 図では、破線の箱で示している。光学フィル タ20は、前筐体30の開口部32に取り付けられる 保護ガラス(図示せず)に貼付される。なお、� ��学フィルタ20は、電磁波を遮蔽する機能を� �してもよい。また、光学フィルタ20は、保護 ガラスではなく、PDP10の画像表示面16側に直� �貼付されてもよい。

 以上、この実施形態では、凹部CCの第1方� ��D1に沿う幅は、上述したように、開口部か� �底部に向かうにつれて狭く形成されている� �これにより、この実施形態では、サステイ� �放電SDを放電空間DS全体に広げることができ� ��PDP10の発光効率を向上できる。また、この� �施形態では、特定の位置(例えば、透明電極X t、Yt間から近い位置)の蛍光体PHのみが劣化す ることを防止できるため、蛍光体PH全体の寿� ��を長くでき、PDP10の寿命を長くできる。す� �わち、この実施形態では、蛍光体PHの劣化を 抑制しつつ、PDPの発光効率を向上できる。

 図6は、別の実施形態におけるPDP10の概要� ��示している。この実施形態では、上述した� ��1に示した構成に、隔壁BR2が追加されて構成 されている。その他の構成は、図1-図5で説明 した実施形態と同じである。なお、例えば、 凹部CC2の製造方法は、フォトレジストR10のパ ターンを除いて、上述した図3と同じである� �図1-図5で説明した要素と同一の要素につい� �は、同一の符号を付し、これ等については� �詳細な説明を省略する。

 ガラス基材RS上には、隔壁BRおよび隔壁BR2 (第2隔壁)により構成される格子状の隔壁が形 成されている。なお、上述した図1に示した� �凹部CCは、隔壁BR2により仕切られ、凹部CC2に 分割されている。すなわち、背面基板部14は� ��ガラス基材RSに第1方向D1に延在して設けら� �、上述した図1に示した凹部CCを仕切る複数� �隔壁BR2を有している。例えば、この実施形� �では、隔壁BR2は、ガラス基材RSおよび隔壁BR� ��一体に形成されている。この場合、凹部CC2� ��底部よりガラス基材FS側に位置する部分の� �ラス基材RSを隔壁BRあるいは隔壁BR2と称する� ��

 隔壁BR、BR2により、セルの側壁が構成さ� �る。そして、隔壁BR、BR2の側面と、隔壁BR、B R2により囲まれた部分のガラス基材RS上とに� �、紫外線により励起されて赤(R)、緑(G)、青(B )の可視光を発生する蛍光体PHr、PHg、PHbが、� �れぞれ塗布されている。すなわち、互いに� �なる色の光を発生する複数の種類の蛍光体PH r、PHg、PHbは、凹部CC2内の表面にそれぞれ設� �られる。

 図7は、図6に示したPDP10の第2方向D2に沿う 断面を示している。なお、図7は、図6に示し� ��X透明電極XtおよびY透明電極Yt間での断面を� ��している。また、図6に示したPDP10の第1方向 D1に沿う断面は、上述した図2と同じため、説 明を省略する。

 凹部CC2の第2方向D2に沿う幅は、開口部か� ��底部に向かうにつれて狭く形成されている� ��例えば、凹部CC2の開口部の第2方向D2に沿う� ��W12は、凹部CC2の半分の深さ(1/2・DP)の第2方� �D2に沿う幅W22より大きく、幅W22は、凹部CC2の 4分の3の深さ(3/4・DP)の第2方向D2に沿う幅W32よ り大きい。また、この実施形態では、凹部CC2 の底部の第2方向D2に沿う断面は、円弧状に形 成されている。なお、凹部CC2の底部の第2方� �D2に沿う断面は、直線状に形成されてもよい 。

 上述したように、凹部CC2の第2方向D2に沿� ��幅は、少なくとも凹部CC2の深さDPの半分の� �置(1/2・DP)から底部までの範囲では、ガラス� ��材FS側からガラス基材RS側に向かうにつれて 狭く形成されている。これにより、この実施 形態では、サステイン放電を放電空間DS全体� ��広げることができ、蛍光体PHの劣化を抑制� �つつ、PDPの発光効率を向上できる。

 図8は、上述した図3に示した製造方法の� �ンドブラストの条件と凹部CC2との形状の関� �の一例を示している。なお、図中の幅W12、W2 2、W32および深さDPは、凹部CC2の開口部の第2� �向D2に沿う幅W12に対する相対値を示している 。また、括弧内の数値は、上述した図2-図4に 示した凹部CC(図7および図8では、凹部CC2)の開 口部の第1方向D1に沿う幅W10に対する相対値を 示している。サンドブラストの条件c1、c2、c3 は、上述した図4と同じである。

 条件c1では、凹部CC2の半分の深さ(1/2・DP)� ��幅W22は、凹部CC2の開口部の幅W12の0.75倍程度 に形成され、凹部CC2の4分の3の深さ(3/4・DP)の 幅W32は、凹部CC2の開口部の幅W12の0.59倍程度� �形成される。また、凹部CC2の深さDPは、凹部 CC2の開口部の幅W12の0.59倍程度に形成される� �例えば、凹部CC2の開口部の第1方向D1に沿う� �(上述した図4に示した凹部CCの幅W10)が200μmの 場合、幅W12は、440μm(幅W10の2.2倍)程度である� ��この場合、幅W22は、330μm(幅W10の1.65倍)程度� ��あり、幅W32は、260μm(幅W10の1.3倍)程度であ� �、深さDPは、260μm(幅W10の1.3倍)程度である。

 条件c2では、幅W22は、幅W12の0.7倍程度に� �成され、幅W32は、幅W12の0.54倍程度に形成さ� ��、深さDPは、幅W12の0.86倍程度に形成される� ��例えば、凹部CC2の開口部の第1方向D1に沿う� ��(図4に示した凹部CCの幅W10)が200μmの場合、� �W12は、440μm(幅W10の2.2倍)程度である。この場 合、幅W22は、310μm(幅W10の1.55倍)程度であり、 幅W32は、240μm(幅W10の1.2倍)程度であり、深さD Pは、380μm(幅W10の1.9倍)程度である。

 条件c3では、幅W22は、幅W12の0.93倍程度に� ��成され、幅W32は、幅W12の0.68倍程度に形成さ れ、深さDPは、幅W12の0.57倍程度に形成される 。例えば、凹部CC2の開口部の第1方向D1に沿う 幅(図4に示した凹部CCの幅W10)が200μmの場合、� ��W12は、440μm(幅W10の2.2倍)程度である。この� �合、幅W22は、410μm(幅W10の2.05倍)程度であり� �幅W32は、300μm(幅W10の1.5倍)程度であり、深さ DPは、300μm(幅W10の1.25倍)程度である。

 以上、この実施形態においても、上述し� ��図1-図5で説明した実施形態と同様の効果を� ��ることができる。

 なお、上述した実施形態では、1つの画素 が、3つのセル(赤(R)、緑(G)、青(B))により構成 される例について述べた。本発明はかかる実 施形態に限定されるものではない。例えば、 1つの画素を4つ以上のセルにより構成しても� ��い。あるいは、1つの画素が、赤(R)、緑(G)、 青(B)以外の色を発生するセルにより構成され てもよく、1つの画素が、赤(R)、緑(G)、青(B)� �外の色を発生するセルを含んでもよい。

 上述した実施形態では、第2方向D2が、第1 方向D1に直交する例について述べた。本発明� ��かかる実施形態に限定されるものではない� ��例えば、第2方向D2は、第1方向D1と、ほぼ直� ��方向(例えば、90度±5度)に交差してもよい。 この場合にも、上述した実施形態と同様の効 果を得ることができる。

 上述した実施形態では、凹部CCの第1方向D 1に沿う幅が、開口部から底部に向かうにつ� �て狭く形成される例について述べた。本発� �はかかる実施形態に限定されるものではな� �。例えば、図9に示すように、凹部CCの半分� �深さ(1/2・DP)の幅W24は、凹部CCの開口部の幅W1 0と同じでもよい。この場合、凹部CCの第1方� �D1に沿う幅は、凹部CCの深さDPの半分の位置(1 /2・DP)から底部までの範囲では、ガラス基材F S側からガラス基材RS側に向かうにつれて狭く 形成されている。この場合にも、上述した実 施形態と同様の効果を得ることができる。

 図9は、上述した図1に示したPDP10の変形例 における第1方向D1に沿う断面を示している。 なお、図9は、X透明電極XtおよびY透明電極Yt� �互いに対向する位置での断面(互いに対をな� ��バス電極Xbおよびバス電極Yb間での断面)を� �している。図9のPDP10では、凹部CCの形状が、 上述した図1-図5で説明した実施形態と相違し ている。その他の構成は、上述した図1-図5で 説明した実施形態と同じである。図1-図5で説 明した要素と同一の要素については、同一の 符号を付し、これ等については、詳細な説明 を省略する。

 凹部CCの第1方向D1に沿う幅は、凹部CCの深 さDPの半分の位置(1/2・DP)から底部までの範囲 では、ガラス基材FS側からガラス基材RS側に� �かうにつれて狭く形成されている。例えば� �凹部CCの開口部の第1方向D1に沿う幅W10は、凹 部CCの半分の深さ(1/2・DP)の第1方向D1に沿う幅 W24と同じであり、幅W24は、凹部CCの4分の3の� �さ(3/4・DP)の第1方向D1に沿う幅W34より大きい� ��すなわち、図9の例では、凹部CCの第1方向D1� ��沿う断面は、U字形状に形成されている。な お、凹部CCの底部の第1方向D1に沿う断面は、� ��線状に形成されてもよい。この場合にも、� ��述した実施形態と同様の効果を得ることが� ��きる。

 上述した実施形態では、隔壁BRが、ガラ� �基材RSと一体に形成される例について述べた 。本発明はかかる実施形態に限定されるもの ではない。例えば、隔壁BRは、ペースト状の� ��壁材料を用いて形成されてもよい。この場� ��、先ず、ペースト状の隔壁材料がガラス基� ��RS上に塗布され、乾燥される。その後、上� �した図3に示したフォトレジストR10が、隔壁� ��料上に設けられる。そして、サンドブラス� ��等により、フォトレジストR10で覆われてい� ��い部分の隔壁材料が除去され、隔壁BRおよ� �凹部CCが形成される。この場合にも、上述し た実施形態と同様の効果を得ることができる 。

 上述した実施形態では、アドレス電極AE� �前面基板部12に設けられる例について述べた 。本発明はかかる実施形態に限定されるもの ではない。例えば、図10に示すように、アド� ��ス電極AEは、背面基板部14に設けられてもよ い。図10の構成では、第2方向D2に延在する複� ��のアドレス電極AEは、背面基板部14のガラス 基材RS上に設けられ、誘電体層DL2に覆われて� ��る。そして、誘電体層DL2上には、隔壁BRが� �成されている。

 この場合、先ず、ペースト状の隔壁材料� ��ガラス基材RS上に塗布され、乾燥される。� �の後、上述した図3に示したフォトレジストR 10が、隔壁材料上に設けられる。そして、サ� ��ドブラスト等により、フォトレジストR10で� ��われていない部分の隔壁材料が除去され、� ��壁BRおよび凹部CCが形成される。この場合に も、上述した実施形態と同様の効果を得るこ とができる。

 上述した実施形態では、凹部CCの深さDPが 、凹部CCの開口部の第1方向D1に沿う幅W10より� ��きく形成される例について述べた。本発明� ��かかる実施形態に限定されるものではない� ��例えば、凹部CCの深さDPは、凹部CCの開口部� ��第1方向D1に沿う幅W10より小さく形成されて� ��よいし、幅W10と同じに形成されてもよい。� ��の場合にも、凹部内の形状が長方形に近いP DPに比べて、発光効率を向上できる。したが� ��て、この場合にも、上述した実施形態と同� ��の効果を得ることができる。

 以上、本発明について詳細に説明してき� ��が、上記の実施形態およびその変形例は発� ��の一例に過ぎず、本発明はこれに限定され� ��ものではない。本発明を逸脱しない範囲で� ��形可能であることは明らかである。