以下では、本発明の実施例および比較例に� ��いて説明する。
 本発明の実施例および比較例を、それぞれ� ��下のような組成で作製した。
 (実施例1~3)
 アンモニア                5重量%
 アンモニウム塩:塩化アンモニウム     10 重量%
 過酸化水素                2重量%
 アミノ酸:アスパラギン酸         3~10� �量%
 pH調整剤:水酸化カリウム        5~10重� �%
 水                    残部
 pHは、10.2に調整した。
 実施例1は、アスパラギン酸が3重量%、実施� ��2は、アスパラギン酸が5重量%、実施例3は、 アスパラギン酸が10重量%である。
 (実施例4~6)
 アンモニア                5重量%
 アンモニウム塩:塩化アンモニウム     10 重量%
 過酸化水素                2重量%
 アミノ酸:セリン             3~10重量 %
 pH調整剤:水酸化カリウム        5~10重� �%
 水                    残部
 pHは、10.2に調整した。
 実施例4は、セリンが3重量%、実施例5は、セ リンが5重量%、実施例6は、セリンが10重量%で ある。
 (実施例7~11)
 アンモニア                5重量%
 アンモニウム塩:塩化アンモニウム     10 重量%
 過酸化水素                2重量%
 アミノ酸:アスパラギン酸         1~10� �量%
 pH調整剤:水酸化カリウム        5~10重� �%
 水                    残部
 pHは、10.4に調整した。
 実施例7は、アスパラギン酸が1重量%、実施� ��8は、アスパラギン酸が3重量%、実施例9は、 アスパラギン酸が5重量%、実施例10は、アス� �ラギン酸が7重量%、実施例11は、アスパラギ� ��酸が10重量%である。
 (比較例)
 アンモニア                5重量%
 アンモニウム塩:塩化アンモニウム     10 重量%
 過酸化水素                2重量%
 pH調整剤:水酸化カリウム        10重量%
 水                    残部
 比較例は、アミノ酸を含んでいない。
 比較例1は、pH10.2であり、比較例2はpH10.4で� �る。
 これらの実施例1~11、および比較例1,2を用い て、研磨速度に対するアミノ酸濃度の影響を 検討した。研磨条件、および研磨速度の評価 方法は以下に示す通りである。また、評価結 果を図1および図2に示す。
 [研磨条件]
  被研磨基板:φ100mm銅めっき基板
  研磨装置:ECOMET4(BUEHLER社製)
  研磨パッド:MHパッド(ニッタ・ハース社製)
  研磨定盤回転速度:200rpmμm/
  キャリア回転速度:65rpm
  研磨荷重面圧:140gf/cm ²
  半導体研磨用組成物の流量:20ml/min
  研磨時間:60秒間
 [研磨速度]
 研磨速度は、単位時間当たりに研磨によっ� ��除去されたウエハの厚み(μm/min)で表される� ��研磨によって除去されたウエハの厚みは、� ��エハ重量の減少量を測定し、ウエハの研磨� ��の面積で割ることで算出した。
 図1および図2は、研磨速度に対するアミノ� �濃度の影響を示すグラフである。図1は、実� ��例1~6および比較例1の結果を示し、図2は、� �施例7~11および比較例2の結果を示す。縦軸は 研磨速度を示し、横軸はアミノ酸濃度を示す 。また比較例1,2は、アミノ酸濃度が0重量%の� ��ロットである。折れ線1は、アスパラギン酸 (実施例1~3)の結果を示し、折れ線2は、セリン (実施例4~6)の結果を示し、折れ線3は、アスパ ラギン酸(実施例7~11)の結果を示している。
 グラフからわかるように、アミノ酸を含む� ��とで実施例1~11は、比較例1,2より研磨速度が 向上した。また、特に図2に示されるように� �ミノ酸濃度1.0~8.0重量%が好ましく、より好ま しくは3.0~7.0重量%である。アスパラギン酸で� ��5重量%、セリンでは3重量%で研磨速度が最大 となることがわかった。
 次に、段差解消性について評価を行った。
 図3は、段差解消性の評価用基板を示す模式 図である。
 評価用基板は、基板4の表面に、形成しよう とする配線パターンに対応する溝5(幅w)を形� �したのち、めっきおよび箔貼りなどにより� �板表面の全面に銅膜6(厚みt)を被覆して溝お� ��び孔に銅を埋め込んだ銅めっき基板である� ��このとき銅膜6の埋め込み部分には、溝5に� �じて凹所が形成され、この凹所の深さがい� �ゆる段差(g)となる。
 エッチング力が強いスラリーを用いた場合� ��銅膜6の表層部分が研磨によって除去されて いると同時に、凹所の底部もエッチングによ って除去される。そうすると、凹所が形成さ れたまま研磨が進行するので、余分な銅膜6� �除去したときに、本来除去するべきではな� �溝5の埋め込み部分も除去されてしまう。す� ��わちディッシングが発生することになる。
 凹所の底部は除去されることなく、銅膜6の 表層部分のみが除去されれば、研磨が進行す るにつれて凹所が浅くなり、段差が解消され る。したがって、このような段差解消性を評 価することでディッシングの評価を行うこと ができる。
 段差解消性の評価は、φ100mm銅めっき基板お よびφ300mm銅貼ガラスエポキシ基板の2種類の� ��価基板を用いて評価を行った。
 (銅めっき基板)
 銅膜6の厚みがt=8μm、凹所の深さ(段差)がg=6� �m、溝5の幅がw=0.3mmの銅めっき基板を用いた� �実施例2および比較例1のスラリーを使用し、 段差解消性を評価した。研磨条件は、上記の 条件と同様である。
 図4は、段差解消性の評価結果を示す図であ る。縦軸が段差を示し、横軸が銅膜厚みを示 す。なお、研磨前の状態での銅膜厚みを8μm� �し、研磨によって銅膜が除去されると厚み� �減少することになる。
 段差解消性は、銅膜厚みの減少とともに段� ��が0へと近づくような状態が望ましい研磨状 態であり、図4においては、測定値の近似直� �の傾きが大きくなればなるほど望ましい研� �状態であるといえる。
 実施例2および比較例1のスラリーを使用し� �研磨中に、銅膜厚みと段差とを測定し、測� �値を図4にプロットした。
 図4において、近似直線7が実施例2の段差解� ��性を示し、近似直線8が比較例1の段差解消� �を示す。近似直線8よりも近似直線7の方が傾 きが大きいことから、実施例2を用いた場合� �ほうが段差解消性に優れていることがわか� �た。
 (銅貼ガラスエポキシ基板)
 銅膜6の厚みがt=40μm、凹所の深さ(段差)がg=2 5μm、溝5の幅がw=0.2mmの銅貼ガラスエポキシ基 板を用いた。実施例1,2,12および比較例1のス� �リーを使用し、段差解消性を評価した。研� �条件は、下記の条件である。
 [研磨条件]
  被研磨基板:φ300mm銅貼ガラスエポキシ基板
  研磨装置:SP800(Speed fam社製)
  研磨パッド:MHパッド(ニッタ・ハース株式� ��社製)
  研磨定盤回転速度:100rpm
  キャリア回転速度:フリー
  研磨荷重面圧:150gf/cm ²
  半導体研磨用組成物の流量:100~500ml/min
  研磨時間:120秒間
 図5は、段差解消性の評価結果を示す図であ る。縦軸が段差を示し、横軸が銅膜厚みを示 す。なお、研磨前の状態での銅膜厚みを40μm� ��し、研磨によって銅膜が除去されると厚み� ��減少することになる。
 実施例1,2,12および比較例1のスラリーを使用 した研磨中に、銅膜厚みと段差とを測定し、 測定値を図5にプロットした。なお、実施例12 は、アスパラギン酸が2重量%であること以外� ��、実施例1~3と同様である。
 図5において、近似直線9が実施例12の段差解 消性を示し、近似直線10が実施例1の段差解消 性を示し、近似直線11が実施例2の段差解消性 を示し、近似直線12が比較例1の段差解消性を 示す。近似直線12よりも近似直線9~11の方が傾 きが大きいことから、実施例1,2,12を用いた場 合のほうが段差解消性に優れていることがわ かった。
 以上の結果から、本発明の研磨組成物は、� ��板の大きさを問わず段差解消性に優れ、デ� ��ッシングを抑制できることがわかった。
 以上のように、本発明は、ディッシングを� ��制し、より高速研磨が可能な研磨組成物が� ��現できる。
 本発明は、その精神または主要な特徴から� ��脱することなく、他のいろいろな形態で実� ��できる。したがって、前述の実施形態はあ� ��ゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範� ��は特許請求の範囲に示すものであって、明� ��書本文には何ら拘束されない。さらに、特� ��請求の範囲に属する変形や変更は全て本発� ��の範囲内のものである。