Bezeichnung der Erfindung: Schaltungsanordnung zur Versorgung eines elektronischen Lastkreiseε

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Versorgung eines elektronischen Lastkreises mit einer elek¬ trischen Hochspannung, dessen Wert betragsmäßig größer ist als der Wert einer die Schaltungsanordnung versorgenden Ver- sorgungsSpannung, welche Schaltungsanordnung eine elektrisch mit dem Lastkreis verbundene Pumpschaltung aufweist, die auf der Grundlage eines internen Schaltsignales mit einer vorbe¬ stimmten Pumpfrequenz die Hochspannnung derart an den Laεt- kreis ausgibt, daß die von dem Lastkreiε aufgenommene elek- trische Pumpleistung der Pumpschaltung im wesentlichen sowohl von dem Wert der Versorgungspannung als auch dem Wert der Pumpfreguenz des Schaltsignales der Pumpschaltung abhängt.

Für elektrisch programmierbare und löschbare Halbleiterspei- eher werden zum Programmieren und Löschen Spannungen benö¬ tigt, welche die in den meisten Fällen übliche Versorgungs- Spannung betragsmäßig überschreiten. Die Speicherzellen elek¬ trisch programmierbarer und löschbarer Halbleiterspeicher sind üblicherweise aus zwei extern ansteuerbaren Elektroden und einer dazwischenliegenden potentialungebundenen Elektrode aufgebaut. Das Programmieren solcher Speicherzellen erfolgt durch Aufbringen von Ladungen auf die potentialungebundene Elektrode durch Anlegen einer Hochspannung zwischen den bei¬ den extern ansteuerbaren Elektroden, welche typischerweise etwa +18 Volt beträgt, das Löschen erfolgt durch Entfernen von Ladungen von der potentialungebundenen Elektrode durch Anlegen einer Hochspannung, welche ein gegenüber der Program¬ mierspannung entgegengesetzes Vorzeichen aufweist und typi¬ scherweise etwa -12 Volt beträgt. Wichtige Einsatzgebiete elektrisch programmierbarer und löschbarer Halbleiterspeicher sind neben den elektronischen Datenverarbeitungsanlagen ins¬ besondere elektronischen Karten, wie beispielsweise Speicher-

karten und Mikroprozessorkarten. In diesen Fallen wird dabei die Versorgungsspannung extern von einem sogenannten Terminal wahrend eines Datenaustausches zwischen der elektronischen Karte und dem Terminal zugeführt. Im Bereich der TTL- Technologie mit aus bipolaren Transistoren aufgebauten inte¬ grierten Halbleiterbauelementen betragt die Versorgungsspan¬ nung üblicherweise 5 Volt ± 10 %, wahrend im Bereich der CMOS-Technoiogie mit Feldeffekttransistoren aufgebauten inte¬ grierten Haloleiterbauelementen Werte von typischerweise 3 Volt ± 10 % üblich sind. Für die genannten Einsatzgebiete von elektrisch programmierbaren und loschbaren Halbleiterspei- chern ist es daher wünschenswert, eine Hochspannungserzeu- gungsschaltung für Spannungen beider Vorzeichen zur Verfugung zu stellen, welche sowohl mit einer Versorgungsspannung von etwa 3 Volt, als auch mit einer Versorgungsspannung von etwa 5 Volt arbeitet.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung der eingangs genannten Gattung anzugeben, welche mit unterschiedlichen Versorgungspannungen zur Abgabe einer konstanten Pumpleistung an den Lastkreis betreibbar

Diese AufgaDe wird durch eine Schaltungsanordnung nach An- spruch 1 gelost.

Erfmdungsgemaß ist vorgesehen, daß die Schaltungsanordnung eine der Pumpschaltung zugeordnete, mit einer wenigstens aus der Versorgungsspannung der Pumpschaltung abgeleiteten Span- nung versorgte elektronische Steuerschaltung aufweist, die in Abhängigkeit eines vom Wert der Versorgungsspannung abhangi¬ gen Steuersignales em auf die Pumpfrequenz zur Erzeugung der von der Pumpschaltung abgegebenen Hochspannung wirkendes Schaltsignal an die Pumpschaltung derart abgibt, daß der Wert der Pumpfrequenz des Schaltsignales sich umgekehrt zum Wert der Versorgungsspannung verhalt. Der Erfindung liegt die Er¬ kenntnis zugrunde, die Abhängigkeit der an den Lastkreis ab-

gegebenen Pumpleistung vom Produkt aus der Versorgungsspan¬ nung und der Pumpfrequenz solchermaßen auszunutzen, daß zur Abgabe einer möglichst konstanten Pumpleistung auch bei un¬ terschiedlichen Versorgungsspannungen die Pumpfrequenz so ge- steuert wird, daß sie mit einer Abnahme der Versorgungsspan¬ nung ansteigt. Der schaltungstechnische Aufwand ist dabei verhältnismäßig gering, da lediglich ein einziges, dem Wert der Versorgungsspannung entsprechendes Steuersignal zur Steuerung der Pumpfrequenz erforderlich ist. Die Pumpfrequenz kann somit ausschließlich in Abhängigkeit vom Wert der Ver¬ sorgungsspannung gesteuert werden. Andere Großen, wie bei¬ spielsweise die Leistungsabgabe der Pumpschaltung oder die Leistungsaufnahme des Lastkreises, besitzen keinen wesentli¬ chen Einfluß auf die Pumpfrequenz, so daß weitere Signale zur Steuerung der Pumpfrequenz, die von anderen Großen als der Versorgungsspannung abhangig sind, nicht erforderlich sind.

Bei einer bevorzugten Ausbildung der erfindungsgemaßen Schal¬ tungsanordnung, kann vorgesehen sein, daß die Pumpschaltung vermittels des Steuersignales der Steuerschaltung zur Abgabe einer wenigstens annähernd konstanten Pumpleistung an den Lastkreis gesteuert ist, wobei die Abgabe der Pumpleistung der Pumpschaltung vermittels der Steuerschaltung im wesentli¬ chen proportional zum Produkt aus dem Versorgungsspannungs- wert und der Pumpfrequenz gesteuert ist. Um die Pumpleistung der Pumpschaltung auf einem konstanten Wert zu halten, kann vorgesehen sein, die Pumpfrequenz derart durch den Wert der Versorgungsspannung zu steuern, daß der Einfluß des Versor- gungsspannungswertes auf die Pumpleistung kompensiert wird.

Unter Berücksichtigung des proportionalen Zusammenhangs zwi¬ schen der Pumpleistung einerseits und dem Produkt aus der Versorgungsspannung und der Pumpfrequenz andererseits kann weiterhin vorgesehen sein, daß die Abgabe der Pumpleistung der Pumpschaltung vermittels der Ξteuerschaltung m Abhängig¬ keit von dem Versorgungsspannungswert derart gesteuert ist, daß die Pumpfrequenz indirekt proportional zum Versorgungs-

spannungswert ist. Bei einer Pumpschaltung mit der Pumplei¬ stung P = c*U*f, wobei P die Pumpleistung, c einen idealer¬ weise konstanten Faktor, U die Versorgungsspannung und f die Pumpfrequenz darstellen, wurde idealerweise eine Steuerschal- tung, welche die Pumpfrequenz f gemäß des Zusammenhangs f = d/U steuert, wobei d eine ideale Konstante darstellt, die Pumpleistung auf einem konstanten Wert halten. Für die Abhän¬ gigkeit der Pumpfrequenz ergibt sich dann damit: P = c*d. Bei einer derartigen Steuerung der Pumpfrequenz, welche indirekt proportional zum Wert der Versorgungsspannung ist, kann die

Abhängigkeit der Pumpleistung von der Versorgungsspannung und der Pumpfrequenz kompensiert werden. In realen Schaltungen sind die Konstanten c und d beispielsweise von der Temperatur oder bauelementespezifischen Parametern abhangig. Dieser Ein- fluß kann, sofern dies für erforderlich gehalten wird, gege¬ benenfalls durch geeignete schaltungstechnische Maßnahmen kompensiert werden.

Bei einer weiterhin bevorzugten Ausbildung der erfmdungsge- maßen Schaltungsanordnung kann vorgesehen sein, daß die Steu¬ erschaltung zur Erzeugung und Ausgabe des Schaltsignales ei¬ nen Oszillatorschaltkreis aufweist, dessen Oszillatorfrequenz von dem am Eingang des Oszillatorschaltkreises anliegenden Steuersignal gesteuert ist. Bei einer Verwendung des vom Os- zillatorschaltkreis erzeugten Signals als Schaltsignal für die Pumpschaltung ist die Pumpfrequenz proportional zur Os¬ zillatorfrequenz, wodurch die Pumpfrequenz in Abhängigkeit des Steuersignales gesteuert wird.

Um einen indirekt proportionalen Zusammenhang zwischen dem Versorgungsspannungswert und der Pumpfrequenz zu erreichen, kann ferner vorgesehen sein, daß das am Eingang des Oszilla¬ torschaltkreises anliegende Steuersignal unmittelbar aus dem Versorgungsspannungswert abgeleitet ist. Dadurch wird der Wert der Pumpfrequenz direkt durch den Wert der Versorgungs¬ spannung gesteuert.

In näherer Ausgestaltung der erfindungsgemaßen Schaltungsan¬ ordnung kann vorgesehen, daß der Oszillatorschaltkreis einen Schmitt-Tngger-Schaltkreis aufweist. Die Frequenz eines Os- zillatorschaltkreises mit einem Schmitt-Tngger-Schaltkreis kann auf einfache Weise von nur einer Spannung gesteuert wer¬ den, wodurch die erfindungsgemaße Schaltungsanordnung mit ei¬ nem relativ geringen schaltungstechnischen Aufwand ausgebil¬ det werden kann.

Zur weiteren Verarbeitung der vom Oszillatorschaltkreis aus¬ gegebenen Signale kann von Vorteil vorgesehen sein, daß die der Pumpschaltung zugeordnete Steuerschaltung einen dem Os¬ zillatorschaltkreis nachgeschalteten Frequenzteiler aufweist, welcher zwei zuemanαer antisymmetrische Taktsignale auf die beiden Pumpeingange αer Pumpschaltung schaltet. Für eine ein¬ wandfreie Funktion der Pumpschaltung kann von Vorteil vorge¬ sehen sein, zwei zueinander inverse Taktsignale zur Verfugung zu stellen, deren hone und niedrige Pegel die gleiche zeitli¬ che Lange aufweisen; solche Taktsignale können mittels des Frequenzteilers der erfindungsgemaßen Schaltungsanordnung in verhältnismäßig einfacher Weise vorgesehen werden. Der Fre¬ quenzteiler kann beispielsweise durch einfache Gatterschal¬ tungen aufgebaut sein, welche in den meisten gangigen Halb- leitertechnologien, wie zum Beispiel in der TTL- oder CMOS- Bauweise zur Verfugung stehen.

In einer weiterhin bevorzugten Ausfuhrung der Erfindung kann vorgesehen sein, daß die Pumpschaltung eine aus mehreren Stu¬ fen mit Kondensatoren und als Dioden arbeitenden Transistoren zusammengesetzte Kaskadenschaltung aufweist, wobei die Stufen der Kaskadenschaltung derart in einer Reihenschaltung zwi¬ schen dem Hochspannungsausgang und der Versorgungsspannung verbunden sind, daß die als Dioden arbeitenden Transistoren in Reihe geschaltet sind, die an die Koppelpunkte der als Di- öden arbeitenden Transistoren gekoppelten Kondensatoren wech¬ selweise mit der den als Dioden arbeitenden Transistoren ab¬ gewandten Seite an αie beiden Pumpeingange gekoppelt sind,

und daß die Pumpschaltung einen weiteren, zwischen Versor¬ gungsspannung und der aus den Transistoren zusammengesetzten Reihenschaltung geschalteten, mit dem Steuereingang an der Versorgungsspannung liegenden, ruckgekoppelten, als Diode ar- beitenden Transistor aufweist. Durch die Verwendung von als Dioden arbeitenden, ruckgekoppelten Transistoren insbesondere in der CMOS-Technologie kann der Flachenbedarf auf dem Halb¬ leitersubstrat gering gehalten werden. Eine derartige Pump¬ schaltung laßt sich in den meisten gangigen Halbleitertechno- logien, wie zum Beispiel in der TTL- oder CMOS-Bauweise rea¬ lisieren, was eine vollständige Integrationsmoglichkeit auf einem Halbleitersubstrat sicherstellt.

Zur Gewahrleistung einer möglichst kompakten Bauweise kann von Vorteil vorgesehen sein, daß die Schaltungsanordnung ge¬ meinsam mit dem Lastkreis auf einem Halbleitersubstrat inte¬ griert ausgebildet ist. Der Oszillatorschaltkreis, der Fre¬ quenzteiler und auch die Kaskadenschaltung lassen sich in derselben Halbleitertechnologie realisieren, so daß eine Fer- tigung von monolithischen Schaltungsbestandteilen auf einem einzigen Halbleitersubstrat möglich ist.

Bei einer besonders bevorzugten Anwendung der erfindungsgemä¬ ßen Steuerschaltung kann vorgesehen sein, daß der elektroni- sehe Lastkreis eine Gruppe von zu programmierenden oder zu loschenden Speicherzellen eines nichtflüchtigen elektrisch loschbaren, programmierbaren Halbleiterspeichers aufweist. In diesem Fall kann von Vorteil vorgesehen sein, daß der Wert der Hochspannung vorzugsweise etwa +18 Volt oder -12 Volt, und der Wert der Versorgungsspannung vorzugsweise zwischen etwa +3 Volt - 10 % bis +5 Volt + 10 % betragt.

Zur Verringerung des schaltungstechnischen Aufwandes kann ferner vorgesehen sein, daß der Wert des Steuersignales un- mittelbar dem Wert der Versorgungsspannung entspricht. Demge¬ genüber hätte eine Transformationsschaltung zwischen der Ver¬ sorgungsspannung und dem Steuersignal möglicherweise eine

nichtlineare Ubertragungsfunktion zwischen Steuersignal und Versorgungsspannung zur Folge, was eine Störung des indirekt proportionalen Zusammenhangs zwischen der Pumpfrequenz und der Versorgungsspannung bewirken konnte.

Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausfuh- rungsbeispieles anhand der Zeichnung. Es zeigt:

Figur 1 einen schematischen Aufbau einer erfindungsgemaßen Schaltungsanordnung;

Figur 2 einen schematischen Aufbau eines Schmitt-Tπgger- Oszillatorschaltkreises; und

Figur 3 den zeitlichen Verlauf einiger Spannungen der erfin¬ dungsgemaßen Schaltungsanordnung.

Figur 1 zeigt ein Ausfuhrungsbeispiel der erfindungsgemaßen Schaltungsanordnung zur Versorgung eines am Hochspannungsaus¬ gang 1 anliegenden, in Figur 1 nicht naher dargestellten elektronischen Lastkreises mit einer elektrischen Hochspan¬ nung, dessen Wert betragsmaßig großer ist als der Wert einer die Schaltungsanordnung versorgende Versorgungsspannung V _dd . Der Lastkreis kann vorzugsweise Speicherzellen eines in einer elektronischen Speicherkarte oder Mikroprozessorkarte vorge¬ sehenen elektrisch programmierbaren und loschbaren Halblei- terspeichers darstellen. Die Schaltungsanordnung weist eine mit dem Lastkreis verbundene Pumpschaltung 2 auf, die auf der Grundlage eines internen Schaltsignales 3 mit vorbestimmter Pumpfrequenz eine Hochspannung von typischerweise +18 Volt über den Hochspannungsausgang 1 derart an den Lastkreis aus¬ gibt, αaß die von dem Lastkreis aufgenommene elektrische Pumpleistung der Pumpschaltung 2 im wesentlichen sowohl von dem Wert der Versorgungspannung V _dd , als auch dem Wert der Pumpfrequenz des Schaltsignales 3 der Pumpschaltung 2 ab¬ hangt. Die Schaltungsanordnung weist eine der Pumpschaltung 2

zugeordnete, mit einer aus der Versorgungsspannung V _dd der Pumpschaltung 2 abgeleiteten Spannung versorgten elektroni¬ schen Steuerschaltung 4 auf, die in Abhängigkeit eines vom Wert der Versorgungsspannung V _dd abhangigen Steuersignales 5 das auf die Pumpfrequenz des zur Erzeugung der von der Pump¬ schaltung 2 abgegebenen Hochspannung wirkende Schaltsignal 3 an die Pumpschaltung 2 derart abgibt, daß der Wert der Pumpf¬ requenz des Schaltsignales 3 sich umgekehrt zum Wert der Ver¬ sorgungsspannung V _dd verhalt. Die Steuerschaltung 4 und die Pumpschaltung 2 sind über Steuerausgange 6, 7 der Steuer¬ schaltung 4 und Pumpeingange 8, 9 der Pumpschaltung 2 mitein¬ ander gekoppelt. Bei dem Ausfuhrungsbeispiel nach Figur 1 stellt das Steuersignal 5 der Steuerschaltung 4 unmittelbar die Versorgungsspannung V _dd der Schaltungsanordnung dar. Die Steuerschaltung 4 weist einen Schmitt-Trigger-Oszillator 10 und einen dem Schmitt-Trigger-Oszillator 10 nachgeschalteten, aus Gatterschaltungen 11 bis 21 aufgebauten Frequenzteiler 22 auf. Unter bezugnahme auf Figur 2 besitzt der Oszillator¬ schaltkreis 10 einen ersten Referenzspannungseingang 23 und einen zweiten Referenzspannungseingang 24, an welche zwei konstante Referenzspannungen zur Justierung der Schaltungsan¬ ordnung anliegen. Der Oszillatorschaltkreis 10 weist ferner eine Reihenschaltung aus vier Transistoren 25 bis 28, zwei p- Kanal-Feldeffekttransistoren 25, 26 und zwei n-Kanal- Feldeffekttransistoren 27, 28, auf, welche zwischen der Ver¬ sorgungsspannung V _dd und dem Masseanschluß geschaltet ist. Parallel dazu ist eine zweite Reihenschaltung aus vier Tran¬ sistoren 29 bis 32, zwei p-Kanal-Feldeffekttransistoren 29, 30 und zwei n-Kanal-Feldeffekttransistoren 31, 32, geschal- tet. Der Steuereingang des Transistors 25 ist an den ersten Referenzspannungseingang 23, und der Steuereingang des Tran¬ sistors 28 an den zweiten ersten Referenzspannungseingang 24 gekoppelt. Die Steuereingange der Transistoren 26, 27 sind miteinander verbunden. Die Steuereingange der Transistoren 29 bis 32 sind miteinander gekoppelt und mit dem Koppelpunkt der beiden Elektroden der Transistoren 26, 27 verbunden. Parallel zu den Transistoren 26, 27 ist ferner em Kondensator 35 ge-

schaltet. Parallel zu den Transistoren 29 bis 31 iεt ein p- Kanal-Feldeffekttransistor 33 geschaltet. Parallel zu den Transistoren 30 bis 32 ist ein n-Kanal-Feldeffekttransistoren 34 geschaltet. Die Steuereingänge der Tranεistoren 33, 34 sind mit dem Koppelpunkt der Elektroden der Transiεtoren 30, 31 und mit den Eingängen zweier NICHT-Gatter 36, 37 verbun- ■ den. Der Auεgang des NICHT-Gatterε 36 ist mit dem gemeinεamen Steueranschluß der Transistoren 26, 27 verbunden. Der Auεgang des NICHT-Gatters 37 entspricht dem Ausgang 38 des Oεzilla- torschaltkreiseε 10. Der Oszillatorεchaltkreiε 10 ist über den Oszillatorausgang 38 mit dem Frequenzteiler 22 gekoppelt. Der auε den Gattern 11 bis 21 gebildete Frequenzteiler 22 weiεt fünf NICHT-Gatter 11 bis 15, zwei negierte ODER-Gatter 16, 17 und vier mit jeweilε einem integrierten UND-Gatter vorgeschaltete negierte ODER-Gatter 18 biε 21 auf, die in der aus Figur l ersichtlichen Weise verschaltet sind. Der erεte und zweite Steuerausgang 6, 7 der Steuerschaltung 4 sind zur Zuführung des Schaltsignals 3 an die Pumpschaltung 2 mit dem erεten bzw. zweiten Pumpeingang 8, 9 gekoppelt. Die aus vier- zehn Kondensatoren 39, 40 und fünfzehn Transistoren 40, 41 aufgebaute Pumpschaltung 2 stellt eine auε vierzehn Stufen mit jeweils einem Kondensator 39, 40 und einem alε Diode ar¬ beitenden Transistor 41 zusammengesetzte Kaεkadenschaltung dar, die gemäß der Darεtellung nach Figur 1 verεchaltet εind. Die Stufen der Kaskadenschaltung sind hierbei derart in einer Reihenschaltung zwischen dem Hochspannungsauεgang 1 und der Versorgungsεpannung V _dd verbunden, daß die als Dioden arbei¬ tenden Transistoren 41 eine Reihenschaltung bilden, die an die Steuereingänge der als Dioden arbeitenden Transistoren 41 gekoppelten Kondensatoren 39, 40 wechselweise mit der den

Transiεtoren 41 abgewandten Seite an die beiden Pumpeingänge 8, 9 gekoppelt sind, wobei die geradzahligen Kondensatoren 39 an den Pumpeingang 8, und die ungeradzahligen Kondensatoren 40 an den Pumpeingang 9 angeschlossen sind. Die Pumpschaltung 2 weist einen weiteren, zwischen der VersorgungsSpannung V _dd und der aus den Tranεistoren 41 zusammengeεetzten Reihen¬ schaltung geschalteten, mit dem Steuereingang an der Verεor-

gungsspannung V _dd liegenden, ruckgekoppelten und als Diode arbeitenden Transistor 42 auf. In Figur 3 sind vier Diagramme 43 bis 46 dargestellt, welche den zeitlichen Verlauf einiger Spannungen der in den Figuren 1 und 2 dargestellten Schal- tungsanordnung zeigen. Die erste Kurve 43 zeigt das bei einer Versorgungsspannung V _dd = 5 Volt das vom Oszillatorschalt¬ kreis 10 erzeugte, am Ausgang 38 anliegende Taktsignal, und die zweite Kurve 44 zeigt die gleichzeitig am Hochspannungs¬ ausgang 1 anliegende Hochspannung. Analog dazu zeigen die Kurven 45 und 46 das am Ausgang 38 anliegende Taktsignal bzw. die am Hochspannungsausgang 1 anliegende Hochspannung bei ei¬ ner Versorgungsspannung V _dd = 3 Volt.

Die Funktionsweise der m den Figuren 1 und 2 dargestellten Schaltungsanordnung wird im folgenden und anhand der in Figur 3 gezeigten Spannungsverlaufe naher erläutert. Der Schmitt- Trigger-Oszillator 10 erzeugt an seinem Ausgang 38 ein Recht- ecksignal 45, 46, dessen Frequenz indirekt proportional zum Steuersignal 5 gesteuert ist, welches mit dem Wert der Ver- sorgungsspannung V _dd der Schaltungsanordnung identisch ist.

Durch die an den Referenzspannungseingangen 23, 24 anliegen¬ den Referenzspannungen arbeitet die in Figur 2 dargestellte, aus den Transistoren 25 bis 28 gebildete Reihenschaltung als Stromquelle, deren Strom der Versorgungsspannung V _dd propor- tional ist. Die durch das NICHT-Gatter 36 ruckgekoppelte Rei¬ henschaltung der Transistoren 29 bis 31 und der Kondensator 35 bilden einen Schwingkreis und erzeugen Oszillationen, wel¬ che durch das NICHT-Gatter 37 zu Rechtecksignalen geformt und über den Ausgang 38 dem Frequenzteiler 22 zugeführt werden. Ein Vergleich der Kurven 43 und 45, welche die Taktsignale am Oszillatorausgang 38 bei Versorgungsspannungen V _dd von 5 Volt bzw. 3 Volt darstellen, zeigt den annähernd indirekt propor¬ tionalen Zusammenhang zwischen der Versorgungsspannung V _dd und der Taktfrequenz am Oszillatorausgang 38. Der dem Schmitt-Trigger-Oszillator 10 nachgeschaltete Frequenzteiler 22 verarbeitet das am Ausgang 38 anliegende Signal derart, daß das Schaltsignal 3 aus zwei an den Steuerausgangen 6, 7

und damit an den Pumpeingangen 8, 9 anliegenden, stets zuein¬ ander inversen Rechtecksigalen besteht. Die Pumpschaltung 2 verarbeitet das an den Pumpemgangen 8, 9 anliegende Schalt¬ signal 3 zu einer am Hochspannungsausgang 1 anliegenden Hoch- Spannung. Die Kurven 44 und 46 verdeutlichen die von der

Pumpschaltung 2 mit halber Frequenz des am Oszillatorausgang 38 anliegenden entsprechenden Taktsignales paketweise durch¬ geführten Erhöhungen der am Hochspannungsausgang 1 anliegen¬ den Hochspannung, deren Anfangswerte die jeweiligen Versor- gungsspannungen V _dd von 5 Volt und 3 Volt sind. In beiden

Fallen erhöht sich der Wert der Hochspannungsausgang 1 anlie¬ genden Hochspannungen nach 2 μs auf den etwa doppelten Wert der jeweiligen Versorgungsspannung V _dd und nach weiteren 2 μs auf den etwa dreifachen Wert der jeweiligen Versorgungsspan- nung V _dd , was eine von der Versorgungsspannung V _dd nahezu un¬ abhängige Pumpleistung bedeutet.