本発明者は、以下の請求項に示す製造方法� ��よれば、多結晶透明セラミックス基板を安� ��に製造できることを見出し、本発明を完成� ��せた。
 以下、各請求項の発明を説明する。

 請求項1に記載の発明は、
 所定の形状に成形されたセラミックス体を� ��結して、多結晶透明セラミックス焼結体を� ��製する工程、
 前記多結晶透明セラミックス焼結体を切断� ��て、複数の多結晶透明セラミックス切断体� ��作製する工程、
 前記多結晶透明セラミックス切断体の切断� ��を研磨して、多結晶透明セラミックス研磨� ��を作製する工程、
 前記多結晶透明セラミックス研磨体にARコ� �ティングを施し、多結晶透明セラミックス� �ーティング体を作製する工程、
を含むことを特徴とする多結晶透明セラミッ クス基板の製造方法である。

 請求項1の発明においては、所定の形状(� �えば、棒状、ブロック状)に作製した多結晶� ��明セラミックス焼結体を切断、研磨、ARコ� �ティングした後、所定の形状に切断して多� �晶透明セラミックス基板とするため、従来� �1枚ずつ作製する製造方法と異なり、多数の� ��結晶透明セラミックス基板を一度で製造で� ��、安価に多結晶透明セラミックス基板を製� ��することができる。

 請求項2に記載の発明は、
 所定の形状に成形されたスピネル成形体を� ��結して、スピネル焼結体を作製する工程、
 前記スピネル焼結体を切断して、複数のス� ��ネル切断体を作製する工程、
 前記スピネル切断体の切断面を研磨して、� ��ピネル研磨体を作製する工程、
 前記スピネル研磨体にARコーティングを施� �、スピネルコーティング体を作製する工程� �
を含むことを特徴とするスピネル基板の製造 方法である。

 請求項2の発明は、スピネル焼結体を用いた 多結晶透明セラミックス基板、即ちスピネル 基板の製造方法である。
 請求項2の発明においては、所定の形状(例� �ば、棒状、ブロック状)に作製したスピネル� ��結体を切断、研磨、ARコーティングした後� �所定の形状に切断してスピネル基板とする� �め、従来の1枚ずつ作製する製造方法と異な� ��、多数のスピネル基板を一度で製造でき、� ��価にスピネル基板を製造することができる� ��

 以下に、請求項2に記載された各工程につい て説明する。
(スピネル焼結体を作製する工程)
 スピネル粉末を、プレス等にて所定の形状� ��成形した後、真空中または所定の雰囲気中� ��焼結を行い、スピネル焼結体を作製する。� ��お、この段階では、未だ焼結密度が十分で� ��なく、透光性が不十分な場合がある。この� ��うな場合には、さらに、ホットプレス法やH IP(熱間等方圧加圧法)を用いて、緻密化し、� �光性に優れたスピネル焼結体にする。

 前記において、HIPを用いた場合、作製さ� ��たスピネル焼結体は、1mm厚みで、波長450nm� �可視光を84%以上透過し、ホットプレス法の� �合よりも高い透過性を示すため、HIPを用い� �ことがより好ましい。なお、HIPの圧力とし� �は、100~200MPa程度が好ましい。また、HIPの温� ��としては、1700~1850℃が好ましい。

(スピネル焼結体を切断する工程)
 作製されたスピネル焼結体を、所定の厚さ� ��切断して、複数のスピネル切断体を作製す� ��。複数のスピネル切断体を同時に作製でき� ��ため、従来の製造方法に比べ、効率的であ� ��。

 なお、前記において所定の厚さとは、後工� ��における研磨代等を考慮した厚さである。
 また、切断する厚さは、同じ厚さである必� ��はなく、異なる厚さで切断しても良い。異� ��る厚さのスピネル切断体を作製できるため� ��厚さの異なるスピネル透明基板の要求に素� ��く対応することが可能となる。

(スピネル切断体を研磨する工程)
 スピネル切断体の切断面は、切断により、� ��面化しているため、そのままでは、切断面� ��向の透光性が悪化する。そこで、切断面を� ��磨し、平滑化することによって、透光性を� ��復させる。研磨方法は、従来の製造方法に� ��ける研磨と同様の方法(例えば、遊離砥粒を 用いた研磨等)が使用できる。研磨面として� �、表面粗さはRa≦0.01μm、平行度や反りは各� �10μm以下であることが望ましい。

(スピネル研磨体にARコーティングする工程)
 スピネル研磨体の光透過性の向上と、表面� ��定性を向上させるために、表面(上下面ある いは片面)にARコーティング処理を施す。コー ティング材料ならびにコーティング方法とし ては、従来の製造方法において用いられてい たもの(例えば、コーティング材料では、MgF ₂ 、TiO ₂ 等、コーティング方法では、真空蒸着法やCVD 法等)をそのまま使用することができる。

 以上の工程を経て得られたスピネルコー� ��ィング体が、スピネル基板として用いられ� ��が、予め大きなサイズのスピネルコーティ� ��グ体を作製し、ダイシングソー等を用いて� ��所定の寸法に切断することにより、所望の� ��法のスピネル基板を得ることもできる。こ� ��とき、前記スピネルコーティング体は、既� ��上下面あるいは片面がコーティングされた� ��ピネル焼結体であるため、切断と同時に、� ��数のスピネル基板を得ることができ、安価� ��、かつ効率的にスピネル基板を製造するこ� ��ができる。

 請求項3に記載の発明は、
 前記スピネル成形体が、通常プレスおよび/ または冷間等方圧プレスを用いて成形されて いることを特徴とする請求項2に記載のスピ� �ル基板の製造方法である。

 請求項3の発明においては、スピネル粉末の 成形において、通常は所定の形状に合わせた プレス成形を、またより充填率を高める場合 にはCIP(冷間等方圧プレス)を用いることがで� ��る。これにより、より均一なスピネル成形� ��を作製することができる。
 成形体における密度の均一性の面からは、C IPがより好ましい。CIPの圧力としては、100~200 MPa程度が好ましい。
 また、プレス成形によって1次成形した後に 、CIPで2次成形することも好ましい。

 請求項4に記載の発明は、
 前記スピネル焼結体を作製する工程が、真� ��焼結、大気焼結、雰囲気焼結のいずれかの� ��法により作製する工程であることを特徴と� ��る請求項2または請求項3に記載のスピネル� �板の製造方法である。

 請求項4の発明においては、スピネル成形体 を焼結するに際して、大気焼結あるいは真空 焼結が用いられる。これらの焼結法は、スピ ネル粉末内部の不純物量によって、適宜決定 することができる。例えば、有機バインダー が含まれている場合には、大気焼結が採用さ れる。
 さらに、大気焼結あるいは真空焼結の完了� ��、雰囲気焼結を用いて加圧焼結を行うと、� ��過特性をさらに向上させることができ好ま� ��い。なお、雰囲気焼結においては、窒素、� ��ルゴン、酸素いずれかの雰囲気であること� ��好ましい。

 請求項5に記載の発明は、
 前記複数のスピネル切断体を作製する工程� ��、スピネル焼結体の外形を研削により調整� ��た後に、ワイヤソーまたはブレードソーを� ��いて作製する工程であることを特徴とする� ��求項2ないし請求項4のいずれか1項に記載の� ��ピネル基板の製造方法である。

 請求項5の発明においては、スピネル焼結 体の外形を研削により調整した後に、ワイヤ ソーまたはブレードソーを用いてスピネル切 断体を作製するため、効率の良い切断ができ る。

 スピネル焼結体の外形を研削することによ� ��、スピネル焼結体表面の凹凸が除去される� ��め、切断時の無駄を低減することができる� ��さらに、この工程で液晶プロジェクター用� ��スピネル基板として必要な寸法や平行度等� ��調整を図ることができる。
 また、ワイヤソーを用いて切断した場合、� ��数の枚数を一度に切断することが可能とな� ��、より効率的に、スピネル基板を得ること� ��できる。

 請求項6に記載の発明は、
 前記スピネル研磨体を作製する工程が、ラ� ��プ板を用いて作製する工程であることを特� ��とする請求項2ないし請求項5のいずれか1項� ��記載のスピネル基板の製造方法である。

 請求項6の発明においては、ラップ板を用 いてスピネル切断体を研磨しているため、よ り平滑に切断面を研磨することができる。

 以上、請求項2~請求項6において、スピネル� ��結体によるスピネル基板の製造方法を述べ� ��が、各請求項に示された製造方法は、スピ� ��ル焼結体だけではなく、酸化マグネシウム� ��窒化アルミニウム、硫化亜鉛等、各種多結� ��透明セラミックス体に適用することが可能� ��ある。
 なお、この場合には、CIPの圧力としては、1 00~200MPa程度が好ましい。また、HIPの温度とし ては、1400~1900℃が好ましく、HIPを用いて作成 された多結晶透明セラミックス焼結体は、1mm 厚みで、波長450nmの可視光を80%以上透過する� ��また、適宜片面または上下面に反射防止膜� ��コーティングすることにより直線透過性に� ��れた透明多結晶セラミック焼結体を提供す� ��ことができる。反射防止膜としては、MgF ₂ 、YF ₃ 、LaF ₃ 、CeF ₃ 、BaF ₂ などの金属弗化物が好ましく使用できる。ま た、SiO ₂ 、TiO ₂ 、Al ₂ O ₃ 、Y ₂ O ₃ 、Ta ₂ O ₅ 、ZrO ₂ などの金属酸化物と複層させてもよい。反射 防止膜を設ける手段としては、物理蒸着法を 利用することができ、具体的には、例えば、 スパッタリング法、イオンプレーティング法 、真空蒸着法などが挙げられる。