(第1実施形態)
 以下、本発明に係る記録ヘッド及び情報記� ��再生装置の第1実施形態を、図1から図7を参� ��して説明する。なお、本実施形態の情報記� ��再生装置1は、垂直記録層d2を有するディス� ��(磁気記録媒体)Dに対して、垂直記録方式で� ��き込みを行う装置である。また、本実施形� ��では、ディスクDが回転する空気の流れを利 用して記録ヘッド2を浮かせた空気浮上タイ� �を例に挙げて説明する。

 本実施形態の情報記録再生装置1は、図1� �示すように、後述するスポットサイズ変換� �(スポット光生成素子)22を有する記録ヘッド2 と、ディスク面(磁気記録媒体の表面)D1に平� �なXY方向に移動可能とされ、ディスク面D1に� ��行で且つ互いに直交する2軸(X軸、Y軸)回り� �回動自在な状態で記録ヘッド2を先端側で支� ��するビーム3と、光導波路(光束導入手段)4の 基端側から該光導波路4に対して光束Lを入射� ��せる光信号コントローラ(光源)5と、ビーム3 の基端側を支持すると共に、該ビーム3をデ� �スク面D1に平行なXY方向に向けてスキャン移� ��させるアクチュエータ6と、ディスクDを一� �方向に回転させるスピンドルモータ(回転駆� ��部)7と、後述する記録素子21及び光信号コン トローラ5の作動を制御する制御部8と、これ� ��各構成品を内部に収容するハウジング9とを 備えている。

 ハウジング9は、アルミニウム等の金属材 料により、上面視四角形状に形成されている と共に、内側に各構成品を収容する凹部9aが� ��成されている。また、このハウジング9には 、凹部9aの開口を塞ぐように図示しない蓋が� ��脱可能に固定されるようになっている。

 凹部9aの略中心には、上記スピンドルモ� �タ7が取り付けられており、該スピンドルモ� ��タ7に中心孔を嵌め込むことでディスクDが� �脱自在に固定される。凹部9aの隅角部には、 上記アクチュエータ6が取り付けられている� �このアクチュエータ6には、軸受10を介して� �ャリッジ11が取り付けられており、該キャリ ッジ11の先端にビーム3が取り付けられている 。そして、キャリッジ11及びビーム3は、アク チュエータ6の駆動によって共に上記XY方向に 移動可能とされている。

 なお、キャリッジ11及びビーム3は、ディ� ��クDの回転停止時にアクチュエータ6の駆動� �よって、ディスクD上から退避するようにな� ��ている。また、記録ヘッド2とビーム3とで� �サスペンション12を構成している。また、光 信号コントローラ5は、アクチュエータ6に隣� ��するように凹部9a内に取り付けられている� �そして、このアクチュエータ6に隣接して、� ��記制御部8が取り付けられている。

 上記記録ヘッド2は、光束Lを集光して生� �したスポット光Rにより回転するディスクDを 加熱すると共に、ディスクDに対して垂直方� �の記録磁界を与えることで磁化反転を生じ� �せ、情報を記録させるものである。

 この記録ヘッド2は、図2及び図3に示すよ� ��に、ディスク面D1から所定距離Hだけ浮上し� ��状態でディスクDに対向配置され、ディスク 面D1に対向する対向面20aを有するスライダ20� �、該スライダ20の流出端側の側面(以降、先� �面と表現する)に固定された記録素子21と、� �記録素子21に隣接して固定されたスポットサ イズ変換器22と、該スポットサイズ変換器22� �後述するコア40内に光信号コントローラ5か� �の光束Lを導入する光導波路4とを備えている 。また、本実施形態の記録ヘッド2は、スポ� �トサイズ変換器22に隣接して固定された再生 素子23を備えている。

 上記スライダ20は、石英ガラス等の光透� �性材料や、AlTiC(アルチック)等のセラミック� ��によって形成された直方体状の一端面(流出 端側の側面)を斜めに切り落とした形状とな� �ている。このスライダ20は、対向面20aをディ スクD側にした状態で、ジンバル部24を介して ビーム3の先端にぶら下がるように支持され� �いる。このジンバル部24は、X軸回り及びY軸� ��りにのみ変位するように動きが規制された� ��品である。これによりスライダ20は、上述� �たようにディスク面D1に平行で且つ互いに直 交する2軸(X軸、Y軸)回りに回動自在とされて� ��る。

 スライダ20の対向面20aには、回転するデ� �スクDによって生じた空気流の粘性から、浮� ��するための圧力を発生させる凸条部20bが形� ��されている。本実施形態では、レール状に� ��ぶように、長手方向に沿って延びた凸条部2 0bを2つ形成している場合を例にしている。但 し、この場合に限定されるものではなく、ス ライダ20をディスク面D1から離そうとする正� �とスライダ20をディスク面D1に引き付けよう� ��する負圧とを調整して、スライダ20を最適� �状態で浮上させるように設計されていれば� �どのような凹凸形状でも構わない。なお、� �の凸条部20bの表面はABS(Air Bearing Surface)と呼 ばれる面とされている。

 スライダ20は、この2つの凸条部20bによっ� ��ディスク面D1から浮上する力を受けている� �また、ビーム3は、ディスク面D1に垂直なZ方� ��に撓むようになっており、スライダ20の浮� �力を吸収している。つまり、スライダ20は、 浮上した際にビーム3によってディスク面D1側 に押さえ付けられる力を受けている。よって スライダ20は、この両者の力のバランスによ� ��て、上述したようにディスク面D1から所定� �離H離間した状態で浮上するようになってい� ��。しかもスライダ20は、ジンバル部24によっ てX軸回り及びY軸回りに回動するようになっ� ��いるので、常に姿勢が安定した状態で浮上� ��るようになっている。

 なお、ディスクDの回転に伴って生じる空 気流は、スライダ20の流入端側(ビーム3の基� �側)から流入した後、ABSに沿って流れ、スラ� ��ダ20の流出端側(ビームの先端側)から抜けて いる。

 上記記録素子21は、図4に示すように、ス� ��イダ20の先端面に固定された補助磁極30と、 磁気回路31を介して補助磁極30に接続され、� �ィスクDに対して垂直な記録磁界を補助磁極3 0との間で発生させる主磁極32と、磁気回路31� ��中心として該磁気回路31の周囲を螺旋状に� �回するコイル33とを備えている。つまり、ス ライダ20の流出端側から順に、補助磁極30、� �気回路31、コイル33、主磁極32が配置されて� �る。

 両磁極30、32及び磁気回路31は、磁束密度� ��高い高飽和磁束密度(Bs)材料(例えば、CoNiFe� �金、CoFe合金等)により形成されている。また 、コイル33は、ショートしないように、隣り� ��うコイル線間、磁気回路31との間、両磁極30 、32との間に隙間が空くように配置されてお� ��、この状態で絶縁体34によってモールドさ� �ている。そして、コイル33は、情報に応じて 変調された電流が制御部8から供給されるよ� �になっている。即ち、磁気回路31及びコイル 33は、全体として電磁石を構成している。な� ��、主磁極32及び補助磁極30は、ディスクDに� �向する端面がスライダ20のABSと面一となるよ うに設計されている。

 上記スポットサイズ変換器22は、図4から� ��6に示すように、一端側がスライダ20の上方� ��に向くと共に、他端側がディスクD側に向い た状態で、対向面20aに対し所定の角度を持っ て斜めに記録素子21に隣接して固定されてい� ��。

 即ち、図4に示すように、一端側の端面か ら他端側の端面を結んだ直線が対向面20aに対 し、斜めに傾斜して主磁極32に隣接して固定� ��れているコア40とクラッド41からなるスポッ トサイズ変換器(スポット光生成素子)22を備� �ている。

 なお、図5は、後述するコア40を図4に示す 矢印A方向から見た図である。また、図6は、� ��5に示すスポットサイズ変換器22を端面40c側� ��ら見た図である。

 このスポットサイズ変換器22は、一端側� �導入された光束Lを導入方向とは異なる方向� ��他端側に集光しながら伝播すると共に、ス� ��ット光Rに変換した後に外部に発する素子で あって、多面体のコア40と、該コア40を内部� �閉じ込めるクラッド41とから構成されており 、全体として略板状に形成されている。

 上記コア40は、反射面40aと光束集光部40b� �により一体的に形成されている。反射面40a� �、一端側から光導波路4によって導入された� ��束Lを導入方向とは異なる方向に反射させて いる。

 また、光束集光部40bは、一端側から他端� ��に向かう長手方向に直交する断面積が漸次� ��少するように絞り成形された部分であり、� ��射面40aによって反射された光束Lを集光させ ながら他端側に向けて伝播させている。つま り光束集光部40bは、導入された光束Lのスポ� �トサイズを小さいサイズに絞ることができ� �ようになっている。

 なお、本実施形態では、光束集光部40bが3 つの側面を有するように形成されており、そ のうちの1つの側面が主磁極32に対向するよう に配置されるようになっている。よって光束 集光部40bは、図6に示すように、他端側で外� �に露出する端面40cが三角形状に形成された� �となっている。なお、端面40c上で確保でき� �最大直線長さL1が、約1μmとなるサイズに設� �されている。これにより、光束Lのスポット� ��イズを最大直線長さL1と同程度の大きさ、� �ち、直径を約1μm程度に絞ることができ、こ� ��サイズのスポット光Rとして端面40cから外部 に発することができる。またこの端面40cは、 スライダ20のABSと面一となるように設計され� ��いる。

 また、本実施形態では光束集光部40bが、� ��4に示すように、主磁極32側に向けて漸次絞� ��成形されている。これにより、主磁極32側� �端面40cが位置するようになっており、主磁� �32の近傍に上記サイズのスポット光Rを発生� �せることができるようになっている。なお� �本発明でいう「近傍」とは、端面40cから発� �するスポット光Rの直径と同程度の距離、或� ��は、それ以下の距離だけ、主磁極32から離� �した範囲内の領域をいう。よって、本実施� �態の場合は、主磁極32と光束集光部40bの端面 40cとの距離が、スポット光Rの直径(最大直線� ��さL1)と同程度である1μm、或いは、それ以下 の距離になるように設計されている。

 上記クラッド41は、図4及び図5に示すよう に、コア40よりも屈折率が低い材料で形成さ� ��ており、コア40の側面に密着して、コア40を 内部に閉じ込めている。よって、コア40とク� ��ッド41との間に隙間が生じないようになっ� �いる。また、本実施形態のクラッド41は、コ ア40の一端側と同様に、他端側の端面40cにつ� ��ても外部に露出させるように形成されてい� ��。

 なお、クラッド41及びコア40として使用さ れる材料の組み合わせの一例を記載すると、 例えば、石英(SiO2)でコア40を形成し、フッ素� ��ドープした石英でクラッド41を形成する組� �合わせが考えられる。この場合には、光束L� ��波長が400nmのときに、コア40の屈折率が1.47� �なり、クラッド41の屈折率が1.47未満となる� �で好ましい組み合わせである。また、ゲル� �ニウムをドープした石英でコア40を形成し、 石英(SiO2)でクラッド41を形成する組み合わせ� ��考えられる。この場合には、光束Lの波長が 400nmのときに、コア40の屈折率が1.47より大き� ��なり、クラッド41の屈折率が1.47となるので� ��はり好ましい組み合わせである。

 特に、コア40とクラッド41との屈折率差が 大きいほど、コア40内に光束Lを閉じ込める力 が大きくなるので、コア40に酸化タンタル(Ta2 O5:波長が550nmのときに屈折率が2.16)を用い、� �ラッド41に石英等を用いて、両者の屈折率差 を大きくすることがより好ましい。また、赤 外領域の光束Lを利用する場合には、赤外光� �対して透明な材料であるシリコン(Si:屈折率� ��約4)でコア40を形成することも有効である。

 上記光導波路4は、コア4aとクラッド4bと� �らなる2軸の導波路であり、コア4a内を光束L� ��伝播するようになっている。この光導波路4 は、クラッド41に形成された溝部41a及びスラ� ��ダ20の上面に形成された図示しない溝部内� �嵌った状態で固定されている。これにより� �光導波路4は、スライダ20に対して平行に配� �された状態となっている。

 また、光導波路4の先端は、スポットサイ ズ変換器22の一端側に接続されており、光束L をコア40内に導入している。また、光導波路4 の基端側は、ビーム3及びキャリッジ11等を介 して光信号コントローラ5に引き出された後� �該光信号コントローラ5に接続されている。

 なお、図5に示すように、光導波路4から� �ア40内に導入された光束Lが反射面40aの略中� �に入射するように、スポットサイズ変換器22 及び光導波路4の位置関係が調整されている� �

 また、上記再生素子23は、ディスクDの垂� ��記録層d2から漏れ出ている磁界の大きさに� �じて電気抵抗が変換する磁気抵抗効果膜で� �る。この再生素子23には、図示しないリード 膜等を介して制御部8からバイアス電流が供� �されている。これにより制御部8は、ディス� ��Dから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化とし て検出することでき、この電圧の変化から信 号の再生を行うことができるようになってい る。

 なお、本実施形態のディスクDは、少なく とも、ディスク面D1に垂直な方向に磁化容易� ��を有する垂直記録層d2と、高透磁率材料か� �なる軟磁性層d3との2層で構成される垂直2層� ��ディスクを使用する。このようなディスクD としては、例えば、図2に示すように、基板d1 上に、軟磁性層d3と、中間層d4と、垂直記録� �d2と、保護層d5と、潤滑層d6とを順に成膜し� �ものを使用する。

 基板d1としては、例えば、アルミ基板や� �ラス基板等である。軟磁性層d3は、高透磁率 層である。中間層d4は、垂直記録層d2の結晶� �御層である。垂直記録層d2は、垂直異方性磁 性層となっており、例えばCoCrPt系合金が使用 される。保護層d5は、垂直記録層d2を保護す� �ためのもので、例えばDLC(ダイヤモンド・ラ� ��ク・カーボン)膜が使用される。潤滑層d6は� ��例えば、フッ素系の液体潤滑材が使用され� ��。

 次に、このように構成された情報記録再� ��装置1により、ディスクDに各種の情報を記� �再生する場合について以下に説明する。

 まず、スピンドルモータ7を駆動させてデ ィスクDを一定方向に回転させる。次いで、� �クチュエータ6を作動させて、キャリッジ11� �介してビーム3をXY方向にスキャンさせる。� �れにより、図1に示すように、ディスクD上の 所望する位置に記録ヘッド2を位置させるこ� �ができる。この際、記録ヘッド2は、スライ� ��20の対向面20aに形成された2つの凸条部20bに� ��って浮上する力を受けると共に、ビーム3等 によってディスクD側に所定の力で押さえ付� �られる。記録ヘッド2は、この両者の力のバ� ��ンスによって、図2に示すようにディスクD� �から所定距離H離間した位置に浮上する。

 また、記録ヘッド2は、ディスクDのうね� �に起因して発生する風圧を受けたとしても� �ビーム3によってZ方向の変位が吸収されると 共に、ジンバル部24によってXY軸回りに変位� �ることができるようになっているので、う� �りに起因する風圧を吸収することができる� �そのため、記録ヘッド2を安定した状態で浮� ��させることができる。

 ここで、情報の記録を行う場合、制御部8 は光信号コントローラ5を作動させると共に� �情報に応じて変調した電流をコイル33に供給 して記録素子21を作動させる。

 まず、光信号コントローラ5は、制御部8� �らの指示を受けて光束Lを光導波路4の基端側 から入射させる。入射した光束Lは、光導波� �4のコア4a内を先端側に向かって進み、図4に� ��すように、スポットサイズ変換器22の一端� �からコア40内に導入される。      

 この際光束Lは、スライダ20に対して平行� ��方向でコア40内に導入される。すると、導� �された光束Lは、反射面40aで反射される。即� ��、導入方向とは異なる方向に向きが変化す� ��。そして、向きが変わった光束Lは、ディス クD側に位置する他端側に向かう。そして、� �束Lは、他端側に向かって光束集光部40bを伝� ��する。

 この際、光束集光部40bは、一端側から他� ��側に向かう長手方向に直交する断面積が漸� ��減少するように絞り成形されている。その� ��め、光束Lはこの光束集光部40bを通過する際 に、側面で反射を繰り返しながら徐々に集光 されてコア40の内部を伝播していく。特に、� ��ア40の側面にはクラッド41が密着しているの で、コア40の外部に光が漏れることはない。� ��って、導入された光束Lを無駄にすることな く絞りながら他端側に伝播させることができ る。

 そのため光束Lは、光束集光部40bの他端側 に達した時点で絞り込まれてスポットサイズ が小さくなる。つまり光束集光部40bは、導入 された光束Lのスポットサイズを、直径が約1� �m程度の小さいサイズに絞り込むことができ� ��。これにより、スポット光Rを生成すること ができ、他端側の端面40cから外部に発するこ とができる。

 すると、ディスクDは、このスポット光R� �よって局所的に加熱されて一時的に保磁力� �低下する。特に、光束集光部40bは、このス� �ット光Rを主磁極32の近傍、即ち、主磁極32か らスポット光Rの直径と同程度の距離だけ離� �した範囲内に発生させるので、主磁極32にで きるだけ近い位置でディスクDの保磁力を低� �させることができる。

 一方、制御部8によってコイル33に電流が� ��給されると、電磁石の原理により電流磁界� ��磁気回路31内に磁界を発生させるので、主� �極32と補助磁極30との間にディスクDに対して 垂直方向の記録磁界を発生させることができ る。すると、主磁極32側から発生した磁束が� ��図4に示すように、ディスクDの垂直記録層d2 を真直ぐ通り抜けて軟磁性層d3に達する。こ� ��によって、垂直記録層d2の磁化をディスク� �D1に対して垂直に向けた状態で記録を行うこ とができる。また、軟磁性層d3に達した磁束� ��、該軟磁性層d3を経由して補助磁極30に戻る 。この際、補助磁極30に戻るときには磁化の� ��向に影響を与えることはない。これは、デ� ��スク面D1に対向する補助磁極30の面積が、主 磁極32よりも大きいので磁束密度が大きく磁� ��を反転させるほどの力が生じないためであ� ��。つまり、主磁極32側でのみ記録を行うこ� �ができる。

 その結果、スポット光Rと両磁極30、32で� �生した記録磁界とを協働させたハイブリッ� �磁気記録方式により情報の記録を行うこと� �できる。しかも垂直記録方式で記録を行う� �で、熱揺らぎ現象等の影響を受け難く、安� �した記録を行うことができる。よって、書� �込みの信頼性を高めることができる。

 特に、主磁極32の近傍でディスクDの保磁� ��を低下させることができるので、記録磁界� ��局所的に作用する位置に加熱温度のピーク� ��置を入れることができる。従って、確実に� ��録を行うことができ、信頼性の向上化を図� ��ことができると共に高密度記録化を図るこ� ��ができる。

 次に、ディスクDに記録された情報を再生 する場合には、スポットサイズ変換器22に隣� ��して固定されている再生素子23が、ディス� �Dの垂直記録層d2から漏れ出ている磁界を受� �て、その大きさに応じて電気抵抗が変化す� �。よって、再生素子23の電圧が変化する。こ れにより制御部8は、ディスクDから漏れ出た� ��界の変化を電圧の変化として検出すること� ��できる。そして制御部8は、この電圧の変化 から信号の再生を行うことで、情報の再生を 行うことができる。

 特に、本実施形態のスポットサイズ変換� ��22によれば、位置調整が困難であったレン� �が不要である。従って、光束Lを効率良く集� ��してスポット光Rを生成することができ、デ ィスクDを効率良く加熱することができる。� �って、書き込みの信頼性を向上することが� �きる。

 加えて、コア40を対向面20aに対し所定の� �度を持って斜めに形成しているので、スラ� �ダ20の高さよりも全長(以下、コア長と称す� �)を長くすることができる。そのため、断面� ��の漸減率を小さくすることができる。一般� ��に、コア40の断面積を急激に小さくした場� �には、コア40から漏れる光束L(漏れ光)の割合 が大きくなってしまい、光伝播効率が低下し てしまう。しかしながら、本実施形態のコア 40によれば、上述したように断面積の漸減率� ��小さくすることができるので、従来の構造� ��比べて光束Lの光伝播率を向上させることが できる。よって、より光強度の強いスポット 光Rを生成することができ、さらなる高密度� �録化を図ることができる。

 また、図7の記録ヘッド2は、光導波路4の� ��端が光束Lの反射面4cとなり、スポットサイ� ��変換器22の一端側に接続されている構造の� �例を示す。図7の記録ヘッド2の構造の特徴は 、図4の構造の効果に加え、コア40に反射面が 形成されないので、より容易にコア40を製造� ��ることができる。

 また、本実施形態では、コア40の一端側� �び他端側を外部に露出させた状態でクラッ� �41が形成されているので、該クラッド41を介� ��ずに直接コア40に光束Lを導入することがで� ��ると共に、スポット光Rを外部に発すること ができる。そのため、さらに効率良くスポッ ト光Rを生成でき、ディスクDを加熱すること� ��できる。

 また、光導波路4を利用して光束Lを導入� �る上、コア40内を伝播させているので、従来 のように光束Lを空中伝播させることがない� �よって、導光損失を極力低下させることが� �きる。また、コア40及びクラッド41でスポッ� ��サイズ変換器22を構成できるので、構成の� �易化を図ることができる。

 更には、スライダ20の先端面に、記録素� �21、スポットサイズ変換器22を順に配置して� ��るので、光導波路4以外の各構成品がスライ ダ20の厚み方向に重なることを防止している� ��従って、記録ヘッド2をコンパクトで薄型に 設計することができる。   

 しかも、光導波路4を利用して確実に光束 Lを導入できるので、光束Lを発生させる光源� ��容易に配置することができる。つまり、図1 に示すように、光信号コントローラ5を設置� �易いハウジング9内に配置することができる� ��

 また、本実施形態の記録ヘッド2を製造す る場合には、フォトリソグラフィ技術及びエ ッチング加工技術等の半導体技術を利用して 製造を行うことができる。つまり、スポット サイズ変換器22を有している場合であっても� ��特別な手法を用いずに、従来の製造プロセ� ��の流れの中でスポットサイズ変換器22も同� �に作りこむことができる。

 具体的に説明すると、スライダ20を所定� �外形形状に加工した後、該スライダ20の先端 面に上記半導体技術を利用して記録素子21を� ��りこむ。次いで、この記録素子21上に同様� �半導体技術を利用して、スポットサイズ変� �器22を作りこむ。そして最後に、スポットサ イズ変換器22上に再生素子23を作りこむ。こ� �ように、スライダ20側から順々に各構成品を 作りこむ途中で、スポットサイズ変換器22の� ��造工程を一工程追加するだけで、容易に記� ��ヘッド2を製造することができる。

 なお、スポットサイズ変換器22を製造す� �際には、まず、主磁極32上にクラッド41を成� ��する。この際、後に光導波路4を一端側に接 続させるために、クラッド41に溝部41aが形成� ��れるようにパターニングする。次いで、こ� ��クラッド41上にコア40を凸状に成膜した後、 適宜エッチングを行って反射面40a及び光束集 光部40bをそれぞれ形成する。次いで、コア40� ��内部に閉じ込めるように再度クラッド41を� �膜する。

 そして、最後にクラッド41の外形形状が� �定の形になるように加工する。この際、ス� �ットサイズ変換器22の他端側をダイシング等 で切断加工することで、端面40cを形成するこ とができる。このように半導体技術を利用し て、容易にスポットサイズ変換器22を製造す� ��ことができる。

 また、先に、石英ガラス等の光透過性材� ��や、AlTiC(アルチック)等のセラミック材料等 からなる基板の上に上記半導体技術を利用し て記録素子21とスポットサイズ変換器22と再� �素子23の順に積層しながら作りこんだ後、基 板を切断して、スライダ20の所定の外形形状� ��加工することも可能である。

 また、本実施形態の情報記録再生装置1によ れば、上述した記録ヘッド2を備えているの� �、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化� �対応することができ、高品質化を図ること� �できる。また、同時に薄型化を図ることが� �きる。
(第2実施形態)
 次に、本発明に係る記録ヘッドの第2実施形 態を、図8を参照して説明する。なお、この� �2実施形態においては、第1実施形態における 構成要素と同一の部分については、同一の符 号を付しその説明を省略する。

 第2実施形態と第1実施形態との異なる点� �、第1実施形態では、スポットサイズ変換器2 2のコア40がスライダ20の対向面20aに対して所� ��の角度を持って斜めに形成され、その長手� ��向の形状が一直線であるが、第2実施形態の 記録ヘッド100は、コア40の長手方向の形状が� ��がっている、いわゆる湾曲コア形状を有す� ��。

 そのため、第1実施形態のスポットサイズ 変換器22のコア40より、そのコア長を更に長� �することができ、断面積の漸減率を更に小� �くすることができるので、第1実施形態に比� ��て光束Lの光伝播率を更に向上させることが できる。よって、より光強度の強いスポット 光Rを生成することができ、さらなる高密度� �録化を図ることができる。

 また、本実施形態の記録ヘッド100を製造� ��る場合は、第1実施形態での記録ヘッド2の� �造方法とほぼ同一方法を有するが、直方体� �スライダ20の一端面を湾曲になるように加工 した後、その湾曲面20d上に、上記の半導体技 術を利用して記録素子21とスポットサイズ変� ��器22と再生素子23の順に積層しながら作り込 む。

 また、本実施形態の情報記録再生装置1によ れば、上述した記録ヘッド100を備えているの で、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化 に対応することができ、高品質化を図ること ができる。また、同時に薄型化を図ることが できる。
(第3実施形態)
 次に、本発明に係る記録ヘッドの第3実施形 態を、図9と図10を参照して説明する。なお、 この第3実施形態においては、第1、第2実施形 態における構成要素と同一の部分については 、同一の符号を付しその説明を省略する。

 第3実施形態と第1、第2実施形態との異な� ��点は、第3実施形態では、記録素子21がクラ� ��ド42の側壁42aに固定されている点である。� �ち、記録ヘッド2と100では、記録素子21をス� �イダ20の傾斜面21cあるいは湾曲面21d上に形成 するが、本実施形態の記録ヘッド200と300の記 録ヘッド21はクラッド42の側壁42aに固定され� �いる。

 本実施形態の記録ヘッド200と300は、第1、 第2実施形態のスポットサイズ変換器22が有す る効果とほぼ同一効果を持つと共に、その製 造が容易になる。

 図9の記録ヘッド200では、記録ヘッド2あ� �いは100の傾斜面21cあるいは湾曲面21dのよう� �一端面を有するスライダ20を加工した後、そ の次の工程として、第1、第2実施形態にて述� ��た半導体加工技術を用い、スポットサイズ� ��換器222のクラッド43とコア40とクラッド42順� ��積層加工する。その後、クラッド42の側壁42 aを研磨し、その上に、従来の記録素子の加� �技術をそのまま用いて記録素子21を形成する ことができる。

 最後に、再生素子23を記録素子21上に作り 込む。

 更に、図10の記録ヘッド300では、スライ� �20の側壁20eを、第1、第2実施形態の記録ヘッ� ��2あるいは100のスライダ20の傾斜面21cあるい� ��湾曲面21dのように加工する必要がなく、平� ��に加工すれば良いので、スライダ20の製造� �程が容易になる。また、平面状の側壁20e上� �クラッド43を加工すれば良いので、スポット サイズ変換器223の製造が容易になる。記録素 子21の加工は、図9の記録ヘッド200での方法と 同様に、クラッド42の側壁42aを平面研磨し、� ��の上に、従来の記録素子の加工技術をその� ��ま用いて記録素子21を形成した後、再生素� �23をその上に作り込む。

 また、本実施形態の情報記録再生装置1によ れば、上述した記録ヘッド200と300を備えてい るので、書き込みの信頼性が高く、高密度記 録化に対応することができ、高品質化を図る ことができる。また、同時に薄型化を図るこ とができる。
(第4実施形態)
 次に、本発明に係る記録ヘッドの第4実施形 態を、図11を参照して説明する。なお、この� ��4実施形態においては、第1から第3実施形態� ��おける構成要素と同一の部分については、� ��一の符号を付しその説明を省略する。

 第4実施形態と第1から第3実施形態との異� ��る点は、第4実施形態では、記録素子21がス� ��イダ20の対向面20a上に形成されていること� �ある。本実施形態の記録素子21の基本的な構 成は、第1から第3実施形態における記録素子� ��構成と同様であるが、主磁極32の一部がク� �ッド43上にも形成され、コア40の他端側の端� ��40cと近接し、外部に露出している。また、� ��助磁極30の一部も外部に露出するように曲� �って形成されている。再生素子23はクラッド 42上に形成される。

 また、図8の記録ヘッド100の記録素子21を� ��湾曲面20d上ではなく、対向面20a上に形成す� ��構成も可能である。

 本実施形態の記録ヘッド400は、第1から第 3実施形態の記録ヘッド1、100、200、300のスポ� ��トサイズ変換器22、122、222、322が有する効� �とほぼ同一効果を持つと共に、記録素子21を 対向面20a上に形成することで、記録ヘッドを 更に小型化することができる。それにより、 信頼性の高いコンパクトな記録ヘッドを製造 することができ、更なる低浮上を実現するこ とができる。

 記録ヘッド400の製造方法は、記録ヘッド2 あるいは100が傾斜面21cあるいは湾曲面21dのよ うな一端面を有するようにスライダ20を加工� ��た後、その次の工程として、第1、第2実施� �態にて述べた加工技術を用い、スポットサ� �ズ変換器222であるクラッド43とコア40とクラ� ��ド42順に加工する。その後、クラッド42の側 壁42aを平面研磨し、その上に、従来の記録素 子の加工技術をそのまま用いて記録素子21を� ��成することができる。最後に、再生素子23� �記録素子21上に加工すれば良い。

 更に、図10の記録ヘッド300では、スライ� �20の側壁20eを、第1、第2実施形態の記録ヘッ� ��2と100のスライダ20の傾斜面21cあるいは湾曲� ��21dのように加工する必要がなく、平面に加� ��すれば良いので、スライダ20の製造工程が� �易になる。また、平面状の側壁20e上にクラ� �ド43を加工すれば良いので、スポットサイズ 変換器223の製造が容易になる。記録素子21の� ��工は、図9の記録ヘッド200での方法と同様に 、クラッド42の側壁42aを平面研磨し、その上� ��、従来の記録素子の加工技術をそのまま用� ��て記録素子21を形成した後、再生素子23をそ の上に形成する。

 また、本実施形態の情報記録再生装置1によ れば、上述した記録ヘッド400を備えているの で、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化 に対応することができ、高品質化を図ること ができる。また、同時に薄型化を図ることが できる。
(第5実施形態)
 次に、本発明に係る記録ヘッドの第5実施形 態を、図12と図13を参照して説明する。図13は 、図12に示す矢印A方向、即ち、スライダ20の� ��出端側からコア40を見た図である。

 なお、この第5実施形態においては、第1� �ら第4実施形態における構成要素と同一の部� ��については、同一の符号を付しその説明を� ��略する。

 第5実施形態と第1から第3実施形態あるい� ��第4実施形態との異なる点は、スポットサイ ズ変換器522のコア40の配置が、第1実施形態の ように対向面20aに対し所定の角度を持って斜 めに形成されていると共に、スライダ20の側� ��20fを向かって傾斜するように斜めに形成さ� ��ている点である。

 即ち、本実施形態の記録ヘッド500は、図1 2及び図13に示すように、スライダ20の流出端� ��から見たときに、一端側から他端側に向か� ��て斜めに傾斜しているコア40からなるスポ� �トサイズ変換器(スポット光生成素子)522を備 えている。

 また、本実施形態の記録素子21は、図13に 示すように、スライダ20の対向面20aと接する� ��面20f上と、側面20fと近接するクラッド41上� �形成される。主磁極32は、コア40の他端側の� ��面40cと近接し、外部に露出している。また� ��記録素子21の主磁極32がコア40の他端側の端� ��40cと近接する構成であれば、傾斜面21c上、� ��向面20a上、または、クラッド42上に形成さ� �ても良い。また、傾斜面21cは図8の湾曲面20d� ��ように形成されても良い。

 また、図13には再生素子23が補助磁極30の� ��に絶縁されて形成されている構造を示すが� ��再生素子23がクラッド41の先端面41a上に形成 されても良い。

 本実施形態の記録ヘッド500は、第1から第 4実施形態の記録ヘッド1、100、200、300、400の� ��ポットサイズ変換器22、122、222、322が有す� �効果とほぼ同一効果を持つと共に、コア40が スライダ20の側面20fを向かって傾斜するよう� ��斜めに形成されているので、スライダ20の� �さよりも全長を更に長くすることができ、� �面積の漸減率を更に小さくすることができ� �。そのため、従来の構造に比べて光束Lの光� ��播率を向上させることができる。よって、� ��り光強度の強いスポット光Rを生成すること ができ、さらなる高密度記録化を図ることが できる。

 また、本実施形態の記録ヘッド100を製造� ��る場合は、第1実施形態での記録ヘッド2の� �ライダ20のように直方体のスライダ20の一端� ��を傾斜面21cあるいは図8の湾曲面21d形状にな るように加工した後、その面上に上記の半導 体加工技術を利用してクラッド41とコア40か� �なるスポットサイズ変換器22を作り込む。そ の後、記録素子21と再生素子23をスライダ20の 側面20fとクラッド41上に上記の半導体加工技� ��を利用して形成する。

 また、本実施形態の情報記録再生装置1に よれば、上述した記録ヘッド2を備えている� �で、書き込みの信頼性が高く、高密度記録� �に対応することができ、高品質化を図るこ� �ができる。また、同時に薄型化を図ること� �できる。