Login| Sign Up| Help| Contact|

Patent Searching and Data


Title:
TEST EQUIPMENT AND TEST METHOD
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2008/078529
Kind Code:
A1
Abstract:
Test equipment has a failure block memory for storing, in correspondence to each block of a memory under test, a plurality of pieces of failure information each indicating whether a failure has occurred in a relevant block or not. The test equipment writes a sequence of test data into a tested page of a memory under test, reads the sequence of test data written into the tested page, and compares the sequence of read data with the sequence of written data. The test equipment also has an assignment register for storing assignment information used for setting which of a plurality of failure conditions is assigned to each of the plurality of pieces of failure information. The failure conditions are used for determining whether a failure has occurred in the tested page or not. The test equipment then detects whether a failure corresponding to each of the failure conditions has occurred or not, outputs the detected result as a failure signal, and updates each of the plurality of pieces of failure information, corresponding to a block including the tested page, according to the failure signal corresponding to the assigned failure condition.

Inventors:
KAMEDA SATOSHI (JP)
DOI MASARU (JP)
SATO SHINYA (JP)
Application Number:
PCT/JP2007/073601
Publication Date:
July 03, 2008
Filing Date:
December 06, 2007
Export Citation:
Click for automatic bibliography generation   Help
Assignee:
ADVANTEST CORP (JP)
KAMEDA SATOSHI (JP)
DOI MASARU (JP)
SATO SHINYA (JP)
International Classes:
G11C29/56; G01R31/28; G06F12/16; G11C16/06
Foreign References:
JP2006139892A2006-06-01
JP2003178600A2003-06-27
JPH08315597A1996-11-29
JPH10312340A1998-11-24
JP2004220068A2004-08-05
JP3842238B22006-11-08
JP3490403B22004-01-26
JP2002140899A2002-05-17
Attorney, Agent or Firm:
RYUKA, Akihiro (22-1 Nishi-Shinjuku,6-chome, Shinjuku-k, Tokyo 05, JP)
Download PDF:
Claims:
 ページ単位でアクセスされ、複数のページを含むブロック単位で不良の記憶領域を無効化可能な被試験メモリを試験する試験装置であって、
 前記被試験メモリの各ブロックに対応付けて、当該ブロックに不良が発生したか否かをそれぞれ示す複数のフェイル情報を記憶する不良ブロックメモリと、
 前記被試験メモリの試験対象のページに、試験用のデータ列を書き込むデータ書込部と、
 前記試験対象のページに書き込まれた試験用の前記データ列を読み出すデータ読出部と、
 読み出された前記データ列を、書き込まれた前記データ列と比較する比較部と、
 前記試験対象のページに不良が発生したか否かを判定する条件として予め定められた複数のフェイル条件のそれぞれについて、当該フェイル条件に対応する不良が発生したか否かを検出し、検出結果をフェイル信号として出力するフェイル検出部と、
 前記試験対象のページを含むブロックに対応付けられた前記複数のフェイル情報のそれぞれを、当該フェイル情報に予め割り当てられた前記フェイル条件に応じた前記フェイル信号により更新する更新部と
 を備える試験装置。
 前記複数のフェイル情報のそれぞれに対し、前記試験対象のページに不良が発生したか否かを判定する複数のフェイル条件のいずれを割り当てるかを設定する割当情報を記憶する割当レジスタを更に備え、
 前記更新部は、前記試験対象のページを含むブロックに対応付けられた前記複数のフェイル情報のそれぞれを、前記割当情報によって割り当てられた前記フェイル条件に応じた前記フェイル信号により更新する
 請求項1に記載の試験装置。
 前記フェイル検出部は、前記比較部による比較結果、前記データ列の書き込みに要した時間、および前記データ列の読出に要した時間の少なくとも1つに基づいて、前記試験対象のページにおける互いに異なる不良を検出する複数のフェイル検出器と、
 前記複数のフェイル情報のそれぞれに対応してそれぞれ設けられ、前記割当レジスタにより対応する前記フェイル情報に割り当てられた前記フェイル検出器を選択し、選択した前記フェイル検出器による検出結果に基づき生成した前記フェイル信号を出力する複数の選択部とを有し、
 前記更新部は、前記試験対象のページを含むブロックに対応付けられた前記複数のフェイル情報を、前記複数の選択部が出力する複数の前記フェイル信号により更新する
 請求項2に記載の試験装置。
 前記複数のフェイル情報のうち、ブロックを無効とすべき不良に対応付けられた前記フェイル情報を指定する無効化情報を記憶する無効化レジスタと、
 前記試験対象のページを含むブロックに対応付けられた前記複数のフェイル情報を前記不良ブロックメモリから読み出して、読み出された前記複数のフェイル情報のうち前記無効化レジスタにより指定されたフェイル情報が、ブロックに不良が発生したことを示す場合に、前記試験対象のページの試験を行わなくさせるマスク処理部と
 を更に備える請求項1に記載の試験装置。
 前記マスク処理部は、
 読み出された前記複数のフェイル情報のうち前記無効化レジスタにより指定されたフェイル情報を選択するフェイル情報選択部と、
 選択した前記フェイル情報に基づいて前記試験対象のページの試験を行わなくするか否かを示すマスク信号を生成するマスク生成部と
 を有し、
 前記試験対象のページの試験を行わなくすることを示す前記マスク信号を入力した場合に、前記データ書込部は、当該ページに対する試験用の前記データ列の書き込みを行わなくする
 請求項4に記載の試験装置。
 前記マスク処理部は、
 読み出された前記複数のフェイル情報のうち前記無効化レジスタにより指定されたフェイル情報を選択するフェイル情報選択部と、
 選択した前記フェイル情報に基づいて前記試験対象のページの試験を行わなくするか否かを示すマスク信号を生成するマスク生成部と
 を有し、
 前記試験対象のページの試験を行わなくすることを示す前記マスク信号を入力した場合に、前記比較部は、当該ページから読み出された前記データ列と書き込まれた前記データ列との不一致を検出しない
 請求項4に記載の試験装置。
 ページ単位でアクセスされ、複数のページを含むブロック単位で不良の記憶領域を無効化可能な被試験メモリを試験する試験装置であって、
 前記被試験メモリの各ブロックに対応付けて、当該ブロックに不良が発生したか否かをそれぞれ示す複数のフェイル情報を記憶する不良ブロックメモリと、
 前記被試験メモリの試験対象のページに、試験用のデータ列を書き込むデータ書込部と、
 前記試験対象のページに書き込まれた試験用の前記データ列を読み出すデータ読出部と、
 読み出された前記データ列を、書き込まれた前記データ列と比較する比較部と、
 前記試験対象のページに不良が発生したか否かを判定する複数のフェイル条件のそれぞれに対応する不良が発生したか否かを検出し、検出結果をフェイル信号として出力するフェイル検出部と、
 前記試験対象のページを含むブロックに対応付けられた前記複数のフェイル情報のそれぞれを、複数の前記フェイル信号により更新する更新部と、
 前記複数のフェイル情報のうち、ブロックを無効とすべき不良に対応付けられた前記フェイル情報を指定する無効化情報を記憶する無効化レジスタと、
 前記試験対象のページを含むブロックに対応付けられた前記複数のフェイル情報を前記不良ブロックメモリから読み出して、読み出された前記複数のフェイル情報のうち前記無効化レジスタにより指定されたフェイル情報が、ブロックに不良が発生したことを示す場合に、前記試験対象のページの試験を行わなくさせるマスク処理部と
 を備える試験装置。
 ページ単位でアクセスされ、複数のページを含むブロック単位で不良の記憶領域を無効化可能な被試験メモリを試験装置により試験する試験方法であって、
 前記被試験メモリの各ブロックに対応付けて、当該ブロックに不良が発生したか否かをそれぞれ示す複数のフェイル情報を前記試験装置が備える不良ブロックメモリに記憶させることと、
 前記被試験メモリの試験対象のページに、試験用のデータ列を書き込むことと、
 前記試験対象のページに書き込まれた試験用の前記データ列を読み出すことと、
 読み出された前記データ列を、書き込まれた前記データ列と比較することと、
 前記試験対象のページに不良が発生したか否かを判定する条件として予め定められた複数のフェイル条件のそれぞれについて、当該フェイル条件に対応する不良が発生したか否かを検出し、検出結果をフェイル信号として出力することと、
 前記試験対象のページを含むブロックに対応付けられた前記複数のフェイル情報のそれぞれを、当該フェイル情報に予め割り当てられた前記フェイル条件に応じた前記フェイル信号により更新することと
 を備える試験方法。
 ページ単位でアクセスされ、複数のページを含むブロック単位で不良の記憶領域を無効化可能な被試験メモリを試験装置により試験する試験方法であって、
 前記被試験メモリの各ブロックに対応付けて、当該ブロックに不良が発生したか否かをそれぞれ示す複数のフェイル情報を前記試験装置が備える不良ブロックメモリ記憶することと、
 前記被試験メモリの試験対象のページに、試験用のデータ列を書き込むことと、
 前記試験対象のページに書き込まれた試験用の前記データ列を読み出すことと、
 読み出された前記データ列を、書き込まれた前記データ列と比較することと、
 前記試験対象のページに不良が発生したか否かを判定する複数のフェイル条件のそれぞれに対応する不良が発生したか否かを検出し、検出結果をフェイル信号として出力することと、
 前記試験対象のページを含むブロックに対応付けられた前記複数のフェイル情報のそれぞれを、複数の前記フェイル信号により更新することと、
 前記複数のフェイル情報のうち、ブロックを無効とすべき不良に対応付けられた前記フェイル情報を指定する無効化情報を前記試験装置が備える無効化レジスタに記憶することと、
 前記試験対象のページに試験用の前記データ列を書き込むのに先立って、前記試験対象のページを含むブロックに対応付けられた前記複数のフェイル情報を前記不良ブロックメモリから読み出すことと、
 読み出された前記複数のフェイル情報のうち前記無効化レジスタにより指定されたフェイル情報が、ブロックに不良が発生したことを示す場合に、前記試験対象のページの試験を行わなくさせることと
 を備える試験方法。
 被試験メモリを試験する試験装置であって、
 前記被試験メモリは、それぞれが複数のページにより構成される複数のブロックを含むフラッシュメモリであり、
 前記被試験メモリに対するページ単位の書込み若しくは読出し、または、前記被試験メモリに対するブロック単位の消去の処理に生じた不良を検出して、検出結果をフェイル信号として出力するフェイル検出部と、
 前記フェイル検出部が出力したフェイル信号に基づいて、前記被試験メモリを複数種類のグレードに選別する制御装置と
 を備え、前記フェイル検出部は、互いに種類の異なる複数のECCのそれぞれによってエラー訂正が可能か否か、書込みを開始してから完了するまでの所要時間であるプログラム時間が予め定められた基準時間以上か否か、および、ブロック単位のデータ消去の所要時間が予め定められた基準時間以上か否か、の少なくとも1つを検出するフェイル検出器を有する試験装置。
 前記フェイル検出部が出力したフェイル信号に基づいて、あるブロックが不良ブロックであることを示すことを条件に、当該不良ブロックに対する試験を行わなくさせるマスク処理部を更に備える請求項10に記載の試験装置。
Description:
試験装置および試験方法

 本発明は、試験装置および試験方法に関す 。特に本発明は、被試験メモリについて、 ータの読み書きに生じた異常を検出する試 装置および試験方法に関する。本出願は、 記の日本出願に関連する。文献の参照によ 組み込みが認められる指定国については、 記の出願に記載された内容を参照により本 願に組み込み、本出願の一部とする。
 1.特願2006-350625  出願日 2006年12月26日

 近年、NAND型フラッシュメモリのような不 揮発性メモリデバイスが広く普及している。 メモリデバイスの試験装置は、被試験メモリ の出力と期待値とを論理比較し、比較の結果 が一致すれば良品と、不一致であれば不良品 と判断する。しかしながら、僅か一ビットだ け不一致であるのに不良品と判断していては 、メモリデバイスの歩留まりは非常に低くな ってしまう。このため、メモリデバイスには 、予め予備の記憶領域を設けておき、不良の 検出された記憶領域に代えてその予備の記憶 領域を用いるようにしている。また、ECCなど のエラー訂正符号によりデータを誤り訂正し て、少数のエラーを許容するようにしている 。このように、試験段階においては、良品の メモリデバイスにおいても、良品として許容 できる範囲内で様々なエラーが検出される場 合がある。

 参考として、メモリデバイスの試験方法お び試験装置については以下の特許文献1を参 照されたい。

特開2001-319493号公報

 従来、試験装置は、このような良品のメ リデバイスに生じているエラーを管理する く、メモリデバイス内のブロック毎にどの うな種類のエラーが生じているかを検出し いる。このようなエラーの検出によって、 の後にどのような処理をするべきか、たと ば、ある不良ブロックを予備のブロックと 換するリペア処理をするべきかを判断でき 。しかしながら、エラーの種類は様々であ 、その全てを試験装置に記憶していたので 、エラー記憶のための必要記憶容量が膨大 なって、試験装置の設備規模を増大させて まうおそれがある。また、記憶したエラー 情報の全てがその後の処理において用いら るとは限らず、用意した記憶領域が有効活 されない場合もある。

 そこで本発明は、上記の課題を解決する とのできる試験装置および試験方法を提供 ることを目的とする。この目的は請求の範 における独立項に記載の特徴の組み合わせ より達成される。また従属項は本発明の更 る有利な具体例を規定する。

 本発明の第1の形態によると、ページ単位 でアクセスされ、複数のページを含むブロッ ク単位で不良の記憶領域を無効化可能な被試 験メモリを試験する試験装置であって、前記 被試験メモリの各ブロックに対応付けて、当 該ブロックに不良が発生したか否かをそれぞ れ示す複数のフェイル情報を記憶する不良ブ ロックメモリと、前記被試験メモリの試験対 象のページに、試験用のデータ列を書き込む データ書込部と、前記試験対象のページに書 き込まれた試験用の前記データ列を読み出す データ読出部と、読み出された前記データ列 を、書き込まれた前記データ列と比較する比 較部と、前記試験対象のページに不良が発生 したか否かを判定する条件として予め定めら れた複数のフェイル条件のそれぞれについて 、当該フェイル条件に対応する不良が発生し たか否かを検出し、検出結果をフェイル信号 として出力するフェイル検出部と、前記試験 対象のページを含むブロックに対応付けられ た前記複数のフェイル情報のそれぞれを、当 該フェイル情報に予め割り当てられた前記フ ェイル条件に応じた前記フェイル信号により 更新する更新部とを備える試験装置を提供す る。

 また、前記複数のフェイル情報のそれぞ に対し、前記試験対象のページに不良が発 したか否かを判定する複数のフェイル条件 いずれを割り当てるかを設定する割当情報 記憶する割当レジスタを更に備え、前記更 部は、前記試験対象のページを含むブロッ に対応付けられた前記複数のフェイル情報 それぞれを、前記割当情報によって割り当 られた前記フェイル条件に応じた前記フェ ル信号により更新してもよい。

 また、前記フェイル検出部は、前記比較 による比較結果、前記データ列の書き込み 要した時間、および前記データ列の読出に した時間の少なくとも1つに基づいて、前記 試験対象のページにおける互いに異なる不良 を検出する複数のフェイル検出器と、前記複 数のフェイル情報のそれぞれに対応してそれ ぞれ設けられ、前記割当レジスタにより対応 する前記フェイル情報に割り当てられた前記 フェイル検出器を選択し、選択した前記フェ イル検出器による検出結果に基づき生成した 前記フェイル信号を出力する複数の選択部と を有し、前記更新部は、前記試験対象のペー ジを含むブロックに対応付けられた前記複数 のフェイル情報を、前記複数の選択部が出力 する複数の前記フェイル信号により更新して もよい。

 また、前記複数のフェイル情報のうち、 ロックを無効とすべき不良に対応付けられ 前記フェイル情報を指定する無効化情報を 憶する無効化レジスタと、前記試験対象の ージを含むブロックに対応付けられた前記 数のフェイル情報を前記不良ブロックメモ から読み出して、読み出された前記複数の ェイル情報のうち前記無効化レジスタによ 指定されたフェイル情報が、ブロックに不 が発生したことを示す場合に、前記試験対 のページの試験を行わなくさせるマスク処 部とを更に備えてもよい。

 また、前記マスク処理部は、読み出され 前記複数のフェイル情報のうち前記無効化 ジスタにより指定されたフェイル情報を選 するフェイル情報選択部と、選択した前記 ェイル情報に基づいて前記試験対象のペー の試験を行わなくするか否かを示すマスク 号を生成するマスク生成部とを有し、前記 験対象のページの試験を行わなくすること 示す前記マスク信号を入力した場合に、前 データ書込部は、当該ページに対する試験 の前記データ列の書き込みを行わなくして よい。

 また、マスク処理部は、読み出された前 複数のフェイル情報のうち前記無効化レジ タにより指定されたフェイル情報を選択す フェイル情報選択部と、選択した前記フェ ル情報に基づいて前記試験対象のページの 験を行わなくするか否かを示すマスク信号 生成するマスク生成部とを有し、前記試験 象のページの試験を行わなくすることを示 前記マスク信号を入力した場合に、前記比 部は、当該ページから読み出された前記デ タ列と書き込まれた前記データ列との不一 を検出しなくてもよい。

 また、本発明の第2の形態によると、ペー ジ単位でアクセスされ、複数のページを含む ブロック単位で不良の記憶領域を無効化可能 な被試験メモリを試験する試験装置であって 、前記被試験メモリの各ブロックに対応付け て、当該ブロックに不良が発生したか否かを それぞれ示す複数のフェイル情報を記憶する 不良ブロックメモリと、前記被試験メモリの 試験対象のページに、試験用のデータ列を書 き込むデータ書込部と、前記試験対象のペー ジに書き込まれた試験用の前記データ列を読 み出すデータ読出部と、読み出された前記デ ータ列を、書き込まれた前記データ列と比較 する比較部と、前記試験対象のページに不良 が発生したか否かを判定する複数のフェイル 条件のそれぞれに対応する不良が発生したか 否かを検出し、検出結果をフェイル信号とし て出力するフェイル検出部と、前記試験対象 のページを含むブロックに対応付けられた前 記複数のフェイル情報のそれぞれを、複数の 前記フェイル信号により更新する更新部と、 前記複数のフェイル情報のうち、ブロックを 無効とすべき不良に対応付けられた前記フェ イル情報を指定する無効化情報を記憶する無 効化レジスタと、前記試験対象のページを含 むブロックに対応付けられた前記複数のフェ イル情報を前記不良ブロックメモリから読み 出して、読み出された前記複数のフェイル情 報のうち前記無効化レジスタにより指定され たフェイル情報が、ブロックに不良が発生し たことを示す場合に、前記試験対象のページ の試験を行わなくさせるマスク処理部とを備 える試験装置を提供する。

 また、本発明の第3の形態によると、ペー ジ単位でアクセスされ、複数のページを含む ブロック単位で不良の記憶領域を無効化可能 な被試験メモリを試験装置により試験する試 験方法であって、前記被試験メモリの各ブロ ックに対応付けて、当該ブロックに不良が発 生したか否かをそれぞれ示す複数のフェイル 情報を前記試験装置が備える不良ブロックメ モリに記憶させることと、前記被試験メモリ の試験対象のページに、試験用のデータ列を 書き込むことと、前記試験対象のページに書 き込まれた試験用の前記データ列を読み出す ことと、読み出された前記データ列を、書き 込まれた前記データ列と比較することと、前 記試験対象のページに不良が発生したか否か を判定する条件として予め定められた複数の フェイル条件のそれぞれについて、当該フェ イル条件に対応する不良が発生したか否かを 検出し、検出結果をフェイル信号として出力 することと、前記試験対象のページを含むブ ロックに対応付けられた前記複数のフェイル 情報のそれぞれを、当該フェイル情報に予め 割り当てられた前記フェイル条件に応じた前 記フェイル信号により更新することとを備え る試験方法を提供する。

 また、本発明の第4の形態によると、被試 験メモリを試験する試験装置であって、前記 被試験メモリは、それぞれが複数のページに より構成される複数のブロックを含むフラッ シュメモリであり、前記被試験メモリに対す るページ単位の書込み若しくは読出し、また は、前記被試験メモリに対するブロック単位 の消去の処理に生じた不良を検出して、検出 結果をフェイル信号として出力するフェイル 検出部と、前記フェイル検出部が出力したフ ェイル信号に基づいて、前記被試験メモリを 複数種類のグレードに選別する制御装置とを 備え、前記フェイル検出部は、互いに種類の 異なる複数のECCのそれぞれによってエラー訂 正が可能か否か、書込みを開始してから完了 するまでの所要時間であるプログラム時間が 予め定められた基準時間以上か否か、および 、ブロック単位のデータ消去の所要時間が予 め定められた基準時間以上か否か、の少なく とも1つを検出するフェイル検出器を有する 験装置を提供する。

 また、前記フェイル検出部が出力したフ イル信号に基づいて、あるブロックが不良 ロックであることを示すことを条件に、当 不良ブロックに対する試験を行わなくさせ マスク処理部を更に備えてもよい。

 なお、上記の発明の概要は、本発明の必 な特徴の全てを列挙したものではなく、こ らの特徴群のサブコンビネーションもまた 発明となりうる。

本発明の実施形態に係る試験装置10の 体構成を示す。 本発明の実施形態に係る被試験メモリ1 00の記憶領域を示す。 本発明の実施形態に係るフェイル管理 ジュール180の構成の一例を示す。 本発明の実施形態に係る被試験メモリ1 00において発生したビット誤りの具体例を示 。 本発明の実施形態に係るフェイル管理 ジュール180の具体的構成を示す。 本発明の実施形態に係る被試験メモリ1 00において検出されたフェイルの第1例を示す 。 本発明の実施形態に係る被試験メモリ1 00において検出されたフェイルの第2例を示す 。 本発明の実施形態に係る試験装置10に いて、検出されたフェイルに基づき生成さ たマスク信号の一例を示す。 本発明の実施形態に係る試験装置10に り被試験メモリ100を試験する処理の流れを す。 本発明の実施形態に係るフェイル管理 モジュール180の第1変形例を示す。 本発明の実施形態に係るフェイル管理 モジュール180の第2変形例を示す。

符号の説明

10・・・試験装置、100・・・被試験メモリ 120・・・タイミング発生器、130・・・パタ ン発生器、140・・・波形整形器、150・・・ ライバ、160・・・コンパレータ、170・・・ 較部、180・・・フェイル管理モジュール、1 85・・・制御装置、190・・・リペア処理装置 210・・・データ、220・・・誤り訂正符号、2 30・・・制御情報、240・・・メインエリア、2 50・・・エキストラエリア、300・・・アドレ フェイルメモリ、305・・・アドレス圧縮機 310・・・不良ブロックメモリ、500・・・不 ブロックメモリ、505・・・アドレスフェイ メモリ、510・・・割当レジスタ、520・・・ ェイル検出部、522・・・1ビットECC検出器、 524・・・2ビットECC検出器、526・・・4バイトE CC検出器、528・・・ビジー時間検出器、530・ ・更新部、535・・・オアゲート、538・・・ アゲート、545・・・選択部、548・・・選択 、550・・・無効化レジスタ、570・・・マス 処理部、572・・・フェイル情報選択部、575 ・・マスク生成部

 以下、発明の実施の形態を通じて本発明 説明するが、以下の実施形態は請求の範囲 かかる発明を限定するものではなく、また 施形態の中で説明されている特徴の組み合 せの全てが発明の解決手段に必須であると 限らない。

 図1は、本発明の実施形態に係る試験装置 10の全体構成を示す。試験装置10は、タイミ グ発生器120と、パターン発生器130と、波形 形器140と、ドライバ150と、コンパレータ160 、比較部170と、フェイル管理モジュール180 、制御装置185と、リペア処理装置190とを備 る。タイミング発生器120は、パターン発生 130から出力されるタイミングセット信号(TS 号)により指定されたタイミングデータを用 て、試験の1サイクルを示す周期クロックと 、試験サイクルの開始タイミングを示すRATE 号とを生成する。そして、タイミング発生 120は、周期クロックをパターン発生器130に 給し、RATE信号及びタイミングクロックを波 整形器140へ供給する。

 パターン発生器130は、周期クロックに基 いて、被試験メモリ100に供給する試験パタ ンのデータを生成し、波形整形器140へ供給 る。この試験パターンデータは、データ列 被試験メモリ100に書き込むために被試験メ リ100に供給すべき信号からなる試験パター 、及び、書き込んだデータ列を被試験メモ 100から読み出すために被試験メモリ100に供 すべき信号からなる試験パターンを含む。 形整形器140は、本発明に係るデータ書込部 一例であり、試験用のデータ列を、被試験 モリ100の試験対象のページに書き込む。こ 際、波形整形器140は、タイミングクロック よびRATE信号に基づいて、このデータ列を被 試験メモリ100に供給すべきタイミングの波形 に整形する。

 ドライバ150は、波形整形器140により整形 れた試験パターンデータを、試験パターン 号として被試験メモリ100へ供給する。コン レータ160は、本発明に係るデータ読出部の 例であり、試験対象のページに書き込まれ 試験用のデータ列を読み出す。詳細には、 ンパレータ160は、試験パターンに応じて被 験メモリ100が出力する出力信号を予め定め れた基準電圧と比較して、出力信号の論理 を取得し、順次取得される論理値をデータ とする。比較部170は、試験パターンに応じ 被試験メモリ100から読み出されたデータ列 含まれるデータのそれぞれを、パターン発 器130により予め生成された期待値と比較す 。この期待値は、即ち、波形整形器140によ 被試験メモリ100に対し書き込まれたデータ である。また、比較部170は、データ列の読 出に要した時間が予め定められた規格によ 範囲内の大きさかどうかを判断してもよい

 フェイル管理モジュール180は、比較部170 よる比較結果や判断結果に基づいて、被試 メモリ100に生じたエラーの種類を、被試験 モリ100に含まれるブロック毎に記憶してゆ 。エラーの種類を記憶するメモリのことを 不良ブロックメモリと呼ぶ。そして、リペ 処理装置190は、試験完了後に、比較部170に り不良ブロックメモリに記憶された内容に づいて、被試験メモリ100を良品として使用 能とするためのリペア処理を行う。リペア 理には、ブロックリペア処理、ページリペ 処理、カラムリペア処理などが含まれる。

 ブロックリペア処理とは、不良の生じた ロック全体を使用不能に設定して、予備の ロックを使用可能に設定する処理をいう。 ージリペア処理とは、ブロックよりも小さ 記憶単位であるページについて、不良の生 たページ全体を使用不能に設定して、予備 ページを使用可能に設定する処理をいう。 ラムリペア処理とは、記憶セルを指定する 位であるカラム毎に、不良の生じたカラム 体を使用不能に設定して、予備のカラムを 用可能に設定する処理をいう。

 制御装置185は、以上に例示した試験処理 よびリペア処理の開始を、上記各部材に対 て指示する。たとえば、制御装置185は、幾 かの試験処理をパターン発生器130およびフ イル管理モジュール180に順次指示して実行 せ、その実行完了後にリペア処理装置190に 示してリペア処理を行わせる。また、制御 置185は、後述の不良ブロックメモリ500に記 されたフェイル情報に基づいて、被試験メ リ100を複数種類のグレードに選別する。た えば、1ビット誤りを訂正可能なECCがあれば 良品として動作する被試験メモリ100と、4ビ ト誤りを訂正可能なECCがなければ良品とし 動作しない被試験メモリ100とは別のグレー に選別される。

 本実施形態に係る試験装置10は、以上の うな構成による試験処理において、試験の 的や制約に応じて、フェイル管理モジュー 180に記録させるエラーの種類を任意に設定 能とすることで、フェイル管理モジュール18 0に設ける記憶装置(上記の不良ブロックメモ )の必要容量を削減しつつも、幅広い種類の 試験処理・リペア処理を可能とすることを目 的とする。

 図2は、本発明の実施形態に係る被試験メ モリ100の記憶領域を示す。本実施形態に係る 被試験メモリ100は、例えば不揮発性の記憶デ バイスであるフラッシュメモリであり、被試 験メモリ100の記憶領域は、複数のブロックに 分割される。各ブロックは、たとえば64KBの ータ記憶容量を有し、たとえば32個等の複数 のページから構成される。本実施形態に係る 被試験メモリ100は、例えば2KB等のデータ記憶 容量を有するページ単位でデータ列の読み書 きを行う。より具体的には、被試験メモリ100 は、例えば8ビット等の複数のデータIO端子を 有し、これらの複数のデータIO端子を介して1 入出力サイクルあたり1ワード(例えば8ビット )のデータを転送する。そして、1回の読み出 又は書き込み処理において、ページ内の各 ードをカラム方向に順に転送することで、 ージ単位で読み書きを行う。

 被試験メモリ100内の記憶領域は、メイン リア240及びエキストラエリア250を含む。メ ンエリア240は、被試験メモリ100が記憶すべ データ210を記憶する領域である。エキスト エリア250は、データ210に生じたビット誤り 訂正するための誤り訂正符号220、及び、当 ページの使用禁止等を示す制御情報230を記 する領域である。このエキストラエリア250 制御情報230として特定の数値が記憶される 、その制御情報230を含むブロック全体が使 不能に設定されたり、その制御情報230を含 ページ全体が使用不能に設定されたりする どのような数値の書込みによりどのような 定がなされるか、および、どのような設定 可能であるかについては、被試験メモリ100 仕様によって異なる。

 図3は、本発明の実施形態に係るフェイル 管理モジュール180の構成の一例を示す。ブロ ック単位で単に良否を判定するのであれば、 フェイル管理モジュール180の構成を図3に示 ものとすることもできる。具体的には、フ イル管理モジュール180は、アドレスフェイ メモリ300と、アドレス圧縮機305と、不良ブ ックメモリ310とを有する。アドレスフェイ メモリ300は、比較部170による比較結果に基 いて、被試験メモリ100の記憶セル毎に当該 憶セルの良否を示すビットパスフェイル情 を格納する。具体的には、アドレスフェイ メモリ300は、波形整形器140から入力された ドレスに、比較部170から入力された良否判 結果を記憶する。各記憶セルの試験が順次 われた結果、各記憶セルの良否を示すビッ マップ状のデータがアドレスフェイルメモ 300に記憶される。

 アドレス圧縮機305は、パターン発生器130 ら入力されたアドレスに基づきそのアドレ が属するブロックの識別情報を生成して、 良ブロックメモリ310に対し供給する。具体 には、アドレス圧縮機305は、入力されたア レスの一部のビットをマスクして除外する とで、ブロックの識別情報を生成してもよ 。不良ブロックメモリ310は、被試験メモリ1 00の各ブロックに対応付けて、当該ブロック 不良が発生したか否かをそれぞれ示す複数 フェイル情報を記憶する。具体的には、不 ブロックメモリ310は、試験の対象となるブ ックの識別情報をアドレス圧縮機305から入 し、ブロック毎の良否判定結果を比較部170 ら入力する。そして、不良ブロックメモリ3 10は、入力された識別情報により指定される ドレスに、良否判定結果を記憶する。

 記憶された良否判定結果は、以降同一ブ ックに対する試験を行わなくさせるための スク情報として波形整形器140および比較部1 70に出力されてもよい。これを受けて、波形 形器140は、試験用のデータ列の出力を停止 、比較部170は、出力データ列の比較を停止 る。また、マスク情報はリペア処理装置190 対しさらに出力されてもよい。これにより リペア処理装置190はその後のリペア処理を 率よく行うことができる。

 図4は、本発明の実施形態に係る被試験メ モリ100において発生したビット誤りの具体例 を示す。ブロック0のページ2は、カラム2、6 9および11にエラーの生じた記憶セルを含む なお、表内の数値はエラーの生じた記憶セ の個数を示す。また、ブロック1のページ3は 、カラム3、7および10にエラーの生じた記憶 ルを含む。このように1つでもエラーの生じ 記憶セルがブロックに含まれている場合に 、フェイル管理モジュール180は、そのブロ クが不良である旨を不良ブロックメモリ310 記憶する。この例の場合、ブロック0-3は共 不良の発生した記憶セルを含むので、不良 ロックメモリ310は、これらそれぞれのブロ クに対応付けて、不良の発生した旨を示す 理値1を記憶する。また、不良ブロックメモ リ310は、不良の発生した旨を示す論理値をそ のままマスク情報として出力する。即ち、ブ ロック0-3について出力されるマスク情報は、 ともに論理値1である。

 以上、良否判定の結果のみを記憶するの あれば、図3に示す構成のフェイル管理モジ ュール180を用いればよい。しかしながら、被 試験メモリ100の規格によっては、リペア処理 などの様々な事後処理が可能であるゆえ、ブ ロック毎に生じたエラーの種類を識別可能に 記憶することが望ましい。以降、ブロック毎 にエラーの種類を記憶可能としつつも、必要 な記憶容量を低減する構成について説明する 。

 図5は、本発明の実施形態に係るフェイル 管理モジュール180の具体的構成を示す。フェ イル管理モジュール180は、不良ブロックメモ リ500と、アドレスフェイルメモリ505と、割当 レジスタ510と、フェイル検出部520と、更新部 530と、無効化レジスタ550と、マスク処理部570 とを有する。不良ブロックメモリ500は、被試 験メモリ100の各ブロックに対応付けて、当該 ブロックに不良が発生したか否かをそれぞれ 示す複数のフェイル情報を記憶する。これら 複数のフェイル情報は、互いに種類の異なる エラーの発生を示すものである。アドレスフ ェイルメモリ505は、比較部170による比較結果 に基づいて、被試験メモリ100の記憶セル毎に 当該記憶セルの良否を示すビットパスフェイ ル情報を格納する。具体的には、アドレスフ ェイルメモリ505は、パターン発生器130から入 力されたアドレスに、比較部170から入力され た良否判定結果を記憶する。

 割当レジスタ510は、複数のフェイル情報 それぞれに対し、試験対象のページに不良 発生したか否かを判定する複数のフェイル 件のいずれを割当てるかを設定する割当情 を記憶する。たとえば、設定によって、あ フェイル情報には、1ビット誤りを訂正可能 なECCにより誤り訂正可能かどうかを判定する フェイル条件が割り当てられ、他のフェイル 情報には、データの読み出しに所定の基準よ りも長い時間を要するかどうかを判定するフ ェイル条件が割り当てられる。このような割 当情報は、試験の種類や目的に応じて、制御 装置185から設定されてもよい。

 フェイル検出部520は、複数のフェイル条 のそれぞれに対応する不良が発生したか否 を検出し、検出結果をフェイル信号として 新部530に対し出力する。たとえば、フェイ 検出部520は、被試験メモリ100に対するペー 単位の書込み若しくは読出し、または、被 験メモリ100に対するブロック単位の消去の 理に生じた不良を検出するものである。構 の具体例として、フェイル検出部520は、1ビ ットECC検出器522と、2ビットECC検出器524と、4 イトECC検出器526と、ビジー時間検出器528と 選択部545と、選択部548とを有する。1ビット ECC検出器522、2ビットECC検出器524、4バイトECC 出器526およびビジー時間検出器528のそれぞ は、本発明に係るフェイル検出器の一例で る。これら複数のフェイル検出器は、比較 170による比較結果、データ列の書き込みに した時間、および/または、データ列の読み 出しに要した時間の少なくとも1つに基づい 、試験対象のページにおける互いに異なる 良を検出する。

 具体的には、1ビットECC検出器522は、1ビ ト誤りを訂正するECCによっては訂正不能な 良を検出する。2ビットECC検出器524は、2ビッ ト誤りを生成するECCによっては訂正不能な不 良を検出する。これらのECCは、共に、ページ 毎に対応して設けられており、1ページ当た に生じた誤りビット数が所定以下であるこ を条件にその誤り訂正を可能とするもので る。このように、複数のフェイル検出器が 出するエラーは、種類が同一だが程度が異 るものであってもよい。また、4バイトECC検 器526は、4バイト誤りを訂正するECCによって は訂正不能な不良を検出する。このECCは、1 ージ当たりに生じたビット誤りを有するカ ム数が所定以下であることを条件にその誤 訂正を可能とするものである。また、ビジ 時間検出器528は、読み書きなどのコマンド 発行してからその結果が出力されるまでの ち時間が所定の規格外かどうかを検出する このように、各フェイル検出器が検出する ラーはその種類が異なってもよい。

 選択部545および選択部548その他の選択部 それぞれは、複数のフェイル情報のそれぞ に対応してそれぞれ設けられ、割当レジス 510により対応するフェイル情報に割り当て れたフェイル検出器を選択する。たとえば 選択部545は、割当レジスタ510に基づき、1ビ ットECC検出器522および2ビットECC検出器524を 択し、選択部548は、割当レジスタ510に基づ 、1ビットECC検出器522およびビジー時間検出 528を選択するというように、選択部ごとに 択するフェイル検出器の組合せが異なって い。そして、選択部545および選択部548その の選択部のそれぞれは、選択したフェイル 出器による検出結果に基づき生成したフェ ル信号を、更新部530に対し出力する。一例 して、フェイル信号は、選択した複数のフ イル検出器の出力の論理和である。即ち、 択した何れかのフェイル検出器でエラーが 出されると、フェイル発生を示す論理値が ェイル信号として出力される。

 更新部530は、試験対象のページを含むブ ックに対応付けられた複数のフェイル情報 それぞれを、割り当てられたフェイル条件 応じたフェイル信号により更新する。具体 には、更新部530は、選択部毎に、オアゲー 535およびオアゲート538その他のオアゲート 有する。そして、それぞれのオアゲートは フェイル検出部520から入力したフェイル信 と、不良ブロックメモリ500の対応するビッ から出力された論理和を、不良ブロックメ リ500に書き込む。即ち、あるブロックにつ て一旦フェイル条件が成立すると、その成 を示す論理値がそのブロックに対応する不 ブロックメモリ500中の領域に書き込まれ、 のブロックの試験が完了するまで上書きさ 続ける。これにより、ブロックの試験完了 にそのブロックに不良の発生したページが ったかどうかを判別できる。

 続いて、あるブロックについて記憶され フェイル情報に基づき、そのブロックのそ 後の試験を制御する処理機能について説明 る。無効化レジスタ550は、複数のフェイル 報のうち、ブロックを無効とすべき不良に 応付けられたフェイル情報を指定する無効 情報を記憶する。

 マスク処理部570は、試験対象のページを むブロックに対応付けられた複数のフェイ 情報を不良ブロックメモリ500から読み出す そして、マスク処理部570は、読み出された 数のフェイル情報のうち無効化レジスタ550 より指定されたフェイル情報が、ブロック 不良が発生したことを示す場合に、試験対 のページの試験を行わなくさせる。具体的 成として、マスク処理部570は、フェイル情 選択部572と、マスク生成部575とを有する。 ェイル情報選択部572は、読み出した複数の ェイル情報のうち無効化レジスタ550により 定されたフェイル情報を選択する。例えば 軽微なエラーはそのブロックのその後の試 を行わなくする原因とはならないから、そ ようなエラーを示すフェイル情報はフェイ 情報選択部572によって選択されない。一方 、比較的重度のエラーを示すフェイル情報 フェイル情報選択部572により選択される。

 マスク生成部575は、選択したフェイル情 に基づいて試験対象のページの試験を行わ くするか否かを示すマスク信号を生成する 生成されたマスク信号は波形整形器140およ 比較部170に入力される。これを受けて、波 整形器140は、そのページに対する試験用の ータ列の書込みを行わない。また、比較部1 70は、そのページから読み出されたデータ列 書き込まれたデータ列との不一致を検出し い。このようにすることで、比較的重度の 害が一旦発生したブロックには、その後の 験を中止することができ、その後の試験を った場合に他の障害が原因で試験時間が長 なることを防止できる。

 図6は、本発明の実施形態に係る被試験メ モリ100において検出されたフェイルの第1例 示す。この例は、まず、ブロック毎、ペー 毎、かつ、カラム毎に、ビット誤りの生じ ビットの数を示している。例えばブロック0 ページ2およびカラム2において、ビット誤 の数は1である。また、同ページのカラム6に おいて、ビット誤りの数は2であり、同ペー のカラム9において、ビット誤りの数は1であ り、同ページのカラム11において、ビット誤 の数は1である。

 このページ2に生じたビット誤りの数は合 計5である。この誤りは、1ビットECCでも2ビッ トECCでも3ビットECCでも4ビットECCでも訂正で ない。したがって、1ビットECCの訂正限界を 超えたことを検出する1ビットECC検出器522か はフェイル情報が出力される。このことを 図中のビットECC1の欄に記号F(Failの意)を表示 して表す。同様に、ビットECC2-4の何れの欄も Fとなる。

 また、このページ2で、誤りの生じたカラ ム(この図ではバイトと同義である)の数は合 4である。この誤りは、1-3バイトECCでは訂正 できないが、4バイトECCでは訂正できる。し がって、4バイトECCの訂正限界を超えたこと 検出するビジー時間検出器528からはフェイ 情報は出力されない。このことを、図中の イトECC4の欄に記号P(Passの意)を表示して表 。バイトECC1-3の欄はFである。

 その他のブロックについても同様に、例 ば、ブロック2のページ3のカラム2には8ビッ トの誤りが生じているので、この誤りは1-4ビ ットECCでは何れも訂正できない。したがって 、同ページのビットECC1-4の欄は何れもFとな 。一方で、同ページにはそれ以外のビット りが生じていないので、この誤りは1バイトE CCで訂正できる。このため、ビジー時間検出 528やその他バイトECCに関するフェイル検出 からはフェイル情報は出力されない。した って、同ページのバイトECC1-4の欄は何れもP となる。

 図7は、本発明の実施形態に係る被試験メ モリ100において検出されたフェイルの第2例 示す。この例は、まず、ブロック毎かつペ ジ毎に、そのページにページ単位でデータ 書き込むために要する時間(プログラム時間) を示している。また、ブロック毎に、そのブ ロックのデータをブロック単位で消去するた めに要する時間(イレース時間)を示している 例えば、ブロック0の何れのページもプログ ラム時間は200μsであるが、ブロック2のペー 7のプログラム時間は1500μsである。また、ブ ロック0のイレース時間は15msであるが、ブロ ク1~3のそれぞれのイレース時間は2msである

 ビジー時間検出器528がプログラム時間の 常を検出する場合において、ブロック0のペ ージ7は予め定められた基準値(たとえば600μs) を超える1500μsのプログラム時間を要するの 、ビジー時間検出器528は、このページ7につ てフェイル情報を出力する。このことを、 中ではページ7に対応する判定結果の欄に記 号Fを表示して表す。他の例として、ビジー 間検出器528がイレース時間の異常を検出す 場合において、ブロック0は予め定められた 準値を超える15msのイレース時間を要するの で、ビジー時間検出器528は、このページ0に いてフェイル情報を出力する。このことを 図中ではブロック0に対応する判定結果の欄 記号Fを表示して表す。

 このように、フェイル検出部520は、複数 フェイル検出器を有するので、図6に示した ビット誤りのみならず、図7に示すデータ書 換えに要する時間など、多様な種類のフェ ルを検出することができる。

 なお、図7に示したプログラム時間の異常 は、各ページについて判定されるものではな く、ブロック内の各ページについてのプログ ラム時間の平均値や最大値について判断され るものでもよい。

 図8は、本発明の実施形態に係る試験装置 10において、検出されたフェイルに基づき生 されたマスク信号の一例を示す。BBMのBit0-2 それぞれは、本発明に係るフェイル情報を 憶する記憶領域を示す。即ち、Bit0-2のそれ れは、被試験メモリ100の各ブロックに対応 けて、当該ブロックに不良が発生したか否 をそれぞれ示すフェイル情報を記憶するビ トであり、フェイル情報によって表される ェイルの種類は互いに異なってよい。

 たとえば、BBMのBit0は、1ビットECC検出器52 2により出力され、選択部545により選択され 、不良ブロックメモリ500に記憶されたフェ ル情報を示している。フェイル情報は、1ビ トECC検出器522および選択部545の組合せによ て表されるフェイル条件の成否を示すもの あり、これは、1ビットECC検出器522や2ビッ ECC検出器524などの複数のフェイル検出器の 出結果の論理演算結果であってよい。但し 本例では説明の都合上、Bit0は、1ビットECC検 出器522により出力されたフェイル情報そのも のを示す。なお、論理値1はフェイル情報を 憶していることを示し、論理値0はフェイル 報を記憶していないことを示す。

 また、BBMのBit2は、2バイトECCによっては り訂正できないエラーを検出するフェイル 出器から出力されたフェイル情報を示す。 た、BBMのBit2は、ビジー時間検出器528から出 されたフェイル情報を示し、ここでは、プ グラム時間が基準値を超えたページが検出 れたことを示す。また、これらのフェイル 報に基づいてマスク処理部570により生成さ るマスク情報をDMASKとして示す。マスク処 部570は、各ブロックについてBit1およびBit2の フェイル情報を選択する。そして、マスク生 成部575は、これらのフェイル情報の論理和を マスク信号として出力する。

 したがって、Bit1-2の少なくとも何れか一 が論理値1であるブロック0-2につき、マスク 信号は論理値1である。一方、Bit1-2の何れも 理値0であるブロック3につき、マスク信号は 論理値0である。

 このように、マスク信号は全てのフェイ 情報を反映したものでなくてもよく、その 成の方法は無効化レジスタ550の設定により 由に変更することができる。

 図9は、本発明の実施形態に係る試験装置 10により被試験メモリ100を試験する処理の流 を示す。波形整形器140は、被試験メモリ100 試験対象のページに、試験用のデータ列を き込む(S1000)。コンパレータ160は、試験対象 のページに書き込まれた試験用のデータ列を 読み出す(S1010)。比較部170は、読み出された ータ列を、書き込まれたデータ列と比較す (S1020)。フェイル検出部520は、複数のフェイ 条件のそれぞれに対応する不良が発生した 否かを検出する(S1030)。更新部530は、不良ブ ロックメモリ500にアクセスして、試験対象の ページを含むブロックに対応付けられたフェ イル情報のそれぞれを、割り当てられたフェ イル条件に応じたフェイル信号により更新す る(S1040)。マスク処理部570は、所定の条件が 立すると、試験対象のブロックのその後の 験を行わなくさせるためのマスク信号を出 する(S1050)。このマスク信号は、無効化レジ タ550に設定した無効化情報に基づく。具体 には、マスク処理部570は、複数のフェイル 報を不良ブロックメモリ500から読み出して 読み出した複数のフェイル情報のうち無効 レジスタ550により指定されたフェイル情報 、ブロックに不良が発生したことを示す場 に、マスク信号を出力する。

 図10は、本発明の実施形態に係るフェイ 管理モジュール180の第1変形例を示す。この 形例は、フェイル情報として記憶するべき ェイル条件は任意に設定可能としたまま、 スク信号を出力する条件を固定することで フェイル管理モジュール180の回路構成を簡 化することを目的とする。この変形例に係 フェイル管理モジュール180は、図5に示すフ ェイル管理モジュール180とは異なり、マスク 処理部570を有しなくてよい。また、フェイル 管理モジュール180は、マスク処理部570を制御 するための無効化レジスタ550を有しなくてよ い。その他の構成は図5に示すフェイル管理 ジュール180と略同一であるから説明を省略 る。この構成において、不良ブロックメモ 500から読み出されたフェイル情報はマスク 号として波形整形器140および比較部170に出 され、波形整形器140および比較部170におい 各種の処理が中止される。これにより、不 ブロックメモリ500の有効活用という上記実 形態の利点は保持しつつ、フェイル管理モ ュール180の回路構成を簡略化できる。

 図11は、本発明の実施形態に係るフェイ 管理モジュール180の第2変形例を示す。この 形例は、第1変形例とは逆に、マスク信号を 出力する条件は任意に設定可能としたまま、 フェイル条件を固定とすることで、フェイル 管理モジュール180の回路構成を簡略化するこ とを目的とする。この変形例に係るフェイル 管理モジュール180は、図5に示すフェイル管 モジュール180とは異なり、選択部545および 択部548その他の選択部を有しなくてよい。 た、フェイル管理モジュール180は、これら 選択部を制御するための割当レジスタ510を しなくてよい。その他の構成は図5に示すフ イル管理モジュール180と略同一であるから 明を省略する。この構成において、不良ブ ックメモリ500は、それぞれのブロックにつ て、フェイル検出部520が有する全てのフェ ル検出器のそれぞれから出力されるフェイ 情報を記憶する。そして、マスク処理部570 、記憶されたこれらのフェイル情報のうち 無効化レジスタ550により指示される任意の 合せに基づき、マスク信号を生成して出力 る。これにより、マスク信号の柔軟な設定 いう上記実施形態の利点は保持しつつ、フ イル管理モジュール180の回路構成を簡略化 きる。

 以上、本発明を実施の形態を用いて説明 たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形 に記載の範囲には限定されない。上記実施 形態に、多様な変更または改良を加えるこ が可能であることが当業者に明らかである たとえば、上記実施形態およびその変形例 おいて、フェイル情報とは、不良ブロック モリ500に記憶するべき情報であって選択部 に対応して割り当てられた1ビットのデータ であるが、試験の用途や目的によっては2ビ ト以上のデータであってよい。また、フェ ル情報は、フェイル検出器による検出結果 のものや幾つかの検出結果の論理和のみな ず、検出結果を示す複数の論理値に任意の 理演算を行った結果であってよい。また、 記実施形態およびその変形例において、一 不良ブロックメモリ500に記憶されたフェイ 情報は、同一のフェイル情報により上書き れるものの他の情報に更新はされない。こ に代えて、フェイル情報がエラーの数量を すようなものである場合、更新部530は、新 にフェイル信号を入力したことに応じて、 に記憶しているフェイル情報が示す数量を 加させて、そのフェイル情報に上書きして 存してよい。その様な変更または改良を加 た形態も本発明の技術的範囲に含まれ得る とが、請求の範囲の記載から明らかである