STERZEL HANS-JOSEF (DE)
| US5429680A | 1995-07-04 | |||
| EP0969525A1 | 2000-01-05 | |||
| GB1033018A | 1966-06-15 | |||
| EP1324400A1 | 2003-07-02 | |||
| US3859143A | 1975-01-07 | |||
| JP2000043637A | 2000-02-15 | |||
| US5429680A | 1995-07-04 |
"Handbook of Physical Vapor Deposition", PROCESSING
| 1. | Thermoelektrische Module, dadurch gekennzeichnet, dass das thermoelektrisch halbleitende Material mit einer Barriereschicht aus Boriden, Nitriden, Carbiden, Phosphiden und/oder Siliciden versehen ist und diese Schicht mit dem eigentlichen Kontaktmaterial durch Löten verbunden ist. |
| 2. | Thermoelektrische Module nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die Barriereschicht aus Ni2B, Ni3B, Ni2P und/oder Ni5P2 besteht. |
| 3. | Thermoelektrische Module nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Lotmaterial für die Verbindung der Barriereschicht mit dem Kontaktmaterial Legierungen des Nickels enthält. |
| 4. | Thermoelektrische Module nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass das Lotmaterial Legierungen des Nickels mit Mg, Sn oder Zn enthält. |
| 5. | Verfahren zur Herstellung thermoelektrischer Module, dadurch gekennzeichnet, dass auf das thermoelektrisch halbleitende Material eine Barriereschicht aus Boriden, Nitriden, Carbiden, Phosphiden und/oder Siliciden aufgebracht wird und anschließend diese Schicht mit dem eigentlichen Kontaktmaterial durch Löten verbunden wird. |
| 6. | Verfahren gemäß Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass als Lotmaterial Legierungen des Nickels eingesetzt werden. |
| 7. | Verfahren gemäß Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass das Lotmaterial durch thermisches Spritzen auf das Kontaktblech aufgebracht wird. |
| 8. | Verfahren gemäß einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindung der Barriereschicht mit dem Kontaktmaterial durch Widerstandslöten erfolgt. |
| 9. | Thermoelektrischer Generator oder PeltierAnordnung, enthaltend thermoelektrische Module gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4. InternatiMπapplication No PCT/EP2005/010364 A. CLASSIFICATION OF SUBJECT MATTER INV . H01L35/08 According to Internationa! Patent Classification (IPC) or to both national Classification and IPC B. FIELDS SEARCHED Minimum documentation searched (Classification System followed by Classification symbols) HOlL B23K Documentation searched other than minimum documentation to the extent that such documents are included in the fields searched Electronic data base consulted during the international search (name of data base and, where practical, search terms used) EPOInternal C. DOCUMENTS CONSIDERED TO BE RELEVANT Category* Citation of document, with indication, where appropriate, of the relevant passages Relevant to claim No. US 5429680 A (FUSCHETTI ET AL) 1,2,5,9 4 JuIy 1995 (19950704) column 3, line 12 column 5, 1 ine 11; 3,6 figure 2 EP 0969525 A (TELLUREX CORPORATION) 1,2,5,9 5 January 2000 (20000105) Paragraph [0014] paragraph [0018]; 3,6 figure 1 GB 1033018 A (DE LA RUE FRIGISTOR S.A) 1,2,5,9 15 June 1966 (19660615) page 2, line 127 page 3, line 14 3,6 EP 1324400 A (SUMITOMO SPECIAL METALS 3,6 COMPANY LIMITED) 2 JuIy 2003 (20030702) Paragraph [0051] paragraph [0054] / Furthβr documents are listed in the continuation of Box C. See patent family annex. * Special categories of cited documents : "T" later document published after the international filing date or priority date and not in conflict with the application but "A" document dθfining the general State of the art which is not cited to understand the principle ortheory underlying the consldered to bβ of particular relevance invention "E" earlier document but published on or after the international "X" document of particular relevance; the claimed invention filing date cannot be considered novel orcannot bβ considered to "L" document which may throw doubts on priority claim(s) or involve an inventive step when the document is taken alone which is cited to establish the publication date of another "Y" document of particular relevance; the claimed invention citation or other special reason (as specified) cannot be considered to involve an inventive step when the "O" document referring to an oral disclosure, use, exhibition or document is combined with one or more other such docuother means ments, such combination being obvious to a person skilled "P" document published prior to the international filing date but in the art. later than the priority date claimed "&" document member of the same patent family Date of the actual completion of the international search Date of mailing of the international search report 1 June 2006 13/06/2006 Name and mailing address of the ISA/ Authorized officer European Patent Office, P.B. 5818 Patentlaan 2 NL 2280 HV Rijswijk Tel. (+3170) 3402040, Tx. 31 651 epo nl, Fax: (+3170) 3403016 Ki rkwood , J Form PCT/ISA/210 (second Sheet) (April 2O05) page 1 of 2. |
Beschreibung
Die Erfindung betrifft die temperaturstabile Kontaktierung von halbleitenden Legierungen zum Einsatz in thermoelektrischen Generatoren und Peltier-Anordnungen sowie Verfahren zur Herstellung von thermoelektrischen Modulen unter Verwendung einer Barriereschicht aus Boriden, Nitriden, Carbiden, Phosphiden und/oder Siliciden.
Thermoelektrische Generatoren und Peltier-Anordnungen als solche sind seit langem bekannt, p- und n-dotierte Halbleiter, die auf einer Seite erhitzt und auf der anderen Seite gekühlt werden, transportieren elektrische Ladungen durch einen äußeren Stromkreis. Durch diese thermoelektrischen Generatoren kann an einem Verbraucher im Stromkreis elektrische Arbeit verrichtet werden. Peltier-Anordnungen kehren den zuvor beschriebenen Prozess um.
Einen guten Überblick über thermoelektrische Effekte und Materialien gibt z. B. Cronin B. Vining, ITS Short Course on Thermoelectricity, Nov. 8, 1993 Yokohama, Japan.
Gegenwärtig werden thermoelektrische Generatoren in Raumsonden zur Erzeugung von Gleichströmen, für den kathodischen Korrosionsschutz von Pipelines, zur Energieversorgung von Leucht- und Funkbojen sowie zum Betrieb von Radios und Fernsehapparaten eingesetzt. Die Vorteile der thermoelektrischen Generatoren liegen in ihrer äußersten Zuverlässigkeit: So arbeiten sie unabhängig von atmosphärischen Bedin- gungen wie Luftfeuchte; es erfolgt kein störungsanfälliger Stofftransport, sondern nur ein Ladungstransport; der Betriebsstoff wird kontinuierlich - auch katalytisch ohne freie Flamme - verbrannt, wodurch nur geringe Mengen an CO, NO x und unverbranntem Betriebsstoff frei werden; es sind beliebige Betriebsstoffe einsetzbar von Wasserstoff über Erdgas, Benzin, Kerosin, Dieselkraftstoff bis zu biologisch erzeugten Kraftstoffen wie Rapsölmethylester.
Damit passt sich die thermoelektrische Energiewandlung äußerst flexibel in künftige Bedürfnisse wie Wasserstoffwirtschaft oder Energieerzeugung aus regenerativen Energien ein.
Eine besonders attraktive Anwendung wäre der Einsatz zur Wandlung in elektrische Energie in elektrisch betriebenen Fahrzeugen. Insbesondere brauchte hierfür keine Änderung am vorhandenen Tankstellennetz vorgenommen zu werden.
Thermoelektrisch aktive Materialien werden im Wesentlichen anhand ihres Wirkungsgrades bewertet. Kennzeichnend für thermoelektrische Materialien ist diesbezüglich der so genannte Z-Faktor (figure of merit):
Z =
K
mit dem Seebeck-Koeffizienten S [μV/Grad], der elektrischen Leitfähigkeit σ [Ω ~1 • cm "1 ] und der Wärmeleitfähigkeit K [mW/cm • Grad]. Gesucht werden dabei thermoelek- trische Materialien, die eine möglichst geringe Wärmeleitfähigkeit, eine möglichst große elektrische Leitfähigkeit und einen möglichst großen Seebeck-Koeffizienten aufweisen, so dass der figure of merit einen möglichst hohen Wert annimmt.
Für die Umwandlung thermischer Energie in elektrische beträgt der Wirkungsgrad η.
' hoch " ' niedrig M - 1 η =
Thoch M + ' niedrig
Thoch mit
M = [ 1 + — (T hoch + T niedrig )] 2
2 T h ooh = Temperatur der erhitzten Seite des Halbleiters
T n iedrig = Temperatur der gekühlten Seite des Halbleiters
(siehe auch Mat. Sei. and Eng. B29 (1995) 228).
Aus diesem Zusammenhang geht hervor, dass insbesondere thermoelektrische Generatoren dann mit einem hohen Wirkungsgrad arbeiten, wenn die Temperaturdifferenz zwischen heißer und gekühlter Seite möglichst groß ist. Dies bedingt einerseits eine möglichst große Temperaturbeständigkeit des thermoelektrischen Materials - d. h. ein möglichst hoher Schmelzpunkt und möglichst keine Phasenumwandiungen im Anwen- dungstemperaturbereich - wie auch besonders hohe Anforderung an die Kontaktierung der thermoelektrischen Materialien.
Das Kontaktmaterial soll zur Vermeidung von Verlusten eine möglichst große elektrische und thermische Leitfähigkeit aufweisen. Die mechanische Festigkeit soll mög- liehst groß sein, das Kontaktmaterial darf sich im Betrieb nicht ablösen, es darf nicht abplatzen.
Es darf auch nicht - und dies ist besonders bei hohen Arbeitstemperaturen kritisch - ganz oder teilweise in die Halbleiter eindiffundieren. In diesem Fall würden dort die
Zusammensetzung geändert und die thermoelektrischen Eigenschaften in stark negativer Weise erniedrigt werden.
Diese Problematik zeigt sich beispielsweise leicht beim Bleitellurid als thermoelektri- schem Material (s. Review of Lead-Teliuride Bonding Concepts, Mat. Res. Soc. Symp. Proc, Vol. 234, 1991 , Seiten 167-177):
Nahezu jedes als Lotkomponente in Frage kommende Element reagiert mit Tellur, wodurch das empfindliche Pb : Te-Verhältnis unzulässig geändert wird. Dies betrifft auch Dotierstoffe, wodurch beispielsweise ein n-leitendes Material in ein p-leitendes und umgekehrt überführt wird.
Als Lösungen werden beispielsweise formstabile, federnde Kontaktierungen diskutiert, die aber sowohl teuer wie auch unreproduzierbar in der flächigen Kontaktierung selbst sind.
Auch Schweißverbindungen werden diskutiert. Beim Schweißen besteht der Vorteil, dass kein zusätzlicher Werkstoff zwischen Kontaktmateriai und Halbleiter eingebracht wird. Allerdings wird der Halbleiter zumindest kurzzeitig teilweise aufgeschmolzen mit den Nachteilen, dass beim Erkalten die aufgeschmolzene Schicht mit einem anderen Gefüge rekristallisiert und dass die Diffusion von Kontaktwerkstoff in die Schmelze extrem groß ist.
Nach dem Stand der Technik sind deshalb Lötverfahren bevorzugt mit den Vorteilen, dass das Löten 100 bis 200 0 C unterhalb der Schmelztemperatur der Halbleiter stattfindet und dass das flüssige Lot auch kleine Risse und Unebenheiten in vorteilhafter Weise ausfüllt, was eine hohe elektrische und thermische Leitfähigkeit ergibt.
Lote nach dem Stand der Technik sind üblicherweise Legierungen, die Bismut, Anti- mon, Zinn, Blei, Kupfer und/oder Silber enthalten. Die Schmelzpunkte liegen üblicherweise unterhalb von 400 0 C.
Es sind keine Lötverbindungen bekannt, die oberhalb 400 0 C diffusionsfest wären. Im Gegenteil: Eine Randbedingung für eine gute Lötverbindung besteht darin, dass zu- mindest eine Legierungskomponente des Lots in die zu verbindenden Werkstoffe eindiffundiert.
Damit wird ausgesagt, dass es von vornherein keine hochtemperaturstabilen, diffusionsfesten Lötverbindungen gibt.
Offensichtlich deshalb wurde bereits vorgeschlagen, zwischen das Kontaktmaterial und die Halbleiter eine Barriereschicht einzubringen (JP 2000 - 043637). Diskutiert werden
Barriereschichteh aus Nickelphosphiden, Nickelboriden und eine zusätzliche Schicht aus Gold.
Dennoch erfordern auch Barriereschichten zur Verbindung mit dem Kontaktmaterial ein zusätzliches Lot, das die Aufgabe hat, die Barriereschicht fest mit dem Kontaktmaterial zu verbinden.
Aufgabe der Erfindung war es, eine geeignete Kombination von Lot und Barrierematerial zur Verfügung zu stellen, die auch bei erhöhten Temperaturen von oberhalb 400 0 C sowohl eine sichere mechanische Verbindung als auch konstante, gute Langzeiteigenschaften des thermoelektrischen Materials gewährleistet.
Die Aufgabe wurde dadurch gelöst, dass man das thermoelektrisch halbleitende Material mit einer Barriereschicht aus Boriden, Nitriden, Carbiden, Phosphiden und/oder Siliciden versieht und diese Schicht mit dem eigentlichen Kontaktmaterial durch Löten verbunden wird.
Gegenstand der Erfindung sind somit thermoelektrische Module, die dadurch gekennzeichnet sind, dass das thermoelektrisch halbleitende Material mit einer Barriereschicht aus Boriden, Nitriden, Carbiden, Phosphiden und/oder Siliciden versehen ist und diese Schicht mit dem eigentlichen Kontaktmaterial durch Löten verbunden ist.
Gegenstände der Erfindung sind weiterhin ein Verfahren zur Herstellung solcher ther- moelektrischer Module sowie thermoelektrische Generatoren oder Peltier- Anordnungen, die solche thermoelektrischen Module enthalten.
Die Erfindung ist bei allen bekannten thermoelektrisch halbleitenden Materialen anwendbar. Geeignete Materialien sind beispielsweise beschrieben in Mat. Sei. and Eng. B29 (1995) 228. Besonders vorteilhaft ist sie bei Halbleitern auf der Basis von Tellur- iden. Dabei handelt es sich im Allgemeinen um bekannte Telluride, wie Bleitellurid sowie dessen Abwandlungen, in welchen Blei durch Elemente wie Zinn sowie Tellur teilweise durch Selen ersetzt sind.
Es könne auch substituierte Halbleitermaterialen, wie beispielsweise Telluride, bei de- nen die positiv polarisierten Atome des Kristallgitters des Tellurids partiell durch Silizium und/oder Germanium substituiert sind, eingesetzt werden. Eine typische Zusammensetzung eines Materials in diesem Sinne ist z. B. PbTe • (Si 2 Te 3 )o,oi. Unter „partiell" wird dabei ein Substitutionsgrad mit vorzugsweise 0,002 bis 0,05 Mol, besonders bevorzugt 0,003 bis 0,02 Mol, insbesondere 0,008 bis 0,013 Mol, pro Mol Formeleinheit Tellurid verstanden. Solche substituierten Telluride, deren Herstellung und Eigenschaften sind beispielsweise beschrieben in der noch unveröffentlichten DE- Patentanmeldung Nr. 102004025066.9.
Die beschriebenen unsubstituierten oder substituierten Halbleitermaterialien können ohne weitere Dotierung eingesetzt werden. Sie können aber auch weitere Verbindungen, insbesondere sonstige üblicherweise mitverwendete Dotiermittel erthalten.
Insbesondere die Telluride können zusätzlich dotiert sein. Wenn die Telluride dotiert sind, so beträgt der Anteil an Dotierungselementen vorzugsweise bis zu 0,1 Atom-% (10 18 - 10 19 Atome pro Kubikzentimeter Halbleitermaterial), besonders bevorzugt bis zu 0,05 Atom-%, insbesondere bis zu 0,01 Atom-%.
Dotiert wird mit Elementen, die einen Elektronenüber- oder -unterschuss im Kristallgitter bewirken. Geeignete Dotiermetalle für p-Halbleiter sind beispielsweise die folgenden Elemente: Lithium, Natrium, Kalium, Magnesium, Kalzium, Strontium, Barium und Aluminium. Geeignete Dotiermetalle für n-Halbleiter sind die Elemente Chlor, Brom und Jod.
Durch Dotieren lässt sich der Leitungstyp in das Gegenteil überführen.
Die erfindungsgemäß eingesetzten thermoelektrisch halbleitenden Materialen werden mit einer Barriereschicht versehen. Die Barriereschicht besteht aus sehr gut elektrisch leitfähigen Verbindungen mit starrem Kristallgitter, wodurch die Diffusion durch diese Schichten verhindert wird.
Erfindungsgemäß besteht die Barriereschicht aus Boriden, Nitriden, Carbiden, Phos- phiden und/oder Siliciden.
Im Einzelnen kommen hierfür beispielhaft folgende Verbindungsklassen in Frage:
Nitride wie TiN, TaN, CrN 1 ZrN, AITiN; Carbide wie TiC, TiCN 1 TaC, MoC, WC, VC, Cr 3 C 2 ;
Phosphide wie Ni 2 P, Ni 5 P 2 ;
Boride wie TiB 2 , ZrB 2 , HfB 2 , VB 2 , NbB 2 , TaB 2 , CrB 2 , Mo 2 B 5 , W 2 B 5 , FeB, CoB, NiB, Ni 2 B,
Ni 3 B; oder Suizide wie VSi 2 , NbSi 2 , TaSi 2 , TiSi 2 , ZrSi 2 , MoSi 2 , WSi 2 .
Geeignet sind auch Mischungen dieser Verbindungen untereinander.
Vorteilhafterweise eingesetzt werden Ni 2 B, Ni 3 B, Ni 2 P und/oder Ni 5 P 2 oder auch andere Ni- Phosphide und -Boride. Durch die sehr starke Bindung des Nickel an Phosphor oder Bor wird die Diffusionsfähigkeit des Nickel praktisch vollständig aufgehoben. Bor und Phosphor bilden zudem keine Telluride.
Die Halbleiter werden vor oder nach ihrer Zerteilung auf die Anwendungsdimensionen beidseitig mit der oben beschriebenen Barriereschicht versehen. Diese kann nach verschiedenen Verfahren aufgebracht werden, beispielsweise durch Sputtern ausgehend von einem Target der gleichen Zusammensetzung, wie beispielsweise beschrieben in J. Appl. Phys., Vol. 79 Nr. 2, 1109-1115, 1996, oder von M.E. Thomas et al., VLSI MuI- tilevel Interconnection Conference Proceedings, Fifth Int. IEEE, 1988 , oder durch „Physical Vapour Deposition", wie beispielsweise beschrieben in D. S. Dickerby, A. Matthews, Advanced Surface Coutings, Blackie, Glasgow, 1991 und Handbook of Phy- sical Vapor Deposition (PVD) Processing, ISBN 0-8155-1422-0, erzeugt werden.
Die Verbindung der Barriereschicht mit dem Kontaktmaterial erfolgt durch Löten.
Vorteilhafterweise werden als Lotmaterial Legierungen des Nickels verwendet, insbe- sondere Legierungen des Nickels mit Mg, Sn oder Zn.
Besonders gute Ergebnisse zeigen Kombinationen mit den folgenden Legierungen als Lotmaterial:
Mg 2 Ni (Schmelzpunkt ca. 760 0 C), Ni 3 Sn 4 (Schmelzpunkt ca. 794°C),
Zn/Ni mit 70 bis 95 Gew.-% Zn (beispielsweise bei 90 Gew.-% Zn, Schmelzpunkt ca. 800 0 C).
Zur Erhöhung des Schmelzpunkts wird der Ni-Anteil erhöht und zu dessen Absenkung umgekehrt der Ni-Anteil verkleinert.
Aufgrund ihres Ni-Gehalts gehen die Lotmaterialien eine gute Verbindung mit den Barriereschichten ein.
Das Lotmaterial dient zur Verbindung der Barriereschichten mit den eigentlichen Kontaktblechen. Das Auftragen des Lotmaterials kann auf jede geeignete Weise erfolgen. Vorteilhaft ist es, das Lotmaterial durch thermisches Spritzen auf das eigentliche Kontaktblech aufzubringen.
Zum Löten werden in diesem Falle die Kontaktstellen entweder von außen thermisch auf die notwendige Temperatur gebracht oder man führt ein Widerstandslöten durch, bei dem die unverlöteten Kontakte durch Stromdurchfluss auf die Löttemperatur gebracht werden. Das Widerstandslöten hat den Vorteil einer Selbstregelung: Solange die Lötstelle nicht vollflächig verlötet ist, weist sie einen erhöhten elektrischen Widerstand auf, es fällt mehr Spannung ab und bei konstantem Strom fällt mehr Leistung ab.
Damit wird die Lötstelle heißer. Bei flächigem Verlauf des Lots sinkt der Widerstand und damit die Temperatur.
Es können aber auch andere Verfahren des Standes der Technik zum Aufbringen des Lotmaterials und zum Löten eingesetzt werden. Eine gute Übersicht über gegenwärtig angewandte Lötverfahren gibt die Firmenschrift „Lötverfahren" der Firma Braze Tee GmbH (www.BrazeTec.de).
Die Löttemperatur ist den verwendeten Materialien anzupassen und liegt vorteilhaf- terweise bei 10 bis 100 0 C oberhalb der Liquidustemperatur des Lots. Die Lötzeiten sind den jeweiligen Bedingungen von Wärmekapazität und Wärmeleitfähigkeit anzupassen.
Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, dass das Kontaktmaterial auch bei hohen Temperaturen nicht in die Halbleiter eindiffundiert, damit die Zusammensetzung des Halbleitermaterials nicht geändert wird und somit die thermoelektrischen Eigenschaften nicht negativ beeinflusst werden. Durch Einsatz der beschriebenen Barriereschichten weisen die erfindungsgemäßen thermoelektrischen Module im Vergleich zu denen mit herkömmlichen Barriereschichten eine größere Einsatztemperaturbeständigkeit auf.
Thermoelektrische Generatoren oder Peltier-Anordnungen mit den beschriebenen thermoelektrischen Modulen sind besonders geeignet für den Einsatz bei erhöhten Temperaturen von größer als 300 0 C.
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