本发明涉及挠性电路板以及刚挠电路板用的屏 蔽膜领域， 具体为一种高屏 蔽效能的极薄屏蔽膜及其制作方法。

背景技术

随着电子产品轻、 薄、 短、 小的需求， 以及通讯系统的高频化及高速的驱 动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰问题 将逐渐严重， 电磁屏蔽成为必然。

目前， 主要的抗电磁干扰技术包括： 屏蔽技术、 接地技术和滤波技术。 对 于电路板， 包括挠性电路板、 硬板以及刚挠电路板， 实现抗电磁干扰主要从以 下几个方面考虑。 印刷导电银浆， 增加金属铜层或者贴合电磁屏蔽膜。 从挠曲 性和厚度方面考虑， 电磁屏蔽膜具有更好地操作和实用性能。 广泛应用于挠性 电路板和刚挠电路板中。

现有屏蔽膜主要分以下几种结构：

第一种结构如下：

公告号为 CN 101176388A , 名称为 《屏蔽膜、 屏蔽印刷电路板、 屏蔽柔性 印刷电路板、 屏蔽膜制造方法及屏蔽印刷电路板制造方法》 的中国发明专利公 开了一种屏蔽膜， 其是最外层硬层和次外层软层构成绝缘层， 在软层上形成一 层实心金属导体层， 然后在实心金属导体层上形成一层热固化的导 电胶层， 由 于具有一层实心的金属屏蔽层， 该屏蔽膜具有较高的屏蔽效能。 但是随着频率 的增高， 特别是当频率超过 1GHz 后， 其屏蔽效能大大地降低， 不能满足 60dB 以上的屏蔽效能要求； 因此， 对于需要 60dB以上稳定屏蔽效能要求的产品， 很 多厂家还是选用印刷一定厚度的银浆实现。

公告号为 CN101448362B , 名称为 《可改变电路阻抗的极薄屏蔽膜、 电路板 及其制作方法》 的中国发明专利公开的产品结构是三层结构， 绝缘层是最外层、 然后是一层金属导体层、 最后在金属导体层上涂布一层热固化的导电胶 层。 该 发明专利重点是通过改变金属导体层的网格尺 寸， 实现最终的阻抗控制； 同时

1

确认本 兼具了屏蔽膜功能。 但其屏蔽效能与上述的屏蔽膜相当， 存在相同的不足。 且上述两个专利申请都是采用了一层金属导体 层， 然后涂布导电胶的结构 实现屏蔽功能， 仅是一般意义上的屏蔽膜。

第二种结构如下：

公开号为 CN 1842245A , 名称为 《附有导电层的电子组件及导电胶膜与其 制造方法》 的中囯发明专利 公开的是由两层结抅组成。 最外层为金属导体层， 然后是导电胶层。 相对于第一种结构， 最外层没有绝缘层， 最外层能够直接与 金属相连接。 其屏蔽结抅是采用一层金属导体层， 然后涂布导电胶层。 屏蔽效 能与上述第一种结抅没有本质区别。

第三种结构如下：

公开号为 CN 101120627A , 名称为 《电磁波屏蔽性粘合薄膜、 其制备方法以 及被粘合物的电磁波屏蔽方法》 的中国发明专利公开的是由两层结构组成， 最 外层绝缘层， 然后是全方位的导电胶层。 相对于第一和第二种结构， 这种结构 没有实心的金属薄膜层结构。 能够实现更薄的要求， 耐弯折性能更好， 更廉价。 但是作为屏蔽膜， 最重要的指标是屏蔽效能， 由于缺少实心屏蔽金属导体层， 当传输频率超过 1GHz时， 其屏蔽效能不能到达 40dB。

第四种结构如下：

公开号为 CN 2626193Y ， 名称为《具有高导热及电磁屏蔽功能的复合材 料》 中国发明专利公开的是具有的两层屏蔽层， 但是电磁屏蔽层呈棋盘格状， 两屏 蔽层中间设置在一高导热层中而形成。 一方面， 其导热胶内包含有地导热粒子， 不能将屏蔽层中累计的电荷导入接地层实现稳 定的高频信号屏蔽； 另外一方面， 金属导体层呈棋盘格状， 不是实心金属屏蔽层结构， 实现不了极高屏蔽效能。

第五种结构如下：

公告号为 CN 1819758A , 名称为 《电磁双重屏蔽膜》 的中国发明专利公开 了一种采用奥氏体的镍铬类不锈钢作为溅射靶 材的电磁双重屏蔽膜， 是对于塑 料表面加工， 而且整体生产效率极低， 不能实现卷状的极薄屏蔽膜大规模生产。

第六种结构如下：

公告号为 CN 101521985A, 名称为 《屏蔽结构及具有该屏蔽结构的柔性印刷 电路板》的中国发明专利公开了一种屏蔽膜， 先采用涂布的方式形成一单面挠 性覆铜板结构， 然后在金属层上涂布导电胶而成， 其中金属铜层在 1-6微米之 间， 聚酰亚胺在 3- 10微米范围。 由于金属层厚度大于 1微米， 远高于目前市场 上的屏蔽金属层厚度， 硬度大幅度增加， 不利于柔韧性要求。 同时该结构金属 箔需要载体支撑而工艺复杂、 成本高昂， 无巿场竟争力。

第七种结构如下：

公告号为 CN 101772996A, 名称为 《印刷布线板用屏蔽膜以及印刷布线板》 的中国发明专利公开了一种屏蔽膜， 获得对于从大弯曲半径至变为小的弯曲半 径的反复弯曲及滑动， 金属层难以发生破坏的印刷布线板用屏蔽膜以 及印刷布 线板。 该第一金属层是一种以上的鳞片状金属粒子形 成的层， 第二金属层是具 有多个孔的多孔质层。 难以实现极高屏蔽效能。

上述几种种结构： 或者是一层完整金属导体层涂布导电胶结构； 或者是仅 有一层全方位的导电胶的结构； 或者是有两层网格金属导体层、 无实心金属导 体层且无接地设计的导热的结构设计。 或者不能满足 60dB以上的屏蔽效能、 或 者不能满足弯折性能、 或者不能满足剥离强度、 或者不能满足抗氧化性能、 或 者不能满足极薄卷状生产的规模化生产。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足， 提供一种抗干扰性能好， 且能 够提供良好的弯曲性能， 满足电子产品的轻、 薄需求的高屏蔽效能的极薄屏蔽 膜。

本发明的另一目的是提供一种高屏蔽效能的极 薄屏蔽膜的制作方法。

本发明是这样实现的： 一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜， 其包括两层以上的 实心屏蔽层。

所述实心屏蔽层之间为在逐层表面上依次形成 。

所述实心屏蔽层至少有两层由不同材料制成。

所述最外层实心屏蔽层一侧外表面形成有导电 胶层， 所述最外层实心屏蔽 层一侧外表面形成有绝缘膜层。

所述绝缘膜层可以是各种绝缘薄膜层， 或者各种树脂层， 或者是绝缘层薄 膜上根据需要涂布不同树脂复合而成。

所述绝缘膜层外表面覆盖有载体膜层， 所述导电胶层外表面根据需要可以 形成有保护膜。

所述绝缘膜层为连接在一起的第一绝缘膜层和 第二绝缘膜层组成， 其厚度 为 3-25微米。 其中所述第一绝缘膜层选用的材料是聚苯硫醚 〔PPS )、 聚萘二甲 酸乙二醇酯 （PEN )、 聚酯或聚酰亚胺薄膜； 第二绝缘膜层是涂布的环氧树脂、 聚氨酯类树脂、 丙烯酸树脂或者聚酰亚胺树脂。

所述实心屏蔽层的材料是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银或金， 或 者是包含上述金属中任意一种以上的金属合金 ， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜 镍合金、 钛锰合金、 镍铬类不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01微米- 0. 5微米之间。 考虑弯折需求， 厚度优先选择 0. 01微米 -0. 2 微米之间。

所述导电胶层中的粘合剂是聚苯乙烯系、 乙酸乙烯酯类、 聚酯类、 聚乙烯 类、 聚酰胺类、 橡胶类丙烯酸酯类等热塑性树脂， 或者使用酚醛类、 环氧类、 氨基甲酸酯类、 三聚氰胺类或醇酸类热固性树脂； 导电粒子可以是碳、 银、 镍、 铜颗粒、 镍金、 铜镍、 铜银、 镍银、 镍金、 银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳 米管， 其导电粒子与胶的重量比为 10%到 400%。 根据实际要求， 优先选择导电 胶层厚度为 3um- 2(hM, 重量比为 10«/Γ100½。 从可靠性和成本两个方面考虑， 导 电粒子优先选择银包铜粒子、 镍包铜粒子、 银粒子、 铜粒子、 镍粒子； 粘合剂 优先选择耐高温的具有热固化性能的环氧树脂 或者丙烯酸树脂； 予固化条件为： 温度为 80°C至 15 (TC , 时间为 20分钟- 1分钟。所述保护膜选用成本低廉且能耐 受一定温度的聚酯保护膜，也可以是聚酯硅胶 保护膜。厚度 25微米到 125微米。

一种极高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法， 包括以下制作步骤：

1 )在载体膜层上形成绝缘膜层；

2 )在绝缘膜层上形成第一实心屏蔽层；

3 )在第一实心屏蔽层上表面形成至少一层实心� �蔽层；

4 )在最外层心屏蔽层的外表面形成有导电胶层� �

以上操作步骤可以依顺序形成， 也可以是如下第二制作步骤：

一种极高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法， 包括以下制作步骤：

1 )根据需要形成可剥离的两层以上的实心屏蔽� �；

2 )在所述实心屏蔽层一侧外表面形成绝缘膜层� � 3 )在所述实心屏蔽层另一侧外表面形成需要的� �电胶层。

所述导电胶层外表面根据需要形成保护膜。

以上形成的屏蔽膜结构以上述形成的一致， 但工艺不同。

其中， 绝缘膜层选用的材料是 PPS、 PEN, 聚酯、 聚酰亚胺薄膜； 或者是涂 布改性环氧树脂、 聚氨酯类树脂、 改性丙烯酸树脂、 或者聚酰亚胺树脂； 或者 是绝缘层薄膜上根据需要涂布不同树脂复合而 成；所述绝缘膜层厚度 3— 25微米， 优先选择 3微米- 7徽米之间，保证足够的柔韧性和介电强度。 两层以上的实心 屏蔽层直接因为具有不同的电磁屏蔽界面， 可以通过对干扰信号的多次反射和 吸收， 实现对高频和高速干扰信号的高效屏蔽。 实心屏蔽层与线路板经过导电 胶的电气连接， 保证干扰信号形成的电荷能够顺利接地， 实现高效屏蔽。

与现有的技术相比， 本发明具有如下优点： 提供了两层以上极薄的实心屏 蔽层， 能够多次反射和吸收髙频干扰信号， 同时将多余电荷导入接地层， 实现 极高屏蔽效能， 经测试， 在频率超过 300MHz时， 屏蔽效能能够达到 6 MB以上; 设置不同的屏蔽层可以实现高剥离强度、 抗氧化性能， 同时极薄的屏蔽层能够 提供很好的弯曲性能， 满足电子产品的轻、 薄需求。

附图说明

图 1为本发明高屏蔽效能的极薄屏蔽膜实施例 1的剖面图结构示意图； 图 2为本发明高屏蔽效能的极薄屏蔽膜实施例 2的剖面图结构示意图； 图 3为本发明高屏蔽效能的极薄屏蔽膜实施例 3的剖面图结构示意图； 图 4为本发明高屏蔽效能的极薄屏蔽膜实施例 4的剖面图结构示意图； 图 5为本发明高屏蔽效能的极薄屏蔽膜实施例 5的剖面图结构示意图； 图 6为本发明高屏蔽效能的极薄屏蔽膜实施例 6的剖面图结构示意图。 具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细 的说明。

实施例 1

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜， 如图 1所示， 包括两层实心屏蔽层：第一实 心屏蔽层 1和第二实心屏蔽层 2。所述第一实心屏蔽层 1形成在所述第二实心屏 蔽层 2表面上。 所述第二实心屏蔽层 2外表面形成有导电胶层 8 , 所述第一实心 屏蔽层 1外表面形成有绝缘膜层 10。 绝缘层膜 1 0上表面覆盖有载体膜层 11 , 所述导电胶层 8下表面覆盖保护膜 9。载体膜层 11对绝缘膜层 10起到支撑作用， 有利于后续加工。 保护膜 9对导电胶层 8有保护作用， 也有利于后续加工， 并 可以防止外界污染。 其中， 所述第一实心屏蔽层 1和第二实心屏蔽层 2通过导 电胶层 8实现接地。

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法， 其包括的具体制作步骤如下：

1 ) 在载体膜层 11上形成绝缘膜层 10， 绝缘膜层 1 Q厚度 3-25微米； 绝缘 膜层 10选用的材料是 PPS、 PEN, 聚酯、 聚酰亚胺薄膜； 或者是涂布环氧树脂、 聚氨酯类树脂、 丙烯酸树脂、 或者聚酰亚胺树脂。 厚度优先选择 3微米 -8微米 之间。

2 )在绝缘膜层上形成需要的第一实心屏蔽层。 所述第一实心屏蔽层的材料 可以是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任意一 种以上的金属合金， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬类 不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 其厚度为 0. 01微米- 0. 5 微米之间。 可以采用化学镀方式、 物理气相沉积 （PVD )、 化学气相沉积 （CVD )、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或者其复合工艺形成。 考虑弯折需求， 厚度优先 选择 0. 01微米- 0. 2微米之间。

3 ) 在所述第一实心屏蔽层 1上形成所需要的第二实心屏蔽层 2。 第二实心 屏蔽层 2 的材料可以是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这 些材料中任意一种以上的金属合金， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛 锰合金、镍铬类不锈钢等材质；也可以是铁氧 体和碳纳米管等材质。厚度为 0. 01 微米— 3微米之间。 可以采用化学镀方式、 物理气相沉积（PVD )、 化学气相沉积

( CVD )、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或者其复合工艺形成。 考虑屏蔽效能， 第一实心屏蔽层和第二实心屏蔽层为不同的屏 蔽材料。 所述第二实心屏蔽层厚 度优先选择 0. 01徽米 -1微米之间。

4 )在第二实心屏蔽层 2外表面上涂布导电胶层， 予固化。 所述导电胶层中 的粘合剂是聚苯乙烯系、 乙酸乙烯酯类、 聚酯类、 聚乙烯类、 聚酰胺类、 橡胶 类丙烯酸酯类等热塑性树脂， 或者使用酚醛类、 环氧类、 氨基甲酸酯类、 三聚 氰胺类或醇酸类热固性树脂； 导电粒子可以是碳、 银、 镍、 铜颗粒、 镍金、 铜 镍、 铜银、 镍银、 镍金、 银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管， 其导电粒子 与胶的重量比为 到 400%。 根据实际要求， 优先选择导电胶层厚度为 5um-20um, 重量比为 10%-100%。 从可靠性和成本两个方面考虑， 导电粒子优先 选择银包铜粒子、 镍包铜粒子、 银粒子、 铜粒子、 镍粒子； 粘合剂优先选择耐 高温的具有热固化性能的改性环氧树脂或者改 性丙烯酸树脂； 厚度为 3ικη 至 0um, 予固化条件为： 温度为 80 'C至 15 (TC， 时间为 20分钟- 1分钟。

5 ) 在导电胶层 8覆盖可离形的保护膜 9。 所述保护膜 9选用成本低廉且能 耐受一定温度的聚酯保护膜， 也可以是聚酯硅胶保护膜。 厚度 25微米到 125微 米。

实施例 2

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜， 如图 2 所示， 包括三层实心屏蔽层： 第一 实心屏蔽层 1、 第二实心屏蔽层 1和第三实心屏蔽层 3。所述第一实心屏蔽层 1、 第二实心屏蔽层 2和第三实心屏蔽层 2逐层依次在下一层的外表面上形成。 所 述第三实心屏蔽层 3外表面形成有导电胶层 8 ,所述第一实心屏蔽层 1外表面形 成有绝缘膜层 1。 绝缘层膜 1上表面覆盖有载体膜层 1 , 所述导电胶层 8下表面 覆盖保护膜 9。 载体膜层 1对绝缘膜层 1起到支撑作用， 有利于后续加工； 保护 膜 9对导电胶层 8有保护作用， 也有利于后续加工， 并可以防止外界污染。 所 述第一实心屏蔽层 1、第二实心屏蔽层 2和第三实心屏蔽层 2通过导电胶层实现 接地。

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法， 其包括的具体制作步骤如下：

1 ) 在载体膜层 11上形成绝缘膜层 1 0, 绝缘膜层 10厚度 3- 25微米； 绝缘 膜层选用的材料是 PPS、 PEN, 聚酯、 聚酰亚胺薄膜； 或者是涂布环氧树脂、 聚 氨酯类树脂、 丙烯酸树脂、 或者聚酰亚胺树脂。 厚度优先选择 3徼米 _8微米之 间。

2 ) 在绝缘膜层 10上形成需要的第一实心屏蔽层。 所述第一实心屏蔽层的 材料可以是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任 意一种以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬类不锈铜等材质；也可以是铁氧体和碳纳 米管等材质。厚度为 0. 01微米- 0. 5 微米之间。 可以采用化学镀方式、 D、 CVD、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或 者其复合工艺形成。 考虑弯折需求， 厚度优先选择 0. 01微米 - 0. 2微米之间。 3 )在所述第一实心屏蔽层 1上形成需要的第二实心屏蔽层 2。 第二实心屏 蔽层 2材料可以是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材 料中任意一种以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰 合金、 镍铬类不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01 微米— 3微米之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或者其复合工艺形成。 第一实心屏蔽层和第二实心屏蔽层为不同的屏 蔽材 料。 第二实心屏蔽层厚度优先选择 0. 01微米 - 0. 5微米之间。

4 )在所述第二实心屏蔽层 2上形成需要的第三实心屏蔽层 3„ 第三实心屏 蔽层 3材料是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中 任意一种以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬类不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01微米- 3 微米之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或 者其复合工艺形成。 第二实心屏蔽层 2和第三实心屏蔽层 3可以是不同的屏蔽 材料， 两者的工艺可以不同。 第三实心屏蔽层 3 可以增加屏蔽效能， 其厚度优 先选择 0. 01微米一 1徼米之间。

5 )在第三实心屏蔽层 3外表面上涂布导电胶层 8 , 予固化。 所述导电胶层 中的粘合剂是聚苯乙烯系、 乙酸乙烯酯类、 聚酯类、 聚乙烯类、 聚酰胺类、 橡 胶类丙烯酸酯类等热塑性树脂， 或者使用酚醛类、 环氧类、 氨基甲酸酯类、 三 聚氰胺类或醇酸类热固性树脂； 导电粒子可以是碳、 银、 镍、 铜颗粒、 镍金、 铜镍、 铜银、 镍银、 镍金、 银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管， 其导电粒 子与胶的重量比为 10%到 400%。 根据实际要求， 优先选择导电胶层厚度为 5um-20um, 重量比为 10°/。- 100 从可靠性和成本两个方面考虑， 导电粒子优先 选择银包铜粒子、 镍包铜粒子、 银粒子、 铜粒子、 镍粒子； 粘合剂优先选择耐 高温的具有热固化性能的改性环氧树脂或者改 性丙烯酸树脂； 厚度为 3um 至 50um, 予固化条件为： 温度为 80°C至 15(TC , 时间为 20分钟- 1分钟。

6 )在导电胶层覆盖可离形的保护膜。 所述保护膜选用成本低廉且能耐受一 定温度的聚酯保护膜， 也可以是聚酯硅胶保护膜。 厚度 25微米到 125微米。

实施例 3

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜， 如图 3所示， 包括四层实心屏蔽层： 第一 实心屏蔽层 1、 第二实心屏蔽层 2、 第三实心屏蔽层 3和第四实心屏蔽层 ⁴ 。 所 述第一实心屏蔽层 1、 第二实心屏蔽层 ² 、 第三实心屏蔽层 3和第四实心屏蔽层 3为逐层依次在下一层的外表面上形成。所述� �四实心屏蔽层 4外表面形成有导 电胶层 8 , 所述第一实心屏蔽层 1外表面形成有绝缘膜层 1。 绝缘层膜 1上表面 覆盖有载体膜层 1， 所述导电胶层 8下表面覆盖保护膜 9。 载体膜层 1对绝缘膜 层 1起到支撑作用， 有利于后续加工； 保护膜 9对导电胶层 8有保护作用， 也 有利于后续加工， 并可以防止外界污染。 四层实心屏蔽层通过导电胶层实现接 地。

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法， 其包括的具体制作步骤如下：

1 )在载体膜层 11上形成绝缘膜层 1 0， 绝缘膜层 10厚度 3-25微米； 绝缘 膜层选用的材料是 PPS、 PEN, 聚酯、 聚酰亚胺薄膜； 或者是涂布改性环氧树脂、 聚氨酯类树脂、 改性丙烯酸树脂、 或者聚酰亚胺树脂。 厚度优先选择 3微米- 8 微米之间。

2 )在绝缘膜层上形成需要的第一实心屏蔽层 1。 所述第一实心屏蔽层 1材 料是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任意一种 以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬类 不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01微米" "0. 5微米 之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或者其 复合工艺形成。 考虑弯折需求， 厚度优先选择 0. 01微米 -0. 2徼米之间。

3 )在所述第一实心屏蔽层 1上形成需要的第二实心屏蔽层 2。 第二实心屏 蔽层材料是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任 意一种以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬类不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01微米 - 3 徽米之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD, 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或 者其复合工艺形成。 第一实心屏蔽层 1和第二实心屏蔽层 2为不同的屏蔽材料。 第二实心屏蔽层 2厚度优先选择 0. 01微米 - 0. 5微米之间。

4 )在所述第二实心屏蔽层 2上形成需要的第三实心屏蔽层 3。 第三实心屏 蔽层 3材料是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中 任意一种以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬类不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01微米- 3微米之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD, 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或 者其复合工艺形成。 第二实心屏蔽层和第三实心屏蔽层可以是不同 的屏蔽材料， 两者的工艺可以不同。第三实心屏蔽层可以增 加屏蔽效能，其厚度优先选择 0. 01 微米— 1微米之间。

5 )在所述第三实心屏蔽层 3上形成需要的第四实心屏蔽层 4。 第四实心屏 蔽层 4材料是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中 任意一种以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬类不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01微米- 3微米之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD, 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或 者其复合工艺形成。 第四实心屏蔽层和第三实心屏蔽层可以是不同 的屏蔽材料, 第四实心屏蔽层可以提高屏蔽效能、 提高抗氧化性能。 其厚度优先选择 0. 01微 米"" 1微米之间。

6 )在第四实心屏蔽层 4外表面上涂布导电胶层， 予固化。 所述导电胶层中 的粘合剂是聚苯乙烯系、 乙酸乙烯酯类、 聚酯类、 聚乙烯类、 聚酰胺类、 橡胶 类丙烯酸酯类等热塑性树脂， 或者使用酚醛类、 环氧类、 氨基甲酸酯类、 三聚 氰胺类或醇酸类热固性树脂； 导电粒子可以是碳、 银、 镍、 铜颗粒、 镍金、 铜 镍、 铜银、 镍银、 镍金、 银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管， 其导电粒子 与胶的重量比为 10%到 400%。 根据实际要求， 优先选择导电胶层厚度为 5um-20um, 重量比为 10%- 100%。 从可靠性和成本两个方面考虑， 导电粒子优先 选择银包铜粒子、 镍包铜粒子、 银粒子、 铜粒子、 镍粒子； 粘合剂优先选择耐 高温的具有热固化性能的改性环氧树脂或者改 性丙烯酸树脂； 厚度为 3um 至 0ura, 予固化条件为： 温度为 80 °C至 150 °C , 时间为 20分钟 -1分钟。

6 )在导电胶层覆盖可离形的保护膜。 所述保护膜选用成本低廉且能耐受一 定温度的聚酯保护膜， 也可以是聚酯硅胶保护膜。 厚度 25微米到 125微米。

实施例 4

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜， 如图 4所示， 包括两层实心屏蔽层： 第一 实心屏蔽层 1和第二实心屏蔽层 2。所述第二实心屏蔽层 2为在第一实心屏蔽层 1表面上形成。 所述第二实心屏蔽层 2外表面形成有导电胶层 8 , 所述第一实心 屏蔽层 1外表面形成有绝缘膜层 10。 绝缘层膜 10外面形成有绝缘层 12 , 绝缘 层 12上表面覆盖有载体膜层 1 , 所述导电胶层 8下表面覆盖保护膜 9。 载体膜 层 1对绝缘膜层 1和绝缘层 2起到支撑作用， 有利于后续加工； 保护膜 9对导 电胶层 8 有保护作用， 也有利于后续加工， 并可以防止外界污染。 两实心屏蔽 层通过导电胶层 8实现接地。

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法， 其包括的具体制作步骤如下： 1 )在载体膜层上形成第二绝缘膜层 12 , 所述第二绝缘膜层 12上形成第一 绝缘膜层 10,所述第二绝缘膜层 12和第一绝缘膜层 10整体厚度 3-25微米。所 述第二绝缘膜层 12选用的材料是 PPS、 PEN, 聚酯、 聚酰亚胺薄膜； 第一绝缘膜 层 101 Q是涂布改性环氧树脂、 聚氨酯类树脂、 改性丙烯酸树脂、 或者聚酰亚胺 树脂而成。 所述第二绝缘膜层 12和第一绝缘膜层 10根据需要可以顺序互换， 即靠近载体膜可以是第一绝缘膜层 10， 然后是第二绝缘膜层 12。 不受附图所示 结构所限制。 设置多层绝缘层目的是提高绝缘层压合时耐撕 裂能力， 实现更高 台阶压合需求。 总绝缘层厚度优先选择 3微米 -8微米之间。

2 )在绝缘膜层上形成需要的第一实心屏蔽层。 所述第一实心屏蔽层材料是 铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任意一种以上 的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬类不锈 钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质 。厚度为 0. 01微米 -0. 5微米之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或者其复合工 艺形成。 考虑弯折需求， 厚度优先选择 0. 01微米- 0. 2徽米之间。

3 )在所述第一实心屏蔽层上形成需要的第二实� �屏蔽层。 第二实心屏蔽层 材料是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任意一 种以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬 类不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01微米- 3微 米之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或者 其复合工艺形成。 考虑屏蔽效能， 第一实心屏蔽层和第二实心屏蔽层为不同的 屏蔽材料。 第二实心屏蔽层厚度优先选择 0. 01微米- 1微米之间。

4 )在第二实心屏蔽层外表面上涂布导电胶层， 予固化。 所述导电胶层中的 粘合剂是聚苯乙烯系、 乙酸乙烯酯类、 聚酯类、 聚乙烯类、 聚酰胺类、 橡胶类 丙烯酸酯类等热塑性树脂， 或者使用酚醛类、 环氧类、 氨基甲酸酯类、 三聚氰 胺类或醇酸类热固性树脂； 导电粒子可以是碳、 银、 镍、 铜颗粒、 镍金、 铜镍、 铜银、 镍银、 镍金、 银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管， 其导电粒子与胶 的重量比为 10%到 400°/。。 根据实际要求， 优先选择导电胶层厚度为 5um-20um, 重量比为 10%- 100%。 从可靠性和成本两个方面考虑， 导电粒子优先选择银包铜 粒子、 镍包铜粒子、 银粒子、 铜粒子 镍粒子； 粘合剂优先选择耐高温的具有 热固化性能的改性环氧树脂或者改性丙烯酸树 脂； 厚度为 3um至 50ιπη， 予固化 条件为： 温度为 80'C至 150 °C , 时间为 20分钟- 1分钟。

5 )在导电胶层覆盖可离形的保护膜。 所述保护膜选用成本低廉且能耐受一 定温度的聚酯保护膜， 也可以是聚酯硅胶保护膜。 厚度 25微米到 125微米。 实施例 5

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜， 如图 5 所示， 包括三层实心屏蔽层： 第一 实心屏蔽层 1、 第二实心屏蔽层 2和第三实心屏蔽层 3。所述第一实心屏蔽层 1、 第二实心屏蔽层 2和第三实心屏蔽层 3为逐层依次在下一层的外表面上形成。 所述第三实心屏蔽层 3外表面形成有导电胶层 8，所述第一实心屏蔽层 1外表面 形成有绝缘膜层 1 G。 绝缘层膜 10外面形成有绝缘层 12 , 绝缘层 12上表面覆盖 有载体膜层 11， 所述导电胶层 8下表面覆盖保护膜 9。 载体膜层 11对绝缘膜层 1和绝缘层 2起到支撑作用， 有利于后续加工； 并可以防止外界污染。 三层实心 屏蔽层通过导电胶层实现接地。

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法， 其包括的具体制作步骤如下：

1 ) 在载体膜层上形成第二绝缘膜层 12， 所述第二绝缘膜层 12上形成第一 绝缘膜层 10, 所述第二绝缘膜层 12和第一绝缘膜层 10整体厚度 3-25微米。所 述第二绝缘膜层 12选用的材料是 PPS、 PEN, 聚酯、 聚酰亚胺薄膜； 第一绝缘膜 层 1 G10是涂布改性环氧树脂、 聚氨酯类树脂、 改性丙烯酸树脂、 或者聚酰亚胺 树脂而成。 所述第二绝缘膜层 12和第一绝缘膜层 10根据需要可以顺序互换， 即靠近载体膜可以是第一绝缘膜层 10， 然后是第二绝缘膜层 12。 不受附图所示 结构所限制。 设置多层绝缘层目的是提高绝缘层压合时耐撕 裂能力， 实现更高 台阶压合需求。 总绝缘层厚度优先选择 3微米- 8微米之间。

2 )在绝缘膜层上形成需要的第一实心屏蔽层。 所述第一实心屏蔽层材料是 铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任意一种以上 的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬类不锈 钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质 。厚度为 0. 01微米- 0. 5徽米之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD、 电子枪蒸发鍍、 溅射镀、 电镀或者其复合工 艺形成。 考虑弯折需求， 厚度优先选择 0. 01微米- 0. 2微米之间。

3 )在所述第一实心屏蔽层上形成需要的第二实� �屏蔽层。 第二实心屏蔽层 材料是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任意一 种以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬 类不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01微米- 3微 米之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或者 其复合工艺形成。 第一实心屏蔽层和第二实心屏蔽层为不同的屏 蔽材料。 第二 实心屏蔽层厚度优先选择 0. 01微米 - [). 5微米之间。

4 )在所述第二实心屏蔽层上形成需要的第三实� �屏蔽层。 第三实心屏蔽层 材料是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任意一 种以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬 类不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01微米- 3微 米之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或者 其复合工艺形成。 第二实心屏蔽层和第三实心屏蔽层可以是不同 的屏蔽材料， 两者的工艺可以不同。第三实心屏蔽层可以增 加屏蔽效能，其厚度优先选择 0. 01 微米 -1微米之间。

5 )在第三实心屏蔽层外表面上涂布导电胶层， 予固化。 所述导电胶层中的 粘合剂是聚苯乙烯系、 乙酸乙烯酯类、 聚酯类、 聚乙烯类、 聚酰胺类、 橡胶类 丙烯酸酯类等热塑性树脂， 或者使用酚醛类、 环氧类、 氨基甲酸酯类、 三聚氰 胺类或醇酸类热固性树脂； 导电粒子可以是碳、 银、 镍、 铜顆粒、 镍金、 铜镍、 铜银、 镍银、 镍金、 银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管， 其导电粒子与胶 的重量比为 10%到 400%。 根据实际要求， 优先选择导电胶层厚度为 5而- 20um, 重量比为 10%-100%。 从可靠性和成本两个方面考虑， 导电粒子优先选择银包铜 粒子、 镍包铜粒子、 银粒子、 铜粒子、 镍粒子； 粘合剂优先选择耐高温的具有 热固化性能的改性环氧树脂或者改性丙烯酸树 脂； 厚度为 3nm至 5Cum, 予固化 条件为： 温度为 80 °C至 15 CTC , 时间为 20分钟 -1分钟。

6 )在导电胶层覆盖可离形的保护膜。 所述保护膜选用成本低廉且能耐受一 定温度的聚酯保护膜， 也可以是聚酯硅胶保护膜。 厚度 25微米到 125微米。 实施例 6

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜， 如图 6所示， 包括四层实心屏蔽层： 第一 实心屏蔽层 1、 第二实心屏蔽层 2、 第三实心屏蔽层 3和第四实心屏蔽层 4。 所 述第一实心屏蔽层 1、 第二实心屏蔽层 2、 第三实心屏蔽层 3和第四实心屏蔽层 3为逐层依次在下一层的外表面上形成。所述� �四实心屏蔽层 4外表面形成有导 电胶层 8， 所述第一实心屏蔽层 1外表面形成有绝缘膜层 2。 绝缘层膜 1外面形 成有绝缘层 1 , 绝缘层 1上表面覆盖有载体膜层 1， 所述导电胶层 8下表面覆盖 保护膜 9。载体膜层 1对绝缘膜层 1和绝缘层 2起到支撑作用，有利于后续加工; 并可以防止外界污染。 四层实心屏蔽层通过导电胶层实现接地。

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法， 其包括的具体制作步骤如下：

1 )在载体膜层上形成第二绝缘膜层 12， 所述第二绝缘膜层 12上形成第一 绝缘膜层 10，所述第二绝缘膜层 12和第一绝缘膜层 10整体厚度 3-25微米。所 述第二绝缘膜层 12选用的材料是 PPS、 PEN , 聚酯、 聚酰亚胺薄膜； 第一绝缘膜 层 1 010是涂布改性环氧树脂、 聚氨酯类树脂、 改性丙烯酸树脂、 或者聚酰亚胺 树脂而成。 所述第二绝缘膜层 12和第一绝缘膜层 10根据需要可以顺序互换， 即靠近载体膜可以是第一绝缘膜层 1 0， 然后是第二绝缘膜层 12。 不受附图所示 结构所限制。 设置多层绝缘层目的是提高绝缘层压合时耐撕 裂能力， 实现更高 台阶压合需求。 总绝缘层厚度优先选择 3微米 -8徽米之间。

2 )在绝缘膜层上形成需要的第一实心屏蔽层。 所述第一实心屏蔽层材料是 铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任意一种以上 的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬类不锈 钢等材质；也可以是铁氧体和碳纳米管等材质 。厚度为 0. 01微米- 0. 5微米之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电鍍或者其复合工 艺形成。 考虑弯折需求， 厚度优先选择 0. 01微米- 0. 2微米之间。

3 )在所述第一实心屏蔽层上形成需要的第二实� �屏蔽层。 第二实心屏蔽层 材料是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任意一 种以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬 类不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01微米 -3微米 之间。 可以釆用化学镀方式、 PVD、 CVD, 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或者其 复合工艺形成。 第一实心屏蔽层和第二实心屏蔽层为不同的屏 蔽材料。 第二实 心屏蔽层厚度优先选择 0. 01微米- 0. 5微米之间。

4 )在所述第二实心屏蔽层上形成需要的第三实� �屏蔽层。 第三实心屏蔽层 材料是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任意一 种以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬 类不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01微米 _ 3微 米之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或者 其复合工艺形成。 第二实心屏蔽层和第三实心屏蔽层可以是不同 的屏蔽材料， 两者的工艺可以不同。第三实心屏蔽层可以增 加屏蔽效能，其厚度优先选择 0. 01 微米 -1微米之间。

5 )在所述第三实心屏蔽层上形成需要的第四实� �屏蔽层。 第四实心屏蔽层 材料是铝、 钛、 锌、 铁、 镍、 铬、 钴、 铜、 银、 金以及包含这些材料中任意一 种以上的合金金属层， 包括但不仅限于镍铬合金， 铜镍合金、 钛锰合金、 镍铬 类不锈钢等材质； 也可以是铁氧体和碳纳米管等材质。 厚度为 0. 01微米- 3微米 之间。 可以采用化学镀方式、 PVD、 CVD、 电子枪蒸发镀、 溅射镀、 电镀或者其 复合工艺形成。 第四实心屏蔽层和第三实心屏蔽层可以是不同 的屏蔽材料， 第 四实心屏蔽层可以提高屏蔽效能、 提高抗氧化性能。 其厚度优先选择 0. 01微米 -1微米之间。

6 )在第四实心屏蔽层外表面上涂布导电胶层， 予固化。 所述导电胶层中的 粘合剂是聚苯乙烯系、 乙酸乙烯酯类、 聚酯类、 聚乙烯类、 聚酰胺类、 橡胶类 丙烯酸酯类等热塑性树脂， 或者使用酚醛类、 环氧类、 氨基甲酸酯类、 三聚氰 胺类或醇酸类热固性树脂； 导电粒子可以是碳、 银、 镍、 铜颗粒、 镍金、 铜镍、 铜银、 镍银、 镍金、 银包玻璃或者铜镍金颗粒或者碳纳米管， 其导电粒子与胶 的重量比为 10%到 400½。 根据实际要求， 优先选择导电胶层厚度为 5um- 2 0UII1 , 重量比为 10%-100¾。 从可靠性和成本两个方面考虑， 导电粒子优先选择银包铜 粒子、 镍包铜粒子、 银粒子、 铜粒子、 镍粒子； 粘合剂优先选择耐高温的具有 热固化性能的改性环氧树脂或者改性丙烯酸树 脂； 厚度为 3um至 50um, 予固化 条件为： 温度为 80'C至 150°C, 时间为 20分钟- 1分钟。

6)在导电胶层覆益可离形的保护膜。 所述保护膜选用成本低廉且能耐受一 定温度的聚酯保护膜， 也可以是聚酯硅胶保护膜。 厚度 25微米到 125微米。 实施例 7

一种高屏蔽效能的极薄屏蔽膜的制作方法， 其制作步骤如下：

(1)形成光亮基体载带；

(2)在光亮基体载带上采用蒸发镀或者电沉积或 者化学沉积技术， 依次形 成需要的两层以上的实心屏蔽层；

(3)在所述实心屏蔽层外表面形成绝缘膜层；

(4)在绝缘膜层上贴合可转移胶膜， 将绝缘膜层和实心屏蔽层从光亮基体 载带上剥离下来；

(5)在所述实心屏蔽层另一侧外表面形成需要的 导电胶层

(6)根据需要在导电胶层面贴合保护层。

关于具体制作两层以上的实心屏蔽层的制作工 艺可以依发明人在 2009年申 请的公开号为 CN101486264, 专利名称为《一种可剥离的超薄转移载体金属 箔及 其制造方法》 的中国发明专利申请。

以上所述者， 仅为本发明的较佳实施例而已， 当不能以此限定本发明实施的 范围， 即大凡依本发明申请专利范围及发明说明内容 所作的简单的等效变化与 修饰， 皆仍属本发明专利涵盖的范围内。