本発明の一実施の形態について図1から図 10に基づいて説明すると以下の通りである。� ��お、本発明の特徴をより明らかにするため� ��、以下従来の配線基板と対比しながら説明� ��る。

 ここで、図1は、本実施の形態の配線基板 1における配線を示す図である。また、図14は 、前記配線基板1と同数のパッド30が設けられ た従来の配線基板2における配線を示す図で� �る。

 (全体構成)
 図1に示すように、本実施の形態の配線基板 1は、基板5上に、IC(Integrated Circuit:集積回路)� ��どの電子部品との電気的な接点となるパッ� ��30と、前記パッド30と接続された接続配線と してのメタル配線10と、前記パッド30とメタ� �配線10とを絶縁するためなどに用いられる絶 縁層(図示せず)とが設けられてなる。

 そして、前記パッド30において、電子部� �との電気的接続のために、前記絶縁層が設� �られていない部分、言い換えると、絶縁層� �一部分が開口されている部分がパッド開口� �35となる。

 (パッド)
 そして、前記配線基板1では、前記パッド30� ��、複数列、より詳しくは千鳥配列状に設け� ��れている。すなわち基板5には、パッド30が2 列にわたって設けられており(図1に示す「第1 列」と「第2列」)、かつ、前記各列のパッド3 0(第1列としての第1列パッド30aと、第2列とし� ��の第2列パッド30b)のパッドピッチは同じで� �る。そして、各列のパッド30a・30bは、その� �ッドピッチの1/2だけずらして配置されてい� �。

 このようなパッド30の配置は、図14に示す 従来の配線基板2においても同様である。す� �わち、図14に示すように、パッド30が第1列と 第2列とに分かれ、かつ、互いにずらして配� �された千鳥配列状となっている。

 (配線)
 つぎに、前記パッド30への配線について説� �する。

 従来の配線基板2においては、図14に示す� ��うに、第1列パッド30aへの配線が、前記第2� �パッド30bの間を通って行われていた。

 これに対して、本実施の形態の配線基板1 では、図1に示すように、第1列パッド30aへの� ��線が、その接続配線としてのメタル配線10(� ��1メタル配線10a)が前記第2列パッド30bの下層� ��域を通るようにして行われている。言い換� ��ると、第1列パッド30aへの配線(第1メタル配� ��10a)は、前記第2列パッド30bの間を通ってい� �い。

 以下、配線基板1及び配線基板2の断面図(� ��2から図10、及び、図15から図18)を用いて、� �体的な配線の方法について説明する。

 (従来)
 従来の配線基板2においては、図14に示すよ� ��に、第1列パッド30aに接続される第1メタル� �線10aと、前記第2列パッド30bに接続される第2 メタル配線10bとは、引き出し領域(図14に示す 領域X)から各パッド30(第1列パッド30a及び第2� �パッド30b。図14に示すパッド領域PD)に至るま で、基板5の同じ層に設けられていた。そし� �、他の部品と接続される領域など絶縁が不� �要な領域を除いて、同じ絶縁層(図示せず)に よって覆われていた。

 すなわち、図15及び図17に示すように、従 来の配線基板2においては、第1メタル配線10a� ��第2メタル配線10bは、ともに基板5上の同じ� �に、同じ材料によって設けられており、互� �に重なり合うことがなく、さらに、同じ絶� �層25によって覆われていた。

 ここで、図15は、引き出し領域Xにおける� ��1メタル配線10aの断面(図14のI-I線断面)を示� �、図17は、引き出し領域Xにおける第2メタル� ��線10bの断面(図14のK-K線断面)を示す図である 。

 (本実施の形態)
 これに対して、本実施の形態の配線基板1で は、第1列パッド30aに接続される第1メタル配� ��10aと、前記第2列パッド30bに接続される第2� �タル配線10bとは、引き出し領域(図1に示す領 域X)では、基板5上において重なり合わないの に対して、前記第2列パッド30bに接続される� �域である第2接続領域(図1に示す領域Y)では、 互いに重なり合っている。

 すなわち、図2及び図3に示すように、第1� ��タル配線10aと第2メタル配線10bとは、引き出 し領域Xにおいて、基板5上の異なる位置に、� ��なり合うことなく形成されている。そして� ��前記第1メタル配線10aは第1絶縁層20a及び第2� ��縁層20bによって覆われ、他方第2メタル配線 10bは第2絶縁層20bによって覆われている。

 また、前記第2メタル配線10bと前記基板5� �の間には、前記第1絶縁層20aが介在している� ��

 これは、上記各配線及び各層を、前記基� ��5上に、第1メタル配線10a、第1絶縁層20a、第2 メタル配線10b、第2絶縁層20bの順に形成した� �めである。

 なお、第1メタル配線10aと、第2メタル配� �10bとは、後に説明する通り、互いに異なる� �料によって形成されている。

 ここで、図2は、前記引き出し領域Xにお� �る第2メタル配線10bの断面(図1のA-A線断面)を� ��す図であり、図3は、前記引き出し領域Xに� �ける第1メタル配線10aの断面(図1のB-B線断面)� ��示す図である。

 そして、前記第1メタル配線10aと第2メタ� �配線10bとは、第2メタル配線10bが第2列パッド 30bに接続される前に、基板5の厚み方向、言� �換えると基板5の垂直方向において重なり合� ��。

 すなわち、図4に示すように、前記第2接� �領域Yでは、第1メタル配線10aの上層に第2メ� �ル配線10bが設けられている。より具体的に� �、前記図3に示す断面と同様に、基板5の上に 第1メタル配線10aとそれを覆う第1絶縁層20aと� ��設けられた上で、さらにその上層に、第2メ タル配線10bとそれを覆う第2絶縁層20bが設け� �れている。

 ここで、図4は、第2接続領域Yにおける、� ��1メタル配線10aと第2メタル配線10bとの断面(� ��1のC-C線断面)を示す図である。

 (第2列パッド)
 つぎに第2列におけるパッド30について説明� ��る。

 まず、本実施の形態の配線基板1において は、前記第2列におけるパッド30である第2列� �ッド30bは、前記第2メタル配線10bの幅が広げ� ��れ、かつ、第2絶縁層20bが開口されることに よって形成されている。

 すなわち、第2列パッド30bにおける断面を 基に説明すると、図5に示すように、第2列パ� ��ド30bは、前記図4に示した第2接続領域Yの層� ��成における第2メタル配線10bの線幅が広げら れることによって形成されている。

 さらに、図4において第2メタル配線10bを� �っていた第2絶縁層20bの一部分が開口され、� ��記第2列パッド30bの上層にパッド開口部35が� ��成されている。

 すなわち、本実施の形態の第2列パッド30b は、第2メタル配線10bの延長線上に設けられ� �おり、電子部品などとの電気的な接続を図� �ために、幅が広げられ、かつ、表層の絶縁� �が除去されたものである(図1の領域PD)。

 なお、前記第2列におけるパッド30の構成� ��、上記構成に限定されず、例えば図6に示す ように、第2メタル配線10bが拡幅されてなる� �2列パッド30bの上層に、例えばITO(Indium Tin Ox ide)からなるパッド電極32が設けられた構成と してもよい。例えば上記パッド電極32を、前� ��第2メタル配線10bと異なった金属材料で形成 することによって、電子部品の接続安定性を 向上させること等が可能となる。

 ここで上記図5は、第2列におけるパッド30 の断面(図1のD-D線断面)示す図であり、上記図 6は、第2列におけるパッド30の他の構成を示� �断面図である。

 これに対して、従来の配線基板2では、図 14のL-L線断面図である図18が示すように、第2� ��タル配線10bの線幅が広げられ第2列パッド30b が設けられるとともに、絶縁層25が開口され� ��パッド開口部35が形成されている。また、� �般的に、前記第2列パッド30bの上層にITOから� ��るパッド電極32が設けられている。

 (第1列パッド)
 つぎに、前記第1メタル配線10aと第1列パッ� �30aとについて説明する。

 前記の通り、本実施の形態の配線基板1に おいては、第1メタル配線10aは、第2列パッド3 0bの下層から、第1メタル配線10aが第1列パッ� �30aに接続される前の領域である第1接続領域( 図1に示すZ領域)に引き出されている。すなわ ち、第2列パッド30bの間に配線が設けられる� �となく、前記引き出し領域Xと第1接続領域Z� �の接続が行われている。

 そして、第1接続領域Zに引き出された前� �第1メタル配線10aは、千鳥配列されることに� ��って第2列パッド30bから位置がずれた第1列� �ッド30aに対して接続可能なように、折れ曲� �りが設けられた後、第1列パッド30aに接続さ� ��ている。

 断面図に基づいて、具体的に説明する。� ��7及び図8は、いずれも、本実施の形態の配� �基板1を示すものであり、図7は、第1接続領� �Zにおける第1メタル配線10aの断面(図1のE-E線� ��面)を示す図であり、図8は、第1列パッド30a� ��断面(図1のF-F線断面)を示す図である。また� ��図9は、第1列におけるパッド30の他の構成を 示す断面図である。

 図7に示すように、第1接続領域Zにおいて� ��、第1メタル配線10aの上層に第2メタル配線10 bは設けられていない。これは、第2メタル配� ��10bは、第2列パッド30bに接続された後は、延 伸されないからである。

 なお、図7に示す構成においては、第1メ� �ル配線10aは第1絶縁層20aのみによって覆われ� ��いるが、例えば前記図3に示すように、第1� �タル配線10aが第1絶縁層20a及び第2絶縁層20bに よって覆われる構成とすることもできる。

 そして、図8に示すように、前記第1メタ� �配線10aはその線幅が広げられることによっ� �、第1列パッド30aとされている。さらに、前� ��第1列パッド30aの上層では、前記第1絶縁層20 aが一部開口され、パッド開口部35が形成され ている。また、図9に示すように、前記第1列� ��ッド30aの上層にITOなどからなるパッド電極3 2を形成してもよい。上記各構成は、先に説� �した第2列パッド30bと同様である。

 また、第1列におけるパッド30の構成は、� ��発明の配線基板1における上記構成と、従来 の配線基板2における構成とで同様である。� �なわち、図16に示すように、従来の配線基板 2における第1列パッド30aも、前記本実施の形� ��の第1列パッド30aと同様に、第1メタル配線10 aが拡幅され、かつ、上層の絶縁層25の開口部 分が設けられている。また、一般的に、前記 第1列パッド30aの上層はパッド電極32が形成さ れている。なお、図16は、従来の配線基板2に おける第1列パッド30aの断面(図14のJ-J線断面)� ��示す図である。

 以上のように、本実施の形態の配線基板1 では、隣接する第2列パッド30bの間に、第1列� ��ッド30aに接続するための配線を設けること� ��く、第1列パッド30aへ導通を確保することが 可能である。したがって、特に実装の際に位 置ずれが生じてもリーク不良が発生しにくく 、かつ、パッドの狭ピッチ化が可能である。

 すなわち、第2列パッド30bの間に配線が設 けられていないので、例えば、配線基板1に� �動ICを実装する際に位置ずれが生じても、第 2列パッド30bと第1メタル配線10aとの間の電気� ��なショート発生しにくい。その結果、リー� ��不良の発生を抑制することができる。

 この効果は、本実施の形態の配線基板1が 、チップオングラス接続に用いられる場合に 顕著になる。ここで、チップオングラス(COG:C hip On Glass)接続とは、ガラス基板の上に、半 導体チップなどの部品を直接実装する接続を 意味する。

 具体的には、例えば液晶表示装置用ガラ� ��基板が前記配線基板1に該当し、その液晶表 示装置用ガラス基板に、駆動ICなどのチップ� ��品が直接実装される場合などが該当する。

 このチップオングラス接続では、ガラス� ��板上に設けられたパッドにチップ部品が直� ��実装されるので、層間での応力緩和が生じ� ��くく、前記絶縁層が破られやすい。したが� ��て、例えば特に実装の際に位置ずれなどが� ��じると、パッドと接続配線との間でリーク� ��良が生じやすい。

 この点、本実施の形態の配線基板1では、 パッド間に配線が設けられていないので、前 記リーク不良の発生を抑制することができる 。

 また、第2列パッド30b間に配線を設ける必 要がないので、第2列パッド30bの間隔を狭く� �ることができる。その結果、パッド30の狭ピ ッチ化が可能となる。

 なお、上記の説明では、第1列パッド30a及 び第2列パッド30bについて、それぞれ第1メタ� ��配線10a及び第2メタル配線10bが拡幅されるこ とによって形成される構成について説明した が、本発明のパッド30の構成はかかる構成に� ��定されない。

 例えば、第1列パッド30a及び第2列パッド30 bを、各々第1メタル配線10a及び第2メタル配線 10bと別異の材料で形成したり、別異の層に形 成したりすることも可能である。

 また、上記の説明では、第1列におけるパ ッド30の構成について、図8に基づいて、第1� �タル配線10aを拡幅することによって、第1メ� ��ル配線10aと同じ層に第1列パッド30aを形成す る構成について説明したが、本発明の第1列� �おけるパッド30の構成は、かかる構成に限定 されない。

 例えば、図10に示すように、第1メタル配� ��10aが拡幅されてなる第1列パッド30aの上層に 、さらに前記第2メタル配線10bと同様の材料� �からなる接続メタル部40を形成することがで きる。また、必要に応じて前記接続メタル部 40の上層に先に説明したパッド電極32を形成� �ることもできる。

 かかる構成によれば、第1列におけるパッ ド30と第2列におけるパッド30との高さの差を� ��さくすることができるので、より信頼性の� ��い実装が可能となる。

 (金属材料)
 つぎに、前記メタル配線(第1メタル配線10a� �第2メタル配線10b)及びパッド(第1列パッド30a� ��第2列パッド30b)の形成に用いられる金属材� �について説明する。

 本実施の形態の配線基板1では、図5に基� �いて説明した通り、第2列パッド30bの下層に� ��、第1メタル配線10aが配置されている。

 そして、本実施の形態においては、第2列 パッド30bと前記第1メタル配線10aとは、異な� �材料によって形成されることが好ましい。

 なお、本実施の形態においては、第2列パ ッド30bは第2メタル配線10bの延長線上でその� �幅が広げられたものであるため、第2列パッ� ��30bと第2メタル配線10bとは同じ金属材料によ って形成されている。

 表1に、第2列パッド30b及び第1メタル配線1 0aの材料と、第1絶縁層20a・第2絶縁層20bの材� �とを示す。

 表1に示すように、本実施の形態の配線基 板1では、第2列パッド30bの材料と第1メタル配 線10aの材料とを比較すると、第2列パッド30b� �材料の方が、第1メタル配線10aの材料よりも� ��わらかくなっている。

 すなわち、一般に金属の硬さ(モース硬度 )は、Ni>Ti>Alの順であるので、例えば、表 1における組合せ1、すなわち、第2列パッド30b がAl(アルミニウム)によって形成され、他方� �第1メタル配線10aがTi(チタン)とTiN(窒化チタ� �)との合金によって形成されている場合には� ��第2列パッド30bの材料の方が、第1メタル配� �10aの材料のよりもやわらかくなる。

 また、前記、第2列パッド30bの材料の方が 、第1メタル配線10aの材料のよりもやわらか� �なるという関係は、他の組合せ2・3・4にお� �ても同様に実現できる。

 このような構成によれば、実装の際、上� ��に位置する第2列パッド30bの材料の方が、下 層の第1メタル配線10aの材料のよりもやわら� �くなるの第2列パッド30bと、下層の第1メタル 配線10aとが接触することに起因するリーク不 良が発生しにくい。

 すなわち、前記第2列パッド30bにICなどが� ��装される際、例えばICのバンプから、前記� �2列パッド30bと第1メタル配線10aとの積層体に 対して、基板5方向に押し込む力が働く。

 そして、この力によって、上層の第2列パ ッド30bと、下層の第1メタル配線10aとが接触� �ることが想定される。この点、前記の構成� �よれば、上層の第2列パッド30bの方が下層の� ��1メタル配線10aよりもやわらかいので、上層 の第2列パッド30bで、前記力が緩和(応力緩和) され、その結果、第2列パッド30bと第1メタル� ��線との接触が生じにくくなる。

 また、本発明の配線基板は、種々の電子� ��器に用いることができ、例えば液晶表示装� ��にも好適に用いることができる。図22に、� �発明の配線基板が用いられた液晶表示装置20 0の概略構成を示す。

 図22に示すように、前記液晶表示装置200� �、フレーム210と、液晶パネル220と、前記液� �パネル220に備えられる電子部品230と、バッ� �ライトユニット240とを備え、例えば、前記� �晶パネル220を構成する液晶表示装置用ガラ� �基板を本発明の配線基板の構成とすること� �できる。

 また、本発明は上述した実施の形態に限� ��されるものではなく、請求項に示した範囲� ��種々の変更が可能である。すなわち、請求� ��に示した範囲で適宜変更した技術的手段を� ��み合わせて得られる実施の形態についても� ��発明の技術的範囲に含まれる。