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Title:
WORK DUPLEX-HEAD GRINDING APPARATUS, AND WORK DUPLEX-HEAD GRINDING METHOD
Document Type and Number:
WIPO Patent Application WO/2009/101766
Kind Code:
A1
Abstract:
Provided is a work duplex-head grinding apparatus comprising an autorotation work holder for supporting a thin-plate work along the radial direction from the outer circumference side, a pair of static-pressure supporting members positioned on the two sides of the work holder, for supporting the work holder in a non-contact manner from the two sides along the axial direction of autorotation by the static pressure of a fluid, and a pair of grinding stones for grinding simultaneously the two faces of the work supported by the work holder. In the work duplex-head grinding apparatus, the spacing between the work holder and the static-pressure supporting members is 50 μm or less, and the static-pressure supporting members support the work holder at the fluid static-pressure of 0.3 MPa or higher. Thus, there are provided the work duplex-head grinding apparatus and a duplex-head grinding method, in which the work duplex-head grinding operation can stabilize such a position taken along the axial direction of the autorotation of the work holder supporting the work from the outer circumference side, as might otherwise deteriorate the nano-topography of the work.

Inventors:
KATO TADAHIRO (JP)
KOBAYASHI KENJI (JP)
Application Number:
PCT/JP2009/000247
Publication Date:
August 20, 2009
Filing Date:
January 23, 2009
Export Citation:
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Assignee:
SHINETSU HANDOTAI KK (JP)
KATO TADAHIRO (JP)
KOBAYASHI KENJI (JP)
International Classes:
B24B7/17; B24B41/06; B24D3/00; B24D3/14; H01L21/304
Foreign References:
JP2003124167A2003-04-25
JPH0732252A1995-02-03
JP2002124490A2002-04-26
Attorney, Agent or Firm:
YOSHIMIYA, Mikio (6-11 Ueno 7-chome, Taito-ku, Tokyo 05, JP)
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Claims:
 少なくとも、薄板状のワークを径方向に沿って外周側から支持する自転可能なワークホルダーと、該ワークホルダーの両側に位置し、ワークホルダーを自転の軸方向に沿って両側から、流体の静圧により非接触支持する一対の静圧支持部材と、前記ワークホルダーにより支持されたワークの両面を同時に研削する一対の砥石を具備するワークの両頭研削装置であって、
 前記ワークホルダーと前記静圧支持部材の間隔が50μm以下であり、かつ、前記静圧支持部材が前記ワークホルダーを0.3MPa以上の前記流体の静圧で支持するものであることを特徴とするワークの両頭研削装置。
 
 前記ワークホルダーは、平行度が5μm以下、かつ、平面度が5μm以下のものであることを特徴とする請求項1に記載のワークの両頭研削装置。
 
 前記ワークホルダーにおいて、少なくとも非接触支持される面がアルミナセラミクスからなるものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のワークの両頭研削装置。
 
 前記静圧支持部材において、前記ワークホルダーを非接触支持する面は、平面度が20μm以下であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のワークの両頭研削装置。
 
 前記砥石は、平均粒径1μm以下のダイヤモンド砥粒とビトリファイドボンド材からなるものであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のワークの両頭研削装置。
 
 少なくとも、ワークホルダーによって、薄板状のワークを径方向に沿って外周側から支持して自転させるとともに、前記ワークホルダーの両側に位置する一対の静圧支持部材によって、前記ワークホルダーを自転の軸方向に沿って両側から、流体の静圧により非接触支持し、一対の砥石によって、前記ワークホルダーにより支持したワークの両面を同時に研削するワークの両頭研削方法であって、
 前記ワークホルダーと前記静圧支持部材の間隔を50μm以下とし、かつ、前記流体の静圧を0.3MPa以上に調節して、前記ワークの両面を研削することを特徴とするワークの両頭研削方法。
 
 前記ワークホルダーを、平行度が5μm以下、かつ、平面度が5μm以下のものとすることを特徴とする請求項6に記載のワークの両頭研削方法。
 
 前記ワークホルダーにおいて、少なくとも非接触支持される面を、アルミナセラミクスからなるものとすることを特徴とする請求項6または請求項7に記載のワークの両頭研削方法。
 
 前記静圧支持部材において、前記ワークホルダーを非接触支持する面を、平面度が20μm以下のものとすることを特徴とする請求項6から請求項8のいずれか一項に記載のワークの両頭研削方法。
 
 前記砥石を、平均粒径1μm以下のダイヤモンド砥粒とビトリファイドボンド材からなるものとすることを特徴とする請求項6から請求項9のいずれか一項に記載のワークの両頭研削方法。
Description:
ワークの両頭研削装置およびワ クの両頭研削方法

 本発明は、シリコンウエーハ等の薄板状の ークの両面を同時に研削するためのワーク 両頭研削装置およびワークの両頭研削方法 関し、特には、ワークを支持するワークホ ダーを非接触で支持してワークの両面を研 するワークの両頭研削装置およびワークの 頭研削方法に関する。
 

 例えば直径300mmに代表される大口径シリ ンウエーハを採用する先端デバイスでは、 年ナノトポグラフィーと呼ばれる表面うね 成分の大小が問題となっている。ナノトポ ラフィーは、ウエーハの表面形状の一種で ソリやwarpより波長が短く、表面粗さより波 の長い、0.2~20mmの波長成分の凹凸を示すも であり、PV値は0.1~0.2μmの極めて浅いうねり 分である。このナノトポグラフィーはデバ ス工程におけるSTI(Shallow Trench Isolation)工程 歩留まりに影響すると言われ、デバイス基 となるシリコンウエーハに対し、デザイン ールの微細化とともに厳しいレベルが要求 れている。

 ナノトポグラフィーは、シリコンウエー の加工工程で作り込まれるものである。特 基準面を持たない加工方法、例えばワイヤ ソー切断や両頭研削で悪化しやすく、ワイ ーソー切断における相対的なワイヤーの蛇 や、両頭研削におけるウエーハのユガミの 善や管理が重要である。

 シリコンウエーハの鏡面研磨後のナノトポ ラフィーは一般的には光学干渉式の測定機 Nanomapper(ADE Corp.製)やDynasearch(株式会社レイ ックス製)によって測定される。
 図9に示すものはNanomapperにより測定したナ トポグラフィーマップであり、ナノトポグ フィーの強度を濃淡で示したものである。 9(a)はナノトポグラフィーの強度のレベルが に問題のないマップの例であり、図9(b)は両 頭研削工程で作り込まれたレベルの悪い例で ある。

 スライス工程や両頭研削工程等の工程中の ークが非鏡面ウエーハの場合、国際公開第2 006/018961に開示されているように、静電容量 式の測定機から得られたソリ形状に、算術 バンドパスフィルター処理を行うことによ 、簡易的にナノトポグラフィーの測定が可 となっている。
 図10(a)は、静電容量方式の測定機により測 された、両頭研削されたウエーハのソリ形 に、50mm-1mmのバンドパスフィルター処理をし て得られた疑似ナノトポグラフィーの例であ る。なお、図10(b)は、Nanomapperにより測定した 場合のナノトポグラフィーを示すグラフであ る。

 最近要求として主流となりつつある、最終 品時に波長が10mmサイズのナノトポグラフィ ーレベルが15nm以下となる条件を満足するた には、中間工程における擬似ナノトポグラ ィーは0.2μm以下であることが必要とされる
 図12に、両頭研削工程後における疑似ナノ ポグラフィーの値と、最終工程後における ノトポグラフィーの値との関係を示す。両 の間には良い相関があることが分かる。

 ここで、従来の両頭研削方法について説明 る。
 まず、両頭研削するときに用いられる従来 ワークの両頭研削装置の一例を図8に示す。 図8に示すように、両頭研削装置101は、薄板 のワークWを径方向に沿って外周側から支持 る自転可能なワークホルダー102と、ワーク ルダー102の両側に位置し、ワークホルダー1 02を自転の軸方向に沿って両側から、流体の 圧により非接触支持する一対の静圧支持部 103と、ワークホルダー102により支持された ークWの両面を同時に研削する一対の砥石104 を備えている。砥石104はモータ105に取り付け られており、高速回転できるようになってい る。

 このような両頭研削装置101を用い、ワー Wの両面を研削するときは、まず、ワークW ワークホルダー102により支持する。なお、 ークホルダー102を自転させることにより、 ークWを自転させることができる。また、両 の各々の静圧支持部材103から流体をワーク ルダー102と静圧支持部材103の間に供給し、 ークホルダー102を自転の軸方向に沿って流 の静圧によって支持する。そして、このよ にしてワークホルダー102および静圧支持部 103で支持され、自転するワークWの両面を、 モータ105により高速回転する砥石104を用いて 研削する。

 従来より、ワークを回転軸方向に支持する 段については、研削中のワークのゆがみが 工面の精度、ナノトポグラフィーに影響す ため、さまざまな改良が検討されてきた。
 例えば、国際公開第2000/67950では、ワークの 厚さの中心および/またはワークを支持する 持手段の中心と、一対の研削砥石の砥石面 隔の中心との相対位置を制御して研削する が提案されている。
 また、図8のような流体による静圧支持を採 用した装置、例えば特開2007-96015号公報では ワークを軸方向に支持する表裏面の静圧支 方法に関し、複数のポケットが各々流体の 給孔を具備し、ポケット毎に流体の静圧を 整出来る静圧支持部材を採用する事により 従来装置の持つ調整機能、即ち砥石軸のチ ト調整やシフト調整では改善し切れないナ トポグラフィー成分が改善される事を示し いる。

 以上のように、従来の技術では、ワーク 研削中に極力変形させないようにする事が ノトポグラフィーの観点から重要であり、 石軸のチルト制御やシフト制御、ワークを 転軸方向に適正位置に支持する静圧の制御 力を注いできた。

 しかしながら、このような従来の両頭研削 置、両頭研削方法を用いて両頭研削された エーハについて疑似ナノトポグラフィーを 定すると、ばらつきが多く、波長が10mmサイ ズのナノトポグラフィーレベルが、特には0.2 μmを超える場合があった。このように、両頭 研削工程での疑似ナノトポグラフィーが0.2μm を超えると、最終製品時にナノトポグラフィ ーレベルが15nmを超えてしまい、近年要求さ つつあるレベルにナノトポグラフィーを抑 することが困難であった(図12)。
 

 従来では、両頭研削装置において、ワー を径方向に沿って外周側から支持して回転 せるワークホルダーについては、ナノトポ ラフィー等のウエーハ品質に影響を与える のではないと考えられてきた。しかし、本 明者らが、このような両頭研削における問 について調査を行ったところ、ナノトポグ フィーの制御に関し、上記砥石軸のチルト 御やシフト制御、ワークを自転の軸方向に 正位置に支持する静圧の制御よりむしろ、 ークの径方向に沿っての支持手段であるワ クホルダーの自転の軸方向の位置の制御が 要な事が分かってきた。

 そこで、本発明は、ワークの両頭研削に いて、ワークのナノトポグラフィーを悪化 せる要因となる、ワークを外周側から支持 るワークホルダーの自転の軸方向に沿った 置を安定化させることが可能なワークの両 研削装置および両頭研削方法を提供するこ を目的とする。

 上記目的を達成するために、本発明は、少 くとも、薄板状のワークを径方向に沿って 周側から支持する自転可能なワークホルダ と、該ワークホルダーの両側に位置し、ワ クホルダーを自転の軸方向に沿って両側か 、流体の静圧により非接触支持する一対の 圧支持部材と、前記ワークホルダーにより 持されたワークの両面を同時に研削する一 の砥石を具備するワークの両頭研削装置で って、
 前記ワークホルダーと前記静圧支持部材の 隔が50μm以下であり、かつ、前記静圧支持 材が前記ワークホルダーを0.3MPa以上の前記 体の静圧で支持するものであることを特徴 するワークの両頭研削装置を提供する。

 従来では、ワークホルダーの自転の軸方向 沿った位置がワークのナノトポグラフィー 悪化に与える影響は見出されておらず、例 ばワークホルダーと静圧支持部材の間隔は2 00~500μmが一般的であった。
 しかしながら、本発明のように、ワークホ ダーと静圧支持部材の間隔、すなわち、ワ クホルダーにおいて非接触支持される面と 静圧支持部材においてワークホルダーを非 触支持する面の間隔が50μm以下であり、か 、静圧支持部材がワークホルダーを0.3MPa以 の流体の静圧で支持する両頭研削装置であ ば、両頭研削を行うときに、ワークを支持 るワークホルダーの位置を安定化させるこ ができ、それによってワークのナノトポグ フィーが悪化するのを著しく抑制すること 可能なものとなる。

 このとき、前記ワークホルダーは、平行度 5μm以下、かつ、平面度が5μm以下のもので るのが好ましい。
 本発明のように、ワークホルダーと静圧支 部材の間隔が50μm以下に狭めたものの場合 ワークホルダーおよびワークホルダーに支 されたワークを自転させる際に負荷がかか やすくなる。しかし、ワークホルダーの形 精度が、平行度が5μm以下、かつ、平面度が5 μm以下のものであれば、上記負荷を十分に抑 制することが可能になり、よりスムーズに両 頭研削を行うことが可能である。

 なお、ここでいうワークホルダーの平行 とは、表裏面の平面が平行であるべき位置 らのひらき量を指し、平面度とは、その面 おけるうねりのPV値を指す。

 この場合、前記ワークホルダーにおいて、 なくとも非接触支持される面がアルミナセ ミクスからなるものであるのが好ましい。
 アルミナセラミクスであれば、加工性がよ 、加工時の発熱により熱膨張し難く、ワー ホルダーの非接触支持される面の形状精度 より高精度なものとなる。

 また、前記静圧支持部材において、前記ワ クホルダーを非接触支持する面は、平面度 20μm以下であるのが好ましい。
 このようなものであれば、本発明のように ワークホルダーと静圧支持部材の間隔が50μ m以下に狭めたものであっても、ワークホル ーを自転させる際に負荷がかかりにくく、 りスムーズに両頭研削を行うことができる のとなる。

 そして、前記砥石は、平均粒径1μm以下のダ イヤモンド砥粒とビトリファイドボンド材か らなるものとすることができる。
 近年、顧客の要求により、ワークの品質の に止まらず、製造コストの削減が望まれて るが、製造コストの削減には、各工程の加 量低減による原料原単位の削減や加工装置 生産性の向上が必須である。両頭研削工程 おいては、研削砥石のダイヤモンド砥粒を 細化することにより、後工程である両面研 工程の研磨量を低減する事が大きな技術課 となる。従来は番手#3000、平均砥粒径4μmの 石が使われてきたが、更に面粗さやダメー 深さを改善すべく、番手#6000~8000のような平 均砥粒径1μm以下の微細砥粒砥石も開発が進 られている。

 砥石が、例えばこのような平均砥粒径1μm 以下のダイヤモンド砥粒とビトリファイドボ ンド材からなるものである場合、研削負荷が 高くなり、従来の装置では、研削中にワーク にかかる応力が大きくなり、流体の静圧によ る支持効果は得られずにワークホルダーが傾 きやすく、ワークホルダーの位置制御は困難 であった。しかしながら、本発明であれば、 このような研削負荷が高くなる高番手の砥石 を備えたものであっても、ワークホルダーの 位置の制御が可能なものとなり、つまりはワ ークのナノトポグラフィーが悪化するのを十 分に抑制することが可能である。

 また、本発明は、少なくとも、ワークホル ーによって、薄板状のワークを径方向に沿 て外周側から支持して自転させるとともに 前記ワークホルダーの両側に位置する一対 静圧支持部材によって、前記ワークホルダ を自転の軸方向に沿って両側から、流体の 圧により非接触支持し、一対の砥石によっ 、前記ワークホルダーにより支持したワー の両面を同時に研削するワークの両頭研削 法であって、
 前記ワークホルダーと前記静圧支持部材の 隔を50μm以下とし、かつ、前記流体の静圧 0.3MPa以上に調節して、前記ワークの両面を 削することを特徴とするワークの両頭研削 法を提供する。

 このように、ワークホルダーと静圧支持 材の間隔を50μm以下とし、かつ、流体の静 を0.3MPa以上に調節して、ワークの両面を研 すれば、ワークを支持するワークホルダー 位置を安定化させながらワークの両頭研削 行うことができ、ワークのナノトポグラフ ーの悪化を著しく抑制することができる。 た、従来に比べてナノトポグラフィーレベ のばらつきは小さく、高レベルに改善する とができる。

 このとき、前記ワークホルダーを、平行度 5μm以下、かつ、平面度が5μm以下のものと るのが好ましい。
 このようにすれば、ワークホルダーおよび ークホルダーに支持されたワークを自転さ る際の負荷を十分に抑制することができ、 りスムーズに両頭研削を行うことができる

 そして、前記ワークホルダーにおいて、少 くとも非接触支持される面を、アルミナセ ミクスからなるものとするのが好ましい。
 アルミナセラミクスであれば、ワークホル ー成型時の加工性がよく、ワークホルダー 加工時の発熱により熱膨張し難く、ワーク ルダーの非接触支持される面の形状精度を り高精度にすることができ、両頭研削時に かる負荷をより低減することができる。

 また、前記静圧支持部材において、前記ワ クホルダーを非接触支持する面を、平面度 20μm以下のものとするのが好ましい。
 このようにすれば、ワークホルダーを自転 せる際に負荷がかかりにくく、よりスムー に両頭研削を行うことができる。

 そして、前記砥石を、平均粒径1μm以下のダ イヤモンド砥粒とビトリファイドボンド材か らなるものとすることができる。
 砥石をこのような研削負荷が高くなるもの しても、ワークホルダーの位置の制御が可 であり、ワークのナノトポグラフィーが悪 するのを十分に抑制することが可能である

 本発明のワークの両頭研削装置およびワー の両頭研削方法であれば、両頭研削後のワ クにおいて、ばらつきも小さくナノトポグ フィーを格段に抑制することができる。特 は、平均粒径1μm以下の微細砥粒からなる高 番手砥石を用い、後工程での加工量低減によ る製造コストの削減かつ高精度なナノトポグ ラフィーを得る事が可能となる。
 

本発明の両頭研削装置の一例を示す概 図である。 ワークホルダーの一例を示す概略図で る。(a)全体図、(b)断面図。 静圧支持部材の一例を示す概略図であ 。(a)全体図、(b)ワークホルダー静圧部の拡 図、(c)A-A’における断面図、(d)流体の供給 イン。 静圧支持部材の形状測定結果の一例を す測定図である。 ワークホルダーと静圧支持部材の形状 よび位置関係を示す説明図である。 実施例1、比較例1の疑似ナノトポグラ ィーの測定結果である。 実施例2、比較例2の疑似ナノトポグラ ィーの測定結果である。 従来の両頭研削装置の一例を示す概略 である。 Nanomapperにより測定したナノトポグラフ ィーマップの例を示す測定図である。(a)ナノ トポグラフィーレベルが良い場合。(b)ナノト ポグラフィーレベルが悪い場合。 (a)静電容量方式の測定機で測定された ソリ形状にバンドパスフィルター処理を施し て得られた疑似ナノトポグラフィーの一例を 示すグラフである。(b)Nanomapperで測定された ノトポグラフィーの一例を示すグラフであ 。 従来の両頭研削方法において、ワーク ホルダーが、位置が固定されず、倒れている 様子を示す説明図である。 両頭研削工程後における疑似ナノトポ グラフィーの値と、最終工程後におけるナノ トポグラフィーの値との関係を示すグラフで ある。

 以下では、本発明の実施の形態について説 するが、本発明はこれに限定されるもので ない。
 本発明者らは、両頭研削装置および両頭研 方法と研削後のワークのナノトポグラフィ との関係について鋭意研究を行った結果、 ークの径方向に沿った支持手段であるワー ホルダーの自転の軸方向の位置制御が重要 あることを見出した。従来では、これはナ トポグラフィー等のウエーハ品質には影響 ないものとして考えられていた。

 そして、さらに研究をすすめたところ、ワ クホルダーと静圧支持部材の間隔(つまりは ワークホルダーにおいて非接触支持される面 と、静圧支持部材においてワークホルダーを 非接触支持する面の間隔)は、200~500μmが従来 は一般的であったが、この寸法では、流体 静圧による支持効果は得られないことが分 った。すなわち、ワークホルダーの自転の 方向に沿ったワークホルダーの位置の制御 出来ない事が判明した。従って、図11に示 ように、姿勢が倒れやすく、ワークホルダ の自転の軸方向での位置が固定されていな 事が分かった。ワークホルダーの研削中の れは、挿入されるワークの自転の軸方向の 置ズレを生じさせ、ナノトポグラフィーの 化を招く。
 また、特に、上記のワークホルダーの倒れ 、研削負荷の高い微細砥粒(例えば1μm以下) 高番手砥石の場合に顕著となることも本発 者らは発見した。

 そして、本発明者らは、特にこのような 番手の砥石を用い、両頭研削後の工程であ 両面研磨工程の研磨量等を低減することに るコスト改善や、面粗さやダメージ深さの 善を考慮しつつ、研削後のワークのナノト グラフィーの改善を図るには、ワークホル ーと静圧支持部材の間隔を50μm以下とし、 つ、ワークホルダーを静圧支持するための 体の静圧を0.3MPa以上に調節して、ワークホ ダーにより支持されたワークの両面を研削 れば良いことを見出した。このような条件 あれば、研削中にワークホルダーは安定し 支持され、位置制御も適切に行われること 見出し、本発明を完成させた。

 図1は、本発明の両頭研削装置の一例を示 す概略図である。両頭研削装置1は、主に、 ークWを支持するワークホルダー2と、ワーク ホルダー2を流体の静圧により非接触支持す 一対の静圧支持部材3と、ワークWの両面を同 時に研削する一対の砥石4を備えている。

 ここで、まず、ワークホルダー2について 述べる。図2にワークホルダー2の概要を示す 図2(a)の全体図、(b)の断面図に示すように、 ワークホルダー2は、主として、リング状で 面がL字のリング部6、ワークWと接触してワ クWの径方向に沿って外周側から支持する支 部7、ワークホルダー2を自転させるために いられる内歯車部8を有し、リング部6のL字 内側に支持部7を介して内歯車部8がねじで留 められている。

 また、ワークホルダー2を自転させるために 、モータ9に接続された駆動歯車10が配設され ており、これは内歯車部8と噛合っており、 動歯車10をモータ9により回転させることに って、内歯車部8を通じてワークホルダー2を 自転させることが可能である。そして、図2(a )に示すように、支持部7の縁部の一部に、内 に向かって突出した突起が形成されており ワークWの周縁部に形成されたノッチと呼ば れる切り欠きの形状に適合し、ワークホルダ ー2の回転動作をワークWに伝達することがで るようになっている。
 また、ワークホルダー2は、回転する軸回り に自由に回転する3個以上のローラ11により回 転可能に支持されている。図2(a)に示す例で 、このローラ11が4個配置されているが、こ に限定されない。

 静圧支持部材3によって非接触支持される面 を有するリング部6は例えば、アルミナセラ クスからできている。このように材質がア ミナセラミクスのものであれば、加工性が く、加工時にも熱膨張し難いため、非接触 持される面を所望形状に高精度に加工され ものとすることができる。
 また、例えば、支持部7の材質は樹脂、内歯 車部8および駆動歯車10の材質はSUSとすること ができるが、これらに限定されるものではな い。

 次に、静圧支持部材3について説明する。
 図3に静圧支持部材3の概要を示す。まず、 3(a)は静圧支持部材3の全体を示している。外 周側がワークホルダー2を非接触支持するワ クホルダー静圧部であり、内周側がワークW 非接触支持するワーク静圧部となっている また、静圧支持部材3には、ワークホルダー 2を自転させるのに用いられる駆動歯車10を挿 入するための穴や、砥石4を挿入するための が形成されている。

 図3(b)に、ワークホルダー静圧部の一部を拡 大したものを示す。また、図3(c)は、図3(b)のA -A’における断面図である。
 図3(b)(c)に示すように、表面には土手12と、 手12に囲まれた凹部であるポケット13を有し ており、各ポケット13には、流体供給口から ケット13へ流体(例えば水)を供給するための 供給孔14が形成されている。
 また、図3(d)は、流体を各供給孔14へと供給 るためのラインを示したものであり、各ラ ンにはバルブ15および圧力計16が備えられて いる。これらによって、供給孔14を通してポ ット13へと供給される流体の静圧を調整す ことができる。実際に両頭研削を行う場合 は、0.3MPa以上の静圧に調整され、その静圧 ワークホルダー2を非接触支持する。

 そして、図1に示すように静圧支持部材3 ワークホルダー2の両側に配設されている。 た、各静圧支持部材3は、その位置を調整す る手段(不図示)に取り付けられており、両頭 削時には、ワークホルダー2と各静圧支持部 材3との間隔、すなわち、図3(c)に示すように ークホルダー2において非接触支持される面 と、静圧支持部材3においてワークホルダー 非接触支持する面の間隔Dが50μm以下に設定 れる。

 なお、ワーク静圧部の構成は特に限定さ ず、流体を供給する機構を備えていないも とすることもできるし、あるいは、特開2007 -96015号公報と同様に、土手やポケット、供給 孔を備え、流体をワークWと静圧支持部材3間 供給可能なものとすることもできる。

 また、砥石4は特に限定されず、例えば従 来と同様に、平均砥粒径が4μmの番手#3000のも のを用いることができる。さらには、番手#60 00~8000の高番手のものとすることも可能であ 。この例としては、平均粒径1μm以下のダイ モンド砥粒とビトリファイドボンド材から るものが挙げられる。なお、砥石4はモータ 5に接続されており、高速回転できるように っている。

 従来装置では、ワークホルダーにおいて 接触支持される面と、静圧支持部材におい ワークホルダーを非接触支持する面の間隔 200~500μmであったが、特に上記のような高番 手の砥石を用いる場合、研削負荷が高く、ワ ークホルダーを自転の軸方向に沿った位置を 安定化させることが困難である。

 しかしながら、本発明の両頭研削装置1では 、このような高番手の砥石4であっても、間 Dが50μm以下、かつ0.3MPa以上の流体の静圧で ークホルダー2を支持するものであるので、 ークホルダー2の自転の軸方向に沿った位置 を十分に安定化させることができる。そのた め、高負荷がかかる高番手の砥石を用いた研 削が可能になり、ナノトポグラフィーの悪化 を従来に比べて格段に抑制することができ、 高品質にワークを研削することが可能である 。
 加えて、このような高番手の砥石4を採用し たものであれば、両頭研削後の両面研磨工程 での研磨量の低減化を図ることができ、生産 性の向上、コストの削減を達成することがで きるとともに、両頭研削での面粗さやダメー ジ深さを改善することができる。

 以上のように、本発明の両頭研削装置1のワ ークホルダー2、静圧支持部材3、砥石4等の各 構成について説明してきたが、ここで、ワー クホルダー2および静圧支持部材3に関して、 らにより好ましい実施形態について説明す 。
 まず、本発明者らは、本発明の両頭研削装 1におけるワークホルダー2および静圧支持 材3の形状精度についての調査を行った。
 具体的には、ワークホルダー2と静圧支持部 材3との間隔Dを50μm以下に設定するために、 ークホルダー2の平面度と平行度、静圧支持 材3のワークホルダー2を非接触支持する面 平面度を変更して組み合わせた装置を用い 水の静圧によりワークホルダー2を非接触支 し、ワークホルダー2を自転させて、その回 転状況を調べる実験を行った。砥石には高番 手の#8000のものを用いた。

 まず、複数の静圧支持部材3と複数のワーク ホルダー2を準備し、三次元測定機ZYZAXRVA-A(株 式会社東京精密製)を用いて、静圧支持部材3 ついては2水準(平面度が15μm、20μm)、ワーク ホルダー2については3水準(平面度が50μmで平 度が10μm、平面度が15μmで平行度が10μm、平 度が5μmで平行度が5μm)を選別した。静圧支 部材の形状測定の結果の一例を図4に示す。
 これらを組み合わせて、ワークホルダー2と 静圧支持部材3との間隔Dを50μmに設定した後 、ワークホルダー2の自転の回転状況を調査 た。なお、供給する水の静圧は0.3MPaとした
 表1に、ワークホルダー2や静圧支持部材3の 面度、平行度の組み合わせや、回転状態に いて示す。

 表1に示すように、平面度と平行度の大き いものの組み合わせでは、ワークホルダー2 回転しても駆動歯車10を回転させるモータの 負荷が通常より高い現象が確認され、ワーク ホルダー2と静圧支持部材3が接触しているこ が分かった。

 ワークホルダー2と静圧支持部材3の間隔D 各々の形状との関係は、図5に示す通り、e 静圧支持部材3の平面度、fをワークホルダー 2の平行度、h-gをワークホルダー2の平面度、 に静圧水膜の厚さをαとすると、ワークホ ダー2と静圧支持部材3との間隔Dは、D=e+f+(h-g) /2+αと表される。ここで、静圧水膜厚さαが 定困難なため、他の寸法を規定する事は出 ないが、表1の回転状態の結果より、e+f+(h-g)/ 2の数値が30μm以下である事が必要条件となる 。

 但し、静圧支持部材3とワークホルダー2 加工時の形状精度は、その形状が単純であ ワークホルダー2の方が出しやすく、複雑な 状を持つ静圧支持部材3ではその形状精度に は限界がある。そこで、e+f+(h-g)/2の数値が30μ m以下である事を満たし、かつ現実的な形状 度としては、静圧支持部材3の平面度が20μm 下、ワークホルダー2の平面度が5μm以下、平 行度が5μm以下であるのが好ましい。

 特に、ワークホルダー2の平面度が5μm以下 平行度が5μm以下の精度は、従来用いられて た熱膨張係数が約17×10 -6 /℃のSUS304では、加工時の発熱のために得る が出来ない。ワークホルダー2のリング部6を 熱膨張係数が6×10 -6 /℃のアルミナセラミクスとする事で容易に 成出来る精度である。
 尚、e+f+(h-g)/2の数値が30μm以下である2水準 組み合わせ(ワークホルダー2の平行度が5μm つ平面度が5μmであり、静圧支持部材3のワー クホルダーを非接触支持する面の平面度が20 mまたは15μm)については、ワーク研削後に測 した擬似ナノトポグラフィーは、0.2μmを下 り、極めて良好なレベルである事を確認し いる。

 以上のような調査から、ワークホルダー2は 、平行度が5μm以下、かつ、平面度が5μm以下 ものであり、静圧支持部材3は、ワークホル ダー2を非接触支持する面の平面度が20μm以下 のものが好ましいことが判った。なお、両側 の静圧支持部材3の平行度は、組み付け時に 行調整を行っておけば良い。
 そして、このような条件を満たす両頭研削 置であれば、ワークホルダー2と静圧支持部 材3の間隔Dが50μm以下という小さい値であっ も、駆動歯車10のモータ9の負荷が上昇して 内歯車部8と駆動歯車10の間で磨耗による発 が生じ、発塵した異物がワークホルダー2と 圧支持部材3との隙間に混入するのを効果的 に防ぐことができることを本発明者らは見出 した。そして、これにより、ワークホルダー 2の回転を妨げる現象等が発生するのを予防 ることが可能である。

 次に、本発明のワークの両頭研削方法につ て述べる。
 ここでは、図1に示す本発明の両頭研削装置 1を用いた場合について説明するが、これに 定されず、ワークホルダー2と静圧支持部材3 の間隔Dを50μm以下とし、かつ、流体の静圧を 0.3MPa以上に調節して、ワークWの両面を研削 る方法であれば良い。

 ワークW(例えばシリコンウエーハ)をワーク ルダー2の支持部7によって、ワークWの径方 に沿って外周側から保持することにより支 する。
 ワークWを支持するワークホルダー2を、一 の静圧支持部材3の間に、静圧支持部材3とワ ークホルダー2が隙間を有するように支持す 。このとき、静圧支持部材3の各ポケット13 供給孔14から流体である水を供給し、各ポケ ット13ごとに静圧を0.3MPa以上に調節する。ま 、静圧支持部材3とワークホルダー2との間 Dを50μm以下に調節する。

 このようにして、ワークWを外周側から支 持するワークホルダー2を、静圧支持部材3を いて水の静圧により非接触で支持し、また 駆動歯車10によりワークホルダー2を自転さ つつ、モータ5により砥石4を回転させ、ワ クWの両面を同時に研削する。

 ワークWのナノトポグラフィーの悪化を防 ぐにあたっては、ワークWを支持するワーク ルダー2の自転の軸方向に沿った位置の制御 重要な要素である。上記のような本発明の 頭研削方法によって、ワークホルダー2を自 転の軸方向に沿って適正な位置に制御しつつ 、ワークWの両頭研削を行うことが可能なた 、従来に比べてばらつきも少なく高レベル ナノトポグラフィーに改善することができ 。例えば、両頭研削時に疑似ナノトポグラ ィーを0.2μm以下にすることができ、これに って、最終製品時にナノトポグラフィーを15 nm以下に抑制できる。これは近年の顧客から 要望を十分に満たすことのできるレベルで る。

 なお、ワークホルダー2において、非接触支 持される面を有するリング部6をアルミナセ ミクスからなるものとすれば、その非接触 持される面を形状精度高く加工することが 能であり、特には、平行度が5μm以下、かつ 面度が5μm以下のワークホルダー2とするこ ができる。
 また、静圧支持部材3において、平面度が20 m以下のものとするのが好ましい。
 このような形状のワークホルダー2や静圧支 持部材3を用いて両頭研削を行えば、研削中 ワークホルダー2と静圧支持部材3の間隔Dが50 μm以下と狭くても、互いに接触せず、ワーク ホルダー2の回転への影響をなくすことが可 である。

 また、砥石4として、平均粒径1μm以下のダ ヤモンド砥粒とビトリファイドボンド材か なるような高番手のものを用いることがで る。従来では、このような高番手のものを いた場合、研削時の負荷によりワークホル ーの位置制御ができず、ワークWにおけるナ トポグラフィーを悪化させてしまっていた しかしながら、本発明であれば、高番手の のを用いても、ワークホルダーの位置制御 可能であり、ワークのナノトポグラフィー 悪化を十分に抑制することができる。しか 、高番手のものを用いることにより、後の 面研磨工程での研磨量を減少させることが き、コスト削減や、面粗さやダメージ深さ 改善を図ることができる。
 

 以下、本発明を実施例によりさらに詳細に 明するが、本発明はこれに限定されない。
(実施例1)
 図1に示す本発明のワークの両頭研削装置1 用い、本発明の両頭研削方法により、ワー (直径300mmのシリコンウエーハ)の両頭研削を った。
 ワークホルダーとしてはリング部がアルミ セラミクスからなるものを用いた。ワーク ルダーの平面度は5μm、平行度は5μm、静圧 持部材の平面度は15μmである。
 ワークホルダーと静圧支持部材との間隔は3 0μmに設定した。また、静圧支持部材の供給 から水を供給し、0.6MPaの静圧により、ワー ホルダーを非接触支持した。さらに、砥石 しては、平均粒径1μm以下のダイヤモンド砥 とビトリファイドボンドからなるSD#3000砥石 とSD#8000砥石(株式会社アライドマテリアル製 ビトリファイドボンド砥石)を用いた。
 研削量は30μmである。

 ワークホルダーと静圧支持部材の間隔と研 されたワークの擬似ナノトポグラフィーの 果を図6に示す。
 図6に示すように、どちらの砥石を用いた場 合であっても、後述する比較例に比べてばら つきば小さく、かつ、疑似ナノトポグラフィ ーを0.2μm以下という良好なレベルに抑制する ことができた。特に、高番手のSD#8000砥石を いた場合であっても優れた結果を示してい ことが分かる。
 

(比較例1)
 ワークホルダーと静圧支持部材との間隔を1 00μmまたは200μmに設定する以外は実施例1と同 様にしてワーク(直径300mmのシリコンウエーハ )の両頭研削を行った。

 図6に示すように、実施例1に比べて疑似ナ トポグラフィーのばらつきは大きく、かつ0. 2μmを超える場合がある。確実に0.2μm以下に 制するには、本発明のように、静圧支持部 とワークホルダーの間隔を50μm以下にする必 要があることが分かる。
 なお、静圧支持部材とワークホルダーの間 が狭くなるほど疑似ナノトポグラフィーの が低減していることがわかる。さらには、S D#8000砥石を使用した場合にはこの傾向が更に 顕著となり、ワークホルダーと静圧支持部材 との間隔が広いほど急激に擬似ナノトポグラ フィーは悪化する。
 

(実施例2、比較例2)
 砥石にSD#8000砥石を用い、水による静圧値を 変えて設定した以外は実施例1と同様にして ーク(直径300mmのシリコンウエーハ)の両頭研 を行った。
 水による静圧は、0.3MPa、0.8MPa、1.0MPa(以上実 施例2)、0.2MPa(比較例2)とした。

 水による静圧値と研削されたワークの擬似 ノトポグラフィーの結果を図7に示す。なお 、実施例1のときの疑似ナノトポグラフィー 値を参考に載せておく(静水圧0.6MPaにおける )。
 比較例2では疑似ナノトポグラフィーが0.8μm と大きく、実施例2ではいずれも0.2μm以下に えられた。
 このように、静圧値が0.3MPaより小さいと疑 ナノトポグラフィーが著しく大きくなって まい、高品質の研削後のワークを得ること できない。静圧値を0.3MPa以上とすることに って優れたレベルの疑似ナノトポグラフィ に抑制できていることが分かる。

 また、実施例1、2、比較例1、2より、高レベ ルの疑似ナノトポグラフィーの研削後のワー クを得るには、本発明のように、ワークホル ダーと静圧支持部材の間隔を50μm以下とする ともに、0.3MPa以上の静圧により、静圧支持 材でワークホルダーを非接触支持すること 必須であることが分かる。
 

(比較例3)
 従来の両頭研削装置を用いてワーク(直径300 mmのシリコンウエーハ)の両頭研削を行った。
 用いた両頭研削装置XSG-320(光洋機械工業株 会社製)は、従来の標準的なものであり、三 元形状測定機ZYZAXRVA-A(株式会社東京精密製) よる実測で、ワークホルダーは平行度が10μ m、平面度が50μmのSUS製のもので、静圧支持部 材の平面度は20μmであった。
 ワークホルダーと静圧支持部材との間隔は 準的な200μmで、静水圧は0.6MPaに設定した。 して、砥石にはビトリファイドボンドのSD#3 000の直径160mm砥石(株式会社アライドマテリア ル製ビトリファイドボンド砥石)を用いた。
 研削量は30μmである。

 研削後のワークについて擬似ナノトポグラ ィーを計測した結果、非常にばらつきが大 く、平均で0.6μm、最大で1.2μmとばらつく結 となった。疑似ナノトポグラフィー目標値0 .2μmを満足する事は出来なかった。この原因 、200μmの隙間の中でワークホルダーが倒れ すく、ワークホルダーが倒れる事により、 ークの中心位置がずれ、ワークの変形を生 させていると考えられる。
 

 なお、本発明は、上記実施形態に限定さ るものではない。上記実施形態は、例示で り、本発明の特許請求の範囲に記載された 術的思想と実質的に同一な構成を有し、同 な作用効果を奏するものは、いかなるもの あっても本発明の技術的範囲に包含される