Title:
エピタキシャルリフトオフによって製造される発光ダイオード
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2014532307
Kind Code:
A
Abstract:
エピタキシャルリフトオフプロセスを用いて発光ダイオードを製造する方法は、基板上に犠牲層を形成するステップと、エピタキシャル材料によって犠牲層上に発光ダイオード構造を形成するステップと、発光ダイオード構造上に光反射層を形成するステップと、エッチングプロセスを用いて基板から犠牲層を除去し、発光ダイオード構造から基板を分離するステップとを有する。【選択図】 図１
Inventors:
パン，ノレン
エラルド，ヴィクター，シー．
ユートセイ，クリストファー
オソウスキー，マーク
エラルド，ヴィクター，シー．
ユートセイ，クリストファー
オソウスキー，マーク
Application Number:
JP2014533412A
Publication Date:
December 04, 2014
Filing Date:
September 28, 2012
Export Citation:
Assignee:
マイクロリンク デバイシズ，インコーポレーテッド
International Classes:
H01L33/10; H01L21/306; H01L33/12
Domestic Patent References:
| JP2005123530A | 2005-05-12 | |||
| JP2009054693A | 2009-03-12 | |||
| JP2010016055A | 2010-01-21 | |||
| JP2010504649A | 2010-02-12 | |||
| JP2011142231A | 2011-07-21 | |||
| JP2008282851A | 2008-11-20 | |||
| JP2007221029A | 2007-08-30 | |||
| JP2010205943A | 2010-09-16 | |||
| JP2006516066A | 2006-06-15 | |||
| JP2005056956A | 2005-03-03 |
Foreign References:
| US20110124139A1 | 2011-05-26 |
Attorney, Agent or Firm:
Yusuke Hiraki
Mitsuo Sekiya
Toshiaki Watanabe
Hidekazu Matsumaru
Ken-ichi Imamura
Mitsuo Sekiya
Toshiaki Watanabe
Hidekazu Matsumaru
Ken-ichi Imamura