Title:
マトリックス中に半導体構造が埋め込まれたコンポジット
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2015504459
Kind Code:
A
Abstract:
マトリックス中に半導体構造が埋め込まれたコンポジットがここに記載される。一の例において、コンポジットはマトリックス材料を含む。複数の半導体構造がマトリックス材料中に埋め込まれる。各半導体構造は、第一の半導体材料から構成され、アスペクト比が1.0〜2.0の、但し1.0及び2.0を含まない、異方性ナノ結晶コアを含む。各半導体構造は、異方性ナノ結晶コアを少なくとも部分的に取り囲む第二の、異なる半導体材料から構成されるナノ結晶シェルも含む。絶縁層が各ナノ結晶シェル及び異方性ナノ結晶コアペアリングを封止する。
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Inventors:
カーティン、 ジュアニータ
リーズ、 コリン
テオバルト、 ブライアン
カリロ、 マシュー ジェイ．
パク、 オン−ホ
マッソン、 ジェオルジェタ
ヒューズ、 スティーブン エム．
リーズ、 コリン
テオバルト、 ブライアン
カリロ、 マシュー ジェイ．
パク、 オン−ホ
マッソン、 ジェオルジェタ
ヒューズ、 スティーブン エム．
Application Number:
JP2014541053A
Publication Date:
February 12, 2015
Filing Date:
September 14, 2012
Export Citation:
Assignee:
パシフィック ライト テクノロジーズ コーポレーション
International Classes:
C08L101/00; B82Y20/00; B82Y40/00; C08K9/02; C09K11/08; H01L33/50
Domestic Patent References:
| JP2010126596A | 2010-06-10 | |||
| JP2007284284A | 2007-11-01 | |||
| JP2006513458A | 2006-04-20 | |||
| JP2008050603A | 2008-03-06 | |||
| JP2006083219A | 2006-03-30 | |||
| JP2011040486A | 2011-02-24 |
Foreign References:
| US20110101387A1 | 2011-05-05 | |||
| WO2011092647A2 | 2011-08-04 | |||
| US20110220194A1 | 2011-09-15 |
Attorney, Agent or Firm:
Hidekazu Miyoshi
Masakazu Ito
Field Yuko
Masakazu Ito
Field Yuko