Title:
高輝度ナノ構造体およびそれを製造する方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2015529698
Kind Code:
A
Abstract:
高輝度ナノ構造体、特に高輝度量子ドットが提供される。ナノ構造体は、高いフォトルミネセンス量子収率を有し、特定の実施形態において特定の波長で光を放射し、狭い粒度分布を有する。ナノ構造体は、シェル形成中に用いられるＣ５−Ｃ８カルボン酸配位子を含む配位子および／または合成後準備されたジカルボン酸またはポリカルボン酸配位子を含むことができる。インジウムを含むナノ構造体コアを強化する方法、およびシェル合成の技法を含む、そのような高輝度ナノ構造体を製造するプロセスもまた提供される。
Inventors:
Wentsoo Guo
Jien Chen
Robert Dubro
William P. Freeman
Jien Chen
Robert Dubro
William P. Freeman
Application Number:
JP2015520260A
Publication Date:
October 08, 2015
Filing Date:
June 13, 2013
Export Citation:
Assignee:
Nanosys Ink.
International Classes:
C09K11/08; B82Y20/00; B82Y30/00; B82Y40/00; C01B25/08; C09K11/56; C09K11/70; C09K11/88; H01L33/50
Domestic Patent References:
| JP2009544805A | 2009-12-17 | |||
| JP2008544013A | 2008-12-04 | |||
| JP2005101601A | 2005-04-14 | |||
| JP2012525467A | 2012-10-22 | |||
| JP2010540709A | 2010-12-24 |
Foreign References:
| US20100283005A1 | 2010-11-11 | |||
| US20070034833A1 | 2007-02-15 | |||
| US20090230382A1 | 2009-09-17 | |||
| US20050051769A1 | 2005-03-10 | |||
| US20100276638A1 | 2010-11-04 |
Attorney, Agent or Firm:
Axis International Patent Business Corporation