Title:
互いに並んで配置された複数の活性領域を有するオプトエレクトロニクス半導体チップ
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2015533022
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、放射を放出するのに適する活性ゾーン（４）を有する半導体積層体（２）と、キャリア基板（１０）と、半導体積層体（２）とキャリア基板（１０）との間に配置されているミラー層（６）と、を備えており、半導体積層体（２）が、互いに並んで配置されている複数の活性領域（１１，１２）に分割されており、活性領域（１１，１２）それぞれが、半導体積層体（２）における溝（１３）によって互いに隔てられており、溝（１３）それぞれが、半導体積層体（２）およびミラー層（６）を分断しており、ミラー層（６）が、溝（１３）に面する側面（１６）と、半導体チップ（１）の外面（１５）に面する側面（１７）とを有し、半導体チップ（１）の外面（１５）に面するミラー層（６）の側面（１７）が金属封止層（７）を有し、溝（１３）に面するミラー層（６）の側面（１６）の少なくとも一部分が誘電体封止層（９）を有する、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）、に関する。【選択図】図１
Inventors:
Heppel Lutz
Proufer Alexander F.
Proufer Alexander F.
Application Number:
JP2015532408A
Publication Date:
November 16, 2015
Filing Date:
September 19, 2013
Export Citation:
Assignee:
Osram Opto Semiconductors GmbH
International Classes:
H01L33/44; H01L33/10
Domestic Patent References:
| JP2011513957A | 2011-04-28 |
Foreign References:
| DE102010045784A1 | 2012-03-22 |
Attorney, Agent or Firm:
Koichi Washida