Title:
波長変換式半導体発光デバイス
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2016524344
Kind Code:
A
Abstract:
本発明の実施形態において、発光デバイスは、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置された発光層を含んだ半導体構造を含む。発光層によって発せられる光の経路内に第１の波長変換層が配設される。第１の波長変換層は波長変換セラミックとし得る。第１の波長変換層に第２の波長変換層が融着される。第２の波長変換層は、ガラス内に置かれた波長変換材料とし得る。
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Inventors:
Shricker, april dawn
Oleg Bolshovic
Cho, Han Ho
Schmidt, Peter Joseph
Oleg Bolshovic
Cho, Han Ho
Schmidt, Peter Joseph
Application Number:
JP2016524924A
Publication Date:
August 12, 2016
Filing Date:
July 03, 2014
Export Citation:
Assignee:
KONINKLIJKE PHILIPS N.V.
International Classes:
H01L33/50; G02B5/20
Domestic Patent References:
| JP2011529267A | 2011-12-01 | |||
| JP2011116974A | 2011-06-16 | |||
| JP2010287777A | 2010-12-24 | |||
| JP2013526007A | 2013-06-20 | |||
| JP2010514187A | 2010-04-30 | |||
| JP2012503876A | 2012-02-09 | |||
| JP2012119481A | 2012-06-21 | |||
| JP2006005367A | 2006-01-05 | |||
| JP2011519162A | 2011-06-30 | |||
| JP2008169348A | 2008-07-24 | |||
| JP2012031328A | 2012-02-16 | |||
| JP2009126725A | 2009-06-11 |
Foreign References:
| WO2012045772A1 | 2012-04-12 | |||
| WO2013058065A1 | 2013-04-25 | |||
| WO2010131402A1 | 2010-11-18 | |||
| WO2012042452A2 | 2012-04-05 | |||
| US5951732A | 1999-09-14 |
Attorney, Agent or Firm:
Tadashige Ito
Tadahiko Ito
Shinsuke Onuki
Tadahiko Ito
Shinsuke Onuki