Title:
基板近傍の熱伝導性が改善された多結晶性ＣＶＤダイヤモンドを含む半導体デバイス構造体
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2016539510
Kind Code:
A
Abstract:
III-V化合物半導体材料の層；多結晶性CVDダイヤモンド材料の層；及びIII-V化合物半導体材料の層と多結晶性CVDダイヤモンド材料の層との間の界面領域(この界面領域には、多結晶性CVDダイヤモンド成長の初期核生成段階中にIII-V化合物半導体材料の層を含む基板の上に形成される多結晶性CVDダイヤモンドのダイヤモンド核生成層が含まれる)を含んでなり、ダイヤモンド核生成層は、ダイヤモンド核生成層を含む領域に焦点を合わせたレーザーによって生じたラマン信号が1332cm-1に5.0cm-1以下の半値全幅を有するsp3炭素ピークを示すものであり、ダイヤモンド核生成層は前記ラマン信号がさらに下記特徴：(i)633nmのラマン励起源を使用するときはバックグラウンド減算後の1332cm-1のsp3炭素ピークの高さの20%以下である高さを有する1550cm-1のsp2炭素ピーク；及び(ii)1332cm-1のsp3炭素ピークは785nmのラマン励起源を用いるラマンスペクトルの局所バックグラウンド強度の10%以上である；の一方又は両方を示すものであり、かつダイヤモンド核生成層の核生成表面の平均核生成密度は1×108cm-2以上、1×1012cm-2以下である、半導体デバイス構造体。【選択図】図１
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Inventors:
Nursal-Fairy Phillips
Application Number:
JP2016540296A
Publication Date:
December 15, 2016
Filing Date:
August 29, 2014
Export Citation:
Assignee:
RF FIC Corporation
International Classes:
H01L21/02; C30B29/04; H01L21/20; H01L21/205; H01L21/337; H01L21/338; H01L29/808; H01L29/812
Domestic Patent References:
| JP2015517205A | 2015-06-18 |
Foreign References:
| US7595507B2 | 2009-09-29 | |||
| US20130175546A1 | 2013-07-11 |
Attorney, Agent or Firm:
Tadashige Ito
Tadahiko Ito
Shinsuke Onuki
Tadahiko Ito
Shinsuke Onuki