Title:
歪み修正面活性領域を有するＩＩＩ族窒化物ナノワイヤＬＥＤ及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017503333
Kind Code:
A
Abstract:
発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスは、半導体ナノワイヤコアと、半導体ナノワイヤコアの周囲に半径方向に配置されたＩｎ（Ａｌ）ＧａＮ活性領域量子ウェルシェルとを含む。活性量子ウェルシェルは、同じシェルの低濃度インジウム領域よりも少なくとも５原子パーセント多いインジウム含有量を有する高濃度インジウム領域を含む。活性領域量子ウェルシェルは、少なくとも３つの山を有する不均一な表面輪郭形状を有する。少なくとも３つの山の各々は、少なくとも３つの山のうち隣接する山から谷によって分離され、少なくとも３つの山の各々は、隣接する谷から半径方向に少なくとも２ｎｍ延出する。
Inventors:
Romano, Linda
Lee, Sansu
Svenson, Patrick
Gardner, Nathan
Lee, Sansu
Svenson, Patrick
Gardner, Nathan
Application Number:
JP2016526939A
Publication Date:
January 26, 2017
Filing Date:
December 15, 2014
Export Citation:
Assignee:
GLO AB
International Classes:
H01L33/24; B82Y20/00; B82Y40/00; H01L21/205; H01L33/02; H01L33/32
Domestic Patent References:
| JP2013004661A | 2013-01-07 | |||
| JP2004207610A | 2004-07-22 | |||
| JPH10215029A | 1998-08-11 | |||
| JP2011527825A | 2011-11-04 |
Foreign References:
| US20120225526A1 | 2012-09-06 | |||
| US20100276664A1 | 2010-11-04 | |||
| WO2010062644A2 | 2010-06-03 |
Attorney, Agent or Firm:
Yasunori Otsuka
Yasuhiro Otsuka
Shiro Takayanagi
Shuji Kimura
Osamu Shimoyama
Nagakawa Yukimitsu
Yasuhiro Otsuka
Shiro Takayanagi
Shuji Kimura
Osamu Shimoyama
Nagakawa Yukimitsu