Title:
ブロックコポリマーの自己組織化によるパターン形成方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2017523597
Kind Code:
A
Abstract:
以下の工程：− 金属化すべき少なくとも２つの領域（２１ａ、２１ｃ）を画定する第１のマスク（２０）を基板（３０）の表面上に形成する工程、− 第１のマスク（２０）の上方にアセンブリガイド（２３ａ）を、アセンブリガイドが、金属化すべき２つの領域（２１ａ、２１ｃ）にそれぞれ属する２つの接点領域（２２ａ、２２ｃ）を覆う表面を画定するように、形成する工程、− 該表面上にブロックコポリマー層を堆積させる工程、− ブロックコポリマー層を再組織化する工程、− 再組織化されたブロックコポリマー層の相（２４）の１つを除去して、２つの接点領域（２２ａ、２２ｃ）および２つの接点領域（２２ａ、２２ｃ）の間に配置された第１のマスク（２０）の一部の上方のブロックコポリマー層に延びる複数の孔を生じる工程、− 連続トレンチ（２５ａ）が２つの接点領域（２２ａ、２２ｃ）および第１のマスク（２０）の該一部の上方に形成されるまで、ブロックコポリマー層の孔をエッチングすることによって拡大する工程、− 第１のマスク（２０）を介して、連続トレンチを基板の表面に転写して、接点領域（２２ａ、２２ｃ）に対応するパターンを形成する工程を含むブロックコポリマーの自己組織化による基板の表面にパターンを製造する方法。
Inventors:
Jerome, Verdun
Pimenta Barro, Patricia
Pimenta Barro, Patricia
Application Number:
JP2016569817A
Publication Date:
August 17, 2017
Filing Date:
May 21, 2015
Export Citation:
Assignee:
Komisariya a Renergi Atomic E o Energy Alternate
International Classes:
H01L21/768; H01L21/027; H01L21/3065
Domestic Patent References:
| JP2005217420A | 2005-08-11 |
Foreign References:
| US20140091476A1 | 2014-04-03 | |||
| US20090200646A1 | 2009-08-13 | |||
| US20080093743A1 | 2008-04-24 |
Attorney, Agent or Firm:
Kawaguchi International Patent Office