Title:
酸化物半導体薄膜トランジスタにおけるスキャン駆動回路
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2018500583
Kind Code:
A
Abstract:
【課題】本発明は、酸化物半導体薄膜トランジスタにおけるスキャン駆動回路を提供する。【解決手段】前記酸化物半導体薄膜トランジスタにおけるスキャン駆動回路のプルダウン保持回路部（６００）は、主インバータと補助インバータを備え、定電圧低電位（ＤＣＬ）を導入すると共に、定電圧低電位（ＤＣＬ）＜第２負電位（ＶＳＳ２）＜第１負電位（ＶＳＳ１）に設定されているため、酸化物半導体薄膜トランジスタの電気特性がスキャン駆動回路に与える影響、特に、漏れ電流の問題による機能不良といった影響を防ぐことができ、プルダウン保持回路部（６００）が作動中には正常にプルダウンされ、作動していない時には比較的高い電位になるようにすることができ、効果的に第１ノードと出力端子を低電位に保つことができる。【選択図】図７
Inventors:
Super
Application Number:
JP2017519242A
Publication Date:
January 11, 2018
Filing Date:
February 06, 2015
Export Citation:
Assignee:
SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.
International Classes:
G09G3/36; G02F1/133; G09G3/20; G11C19/28; H01L21/336; H01L29/786; H03K19/0175
Domestic Patent References:
| JP2003076346A | 2003-03-14 |
Foreign References:
| CN103400601A | 2013-11-20 | |||
| WO2014148171A1 | 2014-09-25 |
Attorney, Agent or Firm:
Yoneda Koichiro
Seishiro Suzuki
Seishiro Suzuki