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Title:
傾斜イオンビームを用いて空洞を満たすための装置及び技術
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2019501489
Kind Code:
A
Abstract:
方法は、プラズマをプラズマチャンバの中で生成する、ステップと、前記プラズマからの凝縮種及び不活性ガス種の内の少なくとも１つを含むイオンを、基板内の空洞へ、前記基板の平面の垂線に対して非ゼロの入射角で、向ける、ステップと、を含んでもよい。前記方法は、さらに、前記凝縮種を用いて、充填材料を前記空洞内に蒸着するステップを含んでもよく、該蒸着するステップは前記イオンを向けるステップと同時に行われてもよく、前記充填材料は、前記空洞の下部面上に第１の速度で堆積し、前記空洞の側壁の上部部分上に前記第１の速度より遅い第２の速度で堆積する。

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Inventors:
Dung Lian Chen
John Hotara
Shron Lian
Application Number:
JP2018528053A
Publication Date:
January 17, 2019
Filing Date:
November 30, 2016
Export Citation:
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Assignee:
Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
International Classes:
H01J37/317; C23C14/32; H05H1/46
Domestic Patent References:
JP2014532304A2014-12-04
JP2010278330A2010-12-09
JP2001338896A2001-12-07
JPH06104205A1994-04-15
JPH01149957A1989-06-13
JP2016540360A2016-12-22
Foreign References:
US6117345A2000-09-12
US6106678A2000-08-22
Attorney, Agent or Firm:
Kenji Sugimura
Mitsutsugu Sugimura
Masaaki Ishikawa



 
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