Title:
磁気測定用途に最適化された窒素含有単結晶ダイヤモンド材料
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2019506356
Kind Code:
A
Abstract:
中性窒素空孔欠陥（ＮＶ0）と、負に帯電した窒素空孔欠陥（ＮＶ-）と、中性窒素空孔欠陥（ＮＶ0）に電荷を移動させてそれらを負に帯電した窒素空孔欠陥（ＮＶ-）に変換する単一置換窒素欠陥（Ｎs）とを含む、単結晶ダイヤモンド材料であって、単結晶ダイヤモンド材料が、少なくとも２の磁気測定性能指数（ＦＯＭ）を有し、磁気測定性能指数が、（Ｉ）（式中、Ｒは、負に帯電した窒素空孔欠陥の中性窒素空孔欠陥に対する濃度比（［ＮＶ-］／［ＮＶ0］）であり、［ＮＶ-］は、原子百万分率（ｐｐｍ）で測定した、単結晶ダイヤモンド材料の負に帯電した窒素空孔欠陥の濃度であり、［ＮＶ０］は、原子百万分率（ｐｐｍ）で測定した、単結晶ダイヤモンド材料の中性窒素空孔欠陥の濃度であり、Ｔ2’は、ＮＶ-欠陥のデコヒーレンス時間であり、Ｔ2’は、ＤＣ磁気測定の場合はＴ2*、ＡＣ磁気測定の場合はＴ2である）により定義されることを特徴とする、単結晶ダイヤモンド材料。
Inventors:
Lou Wilbur
Bruce Gregory Scott
Edmonds Andrew Mark
Markham Matthew Lee
Stacy Alastair Douglas
Dillon Harpreit Cowl
Bruce Gregory Scott
Edmonds Andrew Mark
Markham Matthew Lee
Stacy Alastair Douglas
Dillon Harpreit Cowl
Application Number:
JP2018533226A
Publication Date:
March 07, 2019
Filing Date:
December 06, 2016
Export Citation:
Assignee:
Element Six Technologies Limited
Element Six Technologies US Corporation
Element Six Technologies US Corporation
International Classes:
C30B29/04; C01B32/28; C23C16/27; C30B25/02; C30B33/02
Domestic Patent References:
| JP2012530674A | 2012-12-06 | |||
| JP2014516905A | 2014-07-17 |
Foreign References:
| WO2015107907A1 | 2015-07-23 |
Attorney, Agent or Firm:
Shinichiro Tanaka
Disciple Maru Ken
▲吉▼田 和彦
Atsushi Hakoda
Kenji Asai
Kazuo Yamazaki
Satsuki Ichikawa
Hironobu Hattori
Disciple Maru Ken
▲吉▼田 和彦
Atsushi Hakoda
Kenji Asai
Kazuo Yamazaki
Satsuki Ichikawa
Hironobu Hattori