Title:
半導体デバイス及びその製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2019519088
Kind Code:
A
Abstract:
本発明は、半導体デバイス及びその製造方法を提供し、半導体の技術分野に関する。実行形態による半導体デバイスは、基板と、基板の一方の側に配置された半導体層と、半導体層の基板から遠い一方の側に配置されたソース及びドレインと、ソースとドレインの間に配置されたゲートと、半導体層の基板から遠い一方の側の上に配置された分離構造であって、分離構造の一端が、ソースに近い側に配置され、他端が、ドレインに近い側に配置されて半導体デバイスの表面層と直接接触し、分離構造が、ゲート又はゲートの一部分を覆い、分離構造が、一体形成構造であり半導体層と共にチャンバを形成し、ゲートの少なくとも一部分が、チャンバ内に配置され、チャンバが、ゲート延在方向に開口を有し、密閉構造によって開口を密閉することによって密閉チャンバを形成する、分離構造と、を有する。【選択図】図１
Inventors:
Pay e
Ryu Feihan
Ryu Feihan
Application Number:
JP2018550421A
Publication Date:
July 04, 2019
Filing Date:
March 30, 2018
Export Citation:
Assignee:
DYNAX SEMICONDUCTOR,INC.
International Classes:
H01L21/338; H01L29/778; H01L29/812
Domestic Patent References:
| JP2004095637A | 2004-03-25 | |||
| JP2017017311A | 2017-01-19 | |||
| JP2012028579A | 2012-02-09 | |||
| JP2008277598A | 2008-11-13 | |||
| JP2006245159A | 2006-09-14 |
Attorney, Agent or Firm:
Patent business corporation glory patent office