Title:
改良された排ガス削減のためのシステムおよび方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2020503490
Kind Code:
A
Abstract:
本開示は、概して、半導体ウェハの製造中に形成される排ガスの燃焼削減のためのシステムおよび方法に関する。特に、本明細書に記載のシステムは、従来の削減システムよりも低いエネルギー使用量および高い効率で、ヘキサフルオロエタン（Ｃ２Ｆ６）およびテトラフルオロメタン（ＣＦ４）などの高い温室効果ガス指数を有するものを含む大気汚染ペルフルオロカーボンや、シラン（ＳｉＨ４）およびテトラエトキシシラン（Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）４、略してＴＥＯＳ）などの粒子形成二酸化ケイ素前駆体を燃焼することができる。より詳細には、好ましい一実施形態では、本開示は、反応チャンバの複数の透過性内面を通って導かれる不燃性ガスと可燃性ガス（またはガス混合物）の組合せを熱燃焼のために利用して、排ガスを効率的に燃焼させ、チャンバ表面への固体粒子状物質の望ましくない蓄積を防ぐことができる排ガス削減システムに関する。【選択図】図１
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Inventors:
Silverstein, Michael Jay.
Baht, David Frederick
Baht, David Frederick
Application Number:
JP2019536584A
Publication Date:
January 30, 2020
Filing Date:
January 04, 2018
Export Citation:
Assignee:
ALZETA CORPORATION
International Classes:
F23G7/06
Attorney, Agent or Firm:
Patent business corporation Kita Aoyama International