Title:
高品質単結晶炭化ケイ素の成長方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP2024508945
Kind Code:
A
Abstract:
単結晶炭化ケイ素（ＳｉＣ）の基板（２０）上にエピタキシャル層を成長させる方法である。本方法では、るつぼのチャンバ（５）内に、柱状微細粒子構造を有するモノリシック多結晶ＳｉＣの原料物質（１０）及び単結晶ＳｉＣの基板（２０）を両者間に距離を置いて設け（Ｓ１００）；原料物質（１０）及び基板（２０）に近づけて、るつぼのチャンバ（５）中に炭素ゲッター（１）（但し炭素ゲッターは２２００℃よりも高い融点、及びＳｉＣから蒸発した炭素種で炭化物層を形成する能力を有する）を配置し（Ｓ１０２）；チャンバ（５）中の圧力を低減し（Ｓ１０６）；不活性ガスをチャンバ（５）中へと挿入し（Ｓ１０８）；チャンバ（５）内の温度を、１μｍ／時～１ｍｍ／時の間の成長速度が達成されるような成長温度まで上昇させ（Ｓ１１０）；少なくとも５μｍの成長が基板（２０）上で達成されるまで、成長温度を保持する（Ｓ１１２）。【選択図】図７
Inventors:
Don, Rin
Arasad, Kassim
Ekman, Johan
Arasad, Kassim
Ekman, Johan
Application Number:
JP2023554290A
Publication Date:
February 28, 2024
Filing Date:
February 18, 2022
Export Citation:
Assignee:
KISELKARBID I STOCKHOLM AB
International Classes:
C30B29/36; C30B23/06
Attorney, Agent or Firm:
Patent Attorney Corporation Hiroe Associates Patent Office