【発明の名称】半導体素子の製造方法

Title:

【発明の名称】半導体素子の製造方法

Document Type and Number:

Japanese Patent JP2875556

Kind Code:

B2

Inventors:

OOTA MASAE
UTSUKI TOMOKATSU
OCHIAI JUNICHI

Application Number:

JP26291789A

Publication Date:

March 31, 1999

Filing Date:

October 11, 1989

Export Citation:

Assignee:

OKI DENKI KOGYO KK

International Classes:

G03F7/095; G03F7/26; H01L21/027; H01L21/30; (IPC1-7): H01L21/027; G03F7/095; G03F7/26

Domestic Patent References:

JP62144161A
JP1193730A

Attorney, Agent or Firm:

Toshiaki Suzuki

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