Title:
パワーモジュール
Document Type and Number:
Japanese Patent JP3197361
Kind Code:
U
Abstract:
【課題】縦型ＳｉＣ ＦＥＴの高電力動作が可能なパワーモジュールを提供する。【解決手段】縦型ＳｉＣ ＦＥＴ７の一方の主面に金属基板３を接合し、もう一方の主面に金属基板６を接合し、これを回路基板１、２に接合した両面冷却型パワーモジュールである。金属基板３に接合する縦型ＳｉＣ ＦＥＴ７にはゲート電極とソース電極が形成されており、これを回路基板１に接合するが、各電極を取り出すために金属基板３にはビア絶縁体４とビア導体５が形成される。縦型ＳｉＣ ＦＥＴ７のもう一方の主面はドレイン電極であり、ここに金属基板６を接合してサンドイッチ構造としたものをヒートスプレッダー構造体と称する。ヒートスプレッダー構造体の両面を回路基板１、２に接合し、パワーモジュールを強制冷却する場合には水冷機構を備えた固定板に取り付ける。ヒートスプレッダー構造体において金属基板３、６に挟まれた間隙には、ガラス転移温度が２００?Ｃ超の高耐熱性樹脂８を充填する。【選択図】図１
Inventors:
Yoshinori Yamada
Application Number:
JP2015000994U
Publication Date:
May 14, 2015
Filing Date:
February 13, 2015
Export Citation:
Assignee:
Diax Co., Ltd.
International Classes:
H01L23/12; H01L21/60