Title:
エピタキシャル成長用基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウェハの製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP5626955
Kind Code:
B2
Inventors:
平野 立一
栗田 英樹
栗田 英樹
Application Number:
JP2009241930A
Publication Date:
November 19, 2014
Filing Date:
October 21, 2009
Export Citation:
Assignee:
ＪＸ日鉱日石金属株式会社
International Classes:
H01L21/338; H01L21/203; H01L29/778; H01L29/812
Attorney, Agent or Firm:
Hiroshi Arafune