Title:
ＳＧＴを有する半導体装置と、その製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JP5639317
Kind Code:
B1
Abstract:
半導体装置の製造方法は、半導体基板（１）上に位置する半導体柱（６）にＳＧＴを形成し、半導体柱（６）の中央部に存在する不純物領域（２ａ、３ｂ）又はゲート導体層（１０ｄ）の側面に接するように配線半導体層（１５、２２）を形成する。配線半導体層（１５、２２）の側面に形成された第１の合金層（１９ａ、２３ａ）が、不純物領域（２ｂ、３ｂ）及びゲート導体層（１０ｄ）と直接的に繋がり、配線半導体層（１５、２２）の上面及び側面に形成された第２の合金層（１９ｂ、２３ｂ）の上面上に形成されたコンタクトホール（２８ｃ、２８ａ）を介して出力配線金属層（Ｖｏｕｔ）に接続されている。
Inventors:
舛岡 富士雄
原田 望
原田 望
Application Number:
JP2014529748A
Publication Date:
December 10, 2014
Filing Date:
November 06, 2013
Export Citation:
Assignee:
ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッドＵｎｉｓａｎｔｉｓ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｓｉｎｇａｐｏｒｅ Ｐｔｅ Ｌｔｄ．
International Classes:
H01L21/8238; H01L21/28; H01L21/336; H01L27/092; H01L29/41; H01L29/78
Foreign References:
| WO2013088520A1 | 2013-06-20 | |||
| WO2009095997A1 | 2009-08-06 | |||
| WO2013088520A1 | 2013-06-20 | |||
| WO2009095997A1 | 2009-08-06 |
Attorney, Agent or Firm:
Mitsuru Kimura
Takanori Menju
Taiji Morikawa
Takehiko Ishido
Takanori Menju
Taiji Morikawa
Takehiko Ishido