Title:
ディスプレイ用酸化物半導体薄膜、ディスプレイ用薄膜トランジスタ及びスパッタリングターゲット
Document Type and Number:
Japanese Patent JP6756875
Kind Code:
B1
Abstract:
【課題】本発明は製造コストが比較的低く、薄膜トランジスタを形成した際のキャリア移動度及び光ストレス耐性が高い酸化物半導体薄膜の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、金属元素を含む酸化物半導体薄膜であって、上記金属元素がＩｎ、Ｚｎ、Ｆｅ及び不可避的不純物からなり、Ｉｎ、Ｚｎ及びＦｅの合計原子数に対し、Ｉｎの原子数が５８ａｔｍ％以上８０ａｔｍ％以下、Ｚｎの原子数が１９ａｔｍ％以上４１ａｔｍ％以下、Ｆｅの原子数が０．６ａｔｍ％以上３ａｔｍ％以下である。【選択図】図１
Inventors:
Nishiyama Kohei
Mototaka Ochi
Hiromi Teramae
Takao Kawarada
Mototaka Ochi
Hiromi Teramae
Takao Kawarada
Application Number:
JP2019101384A
Publication Date:
September 16, 2020
Filing Date:
May 30, 2019
Export Citation:
Assignee:
KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO
International Classes:
H01L21/363; C23C14/08; H01L21/336; H01L29/786
Domestic Patent References:
| JP2010135773A | ||||
| JP2016189463A | ||||
| JP2004103957A |
Foreign References:
| WO2009081885A1 |
Attorney, Agent or Firm:
Hajime Amano
Fujimoto Katsune
Yoshinori Ikeda
Koji Ishida
Fujimoto Katsune
Yoshinori Ikeda
Koji Ishida