Title:
半導体製造用に用いられる炭化ケイ素焼結体治具の製造方法及び前記製造方法により得られる炭化ケイ素焼結体治具
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2003040059
Kind Code:
A1
Abstract:
炭化ケイ素焼結体治具の純度の向上を簡易に図ることができる炭化ケイ素焼結体治具の製造方法を提供する。焼結体２を、アルゴン雰囲気下、２２００〜２３００℃の範囲から選択される熱処理温度まで昇温速度３〜５℃／ｍｉｎで昇温し、前記熱処理温度に３時間保持し、１０００℃まで降温速度２〜３℃／ｍｉｎで降温させる工程を含む炭化ケイ素焼結体治具の製造方法。
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Inventors:
小高 文雄
Application Number:
JP2003542110A
Publication Date:
March 03, 2005
Filing Date:
October 30, 2002
Export Citation:
Assignee:
株式会社ブリヂストン
International Classes:
C04B35/565; C04B35/575; C04B41/00; C04B41/80; H01L21/205; H01L21/3065