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Title:
基板処理方法および半導体装置の製造方法
Document Type and Number:
Japanese Patent JPWO2003056622
Kind Code:
A1
Abstract:
半導体素子が形成された電子デバイス用基板を水素ラジカル（含重水素ラジカル）に対して曝露する基板処理方法において、平面アンテナにマイクロ波を放射することにより形成されるプラズマにより、前記水素ラジカルを励起する。

Inventors:
菅原 卓也
松山 征嗣
佐々木 勝
Application Number:
JP2003557041A
Publication Date:
May 12, 2005
Filing Date:
December 25, 2002
Export Citation:
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Assignee:
東京エレクトロン株式会社
International Classes:
H01L21/322; H01L21/28; H01L21/30; H01L21/324; H01L21/336; H01L21/8242; H01L27/108; H01L29/78; H01L29/786; H01L29/51
Domestic Patent References:
JPH11330080A1999-11-30
JPS59213137A1984-12-03
JPH1012625A1998-01-16
JPS58106837A1983-06-25
JPH01214123A1989-08-28
JPH03286535A1991-12-17
JP2002025874A2002-01-25
JP2002299330A2002-10-11
Foreign References:
WO1998033362A11998-07-30



 
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